JPH0685070A - 多層配線の形成方法 - Google Patents
多層配線の形成方法Info
- Publication number
- JPH0685070A JPH0685070A JP23830392A JP23830392A JPH0685070A JP H0685070 A JPH0685070 A JP H0685070A JP 23830392 A JP23830392 A JP 23830392A JP 23830392 A JP23830392 A JP 23830392A JP H0685070 A JPH0685070 A JP H0685070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- insulating film
- layer
- forming
- interlayer insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 平坦性にすぐれかつエッチングの制御性、再
現性にすぐれた多層配線の形成方法を提供する。 【構成】 第１の配線層２と第２の配線層１１との間に
形成された層間絶縁膜３上面より第２の配線層１１深さ
の位置あるいは第１の配線層２上面の位置にエッチング
ストッパー層４、１２を形成する。 【効果】 層間絶縁膜３に接続孔８あるいは配線溝９を
形成する際、制御性の良いエッチングを再現性よく行
え、平坦な多層配線を信頼性良く形成できる。
現性にすぐれた多層配線の形成方法を提供する。 【構成】 第１の配線層２と第２の配線層１１との間に
形成された層間絶縁膜３上面より第２の配線層１１深さ
の位置あるいは第１の配線層２上面の位置にエッチング
ストッパー層４、１２を形成する。 【効果】 層間絶縁膜３に接続孔８あるいは配線溝９を
形成する際、制御性の良いエッチングを再現性よく行
え、平坦な多層配線を信頼性良く形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は二層以上の配線層を有
する多層配線の形成方法に関するものである。
する多層配線の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの高集積化、高機能化に伴い、パ
ターンの縮小化に反して配線長は増加する傾向にある。
これは配線の存在そのものが高集積化の障害になってく
ることでもある。このような配線の問題を解決する手段
として配線の多層化がある。この多層配線は高集積化ま
たはチップ面積の縮小に寄与し、設計の自由度を向上さ
せ、素子を効率よくかつ配線長を短く接続することが可
能である。
ターンの縮小化に反して配線長は増加する傾向にある。
これは配線の存在そのものが高集積化の障害になってく
ることでもある。このような配線の問題を解決する手段
として配線の多層化がある。この多層配線は高集積化ま
たはチップ面積の縮小に寄与し、設計の自由度を向上さ
せ、素子を効率よくかつ配線長を短く接続することが可
能である。
【０００３】図５は従来の多層配線の形成方法を示す工
程断面図であり、図５（ａ）〜（ｆ）に従って順次説明
を行う。まず、半導体基板２０上に下層絶縁膜１を形成
する（図５（ａ））。次に、下層絶縁膜１上にスパッタ
法等で配線膜を形成したのち写真製版およびエッチング
技術を施して第１の配線層２を形成する（図５
（ｂ））。次に、第１の配線層２上にＣＶＤ法等でシリ
コン酸化膜を堆積する。これは下層絶縁膜１と一体とな
って層間絶縁膜３を形成する（図５（Ｃ））。次に層間
絶縁膜３上全面にレジスト６を塗布したのち写真製版技
術によってレジスト６パターンを形成し、これをマスク
としてエッチングすることにより層間絶縁膜３に接続孔
８を形成する（図５（ｄ））。次に、レジスト６パター
ンを除去したのちスパッタリング法等を用いて金属膜１
０を形成する。その後、全面にレジスト７を塗布し、写
真製版技術によってレジスト７パターンを形成する（図
５（ｅ））。
程断面図であり、図５（ａ）〜（ｆ）に従って順次説明
を行う。まず、半導体基板２０上に下層絶縁膜１を形成
する（図５（ａ））。次に、下層絶縁膜１上にスパッタ
法等で配線膜を形成したのち写真製版およびエッチング
技術を施して第１の配線層２を形成する（図５
（ｂ））。次に、第１の配線層２上にＣＶＤ法等でシリ
コン酸化膜を堆積する。これは下層絶縁膜１と一体とな
って層間絶縁膜３を形成する（図５（Ｃ））。次に層間
絶縁膜３上全面にレジスト６を塗布したのち写真製版技
術によってレジスト６パターンを形成し、これをマスク
としてエッチングすることにより層間絶縁膜３に接続孔
８を形成する（図５（ｄ））。次に、レジスト６パター
ンを除去したのちスパッタリング法等を用いて金属膜１
０を形成する。その後、全面にレジスト７を塗布し、写
真製版技術によってレジスト７パターンを形成する（図
５（ｅ））。
【０００４】次に、レジスト７パターンをマスクとして
金属膜１０をエッチングし、第２の配線層１１を形成し
たのち、レジスト７パターンを除去する（図５
（ｆ））。同様にして配線層をさらに積層してゆくこと
ができる。しかしながら、図５（ｃ）に示すように第１
の配線層２の形成後に層間絶縁膜３を堆積するために第
１の配線層２が存在する場所としない場所で層間絶縁膜
３の表面に凹凸が生じてしまう。従って第２の配線層１
１は凹凸のある表面上に形成することになり、第２の配
線層１１を形成する際の写真製版工程時に焦点ずれがお
こり、良好なレジスト７パターンを得ることができなか
った。また、図５（ｅ）で示すように第２の配線用の金
属膜１０の形成方法として通常スパッタリング法が用い
られてきたため、接続孔８内部や層間絶縁膜３表面の凹
部でのカバレージが低下し、配線の信頼性が低下すると
いった問題点があった。
金属膜１０をエッチングし、第２の配線層１１を形成し
たのち、レジスト７パターンを除去する（図５
（ｆ））。同様にして配線層をさらに積層してゆくこと
ができる。しかしながら、図５（ｃ）に示すように第１
の配線層２の形成後に層間絶縁膜３を堆積するために第
１の配線層２が存在する場所としない場所で層間絶縁膜
３の表面に凹凸が生じてしまう。従って第２の配線層１
１は凹凸のある表面上に形成することになり、第２の配
線層１１を形成する際の写真製版工程時に焦点ずれがお
こり、良好なレジスト７パターンを得ることができなか
った。また、図５（ｅ）で示すように第２の配線用の金
属膜１０の形成方法として通常スパッタリング法が用い
られてきたため、接続孔８内部や層間絶縁膜３表面の凹
部でのカバレージが低下し、配線の信頼性が低下すると
いった問題点があった。
【０００５】この様な問題点を解決する多層配線の形成
方法が提案された。図６は１９９１年ＶＭＩＣ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ｐ１４４−ｐ１５２において提案され
た多層配線の形成方法を示す工程断面図である。図６
（ａ）〜（ｆ）に従って第２の配線層１１の形成方法を
順次説明する。まず、第１の配線層２、層間絶縁膜３を
以下に説明する第２の配線層１１と同じ形成方法を利用
して形成したので層間絶縁膜３の表面はすでに平坦化さ
れたものとなっている。こののち、全面にレジスト６を
塗布し写真製版技術によって接続孔８用のレジスト６パ
ターンを形成する。さらに全面にレジスト７を塗布し、
写真製版技術によって第２の配線層１１用のレジスト７
パターンを形成する（図６（ａ））。
方法が提案された。図６は１９９１年ＶＭＩＣ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ｐ１４４−ｐ１５２において提案され
た多層配線の形成方法を示す工程断面図である。図６
（ａ）〜（ｆ）に従って第２の配線層１１の形成方法を
順次説明する。まず、第１の配線層２、層間絶縁膜３を
以下に説明する第２の配線層１１と同じ形成方法を利用
して形成したので層間絶縁膜３の表面はすでに平坦化さ
れたものとなっている。こののち、全面にレジスト６を
塗布し写真製版技術によって接続孔８用のレジスト６パ
ターンを形成する。さらに全面にレジスト７を塗布し、
写真製版技術によって第２の配線層１１用のレジスト７
パターンを形成する（図６（ａ））。
【０００６】次に、接続孔８のレジスト６パターンをマ
スクとして層間絶縁膜３を規定時間エッチングし、層間
絶縁膜３中に接続孔８を途中まで形成する。（図６
（ｂ））。次に、第２の配線層１１用レジスト７パター
ンをマスクとして接続孔８用レジスト６パターンをエッ
チングし、層間絶縁膜３表面に第２の配線層１１用レジ
ストパターンを残す。接続孔８用レジスト６のエッチン
グの際には当然ながら第２の配線層１１用レジスト７も
同時に除去されてしまい、接続孔８用レジスト６パター
ンに第２の配線層１１用レジストパターンが転写されて
残ることになる（図６（ｃ））。
スクとして層間絶縁膜３を規定時間エッチングし、層間
絶縁膜３中に接続孔８を途中まで形成する。（図６
（ｂ））。次に、第２の配線層１１用レジスト７パター
ンをマスクとして接続孔８用レジスト６パターンをエッ
チングし、層間絶縁膜３表面に第２の配線層１１用レジ
ストパターンを残す。接続孔８用レジスト６のエッチン
グの際には当然ながら第２の配線層１１用レジスト７も
同時に除去されてしまい、接続孔８用レジスト６パター
ンに第２の配線層１１用レジストパターンが転写されて
残ることになる（図６（ｃ））。
【０００７】次に、残存した第２の配線層１１用レジス
トパターンをマスクとして層間絶縁膜３をエッチング
し、接続孔８および配線溝９を形成する。このとき層間
絶縁膜３の膜厚によってはオーバーエッチングされるこ
とがある。その後、レジストを除去する（図６
（ｄ））。次に、全面に、ＣＶＤ法等を用いて被覆性に
すぐれた金属膜１０を形成する。このとき金属膜１０厚
は接続孔８および配線溝９を埋めるのに充分な膜厚とす
る（図６（ｅ））。その後、化学機械研磨法により金属
膜１０を研磨して接続用プラグと第２の配線層１１を形
成する。このとき、接続用プラグ、第２の配線層１１、
および層間絶縁膜３の表面は平坦となる（図６
（ｆ））。以上、第２の配線層１１の形成方法について
説明を行ったがこれは第２の配線層１１に限るものでは
なく第１の配線層２も同様にして層間絶縁膜３に第１配
線層２用溝を形成したのち金属膜を埋め込むことによっ
て形成できる。全ての配線層を同様の方法で形成してゆ
けば、常に平坦化された表面上に上層の配線が形成され
ることになる。
トパターンをマスクとして層間絶縁膜３をエッチング
し、接続孔８および配線溝９を形成する。このとき層間
絶縁膜３の膜厚によってはオーバーエッチングされるこ
とがある。その後、レジストを除去する（図６
（ｄ））。次に、全面に、ＣＶＤ法等を用いて被覆性に
すぐれた金属膜１０を形成する。このとき金属膜１０厚
は接続孔８および配線溝９を埋めるのに充分な膜厚とす
る（図６（ｅ））。その後、化学機械研磨法により金属
膜１０を研磨して接続用プラグと第２の配線層１１を形
成する。このとき、接続用プラグ、第２の配線層１１、
および層間絶縁膜３の表面は平坦となる（図６
（ｆ））。以上、第２の配線層１１の形成方法について
説明を行ったがこれは第２の配線層１１に限るものでは
なく第１の配線層２も同様にして層間絶縁膜３に第１配
線層２用溝を形成したのち金属膜を埋め込むことによっ
て形成できる。全ての配線層を同様の方法で形成してゆ
けば、常に平坦化された表面上に上層の配線が形成され
ることになる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の配線層の形成方
法は以上のように構成されており、図６（ｂ）（ｃ）
（ｄ）で示すように、第２の配線層１１用のレジスト７
パターンは層間絶縁膜３の接続孔８用エッチング工程を
経たのち、接続孔８用のレジスト６に転写されるという
複雑な工程を経ることからパターン精度が悪くなってし
まう。また、図６（ｄ）に示すように層間絶縁膜３のエ
ッチングの際、エッチング量がエッチング時間のみによ
って規定されているので層間絶縁膜３の膜厚やエッチン
グレートのばらつきによって、配線溝９の深さが変動し
たり、接続孔８の孔底が第１の配線層２に達しないか或
はオーバーエッチングされて第１の配線層２を突き抜け
るといった問題点があった。
法は以上のように構成されており、図６（ｂ）（ｃ）
（ｄ）で示すように、第２の配線層１１用のレジスト７
パターンは層間絶縁膜３の接続孔８用エッチング工程を
経たのち、接続孔８用のレジスト６に転写されるという
複雑な工程を経ることからパターン精度が悪くなってし
まう。また、図６（ｄ）に示すように層間絶縁膜３のエ
ッチングの際、エッチング量がエッチング時間のみによ
って規定されているので層間絶縁膜３の膜厚やエッチン
グレートのばらつきによって、配線溝９の深さが変動し
たり、接続孔８の孔底が第１の配線層２に達しないか或
はオーバーエッチングされて第１の配線層２を突き抜け
るといった問題点があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、平坦性にすぐれかつ良好な配線
層パターンを形成することのできる多層配線の形成方法
を提供することを目的としている。
ためになされたもので、平坦性にすぐれかつ良好な配線
層パターンを形成することのできる多層配線の形成方法
を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る多層配線の形成方法は、層間絶縁膜上面より配線溝深
さの位置にエッチングストッパー層を形成する第１の工
程と、上記層間絶縁膜上に接続孔用のレジストパターン
を形成する第２の工程と、上記接続孔用のレジストパタ
ーンをマスクとして上記層間絶縁膜を上記エッチングス
トッパー層までエッチングし、露出したエッチングスト
ッパー層を除去する第３の工程と、上記接続孔用のレジ
ストパターンを除去したのち上記配線溝用のレジストパ
ターンを形成する第４の工程と、上記配線溝用のレジス
トパターンをマスクとして上記層間絶縁膜をエッチング
し上記配線溝用のレジストパターンを除去して上記接続
孔および配線溝を形成する第５の工程と、全面に金属膜
を堆積させ上記接続孔と配線溝とを金属膜で埋め込んだ
のち金属膜の表面を平坦にする第６の工程とを備えたも
のである。
る多層配線の形成方法は、層間絶縁膜上面より配線溝深
さの位置にエッチングストッパー層を形成する第１の工
程と、上記層間絶縁膜上に接続孔用のレジストパターン
を形成する第２の工程と、上記接続孔用のレジストパタ
ーンをマスクとして上記層間絶縁膜を上記エッチングス
トッパー層までエッチングし、露出したエッチングスト
ッパー層を除去する第３の工程と、上記接続孔用のレジ
ストパターンを除去したのち上記配線溝用のレジストパ
ターンを形成する第４の工程と、上記配線溝用のレジス
トパターンをマスクとして上記層間絶縁膜をエッチング
し上記配線溝用のレジストパターンを除去して上記接続
孔および配線溝を形成する第５の工程と、全面に金属膜
を堆積させ上記接続孔と配線溝とを金属膜で埋め込んだ
のち金属膜の表面を平坦にする第６の工程とを備えたも
のである。
【００１１】また、この発明の請求項２に係る多層配線
の形成方法は、層間絶縁膜上面より配線溝の深さの位置
と上記層間絶縁膜中の第１の配線層上面の位置とに第１
と第２のエッチングストッパー層を形成する第１の工程
と、上記層間絶縁膜上に接続孔用のレジストパターンを
形成する第２の工程と、上記接続孔用のレジストパター
ンをマスクとして上記層間絶縁膜を上記第１のエッチン
グストッパー層までエッチングし露出した第１のエッチ
ングストッパー層を除去する第３の工程と、上記接続孔
用のレジストパターンを除去したのち上記配線溝用のレ
ジストパターンを形成する第４の工程と、上記配線溝用
のレジストパターンをマスクとして上記層間絶縁膜を第
１および第２のエッチングストッパー層までエッチング
し上記配線溝用のレジストパターンを除去して上記接続
孔および上記配線溝を形成する第５の工程と、全面に金
属膜を堆積させ、上記接続孔と上記配線溝とを金属膜で
埋め込んだのち金属膜の表面を平坦にする第６の工程と
を備えたものである。
の形成方法は、層間絶縁膜上面より配線溝の深さの位置
と上記層間絶縁膜中の第１の配線層上面の位置とに第１
と第２のエッチングストッパー層を形成する第１の工程
と、上記層間絶縁膜上に接続孔用のレジストパターンを
形成する第２の工程と、上記接続孔用のレジストパター
ンをマスクとして上記層間絶縁膜を上記第１のエッチン
グストッパー層までエッチングし露出した第１のエッチ
ングストッパー層を除去する第３の工程と、上記接続孔
用のレジストパターンを除去したのち上記配線溝用のレ
ジストパターンを形成する第４の工程と、上記配線溝用
のレジストパターンをマスクとして上記層間絶縁膜を第
１および第２のエッチングストッパー層までエッチング
し上記配線溝用のレジストパターンを除去して上記接続
孔および上記配線溝を形成する第５の工程と、全面に金
属膜を堆積させ、上記接続孔と上記配線溝とを金属膜で
埋め込んだのち金属膜の表面を平坦にする第６の工程と
を備えたものである。
【００１２】またこの発明の請求項３に係る多層配線の
形成方法は、層間絶縁膜上面より配線溝の深さ位置にエ
ッチングストッパー層を形成する第１の工程と、上記層
間絶縁膜上に上記配線溝用のレジストパターンを形成す
る第２の工程と、上記配線溝用のレジストパターンをマ
スクとして上記層間絶縁膜を上記エッチングストッパー
層までエッチングする第３の工程と、上記配線溝用のレ
ジストパターンを除去したのち全面に接続孔用のレジス
トパターンをマスクとして上記エッチングストッパー層
を除去したのち上記層間絶縁膜をエッチングする第５の
工程と、上記接続孔用のレジストパターンを除去して上
記接続孔および上記配線溝を形成する第６の工程と、全
面に金属膜を堆積させ上記接続孔と上記配線溝とを金属
膜で埋め込んだのち金属膜の表面を平坦にする第７の工
程とを備えたものである。
形成方法は、層間絶縁膜上面より配線溝の深さ位置にエ
ッチングストッパー層を形成する第１の工程と、上記層
間絶縁膜上に上記配線溝用のレジストパターンを形成す
る第２の工程と、上記配線溝用のレジストパターンをマ
スクとして上記層間絶縁膜を上記エッチングストッパー
層までエッチングする第３の工程と、上記配線溝用のレ
ジストパターンを除去したのち全面に接続孔用のレジス
トパターンをマスクとして上記エッチングストッパー層
を除去したのち上記層間絶縁膜をエッチングする第５の
工程と、上記接続孔用のレジストパターンを除去して上
記接続孔および上記配線溝を形成する第６の工程と、全
面に金属膜を堆積させ上記接続孔と上記配線溝とを金属
膜で埋め込んだのち金属膜の表面を平坦にする第７の工
程とを備えたものである。
【００１３】またこの発明の請求項４に係る多層配線の
形成方法は、半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成
し、上記第１の層間絶縁膜中に第１の配線層を形成する
第１の工程と、上記第１の層間絶縁膜上に接続孔用のレ
ジストパターンを形成し上記第１の層間絶縁膜をエッチ
ングして上記第１の配線層に至る開孔部を形成する第２
の工程と、全面に金属膜を埋め込んだのち表面を平坦に
して接続用プラグを形成する第３の工程と、全面にエッ
チングストッパー層を形成する第４の工程と、上記エッ
チングストッパー層上に第２の層間絶縁膜を形成する第
５の工程と、上記第２の層間絶縁膜上に配線溝用のレジ
ストパターンを形成しこれをマスクとして上記第２の層
間絶縁膜を上記エッチングストッパー層までエッチング
し配線溝を形成する第６の工程と、上記配線溝用のレジ
ストパターンを除去し露出したエッチングストッパー層
を除去する第７の工程と、全面に金属膜を堆積し上記配
線溝に金属膜を埋め込んだのち表面を平坦に形成して第
２の配線層を形成するとともに上記接続用プラグと第２
の配線層とを一体に接続する第８の工程とを備えたもの
である。
形成方法は、半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成
し、上記第１の層間絶縁膜中に第１の配線層を形成する
第１の工程と、上記第１の層間絶縁膜上に接続孔用のレ
ジストパターンを形成し上記第１の層間絶縁膜をエッチ
ングして上記第１の配線層に至る開孔部を形成する第２
の工程と、全面に金属膜を埋め込んだのち表面を平坦に
して接続用プラグを形成する第３の工程と、全面にエッ
チングストッパー層を形成する第４の工程と、上記エッ
チングストッパー層上に第２の層間絶縁膜を形成する第
５の工程と、上記第２の層間絶縁膜上に配線溝用のレジ
ストパターンを形成しこれをマスクとして上記第２の層
間絶縁膜を上記エッチングストッパー層までエッチング
し配線溝を形成する第６の工程と、上記配線溝用のレジ
ストパターンを除去し露出したエッチングストッパー層
を除去する第７の工程と、全面に金属膜を堆積し上記配
線溝に金属膜を埋め込んだのち表面を平坦に形成して第
２の配線層を形成するとともに上記接続用プラグと第２
の配線層とを一体に接続する第８の工程とを備えたもの
である。
【００１４】また、この発明の請求項５に係る多層配線
の形成方法は、エッチングストッパー層を難透光性材料
で構成することにより下地反射防止膜として機能させる
ようにしたものである。
の形成方法は、エッチングストッパー層を難透光性材料
で構成することにより下地反射防止膜として機能させる
ようにしたものである。
【００１５】
【作用】この発明における多層配線の形成方法は層間絶
縁膜上面より配線溝深さの位置あるいは接続孔深さの位
置である第１の配線層上面の位置にエッチングストッパ
ー層を設けるようにしたので上記層間絶縁膜をエッチン
グして上記接続孔あるいは配線溝を形成する際、上記接
続孔あるいは配線溝の底部は常にエッチングストッパー
層位置でエッチングを停止することができ、接続孔およ
び配線溝を再現性よく形成できる。
縁膜上面より配線溝深さの位置あるいは接続孔深さの位
置である第１の配線層上面の位置にエッチングストッパ
ー層を設けるようにしたので上記層間絶縁膜をエッチン
グして上記接続孔あるいは配線溝を形成する際、上記接
続孔あるいは配線溝の底部は常にエッチングストッパー
層位置でエッチングを停止することができ、接続孔およ
び配線溝を再現性よく形成できる。
【００１６】また、エッチングストッパー層を難透光性
材料で構成することにより下地反射防止膜として機能さ
せるようにしたので写真製版工程時に下地膜からの反射
光を防止できる。
材料で構成することにより下地反射防止膜として機能さ
せるようにしたので写真製版工程時に下地膜からの反射
光を防止できる。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の実施例を図を用いて説明す
る。なお、従来の技術の説明と重複する部分については
適宜、その説明を省略する。
る。なお、従来の技術の説明と重複する部分については
適宜、その説明を省略する。
【００１８】実施例１．図１はこの発明の一実施例の多
層配線の形成方法を示す工程断面図である。図１（ａ）
〜（ｅ）に従って第２の配線層１１の形成方法を順次説
明する。まず、図６（ａ）と同様に、以下に説明する第
２の配線層１１の形成方法を使用することによって第１
の配線層２は既に形成されており、層間絶縁膜３ａの表
面も既に平坦化されている。次に、第２の配線層１１用
のエッチングストッパー層４を全面に形成する。ここ
で、このエッチングストッパー層４は層間絶縁膜３ｂを
エッチングする際のストッパーとして機能し、有機樹脂
やシリコン窒化膜などの絶縁膜からなっている。ここで
はエッチングストッパー層４として有機樹脂を使用した
例について説明を行う。次に、エッチングストッパー層
４上全面に層間絶縁膜３ｂを第２の配線層１１の設定膜
厚と等しく形成する。次に接続孔８のレジスト６を全面
に塗布し、写真製版技術を施してレジスト６パターンを
形成する（図１（ａ））。
層配線の形成方法を示す工程断面図である。図１（ａ）
〜（ｅ）に従って第２の配線層１１の形成方法を順次説
明する。まず、図６（ａ）と同様に、以下に説明する第
２の配線層１１の形成方法を使用することによって第１
の配線層２は既に形成されており、層間絶縁膜３ａの表
面も既に平坦化されている。次に、第２の配線層１１用
のエッチングストッパー層４を全面に形成する。ここ
で、このエッチングストッパー層４は層間絶縁膜３ｂを
エッチングする際のストッパーとして機能し、有機樹脂
やシリコン窒化膜などの絶縁膜からなっている。ここで
はエッチングストッパー層４として有機樹脂を使用した
例について説明を行う。次に、エッチングストッパー層
４上全面に層間絶縁膜３ｂを第２の配線層１１の設定膜
厚と等しく形成する。次に接続孔８のレジスト６を全面
に塗布し、写真製版技術を施してレジスト６パターンを
形成する（図１（ａ））。
【００１９】次に接続孔８のレジスト６パターンをマス
クとして層間絶縁膜３ｂのエッチングを行う。このとき
エッチングストッパー層４は有機樹脂で形成されている
ため層間絶縁膜３ｂのエッチング工程ではほとんどエッ
チングされることがない。そのため、エッチング時間を
少し長めに設定しておけば、接続孔８の底部はエッチン
グストッパー層４上に再現性よく揃うことになる。その
後、接続孔８底部のエッチングストッパー層４を除去す
る（図１（ｂ））。
クとして層間絶縁膜３ｂのエッチングを行う。このとき
エッチングストッパー層４は有機樹脂で形成されている
ため層間絶縁膜３ｂのエッチング工程ではほとんどエッ
チングされることがない。そのため、エッチング時間を
少し長めに設定しておけば、接続孔８の底部はエッチン
グストッパー層４上に再現性よく揃うことになる。その
後、接続孔８底部のエッチングストッパー層４を除去す
る（図１（ｂ））。
【００２０】次に接続孔８用のレジスト６パターンを除
去する。その後、第２の配線層１１用のレジスト７を塗
布し、写真製版技術によって、第２の配線層１１用のレ
ジスト７パターンを形成する（図１（ｃ））。次に、第
２の配線層１１用のレジスト７パターンをマスクとして
層間絶縁膜３ａ、３ｂをエッチングする。このとき層間
絶縁膜３ｂの膜厚は第２の配線層１１の膜厚に形成され
ており、しかも層間絶縁膜３ｂ下にはエッチングストッ
パー層４が形成されている。したがって配線溝９の底部
はエッチングストッパー層４で制御される。また先に開
口した接続孔８については、接続孔８底部のエッチング
ストッパー層４を除去しているので更にエッチングが進
み、層間絶縁膜３ａをエッチングして接続孔８を完成す
る。これらのことからエッチング時間を接続孔８が第１
の配線層に充分に到達するように設定しておけば、エッ
チングストッパー層４まで再現性よく掘られた配線溝９
を形成することができる（図１（ｄ））。
去する。その後、第２の配線層１１用のレジスト７を塗
布し、写真製版技術によって、第２の配線層１１用のレ
ジスト７パターンを形成する（図１（ｃ））。次に、第
２の配線層１１用のレジスト７パターンをマスクとして
層間絶縁膜３ａ、３ｂをエッチングする。このとき層間
絶縁膜３ｂの膜厚は第２の配線層１１の膜厚に形成され
ており、しかも層間絶縁膜３ｂ下にはエッチングストッ
パー層４が形成されている。したがって配線溝９の底部
はエッチングストッパー層４で制御される。また先に開
口した接続孔８については、接続孔８底部のエッチング
ストッパー層４を除去しているので更にエッチングが進
み、層間絶縁膜３ａをエッチングして接続孔８を完成す
る。これらのことからエッチング時間を接続孔８が第１
の配線層に充分に到達するように設定しておけば、エッ
チングストッパー層４まで再現性よく掘られた配線溝９
を形成することができる（図１（ｄ））。
【００２１】次に、第２の配線層１１のレジスト７パタ
ーンを除去し、ＣＶＤやリフロースパッタ等の被覆性に
優れた膜形成方法を用いて全面に金属膜１０を堆積させ
接続孔８や配線溝９を金属膜１０で埋め込む。その後化
学機械研磨法やエッチバック法等を使用して表面が平坦
になるように金属膜１０を研磨し、接続用のプラグと第
２の配線層１１を形成する（図１（ｅ））。
ーンを除去し、ＣＶＤやリフロースパッタ等の被覆性に
優れた膜形成方法を用いて全面に金属膜１０を堆積させ
接続孔８や配線溝９を金属膜１０で埋め込む。その後化
学機械研磨法やエッチバック法等を使用して表面が平坦
になるように金属膜１０を研磨し、接続用のプラグと第
２の配線層１１を形成する（図１（ｅ））。
【００２２】全ての配線層を同様の方法で形成してゆけ
ば常に平坦化された表面上に上層の配線層が形成される
ことになるばかりでなく、層間絶縁膜３中にエッチング
ストッパー層４を形成し、エッチング制御が充分行える
ので開口の再現性が飛躍的に増加するとともに、従来の
ようにレジストをマスクとしてレジストをエッチングす
るといった工程を含まないためパターンの精度も向上す
る。
ば常に平坦化された表面上に上層の配線層が形成される
ことになるばかりでなく、層間絶縁膜３中にエッチング
ストッパー層４を形成し、エッチング制御が充分行える
ので開口の再現性が飛躍的に増加するとともに、従来の
ようにレジストをマスクとしてレジストをエッチングす
るといった工程を含まないためパターンの精度も向上す
る。
【００２３】実施例２．なお、上記実施例１では配線溝
９の底部にエッチングストッパー層４を設けた場合につ
いて示したが、図２で示すように配線層の上部にもエッ
チングストッパー層を設ける方法もある。第２の配線層
１１のエッチングストッパー層４に加えて第１の配線層
２の上部にもエッチングストッパー層１２を設けた場合
について図２（ａ）〜（ｅ）に従って順次説明する。ま
ず第１の配線層２を実施例１の方法で形成する。その後
全面にエッチングストッパー層１２を形成する。このエ
ッチングストッパー層１２は実施例１のエッチングスト
ッパー層４と材質、形成方法ともに同じである。その後
実施例１と同様にして全面に層間絶縁膜３ａ、エッチン
グストッパー層４、層間絶縁膜３ｂと順次形成する。そ
の後、接続孔８用のレジスト６パターンを形成する（図
２（ａ））。
９の底部にエッチングストッパー層４を設けた場合につ
いて示したが、図２で示すように配線層の上部にもエッ
チングストッパー層を設ける方法もある。第２の配線層
１１のエッチングストッパー層４に加えて第１の配線層
２の上部にもエッチングストッパー層１２を設けた場合
について図２（ａ）〜（ｅ）に従って順次説明する。ま
ず第１の配線層２を実施例１の方法で形成する。その後
全面にエッチングストッパー層１２を形成する。このエ
ッチングストッパー層１２は実施例１のエッチングスト
ッパー層４と材質、形成方法ともに同じである。その後
実施例１と同様にして全面に層間絶縁膜３ａ、エッチン
グストッパー層４、層間絶縁膜３ｂと順次形成する。そ
の後、接続孔８用のレジスト６パターンを形成する（図
２（ａ））。
【００２４】次に、接続孔８用レジスト６パターンをマ
スクとして層間絶縁膜３ｂをエッチングしたのち、露出
したエッチングストッパー層４を除去する（図２
（ｂ））。次に接続孔８用レジスト６パターンを除去し
たのち、第２の配線層１１用レジスト７パターンを形成
する（図２（ｃ））。次に第２の配線層１１用レジスト
７パターンをマスクとして層間絶縁膜３ｂおよび層間絶
縁膜３ａをエッチングして配線溝９および接続孔８を形
成する。このとき配線溝９底部にはエッチングストッパ
ー層４が形成されており、接続孔８底部にはエッチング
ストッパー層１２が形成されている。したがってエッチ
ング時間を充分長く設定しても底部からの突き抜け等が
生じない（図２（ｄ））。次に露出したエッチングスト
ッパー層４、１２を除去する。その後実施例１と同様に
して金属膜１０を埋め込むことにより接続用プラグおよ
び第２の配線層１１を平坦に形成する（図２（ｅ））。
スクとして層間絶縁膜３ｂをエッチングしたのち、露出
したエッチングストッパー層４を除去する（図２
（ｂ））。次に接続孔８用レジスト６パターンを除去し
たのち、第２の配線層１１用レジスト７パターンを形成
する（図２（ｃ））。次に第２の配線層１１用レジスト
７パターンをマスクとして層間絶縁膜３ｂおよび層間絶
縁膜３ａをエッチングして配線溝９および接続孔８を形
成する。このとき配線溝９底部にはエッチングストッパ
ー層４が形成されており、接続孔８底部にはエッチング
ストッパー層１２が形成されている。したがってエッチ
ング時間を充分長く設定しても底部からの突き抜け等が
生じない（図２（ｄ））。次に露出したエッチングスト
ッパー層４、１２を除去する。その後実施例１と同様に
して金属膜１０を埋め込むことにより接続用プラグおよ
び第２の配線層１１を平坦に形成する（図２（ｅ））。
【００２５】以上のようにエッチングストッパー層を２
層設けることによってエッチング制御をさらに良好なも
のとし、プロセスの再現性を更に向上させる事ができ
る。
層設けることによってエッチング制御をさらに良好なも
のとし、プロセスの再現性を更に向上させる事ができ
る。
【００２６】実施例３．なお、上記実施例１、２では接
続孔８用のレジスト６パターンを先に形成する方法につ
いて示したが図３に示すように、配線用のレジスト７パ
ターンを先に形成してもよい。図３（ａ）〜（ｅ）は実
施例３の多層配線の形成方法であり、図１（ａ）〜
（ｅ）と対応しているものである。まず図１（ａ）と同
様にして、第１の配線層２、層間絶縁膜３ａ、エッチン
グストッパー層４、層間絶縁膜３ｂを形成する。この
後、第２の配線層１１用レジスト７パターンを形成する
（図３（ａ））。次に、この第２の配線層１１用レジス
ト７パターンをマスクとして層間絶縁膜３ｂをエッチン
グし、配線溝９を形成する。このとき、配線溝９底部に
はエッチングストッパー層４が露出した状態となり、良
好なエッチング制御が得られる（図３（ｂ））。
続孔８用のレジスト６パターンを先に形成する方法につ
いて示したが図３に示すように、配線用のレジスト７パ
ターンを先に形成してもよい。図３（ａ）〜（ｅ）は実
施例３の多層配線の形成方法であり、図１（ａ）〜
（ｅ）と対応しているものである。まず図１（ａ）と同
様にして、第１の配線層２、層間絶縁膜３ａ、エッチン
グストッパー層４、層間絶縁膜３ｂを形成する。この
後、第２の配線層１１用レジスト７パターンを形成する
（図３（ａ））。次に、この第２の配線層１１用レジス
ト７パターンをマスクとして層間絶縁膜３ｂをエッチン
グし、配線溝９を形成する。このとき、配線溝９底部に
はエッチングストッパー層４が露出した状態となり、良
好なエッチング制御が得られる（図３（ｂ））。
【００２７】次に、第２の配線層１１用レジスト７パタ
ーンを除去したのち、パターニングされた層間絶縁膜３
ｂ上に接続孔８用レジスト６パターンを形成する。この
とき配線溝９は接続孔８用レジスト６パターンによって
塞がれる形となる（図３（ｃ））。次に、接続孔８用レ
ジスト６パターンをマスクとしてまず、エッチングスト
ッパー層４を除去し、次に層間絶縁膜３ａをエッチング
して接続孔８を形成する（図３（ｄ））。次に、接続孔
８用レジスト６パターンを除去したのち、図１（ｅ）と
同様にして接続用プラグおよび第２の配線層１１を表面
が平坦になるよう形成する（図３（ｅ））。
ーンを除去したのち、パターニングされた層間絶縁膜３
ｂ上に接続孔８用レジスト６パターンを形成する。この
とき配線溝９は接続孔８用レジスト６パターンによって
塞がれる形となる（図３（ｃ））。次に、接続孔８用レ
ジスト６パターンをマスクとしてまず、エッチングスト
ッパー層４を除去し、次に層間絶縁膜３ａをエッチング
して接続孔８を形成する（図３（ｄ））。次に、接続孔
８用レジスト６パターンを除去したのち、図１（ｅ）と
同様にして接続用プラグおよび第２の配線層１１を表面
が平坦になるよう形成する（図３（ｅ））。
【００２８】実施例４．また上記実施例１、２、３では
形成された配線溝９と接続孔８とを配線用の金属膜１０
で一度に埋め込む方法について説明したが図４で示すよ
うに金属膜１０を２度に分けて埋め込んで配線しても良
い。図４（ａ）〜（ｅ）は金属膜１０を２度に分けて埋
め込んで形成する方法の工程断面図である。まず上記実
施例１、２、３と同様にして第１の配線層２および層間
絶縁膜３ａを平坦に形成する。次に、接続孔８用のレジ
スト６パターンを形成し（図示なし）これをマスクとし
て層間絶縁膜３ａをエッチングし、接続孔８の一部を形
成する。その後、接続用の金属膜１３を形成したのちエ
ッチバックし、接続孔８内に金属膜１３を埋め込んで接
続用プラグを形成する（図４（ａ））。
形成された配線溝９と接続孔８とを配線用の金属膜１０
で一度に埋め込む方法について説明したが図４で示すよ
うに金属膜１０を２度に分けて埋め込んで配線しても良
い。図４（ａ）〜（ｅ）は金属膜１０を２度に分けて埋
め込んで形成する方法の工程断面図である。まず上記実
施例１、２、３と同様にして第１の配線層２および層間
絶縁膜３ａを平坦に形成する。次に、接続孔８用のレジ
スト６パターンを形成し（図示なし）これをマスクとし
て層間絶縁膜３ａをエッチングし、接続孔８の一部を形
成する。その後、接続用の金属膜１３を形成したのちエ
ッチバックし、接続孔８内に金属膜１３を埋め込んで接
続用プラグを形成する（図４（ａ））。
【００２９】次に、全面にエッチングストッパー層４を
形成する（図４（ｂ））。次に、全面に層間絶縁膜３ｂ
を堆積させる（図４（ｃ））。次に、全面に第２の配線
層１１用レジスト７を塗布し、写真製版技術を施して第
２の配線層１１用レジスト７パターンを形成する。その
後、第２の配線層１１用レジスト７パターンをマスクと
して層間絶縁膜３ｂをエッチングして配線溝９を形成す
る。このとき配線溝９はエッチングストッパー層４によ
ってエッチング制御され、再現性よく形成できる（図４
（ｄ））。次に、第２の配線層１１用レジスト７パター
ンを除去する。その後露出しているエッチングストッパ
ー層４を除去し配線用金属膜１０を全面に形成する。金
属膜１０にエッチバックを施して第２の配線層１１を形
成する（図４（ｅ））。
形成する（図４（ｂ））。次に、全面に層間絶縁膜３ｂ
を堆積させる（図４（ｃ））。次に、全面に第２の配線
層１１用レジスト７を塗布し、写真製版技術を施して第
２の配線層１１用レジスト７パターンを形成する。その
後、第２の配線層１１用レジスト７パターンをマスクと
して層間絶縁膜３ｂをエッチングして配線溝９を形成す
る。このとき配線溝９はエッチングストッパー層４によ
ってエッチング制御され、再現性よく形成できる（図４
（ｄ））。次に、第２の配線層１１用レジスト７パター
ンを除去する。その後露出しているエッチングストッパ
ー層４を除去し配線用金属膜１０を全面に形成する。金
属膜１０にエッチバックを施して第２の配線層１１を形
成する（図４（ｅ））。
【００３０】以上のように配線用の金属膜の形成を２度
に分けて形成するようにすれば金属膜形成時の段差が緩
和され、被覆性をより良いものとできる。又、接続孔用
金属１３と配線用金属１０との形成物質や形成方法を変
えることができる。
に分けて形成するようにすれば金属膜形成時の段差が緩
和され、被覆性をより良いものとできる。又、接続孔用
金属１３と配線用金属１０との形成物質や形成方法を変
えることができる。
【００３１】実施例５．また、上記実施例１、２、３、
４ではエッチングストッパー層として、主に有機樹脂を
使用した例を示したが、下地からの光の反射を阻止する
効果を備えた色素入りの有機樹脂を使用してもよい。こ
の場合、接続孔８や第２の配線層１１パターンを写真製
版工程する際、通常層間絶縁膜３が透明であるため、下
層の第１の配線層２からの反射光によってパターンの解
像度が低下するといった問題を防ぐことができる。
４ではエッチングストッパー層として、主に有機樹脂を
使用した例を示したが、下地からの光の反射を阻止する
効果を備えた色素入りの有機樹脂を使用してもよい。こ
の場合、接続孔８や第２の配線層１１パターンを写真製
版工程する際、通常層間絶縁膜３が透明であるため、下
層の第１の配線層２からの反射光によってパターンの解
像度が低下するといった問題を防ぐことができる。
【００３２】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば層間絶縁
膜上面より配線溝深さの位置あるいは接続孔深さの位置
である第１の配線層上面の位置にエッチングストッパー
層を設けるようにしたので、上記層間絶縁膜をエッチン
グして上記接続孔あるいは配線溝を形成する際、精度の
良いエッチングを再現性よく行え、平坦な多層配線を信
頼性良く容易に形成できる。
膜上面より配線溝深さの位置あるいは接続孔深さの位置
である第１の配線層上面の位置にエッチングストッパー
層を設けるようにしたので、上記層間絶縁膜をエッチン
グして上記接続孔あるいは配線溝を形成する際、精度の
良いエッチングを再現性よく行え、平坦な多層配線を信
頼性良く容易に形成できる。
【００３３】また、エッチングストッパー層を難透光性
材料で構成することにより下地反射防止膜として機能さ
せるようにしたので、写真製版工程時に下地膜からの反
射光を防止でき、精度の良いレジストパターンを形成で
きるのでパターン精度のよい多層配線を形成できる。
材料で構成することにより下地反射防止膜として機能さ
せるようにしたので、写真製版工程時に下地膜からの反
射光を防止でき、精度の良いレジストパターンを形成で
きるのでパターン精度のよい多層配線を形成できる。
【図１】この発明の実施例１の多層配線の形成方法を示
す工程断面図である。
す工程断面図である。
【図２】この発明の実施例２の多層配線の形成方法を示
す工程断面図である。
す工程断面図である。
【図３】この発明の実施例３の多層配線の形成方法を示
す工程断面図である。
す工程断面図である。
【図４】この発明の実施例４の多層配線の形成方法を示
す工程断面図である。
す工程断面図である。
【図５】従来の多層配線の形成方法を示す工程断面図で
ある。
ある。
【図６】図５とは異なる従来の多層配線の形成方法を示
す工程断面図である。
す工程断面図である。
２ 第１の配線層 ３、３ａ、３ｂ 層間絶縁膜 ４、１２ エッチングストッパー層 ６ 接続孔用レジスト ７ 第２の配線層用レジスト ８ 接続孔 ９ 配線溝 １０ 配線用金属膜 １１ 第２の配線層 １３ 接続孔用金属膜 ２０ 半導体基板
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された第１の配線層
を覆うように層間絶縁膜を形成し、次にこの層間絶縁膜
の上面に第２の配線層用の配線溝を形成するとともに上
記配線溝から上記第１の配線層に至る接続孔を形成し、
しかる後上記配線溝と接続孔とに金属膜を埋め込むこと
により上記第１の配線層およびこの第１の配線層と電気
的に接続され上記第１の配線層より上方に配置された第
２の配線層を備えた多層配線の形成方法において、 上記層間絶縁膜上面より上記配線溝深さの位置にエッチ
ングストッパー層を形成する第１の工程と、上記層間絶
縁膜上に上記接続孔用のレジストパターンを形成する第
２の工程と、上記接続孔用のレジストパターンをマスク
として上記層間絶縁膜を上記エッチングストッパー層ま
でエッチングし、露出したエッチングストッパー層を除
去する第３の工程と、上記接続孔用のレジストパターン
を除去したのち上記配線溝用のレジストパターンを形成
する第４の工程と、上記配線溝用のレジストパターンを
マスクとして上記層間絶縁膜をエッチングし、上記配線
溝用のレジストパターンを除去して上記接続孔および上
記配線溝を形成する第５の工程と、全面に金属膜を堆積
させ、上記接続孔と上記配線溝とを金属膜で埋め込んだ
のち金属膜の表面を平坦にする第６の工程とを備えたこ
とを特徴とする多層配線の形成方法。 - 【請求項２】 半導体基板上に形成された第１の配線層
を覆うように層間絶縁膜を形成し、次にこの層間絶縁膜
の上面に第２の配線層用の配線溝を形成するとともに上
記配線溝から上記第１の配線層に至る接続孔を形成し、
しかる後上記配線溝と接続孔とに金属膜を埋め込むこと
により上記第１の配線層およびこの第１の配線層と電気
的に接続され上記第１の配線層より上方に配置された第
２の配線層を備えた多層配線の形成方法において、 上記層間絶縁膜上面より上記配線溝の深さの位置と上記
層間絶縁膜中の上記第１の配線層上面の位置とに第１と
第２のエッチングストッパー層を形成する第１の工程
と、上記層間絶縁膜上に上記接続孔用のレジストパター
ンを形成する第２の工程と、上記接続孔用のレジストパ
ターンをマスクとして上記層間絶縁膜を上記第１のエッ
チングストッパー層までエッチングし、露出した第１の
エッチングストッパー層を除去する第３の工程と、上記
接続孔用のレジストパターンを除去したのち、上記配線
溝用のレジストパターンを形成する第４の工程と、上記
配線溝用のレジストパターンをマスクとして上記層間絶
縁膜を第１および第２のエッチングストッパー層までエ
ッチングし上記配線溝用のレジストパターンを除去して
上記接続孔および上記配線溝を形成する第５の工程と、
全面に金属膜を堆積させ、上記接続孔と上記配線溝とを
金属膜で埋め込んだのち金属膜の表面を平坦にする第６
の工程とを備えたことを特徴とする多層配線の形成方
法。 - 【請求項３】 半導体基板上に形成された第１の配線層
を覆うように層間絶縁膜を形成し、次にこの層間絶縁膜
の上面に第２の配線層用の配線溝を形成するとともに上
記配線溝から上記第１の配線層に至る接続孔を形成し、
しかる後上記配線溝と接続孔とに金属膜を埋め込むこと
により上記第１の配線層およびこの第１の配線層と電気
的に接続され上記第１の配線層より上方に配置された第
２の配線層を備えた多層配線の形成方法において、 上記層間絶縁膜上面より上記配線溝の深さの位置にエッ
チングストッパー層を形成する第１の工程と、上記層間
絶縁膜上に上記配線溝用のレジストパターンを形成する
第２の工程と、上記配線溝用のレジストパターンをマス
クとして上記層間絶縁膜を上記エッチングストッパー層
までエッチングする第３の工程と、上記配線溝用のレジ
ストパターンを除去したのち、全面に上記接続孔用のレ
ジストパターンを形成する第４の工程と、上記接続孔用
のレジストパターンをマスクとして上記エッチングスト
ッパー層を除去したのち上記層間絶縁膜をエッチングす
る第５の工程と、上記接続孔用のレジストパターンを除
去して上記接続孔および上記配線溝を形成する第６の工
程と、全面に金属膜を堆積させ、上記接続孔と上記配線
溝とを金属膜で埋め込んだのち金属膜の表面を平坦にす
る第７の工程とを備えたことを特徴とする多層配線の形
成方法。 - 【請求項４】 半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成
し、上記第１の層間絶縁膜中に第１の配線層を形成する
第１の工程と、上記第１の層間絶縁膜上に接続孔用のレ
ジストパターンを形成し、上記第１の層間絶縁膜をエッ
チングして上記第１の配線層に至る開孔部を形成する第
２の工程と、全面に金属膜を堆積し、上記開孔部を金属
膜で埋め込んだのち表面を平坦にして接続用プラグを形
成する第３の工程と、全面にエッチングストッパー層を
形成する第４の工程と、上記エッチングストッパー層上
に第２の層間絶縁膜を形成する第５の工程と、上記第２
の層間絶縁膜上に配線溝用のレジストパターンを形成
し、これをマスクとして上記第２の層間絶縁膜を上記エ
ッチングストッパー層までエッチングし配線溝を形成す
る第６の工程と、上記配線溝用のレジストパターンを除
去し、露出したエッチングストッパー層を除去する第７
の工程と、全面に金属膜を堆積し、上記配線溝に金属膜
を埋め込んだのち表面を平坦に形成して第２の配線層を
形成するとともに上記接続用プラグと第２の配線層とを
一体に接続する第８の工程とを備えたことを特徴とする
多層配線の形成方法。 - 【請求項５】 エッチングストッパー層を難透光性材料
で構成することにより下地反射防止膜として機能させる
ようにしたことを特徴とする請求項１ないし４のいずれ
かに記載の多層配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23830392A JP3412843B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 多層配線の形成方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23830392A JP3412843B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 多層配線の形成方法及び半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685070A true JPH0685070A (ja) | 1994-03-25 |
| JP3412843B2 JP3412843B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=17028203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23830392A Expired - Lifetime JP3412843B2 (ja) | 1992-09-07 | 1992-09-07 | 多層配線の形成方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3412843B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307385A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-21 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体素子の多層金属配線の形成方法 |
| US6127734A (en) * | 1995-08-25 | 2000-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device comprising a contact hole of varying width thru multiple insulating layers |
| WO2000067324A1 (fr) * | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Hitachi, Ltd. | Circuit integre, son procede de fabrication, et procede de production d'un dessin de masque |
| KR100307528B1 (ko) * | 1998-05-28 | 2001-11-02 | 김영환 | 반도체소자의다층배선구조제조방법 |
| US6333255B1 (en) | 1997-08-21 | 2001-12-25 | Matsushita Electronics Corporation | Method for making semiconductor device containing low carbon film for interconnect structures |
| KR100351687B1 (ko) * | 1999-01-12 | 2002-09-11 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| KR100365745B1 (ko) * | 1995-11-24 | 2003-03-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의콘택홀형성방법 |
| US6593659B2 (en) | 1998-12-09 | 2003-07-15 | Nec Electronics Corporation | Dual damascene structure with carbon containing SiO2 dielectric layers |
| JP2004342873A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013168687A (ja) * | 2007-06-15 | 2013-08-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-07 JP JP23830392A patent/JP3412843B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07307385A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-21 | Lg Semicon Co Ltd | 半導体素子の多層金属配線の形成方法 |
| US6127734A (en) * | 1995-08-25 | 2000-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device comprising a contact hole of varying width thru multiple insulating layers |
| KR100365745B1 (ko) * | 1995-11-24 | 2003-03-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체장치의콘택홀형성방법 |
| US6333255B1 (en) | 1997-08-21 | 2001-12-25 | Matsushita Electronics Corporation | Method for making semiconductor device containing low carbon film for interconnect structures |
| US6534868B2 (en) | 1997-08-21 | 2003-03-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device and method for fabricating the same |
| KR100307528B1 (ko) * | 1998-05-28 | 2001-11-02 | 김영환 | 반도체소자의다층배선구조제조방법 |
| US6593659B2 (en) | 1998-12-09 | 2003-07-15 | Nec Electronics Corporation | Dual damascene structure with carbon containing SiO2 dielectric layers |
| KR100351687B1 (ko) * | 1999-01-12 | 2002-09-11 | 닛본 덴기 가부시끼가이샤 | 반도체장치 및 그 제조방법 |
| WO2000067324A1 (fr) * | 1999-04-30 | 2000-11-09 | Hitachi, Ltd. | Circuit integre, son procede de fabrication, et procede de production d'un dessin de masque |
| JP2004342873A (ja) * | 2003-05-16 | 2004-12-02 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2013168687A (ja) * | 2007-06-15 | 2013-08-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3412843B2 (ja) | 2003-06-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100792605B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| JPH04174541A (ja) | 半導体集積回路及びその製造方法 | |
| JPH02276232A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3412843B2 (ja) | 多層配線の形成方法及び半導体装置 | |
| US6593223B1 (en) | Method of forming dual damascene structure | |
| JPH0897283A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3713869B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004140093A (ja) | ボンディングパッド及びその形成方法 | |
| KR100295054B1 (ko) | 다층금속배선을갖는반도체소자및그제조방법 | |
| JP2872086B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100363642B1 (ko) | 반도체 소자의 접촉부 형성 방법 | |
| KR100217909B1 (ko) | 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 | |
| KR100440472B1 (ko) | 반도체 소자 제조 방법 | |
| JP2590711B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2805840B2 (ja) | 半導体装置及びその多層配線形成方法 | |
| JPH05109715A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000208620A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20010027671A (ko) | 다마신 구조의 배선을 구비하는 반도체 장치의 제조방법 | |
| KR100216271B1 (ko) | 반도체 소자의 금속 배선 형성방법 | |
| KR100265972B1 (ko) | 반도체장치의다층배선형성방법 | |
| KR100497776B1 (ko) | 반도체 소자의 다층배선 구조 제조방법 | |
| JPH0415926A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0817914A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2723560B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2879755B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080328 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090328 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090328 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100328 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110328 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120328 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130328 Year of fee payment: 10 |