JPS61277106A - 高熱伝導性基板 - Google Patents
高熱伝導性基板Info
- Publication number
- JPS61277106A JPS61277106A JP8822185A JP8822185A JPS61277106A JP S61277106 A JPS61277106 A JP S61277106A JP 8822185 A JP8822185 A JP 8822185A JP 8822185 A JP8822185 A JP 8822185A JP S61277106 A JPS61277106 A JP S61277106A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- conductive substrate
- alumina
- heat conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［技術分野］
この発明は、電子機器用材料の技術分野に属する。特に
、良好な熱伝導性が要求される分野における高熱伝導性
基板を製造する技術の分野に属する。
、良好な熱伝導性が要求される分野における高熱伝導性
基板を製造する技術の分野に属する。
［背景技術］
半導体素子の高集積化や大電力化が進み、放熱性の大き
い絶縁基板が強く要求されている。そし各種の高熱伝導
性基板が提案されている。これらには、アルミニウム基
板の上にアルミナ層を形成し、さらにその上に樹脂層を
形成した多層構造を有する基板、あるいは鉄、アルミニ
ウムなどの金属層の上に樹脂層を形成した２Ｎ構造のも
のが知られている。
い絶縁基板が強く要求されている。そし各種の高熱伝導
性基板が提案されている。これらには、アルミニウム基
板の上にアルミナ層を形成し、さらにその上に樹脂層を
形成した多層構造を有する基板、あるいは鉄、アルミニ
ウムなどの金属層の上に樹脂層を形成した２Ｎ構造のも
のが知られている。
さらには、単一の材料を使用したものとして、炭化ケイ
素、酸化ベリリウム、セラミック、窒化アルミニウムセ
ラミック、酸化ベリリウムセラミックなどの高熱伝導性
基板が提案されている。
素、酸化ベリリウム、セラミック、窒化アルミニウムセ
ラミック、酸化ベリリウムセラミックなどの高熱伝導性
基板が提案されている。
しかし、以上の何れの基板も総ての特性を備えている訳
ではなく、熱伝導性がなお不足しているか、または価格
が高いなどの欠点を有している。
ではなく、熱伝導性がなお不足しているか、または価格
が高いなどの欠点を有している。
［発明の目的］
高熱伝導性を有し、絶縁性を有する基板を提供すること
を目的とする。
を目的とする。
［発明の開示］
この発明は、カーボン層の上に炭化チタン層を介してア
ルミナ層を形成したことを特徴とする高熱伝導性基板を
提供するものである。
ルミナ層を形成したことを特徴とする高熱伝導性基板を
提供するものである。
この発明においては、限定す、る趣旨ではないが、カー
ボン層はベース基板として機能するものであり、グラフ
ァイト、無定形の何れでも良い。なお、従ってカーボン
層は他の２層に比較して厚く形成し、その上の２層は比
較的薄い層である。
ボン層はベース基板として機能するものであり、グラフ
ァイト、無定形の何れでも良い。なお、従ってカーボン
層は他の２層に比較して厚く形成し、その上の２層は比
較的薄い層である。
炭化チタン層は、カーボン層が電気の良導体であるため
に絶縁層としての機能をさせるための層であり、この層
により良好な絶縁性を確保する。
に絶縁層としての機能をさせるための層であり、この層
により良好な絶縁性を確保する。
そして、カーボン層とアルミナ層との中間層として介在
させるものであり、両者の密着性を確保し、かつアルミ
ナ層の形成時に酸化層の生成を防止する機能も有する。
させるものであり、両者の密着性を確保し、かつアルミ
ナ層の形成時に酸化層の生成を防止する機能も有する。
また、アルミナ層は、通常アモルファス状態で形成され
るが、これは低誘電率を有し、良好な高周波特性を有す
る点も特徴である。
るが、これは低誘電率を有し、良好な高周波特性を有す
る点も特徴である。
つぎに、高熱伝導性基板の製法について説明する。カー
ボン層（つまり基板本体）は、原料カーボンを有機質の
バインダーと共に混煉し、押出成形法などの方法により
成形してシート状となし、これを焼結して作成する。た
だし、これは１例であり、カーボン層の形成法は公知の
技術を任意に使用して作成することが出来る。つぎに基
板本体の上に形成する薄膜層の形成法について説明する
。炭化チタン層は具体的には、原料ガスとして４塩化チ
タン、水素、メタンを使用し、約７００〜１１００℃の
条件でＣＶＤ法を使用して形成することが出来る。ただ
し限定する趣旨ではない。
ボン層（つまり基板本体）は、原料カーボンを有機質の
バインダーと共に混煉し、押出成形法などの方法により
成形してシート状となし、これを焼結して作成する。た
だし、これは１例であり、カーボン層の形成法は公知の
技術を任意に使用して作成することが出来る。つぎに基
板本体の上に形成する薄膜層の形成法について説明する
。炭化チタン層は具体的には、原料ガスとして４塩化チ
タン、水素、メタンを使用し、約７００〜１１００℃の
条件でＣＶＤ法を使用して形成することが出来る。ただ
し限定する趣旨ではない。
つぎにアルミナ層はＰＶＤ法、ＣＶＤ法、ゾル−ゲル法
などの方法により形成することが出来る。すなわち、Ａ
ｒ（８０％）０２（２０％）の混合ガス雰囲気中でマグ
ネトロンスパッタリングにより製膜（密着性の向上のた
め基板温度は２００ｔ程度で行う。ターゲットとしては
アルミナを使用した）することが出来る。これがＰＶＤ
法の１例である。またＡ １２ Ｃｊ２３を使用し、キ
ャリプガスとしてＣＯ２およびＨ２を使用し、生成温度
約８００℃〜１０００℃で製膜することも出来る。これ
が、ＣＶＤ法の１例である。あるいはアルミナゾルから
製膜することも出来る。これがゾル−ゲル法の１例であ
る。
などの方法により形成することが出来る。すなわち、Ａ
ｒ（８０％）０２（２０％）の混合ガス雰囲気中でマグ
ネトロンスパッタリングにより製膜（密着性の向上のた
め基板温度は２００ｔ程度で行う。ターゲットとしては
アルミナを使用した）することが出来る。これがＰＶＤ
法の１例である。またＡ １２ Ｃｊ２３を使用し、キ
ャリプガスとしてＣＯ２およびＨ２を使用し、生成温度
約８００℃〜１０００℃で製膜することも出来る。これ
が、ＣＶＤ法の１例である。あるいはアルミナゾルから
製膜することも出来る。これがゾル−ゲル法の１例であ
る。
実施例
グラファイトを基板として使用した。その上に炭化チタ
ンｊｉｂ（ＭｌりをＣＶＤ法により形成１７た。
ンｊｉｂ（ＭｌりをＣＶＤ法により形成１７た。
具体的には、原料ガスとして４塩化チタン、水素、メタ
ンを使用し、９００℃の条件でＣＶＤ法により炭化チタ
ン層を形成した。
ンを使用し、９００℃の条件でＣＶＤ法により炭化チタ
ン層を形成した。
つぎにアルミナ層をＣＶＤ法で形成した。すなわち、Ａ
ｒ（８０％）−０２（２０％）の混合ガス雰囲気中でマ
グネトロンスパッタリングにより製膜（密着性の向上の
ため基板温度は２００ｔで行った。ターゲットとしては
アルミナを使用した）した。
ｒ（８０％）−０２（２０％）の混合ガス雰囲気中でマ
グネトロンスパッタリングにより製膜（密着性の向上の
ため基板温度は２００ｔで行った。ターゲットとしては
アルミナを使用した）した。
以上により各種の膜厚を有Ｖる高熱伝導性基板を作成し
た。この基板の熱伝導性を第１表に示した。
た。この基板の熱伝導性を第１表に示した。
なお、比較例としては、９６％アルミナ基板、窒化アル
ミニウム基板およびレジン（ボイミド樹脂’）／Ａｌｌ
複合基板の熱抵抗を示した。ただし、熱抵抗値は３×３
ｎのシリコンチップを実装した場合の値である。
ミニウム基板およびレジン（ボイミド樹脂’）／Ａｌｌ
複合基板の熱抵抗を示した。ただし、熱抵抗値は３×３
ｎのシリコンチップを実装した場合の値である。
［以下余白］
第１表
［発明の効果］
この発明に係る高熱伝導性基板は、カーボン層の上に炭
化チタン層を介してアルミナ層を形成したことを特徴と
するので、高熱伝導性を有する基板を提供することが出
来た。
化チタン層を介してアルミナ層を形成したことを特徴と
するので、高熱伝導性を有する基板を提供することが出
来た。
手続補正書
昭和６１年 ６月２５日
Claims (1)
- （１）カーボン層の上に炭化チタン層を介してアルミナ
層を形成したことを特徴とする高熱伝導性基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8822185A JPS61277106A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 高熱伝導性基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8822185A JPS61277106A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 高熱伝導性基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61277106A true JPS61277106A (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=13936821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8822185A Pending JPS61277106A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 高熱伝導性基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61277106A (ja) |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP8822185A patent/JPS61277106A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4585706A (en) | Sintered aluminum nitride semi-conductor device | |
| US4961987A (en) | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same | |
| JPS5832072A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製法並びに焼結体製造用粉末組成物 | |
| JPS61277106A (ja) | 高熱伝導性基板 | |
| JPS58212940A (ja) | マイクロ波回路用基板およびその製造方法 | |
| JPS61119094A (ja) | 高熱伝導性回路基板の製造方法 | |
| JPS638284A (ja) | 高熱伝導性基板 | |
| JPS6345195A (ja) | 高熱伝導性基板 | |
| JPS6345189A (ja) | 高熱伝導性基板 | |
| JPS6323342A (ja) | 高熱伝導性基板 | |
| JPS63295479A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
| JPS6256385A (ja) | 高熱伝導性基板 | |
| JPH04285073A (ja) | 窒化アルミニウム質回路基板 | |
| JPH013097A (ja) | 高熱伝導性基板 | |
| JPS63233079A (ja) | 黒色窒化アルミニウム焼結体とその製造方法 | |
| JPS61171155A (ja) | 高熱伝導性絶縁基板 | |
| JPS59184586A (ja) | 半導体素子搭載用回路基板 | |
| JPS61172355A (ja) | 高熱伝導性絶縁基板 | |
| JP2890543B2 (ja) | 窒化アルミニウム基板組成物 | |
| JPS62235262A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPH0369189B2 (ja) | ||
| JPS61286267A (ja) | 窒化アルミニウム質焼結体の製造方法 | |
| JPS6236066A (ja) | 炭化珪素質焼結体およびその製造方法 | |
| JPS59224191A (ja) | 高熱伝導性電気絶縁基板 | |
| JPS63107867A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |