JPS61108191A - 多層回路基板 - Google Patents
多層回路基板Info
- Publication number
- JPS61108191A JPS61108191A JP22888684A JP22888684A JPS61108191A JP S61108191 A JPS61108191 A JP S61108191A JP 22888684 A JP22888684 A JP 22888684A JP 22888684 A JP22888684 A JP 22888684A JP S61108191 A JPS61108191 A JP S61108191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond
- multilayer circuit
- circuit board
- copper
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
利用分野
本発明は、多層構造体の熱抵抗が極めて小さい、素子の
冷却効率が高い多層回路基板に関する。
冷却効率が高い多層回路基板に関する。
従来技術
従来、多層回路基板の材料として、アルミナ（熱伝導率
２０Ｗ／ｍＫ）などのセラミック、またはポリイミド（
０，１Ｗ／ｍ Ｋ） 、ｘポキシ（０，１Ｗ ／ ｍ
Ｋ ）などの樹脂を基板とし、また酸化けい素（ＩＷ／
ｍＫ）、窒化けい素（３０Ｗ／ｍＫ）、りんけい酸ガラ
ス（ＩＷ／ｍＫ）などを層間絶縁層としていた。これら
の材料は熱伝導率が十分に高くないので、発熱量の大き
い高速素子を高密度に実装することができなかった。
２０Ｗ／ｍＫ）などのセラミック、またはポリイミド（
０，１Ｗ／ｍ Ｋ） 、ｘポキシ（０，１Ｗ ／ ｍ
Ｋ ）などの樹脂を基板とし、また酸化けい素（ＩＷ／
ｍＫ）、窒化けい素（３０Ｗ／ｍＫ）、りんけい酸ガラ
ス（ＩＷ／ｍＫ）などを層間絶縁層としていた。これら
の材料は熱伝導率が十分に高くないので、発熱量の大き
い高速素子を高密度に実装することができなかった。
問題点
本発明の目的は、基板および層間絶縁層を熱伝導率が高
い材料で構成した多層回路基板を提供することである。
い材料で構成した多層回路基板を提供することである。
解決手段
に記問題点は、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫより高い材料
からなる基板の一ヒに、ダイヤモンドまたはダイヤモン
ド状炭素からなる薄膜絶縁層と、金属薄膜導体層とを交
互に積層して多層構造体としたことを特徴とする多層回
路基板によって解決できる。
からなる基板の一ヒに、ダイヤモンドまたはダイヤモン
ド状炭素からなる薄膜絶縁層と、金属薄膜導体層とを交
互に積層して多層構造体としたことを特徴とする多層回
路基板によって解決できる。
本発明の多層回路基板の基板とする熱伝導率が１００Ｗ
／ ｍ Ｋより高い材料は、銅（４００Ｗ ／ ｍ
Ｋ ）、アルミニウム（１００Ｗ ／ ｍ Ｋ ）のよ
うな絶縁性材料でもよい。ダイヤモンＦ （５００Ｗ／
ｍ Ｋ ）またはダイヤモンド状炭素からなる絶縁性
薄層の形成は蒸着、ＣＶＤのような気相法またはイオン
ビー１、法によって成膜することができる。この上に設
υる配線パターンは常法によって金、銀、銅などの金属
を蒸着またはスパッタリングによって形成することがで
きる。
／ ｍ Ｋより高い材料は、銅（４００Ｗ ／ ｍ
Ｋ ）、アルミニウム（１００Ｗ ／ ｍ Ｋ ）のよ
うな絶縁性材料でもよい。ダイヤモンＦ （５００Ｗ／
ｍ Ｋ ）またはダイヤモンド状炭素からなる絶縁性
薄層の形成は蒸着、ＣＶＤのような気相法またはイオン
ビー１、法によって成膜することができる。この上に設
υる配線パターンは常法によって金、銀、銅などの金属
を蒸着またはスパッタリングによって形成することがで
きる。
実施例
第１図は本発明の多層回路基板の１つの実施態様を製造
する工程図である。
する工程図である。
（イ） 厚さ３１ＩｌＩｎ、縦横４０Ｘ５（１ｍｍの銅
Ｊル板１の上に、プラズマＣＶＤ法により厚さ１０ Ｉ
Ｉ ｍのダイヤモンド多結晶層２を成膜した。ダイヤモ
ンドのプラズマＣＶＩ）法による形成し１次のようにし
て行なった。
Ｊル板１の上に、プラズマＣＶＤ法により厚さ１０ Ｉ
Ｉ ｍのダイヤモンド多結晶層２を成膜した。ダイヤモ
ンドのプラズマＣＶＩ）法による形成し１次のようにし
て行なった。
６００℃に加熱した銅基板−トに、１体積％のＣＯ４を
含むＨ２ガスを導入し、圧力をＩｎ−’ｔｏｒｒにたも
ちながら、銅基板に高周波を印加し、ＣＨ，の分解によ
り、ダイヤモンド膜を形成した。
含むＨ２ガスを導入し、圧力をＩｎ−’ｔｏｒｒにたも
ちながら、銅基板に高周波を印加し、ＣＨ，の分解によ
り、ダイヤモンド膜を形成した。
（ロ） ダイヤモンド層２上に厚さ２μｍの銅薄層をス
パッタリングにより成膜し、これをエソチングして銅配
線パターン３を形成した。
パッタリングにより成膜し、これをエソチングして銅配
線パターン３を形成した。
（ハ） 工程（イ）と同様にしてダイヤモンド多結晶層
４を成膜した。このときダイヤモンドの成長速度が、ダ
イヤモノ１パの上では銅の上より大きいので、下地の凹
凸による影響は解消されて、ダ・ｆヤモンド層４の表面
は平坦になった。
４を成膜した。このときダイヤモンドの成長速度が、ダ
イヤモノ１パの上では銅の上より大きいので、下地の凹
凸による影響は解消されて、ダ・ｆヤモンド層４の表面
は平坦になった。
（ニ） 層間接続用バイアボールを形成する位置に、ダ
イヤモノ１８層にレーザービー１、を照射し７７１、５
を明け、さらに工程（ロ）、（ハ）、（ニ）を反復して
、ダイヤモンド絶縁層２．４．６を有する多層配線層を
形成し、かつアルミニウム電極７を設番ｌ、 （ホ） 銅基板１の裏面にろう材８を介して放夕１す１
１フイン９をろう付けして多層回路基板を製造した。
イヤモノ１８層にレーザービー１、を照射し７７１、５
を明け、さらに工程（ロ）、（ハ）、（ニ）を反復して
、ダイヤモンド絶縁層２．４．６を有する多層配線層を
形成し、かつアルミニウム電極７を設番ｌ、 （ホ） 銅基板１の裏面にろう材８を介して放夕１す１
１フイン９をろう付けして多層回路基板を製造した。
発明の効果
本発明の多層回路基板は、アルミナ基板上にガラスセラ
ミック絶縁層を形成した従来の基板と比べて、冷却効率
が極めて高いので、消費電力の大きいエタミソタカソプ
リングロジソクなどの高速素子を高密度に実装すること
ができる。
ミック絶縁層を形成した従来の基板と比べて、冷却効率
が極めて高いので、消費電力の大きいエタミソタカソプ
リングロジソクなどの高速素子を高密度に実装すること
ができる。
第１図は本発明の多層回路基板の１つの実施態様を製造
する工程図である。 １・・・銅基板、２，４．６・・・ダイヤモンド薄膜、
３・・・銅配線、５・・・バイアホール、７・・・電極
、８・・・ろう材、９・・・放熱フィン。
する工程図である。 １・・・銅基板、２，４．６・・・ダイヤモンド薄膜、
３・・・銅配線、５・・・バイアホール、７・・・電極
、８・・・ろう材、９・・・放熱フィン。
Claims (1)
- １、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫより高い材料からなる基
板の上に、ダイヤモンドまたはダイヤモンド状炭素から
なる薄膜絶縁層と、金属薄膜導体層とを交互に積層して
多層構造体としたことを特徴とする多層回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22888684A JPS61108191A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22888684A JPS61108191A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 多層回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108191A true JPS61108191A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16883398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22888684A Pending JPS61108191A (ja) | 1984-11-01 | 1984-11-01 | 多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108191A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS638284A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-14 | 松下電工株式会社 | 高熱伝導性基板 |
| JPH0353069A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-07 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド類被覆部材 |
-
1984
- 1984-11-01 JP JP22888684A patent/JPS61108191A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS638284A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-14 | 松下電工株式会社 | 高熱伝導性基板 |
| JPH0353069A (ja) * | 1989-07-17 | 1991-03-07 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンド類被覆部材 |
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