JPH0694596B2 - Nh4f/hf系の二酸化ケイ素エッチング液およびその製法 - Google Patents
Nh4f/hf系の二酸化ケイ素エッチング液およびその製法Info
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は可溶性の界面活性剤添加物を含有する改良され
たエッチング液組成物に関する。これらの添加物は基板
湿潤性を改良するための低い表面張力を維持することが
でき、集積回路製造に有用である。詳細には、本発明は
フッ素化シクロアルカンスルホネートおよび/またはフ
ッ素化シクロアルケンスルホネートを表面張力の抑制の
ための添加物として用いることに関する。
たエッチング液組成物に関する。これらの添加物は基板
湿潤性を改良するための低い表面張力を維持することが
でき、集積回路製造に有用である。詳細には、本発明は
フッ素化シクロアルカンスルホネートおよび/またはフ
ッ素化シクロアルケンスルホネートを表面張力の抑制の
ための添加物として用いることに関する。
集積回路部品の寸法が小さくなるにつれて、エッチング
剤による基板表面の物理的湿潤がより困難になる。これ
は二酸化ケイ素のエッチングに用いられる酸化物用の緩
衝化されたフッ化アンモニウム/フッ化水素系酸エッチ
ング液に特に重要である。これらの溶液は一般的なエッ
チング温度で85〜90ダイン/cmというきわめて高い表面
張力値を示すからである。用いられるマスキング材料の
比較的低い表面エネルギー、ホトレジストの輪郭、存在
する不純物の種類、および他の処理工程からの残留不純
物のため、基板を適切に湿潤させることが困難であり、
その結果エッチングが不均一になり、線の再現性に乏し
くなる。
剤による基板表面の物理的湿潤がより困難になる。これ
は二酸化ケイ素のエッチングに用いられる酸化物用の緩
衝化されたフッ化アンモニウム/フッ化水素系酸エッチ
ング液に特に重要である。これらの溶液は一般的なエッ
チング温度で85〜90ダイン/cmというきわめて高い表面
張力値を示すからである。用いられるマスキング材料の
比較的低い表面エネルギー、ホトレジストの輪郭、存在
する不純物の種類、および他の処理工程からの残留不純
物のため、基板を適切に湿潤させることが困難であり、
その結果エッチングが不均一になり、線の再現性に乏し
くなる。
これらの問題を克服するために、集積回路工業の多くは
少なくとも2種の技術のうち1種を用いている。第1は
基板をエッチング剤中に入れる前に界面活性剤水溶液に
予備浸漬するものであり、一方第2はエッチング液への
界面活性剤の直接添加法を採用している。しかしこの工
業は再過槽を用いて粒子含量のより低いシステムを採
用する方向に進んでおり、同時により変動が少なく、よ
り正確にエッチングされた線を要求するので、既存の方
法は幾つかの欠点をもつ。予備浸漬法に関しては、1個
ではなく2個の槽が必要であり、これは追加の処理工程
を付加する。さらにウェーハが予備浸漬されるので、予
備浸漬槽からの物質をエッチング剤の槽へ持込む傾向が
あり、これによりエッチング剤の性能が変化し、その有
効寿命が短くなる。より重要な点は、これら両方法に伴
う主な欠点は経験により示されたように工業的に一般に
用いられる大部分の界面活性剤がフッ化アンモニウム/
フッ化水素酸系の酸化物エッチング液に不溶性であり、
このため界面活性剤が基板の表面に浸出し、エッチング
浴の再循環に一般に用いられるフィルター(0.2ミクロ
ン程度のもの)を目詰りさせ、従って界面活性剤がほと
んどまたは全く存在しないエッチング液が得られること
である。また用いられる界面活性剤は、集積回路の性能
にとって有害な金属イオン系不純物を含有する場合があ
り、あるいはエッチング剤中にフッ化水素酸が存在する
ことにより起こる界面活性剤の分解のため活性を失う可
能性がある。エッチング剤製造業者数社が自社の酸化物
エッチング液に界面活性剤を含有させることを試みた。
しかしこれらの物質を分析しても、表面張力の測定によ
り示されるようにほとんど(存在するとしても)界面活
性剤が存在しないことが示された。従って、界面活性剤
が0.2ミクロンのアブソリュートフィルターを通して
過したのちのフッ化アンモニウム/フッ化水素酸溶液中
で界面活性を維持し、かつ本質的に金属イオンを含ま
ず、表面張力がより低い改良された有効な二酸化ケイ素
エッチング液に対する需要が存在することは明らかであ
る。
少なくとも2種の技術のうち1種を用いている。第1は
基板をエッチング剤中に入れる前に界面活性剤水溶液に
予備浸漬するものであり、一方第2はエッチング液への
界面活性剤の直接添加法を採用している。しかしこの工
業は再過槽を用いて粒子含量のより低いシステムを採
用する方向に進んでおり、同時により変動が少なく、よ
り正確にエッチングされた線を要求するので、既存の方
法は幾つかの欠点をもつ。予備浸漬法に関しては、1個
ではなく2個の槽が必要であり、これは追加の処理工程
を付加する。さらにウェーハが予備浸漬されるので、予
備浸漬槽からの物質をエッチング剤の槽へ持込む傾向が
あり、これによりエッチング剤の性能が変化し、その有
効寿命が短くなる。より重要な点は、これら両方法に伴
う主な欠点は経験により示されたように工業的に一般に
用いられる大部分の界面活性剤がフッ化アンモニウム/
フッ化水素酸系の酸化物エッチング液に不溶性であり、
このため界面活性剤が基板の表面に浸出し、エッチング
浴の再循環に一般に用いられるフィルター(0.2ミクロ
ン程度のもの)を目詰りさせ、従って界面活性剤がほと
んどまたは全く存在しないエッチング液が得られること
である。また用いられる界面活性剤は、集積回路の性能
にとって有害な金属イオン系不純物を含有する場合があ
り、あるいはエッチング剤中にフッ化水素酸が存在する
ことにより起こる界面活性剤の分解のため活性を失う可
能性がある。エッチング剤製造業者数社が自社の酸化物
エッチング液に界面活性剤を含有させることを試みた。
しかしこれらの物質を分析しても、表面張力の測定によ
り示されるようにほとんど(存在するとしても)界面活
性剤が存在しないことが示された。従って、界面活性剤
が0.2ミクロンのアブソリュートフィルターを通して
過したのちのフッ化アンモニウム/フッ化水素酸溶液中
で界面活性を維持し、かつ本質的に金属イオンを含ま
ず、表面張力がより低い改良された有効な二酸化ケイ素
エッチング液に対する需要が存在することは明らかであ
る。
本発明者らの先の出願である米国特許第604,112号明細
書(1984年、4月26日出願;酸化物用の緩衝化されたフ
ッ化アンモニウム/フッ化水素酸系エッチング液中にお
ける可溶性添加物として線状の、および高度に分枝した
フッ素化アルキルスルホネートを用いることが記載され
ている)においては、特定のフッ素化された環状物質が
優れた湿潤性を与えうることが教示されている。さらに
これらの添加物は0.2ミクロンの過後も溶液中に保持
され、金属イオンの混入が低く、これらの添加物を含む
エッチング剤については、界面活性剤を添加されなかっ
たエッチング剤についての85〜90ダイン/cmという値と
比べて30ダイン/cm以下の値の表面張力が一般的であ
る。
書(1984年、4月26日出願;酸化物用の緩衝化されたフ
ッ化アンモニウム/フッ化水素酸系エッチング液中にお
ける可溶性添加物として線状の、および高度に分枝した
フッ素化アルキルスルホネートを用いることが記載され
ている)においては、特定のフッ素化された環状物質が
優れた湿潤性を与えうることが教示されている。さらに
これらの添加物は0.2ミクロンの過後も溶液中に保持
され、金属イオンの混入が低く、これらの添加物を含む
エッチング剤については、界面活性剤を添加されなかっ
たエッチング剤についての85〜90ダイン/cmという値と
比べて30ダイン/cm以下の値の表面張力が一般的であ
る。
本発明によって有効であることが見出された界面活性剤
は下記の一般式をもつフッ素化シクロアルカンスルホネ
ートおよびフッ素化シクロアルケンスルホネートであ
る。
は下記の一般式をもつフッ素化シクロアルカンスルホネ
ートおよびフッ素化シクロアルケンスルホネートであ
る。
式中XはF、H、Cl、OH、SO3AまたはRであり;YはF、
Cl、H、OH、Rであるか、または省略でき、これにより
二重結合を与え、ここでRは炭素原子1〜4個のアルキ
ル基および/またはフルオルアルキル基であり;nは6ま
での値を有する。これらの物質は改良された溶解性をも
ち、0.2ミクロンの過によって除去されない。陽イオ
ン基AはNH4 +、H+、Na+、K+、Li+、R+、または有機アミ
ン陽イオンすなわちNR4 +(ここでRは炭素原子1〜4個
のアルキル基である)である。金属イオン、たとえばN
a、KおよびLi塩が回路の電気的特性に不利な影響を与
える可能性がある場合は、たとえば主としてLi、Na、
K、CaおよびMgイオンは除かれるであろう。重要な点
は、これらの物質が連続過浴中で除去されないと思わ
れ、従ってフィルターを目詰りさせず、または表面に浸
出しないことである。
Cl、H、OH、Rであるか、または省略でき、これにより
二重結合を与え、ここでRは炭素原子1〜4個のアルキ
ル基および/またはフルオルアルキル基であり;nは6ま
での値を有する。これらの物質は改良された溶解性をも
ち、0.2ミクロンの過によって除去されない。陽イオ
ン基AはNH4 +、H+、Na+、K+、Li+、R+、または有機アミ
ン陽イオンすなわちNR4 +(ここでRは炭素原子1〜4個
のアルキル基である)である。金属イオン、たとえばN
a、KおよびLi塩が回路の電気的特性に不利な影響を与
える可能性がある場合は、たとえば主としてLi、Na、
K、CaおよびMgイオンは除かれるであろう。重要な点
は、これらの物質が連続過浴中で除去されないと思わ
れ、従ってフィルターを目詰りさせず、または表面に浸
出しないことである。
従って本発明の目的は、望ましいエッチング速度をも
ち、かつ先行技術によるエッチング液よりも改良された
湿潤性をもつ一連の二酸化ケイ素エッチング液を提供す
ることである。
ち、かつ先行技術によるエッチング液よりも改良された
湿潤性をもつ一連の二酸化ケイ素エッチング液を提供す
ることである。
本発明の他の目的は、0.2ミクロンの過ののちも本質
的に金属イオンを含まず、先行技術による溶液と同じエ
ッチング温度で同じエッチング速度をもち、かつ改良さ
れたエッチング均一性についてより良好な湿潤特性をも
ち、残渣を残さず、あるいはホトレジストの付着性に不
利な影響を与えない一連のエッチング液を提供すること
である。
的に金属イオンを含まず、先行技術による溶液と同じエ
ッチング温度で同じエッチング速度をもち、かつ改良さ
れたエッチング均一性についてより良好な湿潤特性をも
ち、残渣を残さず、あるいはホトレジストの付着性に不
利な影響を与えない一連のエッチング液を提供すること
である。
これらおよび他の目的は、フッ化水素(HF)11重量%以
下、フッ化アンモニウム(NH4F)13.5〜45重量%、およ
び少量の(すなわち25〜20000ppm)の界面活性剤を含有
するフッ化水素およびフッ化アンモニウムの水溶液から
なるエッチング液を提供する本発明によって達成され
る。
下、フッ化アンモニウム(NH4F)13.5〜45重量%、およ
び少量の(すなわち25〜20000ppm)の界面活性剤を含有
するフッ化水素およびフッ化アンモニウムの水溶液から
なるエッチング液を提供する本発明によって達成され
る。
本発明により有効であることが見出された界面活性剤
は、フッ素化シクロアルカンスルホネートおよびフッ素
化シクロアルケンスルホネートと呼ばれ、下記の一般式
を有する。
は、フッ素化シクロアルカンスルホネートおよびフッ素
化シクロアルケンスルホネートと呼ばれ、下記の一般式
を有する。
式中XはF、H、Cl、OH、SO3AまたはRであり;YはF、
Cl、H、OH、Rであるか、もしくは省略でき、これによ
り二重結合を与え;ここでRは炭素原子1〜4個のアル
キル基および/またはフルオルアルキル基であり;nは6
までの値を有する。好ましい化合物は4〜9個の炭素原
子を含む。これらの物質は改良された溶解性をもち、0.
2ミクロンの過によって除かれない。Aは陽イオン基
を表わし、NH4 +、H+、Na+、K+、Li+、R+または有機アミ
ン陽イオン、たとえばNR4 +(ここでRは炭素原子1〜4
個のアルキル基である)である。しかし金属イオン含量
が比較的高い塩(たとえばNa、KおよびLi塩)が回路の
電気的特性に不利な影響を与える可能性がある場合に
は、この種のイオンを含む化合物を除くべきである。
“低金属イオン含量”という語は、実質量の周期表I族
およびII族の金属イオン、主としてLi、Na、K、Caおよ
びMgイオンが除かれることを意味する。
Cl、H、OH、Rであるか、もしくは省略でき、これによ
り二重結合を与え;ここでRは炭素原子1〜4個のアル
キル基および/またはフルオルアルキル基であり;nは6
までの値を有する。好ましい化合物は4〜9個の炭素原
子を含む。これらの物質は改良された溶解性をもち、0.
2ミクロンの過によって除かれない。Aは陽イオン基
を表わし、NH4 +、H+、Na+、K+、Li+、R+または有機アミ
ン陽イオン、たとえばNR4 +(ここでRは炭素原子1〜4
個のアルキル基である)である。しかし金属イオン含量
が比較的高い塩(たとえばNa、KおよびLi塩)が回路の
電気的特性に不利な影響を与える可能性がある場合に
は、この種のイオンを含む化合物を除くべきである。
“低金属イオン含量”という語は、実質量の周期表I族
およびII族の金属イオン、主としてLi、Na、K、Caおよ
びMgイオンが除かれることを意味する。
本発明の新規なエッチング液はすべて、連続過条件下
ですら0.2ミクロンの過ののちもそれらの界面活性を
保存する。さらに、本発明の新規な溶液は、過したに
もかかわらず、基板をより効果的に湿潤させる特性をも
ち、小さな幾何学的形状(1〜5ミクロン)および大き
な幾何学的形状(>5ミクロン)のパターン付きレジス
トにおける酸化物を同じ速度で、先行技術による溶液に
不利な影響を付加することなくエッチングすることによ
り、いっそう均一な結果を与える。
ですら0.2ミクロンの過ののちもそれらの界面活性を
保存する。さらに、本発明の新規な溶液は、過したに
もかかわらず、基板をより効果的に湿潤させる特性をも
ち、小さな幾何学的形状(1〜5ミクロン)および大き
な幾何学的形状(>5ミクロン)のパターン付きレジス
トにおける酸化物を同じ速度で、先行技術による溶液に
不利な影響を付加することなくエッチングすることによ
り、いっそう均一な結果を与える。
本発明のHF−NH4F溶液は、前記割合の各成分を水に溶解
するいかなる方法によっても調製できる。しかし、個々
の成分HFおよびNH4Fそれぞれの水溶液を混合することが
好ましい。本発明者らは49重量%のフッ化水素を含有す
る標準HF溶液がこの目的に好適であることを見出した。
エーテル性HF濃厚溶液を使用しうることは理解されるで
あろう。この49%HF溶液を使用し、15〜48重量%NH4Fの
濃度のフッ化アンモニウム液を使用して、目的とする相
対割合の2種の成分を含む各溶液をブレンドする必要が
ある。49重量%フッ化水素水溶液1容量部および15〜48
重量%フッ化アンモニウム水溶液4〜100容量部のブレ
ンドを使用しうる。この混合物はHF1〜11重量%およびN
H4F13.5〜45重量%を含み、残部が水である混合物を与
える。これに低金属イオン性の溶解した好ましいフッ素
化シクロアルカンスルホネートおよび/またはフッ素化
シクロアルケンスルホネートを添加し、溶液を0.2ミク
ロンのフィルターに導通する。他の濃度のHFおよびNH4F
ももちろん調製しうる。
するいかなる方法によっても調製できる。しかし、個々
の成分HFおよびNH4Fそれぞれの水溶液を混合することが
好ましい。本発明者らは49重量%のフッ化水素を含有す
る標準HF溶液がこの目的に好適であることを見出した。
エーテル性HF濃厚溶液を使用しうることは理解されるで
あろう。この49%HF溶液を使用し、15〜48重量%NH4Fの
濃度のフッ化アンモニウム液を使用して、目的とする相
対割合の2種の成分を含む各溶液をブレンドする必要が
ある。49重量%フッ化水素水溶液1容量部および15〜48
重量%フッ化アンモニウム水溶液4〜100容量部のブレ
ンドを使用しうる。この混合物はHF1〜11重量%およびN
H4F13.5〜45重量%を含み、残部が水である混合物を与
える。これに低金属イオン性の溶解した好ましいフッ素
化シクロアルカンスルホネートおよび/またはフッ素化
シクロアルケンスルホネートを添加し、溶液を0.2ミク
ロンのフィルターに導通する。他の濃度のHFおよびNH4F
ももちろん調製しうる。
定められた有効濃度は有効界面活性剤として添加して25
〜20,000ppmである。これは固体として、または水性の
極性溶剤混合物中の溶液として添加しうる。望ましい濃
度範囲は有効界面活性剤200〜5,000ppmである。
〜20,000ppmである。これは固体として、または水性の
極性溶剤混合物中の溶液として添加しうる。望ましい濃
度範囲は有効界面活性剤200〜5,000ppmである。
ある種の用途においては、腐食作用を低下させる(すな
わち抑制する)ために適した希釈剤を添加しうる。適切
な希釈剤には、たとえば酢酸、エチレングリコール、お
よび低級アルキルアルコール(たとえば炭素原子1〜3
個のもの)が含まれる。
わち抑制する)ために適した希釈剤を添加しうる。適切
な希釈剤には、たとえば酢酸、エチレングリコール、お
よび低級アルキルアルコール(たとえば炭素原子1〜3
個のもの)が含まれる。
下記の特定の例によりさらに本発明を説明する。しか
し、これらの例は本発明の特定の好ましい操作条件を詳
細に記述するが、これらは主として説明のために示され
たものであり、より広い観点における本発明がこれに限
定されるものではないことは理解されるであろう。
し、これらの例は本発明の特定の好ましい操作条件を詳
細に記述するが、これらは主として説明のために示され
たものであり、より広い観点における本発明がこれに限
定されるものではないことは理解されるであろう。
例1〜7 フッ化アンモニウム27重量%、フッ化水素酸6重量%
(残部は水である)の溶液に界面活性剤250ppmを添加し
た。F19-NMRおよび質量スペクトル分析を採用して界面
活性剤の分析を行った。表面張力はデュ・ヌイ・リング
(Du Nouy Ring)張力計を用いて25℃で測定された。溶
液(表Iに示す)を0.2μmテフロン(TEFLON、登録商
標)フルオロカーボンポリマー製フィルターを通して
過し、同じ方法により表面張力を測定した。
(残部は水である)の溶液に界面活性剤250ppmを添加し
た。F19-NMRおよび質量スペクトル分析を採用して界面
活性剤の分析を行った。表面張力はデュ・ヌイ・リング
(Du Nouy Ring)張力計を用いて25℃で測定された。溶
液(表Iに示す)を0.2μmテフロン(TEFLON、登録商
標)フルオロカーボンポリマー製フィルターを通して
過し、同じ方法により表面張力を測定した。
表Iの結果は、ペルフルオルシクロヘキシルスルホン酸
およびそのペルフルオルエチル誘導体、ならびに分枝鎖
ペルフルオルオクチルスルホン酸のカリウム塩が表面張
力測定により示されるように0.2μmの過により有意
には除かれなかったことを示す。しかし表面張力測定結
果は線状ペルフルオルオクチルスルホン酸のカリウム塩
が過に際して溶液から本質的に除かれたことを示す。
およびそのペルフルオルエチル誘導体、ならびに分枝鎖
ペルフルオルオクチルスルホン酸のカリウム塩が表面張
力測定により示されるように0.2μmの過により有意
には除かれなかったことを示す。しかし表面張力測定結
果は線状ペルフルオルオクチルスルホン酸のカリウム塩
が過に際して溶液から本質的に除かれたことを示す。
これから分かるように、鎖長C8の線状フッ素化スルホネ
ートは除かれるが、これに対し同様な質量のフッ素化シ
クロアルキルスルホネートおよび分枝鎖ペルフルオルア
ルキルスルホネートは溶液中に残留する。
ートは除かれるが、これに対し同様な質量のフッ素化シ
クロアルキルスルホネートおよび分枝鎖ペルフルオルア
ルキルスルホネートは溶液中に残留する。
上記組成物において本発明の範囲から逸脱することなく
種々の変更をなしうること、および具体例として示した
幾つかの詳細は特許請求の範囲に示されるもの以外は本
発明を限定するものと考えるべきでないことは理解され
るであろう。
種々の変更をなしうること、および具体例として示した
幾つかの詳細は特許請求の範囲に示されるもの以外は本
発明を限定するものと考えるべきでないことは理解され
るであろう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハロルド・ジョン・キエタ アメリカ合衆国ニューヨーク州14207,バ ッファロー,グローブ・ストリート 45 (56)参考文献 特開 昭60−249332(JP,A)
Claims (9)
- 【請求項1】フッ化アンモニウム(NH4F)13.5〜45重量
%、フッ化水素(HF)11重量%以下(0は含まず)、お
よび次式 (式中、nは6までの値を有し、XはF、Cl、H、OH、
SO3A、またはRであり;YはF、Cl、H、OH、Rである
か、または省略でき;AはH+、NH4 +、Na+、K+、Li+、R+ま
たはNR4 +であり;ここでRは炭素原子1〜4個のアルキ
ル基および/またはフルオルアルキル基である)のフッ
素化シクロアルカンスルホネートおよび/またはフツ素
化シクロアルケンスルホネートならびにそれらの混合物
25〜20000ppmを含有し、残部が水である、フッ化アンモ
ニウム、フッ化水素および界面活性剤の水性混合物から
なり、二酸化ケイ素のエッチングに用いられる、界面活
性剤の沈殿に対して安定な界面活性剤含有エッチング
液。 - 【請求項2】フッ素化された環状界面活性剤において
“n"が2〜4の値を有する、特許請求の範囲第1項に記
載のエッチング液。 - 【請求項3】フッ素化された環状界面活性剤が低金属イ
オン含量のアンモニウム塩である、特許請求の範囲第1
項に記載のエッチング液。 - 【請求項4】フッ素化シクロアルカンスルホネートまた
はフッ素化シクロアルケンスルホネートがフッ素化シク
ロアルカンスルホン酸またはフッ素化シクロアルケンス
ルホン酸である、特許請求の範囲第1項に記載のエッチ
ング液。 - 【請求項5】フッ素化された環状界面活性剤が200〜500
0ppmの量存在し、エッチング液に乾燥固体として、また
は水性の極性溶剤混合物中の溶液として添加される、特
許請求の範囲第1項に記載のエッチング液。 - 【請求項6】フッ化水素11重量%まで、フッ素化された
環状界面活性剤200〜1000ppm、および腐食を低下させる
ための希釈剤を含有する、特許請求の範囲第1項に記載
のエッチング液。 - 【請求項7】腐食抑制用希釈剤として、酢酸、エチレン
グリコール、および炭素原子1〜3個のアルコールより
なる群から選ばれるもの50重量%までを含有する、特許
請求の範囲第6項に記載のエッチング液。 - 【請求項8】49重量%フッ化水素水溶液および15〜48重
量%フッ化アンモニウム水溶液を有効なフッ素化された
環状界面活性剤200〜5000ppmとブレンドすることよりな
る、二酸化ケイ素用エッチング液の製法。 - 【請求項9】フッ化アンモニウム水溶液が30重量%のNH
4Fを含有する、特許請求の範囲第8項に記載の方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US06/733,568 US4620934A (en) | 1984-04-26 | 1985-05-13 | Soluble fluorinated cycloalkane sulfonate surfactant additives for NH4 |
US733568 | 1985-05-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61266581A JPS61266581A (ja) | 1986-11-26 |
JPH0694596B2 true JPH0694596B2 (ja) | 1994-11-24 |
Family
ID=24948178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61109370A Expired - Lifetime JPH0694596B2 (ja) | 1985-05-13 | 1986-05-13 | Nh4f/hf系の二酸化ケイ素エッチング液およびその製法 |
Country Status (7)
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EP (1) | EP0201808B1 (ja) |
JP (1) | JPH0694596B2 (ja) |
KR (1) | KR900003980B1 (ja) |
CN (1) | CN1012071B (ja) |
CA (1) | CA1276530C (ja) |
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US4863563A (en) * | 1987-01-27 | 1989-09-05 | Olin Corporation | Etching solutions containing ammonium fluoride and a nonionic alkyl amine glycidol adduct and method of etching |
US4761245A (en) * | 1987-01-27 | 1988-08-02 | Olin Corporation | Etching solutions containing ammonium fluoride and an alkylphenol polyglycidol ether surfactant |
AU3732089A (en) * | 1988-05-16 | 1989-12-12 | Olin Corporation | Etching solutions containing anionic sulfate esters of alkylphenol polyglycidol ethers |
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GB9621949D0 (en) * | 1996-10-22 | 1996-12-18 | Molloy Malachy J | Floor and tile anti-slip treatment |
DE19805525C2 (de) * | 1998-02-11 | 2002-06-13 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Verfahren zum Naßätzen von Halbleiterscheiben zum Erzeugen eines definierten Randbereichs durch Unterätzen |
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US6248704B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
WO2001090014A1 (de) * | 2000-05-25 | 2001-11-29 | Max Braun | Ätzverfahren |
ES2195770B1 (es) * | 2002-02-21 | 2005-02-16 | Jon Imanol Murua Fuertes | Compuesto antideslizante. |
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JP4816250B2 (ja) * | 2006-05-25 | 2011-11-16 | 三菱瓦斯化学株式会社 | エッチング液組成物及びエッチング方法 |
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KR100891255B1 (ko) * | 2007-01-05 | 2009-04-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 커패시터의 리닝 방지용 식각액 조성물 및 이를 이용한커패시터 제조 방법 |
KR20090109198A (ko) * | 2008-04-15 | 2009-10-20 | 주식회사 동진쎄미켐 | 액정디스플레이 장치용 유리기판의 세정 및 식각 조성물 및이를 이용한 유리기판의 식각 방법 |
CN101840964B (zh) * | 2009-03-18 | 2012-04-25 | 中国科学院半导体研究所 | 低阻p-GaN欧姆接触电极制备方法 |
CN108384548A (zh) * | 2018-02-24 | 2018-08-10 | 苏州晶瑞化学股份有限公司 | 一种非金属氧化物膜用缓冲蚀刻液 |
CN115231864B (zh) * | 2022-08-10 | 2023-06-20 | 安徽理工大学 | 一种利用二氧化硅基体蚀刻废液制备的碱激发混凝土及其应用 |
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GB1228083A (ja) * | 1968-06-10 | 1971-04-15 | ||
US3650960A (en) * | 1969-05-06 | 1972-03-21 | Allied Chem | Etching solutions |
US4040897A (en) * | 1975-05-05 | 1977-08-09 | Signetics Corporation | Etchants for glass films on metal substrates |
US4055458A (en) * | 1975-08-07 | 1977-10-25 | Bayer Aktiengesellschaft | Etching glass with HF and fluorine-containing surfactant |
JPS5616129A (en) * | 1979-07-18 | 1981-02-16 | Hitachi Ltd | Pattern forming method |
JPS5639027A (en) * | 1979-09-08 | 1981-04-14 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | Cyclopropenium salt and its preparation |
JPS59974A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | Fujitsu Ltd | 半導体受光装置の製造方法 |
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- 1985-05-13 US US06/733,568 patent/US4620934A/en not_active Expired - Lifetime
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- 1986-04-29 CN CN86103055A patent/CN1012071B/zh not_active Expired
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- 1986-05-12 CA CA000508873A patent/CA1276530C/en not_active Expired - Fee Related
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