JPS60128262A - 高熱伝導性複合回路基板の製造方法 - Google Patents
高熱伝導性複合回路基板の製造方法Info
- Publication number
- JPS60128262A JPS60128262A JP23507083A JP23507083A JPS60128262A JP S60128262 A JPS60128262 A JP S60128262A JP 23507083 A JP23507083 A JP 23507083A JP 23507083 A JP23507083 A JP 23507083A JP S60128262 A JPS60128262 A JP S60128262A
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- JP
- Japan
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- heat conductivity
- substrate
- insulating film
- high heat
- composite substrate
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0272—Deposition of sub-layers, e.g. to promote the adhesion of the main coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
′〔発明の技術分野〕
本発明は高熱伝導性複合基板の製造方法に関する。
近年電子機器の小型化、高集積化が進む中で、該機器に
搭載しである半導体各種素子から発せられる熱の処理が
回収基板の設計、製造にとって極めて重要な開発項目の
うちの一つとなっている。
搭載しである半導体各種素子から発せられる熱の処理が
回収基板の設計、製造にとって極めて重要な開発項目の
うちの一つとなっている。
かかる案件に対し、各種の方法で克服をしようとする試
みがなされて来た。部品設計、回路設計、゛材料などで
ある。然しなから、半導体の高密度実装への要求はかか
る熱問題に必ずしも満足するものでないことは周知であ
る。発明者等は永年（二わたって鋭意研究を権めて来た
結果、アルミニ占ム（Ａｌ）銅（Ｃｕ）などの高熱伝導
性金属基体に絶縁性の高熱伝導性被膜を形成し、半導体
基板として、極めて良好な放熱性、経済性のある放熱体
の開発に成功した。
みがなされて来た。部品設計、回路設計、゛材料などで
ある。然しなから、半導体の高密度実装への要求はかか
る熱問題に必ずしも満足するものでないことは周知であ
る。発明者等は永年（二わたって鋭意研究を権めて来た
結果、アルミニ占ム（Ａｌ）銅（Ｃｕ）などの高熱伝導
性金属基体に絶縁性の高熱伝導性被膜を形成し、半導体
基板として、極めて良好な放熱性、経済性のある放熱体
の開発に成功した。
本発明は金属基体と熱伝導性絶縁膜との密着性に優れ、
かつ熱伝導、電気抵抗に優れた特性な有する高熱伝導性
複合基板の製造方法を提供する事を目的とする。
かつ熱伝導、電気抵抗に優れた特性な有する高熱伝導性
複合基板の製造方法を提供する事を目的とする。
本発明は金属基体表面に、酸素、炭素、窒素イオンの少
なくとも１種を注入し前記基体表面に変成層を形成する
第１の工程と、前記変成層上に酸素、炭素、窒素イオン
の少なくとも１種を含有する高熱伝導性絶縁性被膜を形
成する第２の工程とを具備した高熱伝導性複合基板の製
造方法である。
なくとも１種を注入し前記基体表面に変成層を形成する
第１の工程と、前記変成層上に酸素、炭素、窒素イオン
の少なくとも１種を含有する高熱伝導性絶縁性被膜を形
成する第２の工程とを具備した高熱伝導性複合基板の製
造方法である。
即ち、本発明はＣｕ又はＡ１等の金属基体表面に０、Ｃ
，Ｎイオンの少くも一種をイオンイ′ン゛プ′ランチー
ジョンなどで注入し、前記基体表面に変成層を形成し、
しかる後に該変成ル４上にかかるイオン種を成分として
含有する高熱伝導性絶縁性被膜をイオンスパッタリング
、ＣＶＤなどの各種の膜形成技術を駆使し形成せしめた
複合構造からなる高熱伝導性複合基板の製造方法に係る
ものである一０更に詳細は以下に説明する。本発明にな
るいわゆる変成層は所望の絶縁膜（又は層）と金属基体
−どの熱膨張係数の差等何らかの原因による密着性の不
良を改善するものである。即ち、あらかじめ、金属基体
の表面に絶縁膜を形成する元素のうち酸素、炭素、窒素
等の非金属成分をイオンなどの形態で注入することによ
って、該金属基体表面に変成層を形成し、これに所定の
絶縁性複膜の形成処理を施こす事により、該変成層の欠
如している場合に比べ極めて、良好な密着性が得られる
ことを見い出した。
，Ｎイオンの少くも一種をイオンイ′ン゛プ′ランチー
ジョンなどで注入し、前記基体表面に変成層を形成し、
しかる後に該変成ル４上にかかるイオン種を成分として
含有する高熱伝導性絶縁性被膜をイオンスパッタリング
、ＣＶＤなどの各種の膜形成技術を駆使し形成せしめた
複合構造からなる高熱伝導性複合基板の製造方法に係る
ものである一０更に詳細は以下に説明する。本発明にな
るいわゆる変成層は所望の絶縁膜（又は層）と金属基体
−どの熱膨張係数の差等何らかの原因による密着性の不
良を改善するものである。即ち、あらかじめ、金属基体
の表面に絶縁膜を形成する元素のうち酸素、炭素、窒素
等の非金属成分をイオンなどの形態で注入することによ
って、該金属基体表面に変成層を形成し、これに所定の
絶縁性複膜の形成処理を施こす事により、該変成層の欠
如している場合に比べ極めて、良好な密着性が得られる
ことを見い出した。
本発明によれはかかる変成層を構成する元素と□しては
酸素（０）窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）の少くとも一種で
あれ）ｉ優れた結果が得られ、対応する高熱伝導性絶縁
被膜には、これらの元素を含む、高熱伝導性物質例へば
Ａ１２Ｑ、、 ＢｅＯ、ＡｌＮ 、 ＳｉＣなどの少く
とも１種が適していることが判明した。また膜の形成法
及び複数種の組合せに関しては適宜プロセスを選択し任
意の組合せが可能である。
酸素（０）窒素（Ｎ）及び炭素（Ｃ）の少くとも一種で
あれ）ｉ優れた結果が得られ、対応する高熱伝導性絶縁
被膜には、これらの元素を含む、高熱伝導性物質例へば
Ａ１２Ｑ、、 ＢｅＯ、ＡｌＮ 、 ＳｉＣなどの少く
とも１種が適していることが判明した。また膜の形成法
及び複数種の組合せに関しては適宜プロセスを選択し任
意の組合せが可能である。
以下本発明方法を実施例に従がい説明する。
実施例１
金属基体として３０Ｘ４０Ｘ１（ｇｍ）の大きさの金属
Ｃｕ板に窒素（Ｎ）のイオンインプラチージョンを施し
、表面にＮ含有の変成層約１０００１を形成せしめ、し
かる後に該表面にプラズマスパッター法によりＡｌＮ膜
を約１０μ形成し、熱伝導率、絶縁抵抗密着性を調べた
。その結果、それぞれ２７０Ｗ／ｍＫ、１０”Ωのの特
性及び良好な密着性が得られた。なお密着性は顕微下で
絶縁層の密着性を定性的に判定したものである。この結
果、半導体用基板として、十分使用可能な良好なる特性
が確認された。
Ｃｕ板に窒素（Ｎ）のイオンインプラチージョンを施し
、表面にＮ含有の変成層約１０００１を形成せしめ、し
かる後に該表面にプラズマスパッター法によりＡｌＮ膜
を約１０μ形成し、熱伝導率、絶縁抵抗密着性を調べた
。その結果、それぞれ２７０Ｗ／ｍＫ、１０”Ωのの特
性及び良好な密着性が得られた。なお密着性は顕微下で
絶縁層の密着性を定性的に判定したものである。この結
果、半導体用基板として、十分使用可能な良好なる特性
が確認された。
なお他の実施例（２〜６）については比較例を含めて第
１表に示す。
１表に示す。
第１表
〔発明の効果〕
以−ヒの如く本発明方法に係る、変成層の形成により高
熱伝導性被膜の保持、密着性を著しく改善し、かつ、工
業的にも通常のプロセス、手法を採用している事から、
充分経済的なものであり、高熱伝導性基板として実用性
の高いものが得られる。
熱伝導性被膜の保持、密着性を著しく改善し、かつ、工
業的にも通常のプロセス、手法を採用している事から、
充分経済的なものであり、高熱伝導性基板として実用性
の高いものが得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｑ）金属基体表面に、酸素、炭素、窒素イオンの少なく
とも１種を注入し前記基体表面に変成層を形成する第１
の工程と、前記変成層上に酸素、炭素、窒素イオンの少
なくとも１種を含有する高熱伝導性絶縁性被膜を形成す
る第２の工程とを具備した事を特徴とする高熱伝導性複
合基板の製造方法。 （２ン 金属基体が銅（Ｃｕ） 、アルミニウム（Ａｌ
）がら（３〉 高熱伝導性絶縁性被膜がＡ１１ｔｏ、
、 ８ｉｃ 、 ＡＩＮ 。 製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235070A JPH0621353B2 (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 高熱伝導性複合回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58235070A JPH0621353B2 (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 高熱伝導性複合回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128262A true JPS60128262A (ja) | 1985-07-09 |
| JPH0621353B2 JPH0621353B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=16980617
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58235070A Expired - Lifetime JPH0621353B2 (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | 高熱伝導性複合回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0621353B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62260058A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-12 | Nippon Light Metal Co Ltd | 結晶性窒化アルミニウム層を有するアルミニウム材の製造方法 |
| JPS637365A (ja) * | 1986-06-28 | 1988-01-13 | Pentel Kk | 装飾用外装部品及びその製造方法 |
| JPS63219581A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Nippon Light Metal Co Ltd | 結晶性酸化アルミニウム変性層を有するアルミニウム材の製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55100974A (en) * | 1979-01-23 | 1980-08-01 | Citizen Watch Co Ltd | Parts for formation of film |
| JPS58181863A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面処理方法 |
| JPS58197263A (ja) * | 1982-05-11 | 1983-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 極小径超硬ドリル |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP58235070A patent/JPH0621353B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55100974A (en) * | 1979-01-23 | 1980-08-01 | Citizen Watch Co Ltd | Parts for formation of film |
| JPS58181863A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 表面処理方法 |
| JPS58197263A (ja) * | 1982-05-11 | 1983-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 極小径超硬ドリル |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62260058A (ja) * | 1986-05-01 | 1987-11-12 | Nippon Light Metal Co Ltd | 結晶性窒化アルミニウム層を有するアルミニウム材の製造方法 |
| JPS637365A (ja) * | 1986-06-28 | 1988-01-13 | Pentel Kk | 装飾用外装部品及びその製造方法 |
| JPS63219581A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Nippon Light Metal Co Ltd | 結晶性酸化アルミニウム変性層を有するアルミニウム材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0621353B2 (ja) | 1994-03-23 |
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