JPH0323513B2 - - Google Patents
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- JPH0323513B2 JPH0323513B2 JP22758586A JP22758586A JPH0323513B2 JP H0323513 B2 JPH0323513 B2 JP H0323513B2 JP 22758586 A JP22758586 A JP 22758586A JP 22758586 A JP22758586 A JP 22758586A JP H0323513 B2 JPH0323513 B2 JP H0323513B2
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- Japan
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- aluminum nitride
- nitride layer
- substrate
- base plate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、電気絶縁材料の製造技術の分野に
属する。特に、高い熱伝導を必要とする電気回路
用の基板を製造する技術の分野に属する。さらに
は、セラミツクに関する技術分野にも属する。 〔背景技術〕 IC等に代表される半導体素子の高集積化や大
電力化が進み、これに従つて放熱性の良い電気絶
縁材料が要求されるようになつた。これに応えて
各種の高熱伝導性基板が提案されている。これら
のうちの代表的な例として多層構造を有する基板
が提案されている。たとえば、鉄またはアルミニ
ユウム素地板の面に樹脂層を形成して、放熱性と
絶縁性を具備させた基板、あるいはアルミニウム
素地板の面にアルマイト層を形成し、その上に樹
脂層を形成して構成した、電気絶縁性と高熱伝導
性を具備させた基板がそれに該当する。 一方、セラミツクを素材として製造された基板
として窒化アルミニウムセラミツク、酸化ベリリ
ウムセラミツク、炭化ケイ素−酸化ベリリウムセ
ラミツク等が知られている。 しかし、上記の各基板は熱伝導性が充分でな
く、あるいは価格が高い等の欠点があり、この両
面において満足されるような基板は未だ提供され
てはいない。そこで、熱伝導、価格の両方の点で
優れた高熱伝導性基板が、業界において要望され
ていた。 〔発明の目的〕 この発明は、電気絶縁性を有すると共に、熱伝
導性に優れた基板を提供することを目的とする。 〔発明の開示〕 この発明は、黒鉛素地板の表面に窒化アルミニ
ウム層を形成してなる点に特徴を有する。 窒化アルミニウム層は、例えば、アルミニウム
化合物の蒸気から目的の物質をたい積させる、い
わゆるCVD法により形成される。ただし、特に
窒化アルミニウム層の製法を限定する趣旨ではな
い。目的の層が得られればどのような方法による
のも自由である。たとえば、窒化アルミニウム層
を形成する場合、反応ガスとしてAlBr3、N2、
H2およびArを使用し、反応管内圧力を２〜100
トールとし、誘導コイルを使用してプラズマ放電
を発生させ、素地板温度は600〜800℃にして窒化
アルミニウム層を生成させる。ただし、この条件
は一例である。窒化アルミニウム層の厚みは、特
に限定する趣旨ではないが、４〜300μが望まし
い。4μを下回ると電気絶縁性に難点があり、こ
れより厚みが大きい方では特性的には問題ない
が、300μ以上の層を形成することは、黒鉛基体
とのミスマツチによるはく離等の問題が生じる。
また、ドクターブレード法による窒化アルミニウ
ム基板の製法と比較しても特に優位性は見い出せ
ない。 実施例 窒化アルミニウム層は、CVD法を採用して形
成した。 すなわち反応ガスとしては、AlBr3、N2、H2
およびArを使用し、反応管内圧力を10トールと
し、誘導コイルを使用してプラズマ放電を発生さ
せ、素地板温度は700℃で、窒化アルミニウム層
を作成することにより、各種の層厚を有する高熱
伝導性基板を作成した。 第１表に、これらの基板の熱伝導性を、熱抵抗
値で示した。 なお、比較例としては、96％アルミナ基板、窒
化アルミニウム基板および樹脂／Al複合基板の
熱抵抗値を示した。 なお、熱抵抗値は、３mm×３mmのシリコンチツ
プを実装した場合の値である。 〔発明の効果〕 この発明に係る熱伝導性基板は、黒鉛素地板面
に窒化アルミニウム層を形成したことを特徴とす
るので、電気絶縁性と熱伝導性に優れているとい
う特徴がある。 【表】
属する。特に、高い熱伝導を必要とする電気回路
用の基板を製造する技術の分野に属する。さらに
は、セラミツクに関する技術分野にも属する。 〔背景技術〕 IC等に代表される半導体素子の高集積化や大
電力化が進み、これに従つて放熱性の良い電気絶
縁材料が要求されるようになつた。これに応えて
各種の高熱伝導性基板が提案されている。これら
のうちの代表的な例として多層構造を有する基板
が提案されている。たとえば、鉄またはアルミニ
ユウム素地板の面に樹脂層を形成して、放熱性と
絶縁性を具備させた基板、あるいはアルミニウム
素地板の面にアルマイト層を形成し、その上に樹
脂層を形成して構成した、電気絶縁性と高熱伝導
性を具備させた基板がそれに該当する。 一方、セラミツクを素材として製造された基板
として窒化アルミニウムセラミツク、酸化ベリリ
ウムセラミツク、炭化ケイ素−酸化ベリリウムセ
ラミツク等が知られている。 しかし、上記の各基板は熱伝導性が充分でな
く、あるいは価格が高い等の欠点があり、この両
面において満足されるような基板は未だ提供され
てはいない。そこで、熱伝導、価格の両方の点で
優れた高熱伝導性基板が、業界において要望され
ていた。 〔発明の目的〕 この発明は、電気絶縁性を有すると共に、熱伝
導性に優れた基板を提供することを目的とする。 〔発明の開示〕 この発明は、黒鉛素地板の表面に窒化アルミニ
ウム層を形成してなる点に特徴を有する。 窒化アルミニウム層は、例えば、アルミニウム
化合物の蒸気から目的の物質をたい積させる、い
わゆるCVD法により形成される。ただし、特に
窒化アルミニウム層の製法を限定する趣旨ではな
い。目的の層が得られればどのような方法による
のも自由である。たとえば、窒化アルミニウム層
を形成する場合、反応ガスとしてAlBr3、N2、
H2およびArを使用し、反応管内圧力を２〜100
トールとし、誘導コイルを使用してプラズマ放電
を発生させ、素地板温度は600〜800℃にして窒化
アルミニウム層を生成させる。ただし、この条件
は一例である。窒化アルミニウム層の厚みは、特
に限定する趣旨ではないが、４〜300μが望まし
い。4μを下回ると電気絶縁性に難点があり、こ
れより厚みが大きい方では特性的には問題ない
が、300μ以上の層を形成することは、黒鉛基体
とのミスマツチによるはく離等の問題が生じる。
また、ドクターブレード法による窒化アルミニウ
ム基板の製法と比較しても特に優位性は見い出せ
ない。 実施例 窒化アルミニウム層は、CVD法を採用して形
成した。 すなわち反応ガスとしては、AlBr3、N2、H2
およびArを使用し、反応管内圧力を10トールと
し、誘導コイルを使用してプラズマ放電を発生さ
せ、素地板温度は700℃で、窒化アルミニウム層
を作成することにより、各種の層厚を有する高熱
伝導性基板を作成した。 第１表に、これらの基板の熱伝導性を、熱抵抗
値で示した。 なお、比較例としては、96％アルミナ基板、窒
化アルミニウム基板および樹脂／Al複合基板の
熱抵抗値を示した。 なお、熱抵抗値は、３mm×３mmのシリコンチツ
プを実装した場合の値である。 〔発明の効果〕 この発明に係る熱伝導性基板は、黒鉛素地板面
に窒化アルミニウム層を形成したことを特徴とす
るので、電気絶縁性と熱伝導性に優れているとい
う特徴がある。 【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 黒鉛素地板上に窒化アルミニウム層を形成し
たことを特徴とする熱伝導性基板。 ２ 窒化アルミニウム層の厚みが、４〜300μで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の熱伝導性基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-95045 | 1986-04-24 | ||
| JP9504586 | 1986-04-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345189A JPS6345189A (ja) | 1988-02-26 |
| JPH0323513B2 true JPH0323513B2 (ja) | 1991-03-29 |
Family
ID=14127095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22758586A Granted JPS6345189A (ja) | 1986-04-24 | 1986-09-25 | 高熱伝導性基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345189A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714945A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 酸化物セラミックス基板及びその用途 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SE0301117L (sv) * | 2003-04-14 | 2004-10-15 | Skeleton Technologies Ag | Metod att tillverka en diamantkomposit |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP22758586A patent/JPS6345189A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0714945A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-17 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 酸化物セラミックス基板及びその用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6345189A (ja) | 1988-02-26 |
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