JP3412843B2 - 多層配線の形成方法及び半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は二層以上の配線層を有
する多層配線の形成方法及び該形成方法を用いた半導体
装置の製造方法及び半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩの高集積化、高機能化に伴い、パ
ターンの縮小化に反して配線長は増加する傾向にある。
これは配線の存在そのものが高集積化の障害になってく
ることでもある。このような配線の問題を解決する手段
として配線の多層化がある。この多層配線は高集積化ま
たはチップ面積の縮小に寄与し、設計の自由度を向上さ
せ、素子を効率よくかつ配線長を短く接続することが可
能である。

【０００３】図５は従来の多層配線の形成方法を示す工
程断面図であり、図５（ａ）〜（ｆ）に従って順次説明
を行う。まず、半導体基板２０上に下層絶縁膜１を形成
する（図５（ａ））。次に、下層絶縁膜１上にスパッタ
法等で配線膜を形成したのち写真製版およびエッチング
技術を施して第１の配線層２を形成する（図５
（ｂ））。次に、第１の配線層２上にＣＶＤ法等でシリ
コン酸化膜を堆積する。これは下層絶縁膜１と一体とな
って層間絶縁膜３を形成する（図５（Ｃ））。次に層間
絶縁膜３上全面にレジスト６を塗布したのち写真製版技
術によってレジスト６パターンを形成し、これをマスク
としてエッチングすることにより層間絶縁膜３に接続孔
８を形成する（図５（ｄ））。次に、レジスト６パター
ンを除去したのちスパッタリング法等を用いて金属膜１
０を形成する。その後、全面にレジスト７を塗布し、写
真製版技術によってレジスト７パターンを形成する（図
５（ｅ））。

【０００４】次に、レジスト７パターンをマスクとして
金属膜１０をエッチングし、第２の配線層１１を形成し
たのち、レジスト７パターンを除去する（図５
（ｆ））。同様にして配線層をさらに積層してゆくこと
ができる。しかしながら、図５（ｃ）に示すように第１
の配線層２の形成後に層間絶縁膜３を堆積するために第
１の配線層２が存在する場所としない場所で層間絶縁膜
３の表面に凹凸が生じてしまう。従って第２の配線層１
１は凹凸のある表面上に形成することになり、第２の配
線層１１を形成する際の写真製版工程時に焦点ずれがお
こり、良好なレジスト７パターンを得ることができなか
った。また、図５（ｅ）で示すように第２の配線用の金
属膜１０の形成方法として通常スパッタリング法が用い
られてきたため、接続孔８内部や層間絶縁膜３表面の凹
部でのカバレージが低下し、配線の信頼性が低下すると
いった問題点があった。

【０００５】この様な問題点を解決する多層配線の形成
方法が提案された。図６は１９９１年ＶＭＩＣ Ｃｏｎ
ｆｅｒｅｎｃｅ ｐ１４４−ｐ１５２において提案され
た多層配線の形成方法を示す工程断面図である。図６
（ａ）〜（ｆ）に従って第２の配線層１１の形成方法を
順次説明する。まず、第１の配線層２、層間絶縁膜３を
以下に説明する第２の配線層１１と同じ形成方法を利用
して形成したので層間絶縁膜３の表面はすでに平坦化さ
れたものとなっている。こののち、全面にレジスト６を
塗布し写真製版技術によって接続孔８用のレジスト６パ
ターンを形成する。さらに全面にレジスト７を塗布し、
写真製版技術によって第２の配線層１１用のレジスト７
パターンを形成する（図６（ａ））。

【０００６】次に、接続孔８のレジスト６パターンをマ
スクとして層間絶縁膜３を規定時間エッチングし、層間
絶縁膜３中に接続孔８を途中まで形成する。（図６
（ｂ））。次に、第２の配線層１１用レジスト７パター
ンをマスクとして接続孔８用レジスト６パターンをエッ
チングし、層間絶縁膜３表面に第２の配線層１１用レジ
ストパターンを残す。接続孔８用レジスト６のエッチン
グの際には当然ながら第２の配線層１１用レジスト７も
同時に除去されてしまい、接続孔８用レジスト６パター
ンに第２の配線層１１用レジストパターンが転写されて
残ることになる（図６（ｃ））。

【０００７】次に、残存した第２の配線層１１用レジス
トパターンをマスクとして層間絶縁膜３をエッチング
し、接続孔８および配線溝９を形成する。このとき層間
絶縁膜３の膜厚によってはオーバーエッチングされるこ
とがある。その後、レジストを除去する（図６
（ｄ））。次に、全面に、ＣＶＤ法等を用いて被覆性に
すぐれた金属膜１０を形成する。このとき金属膜１０厚
は接続孔８および配線溝９を埋めるのに充分な膜厚とす
る（図６（ｅ））。その後、化学機械研磨法により金属
膜１０を研磨して接続用プラグと第２の配線層１１を形
成する。このとき、接続用プラグ、第２の配線層１１、
および層間絶縁膜３の表面は平坦となる（図６
（ｆ））。以上、第２の配線層１１の形成方法について
説明を行ったがこれは第２の配線層１１に限るものでは
なく第１の配線層２も同様にして層間絶縁膜３に第１配
線層２用溝を形成したのち金属膜を埋め込むことによっ
て形成できる。全ての配線層を同様の方法で形成してゆ
けば、常に平坦化された表面上に上層の配線が形成され
ることになる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来の配線層の形成方
法は以上のように構成されており、図６（ｂ）（ｃ）
（ｄ）で示すように、第２の配線層１１用のレジスト７
パターンは層間絶縁膜３の接続孔８用エッチング工程を
経たのち、接続孔８用のレジスト６に転写されるという
複雑な工程を経ることからパターン精度が悪くなってし
まう。また、図６（ｄ）に示すように層間絶縁膜３のエ
ッチングの際、エッチング量がエッチング時間のみによ
って規定されているので層間絶縁膜３の膜厚やエッチン
グレートのばらつきによって、配線溝９の深さが変動し
たり、接続孔８の孔底が第１の配線層２に達しないか或
はオーバーエッチングされて第１の配線層２を突き抜け
るといった問題点があった。

【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、平坦性にすぐれかつ良好な配線
層パターンを形成することのできる多層配線の形成方法
を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
半導体基板上に形成された第１の配線層と、この第１の
配線層を覆うように形成された第１の層間絶縁膜と、上
記第１の配線層より上方に配置され、上記第１の配線層
と接続孔を介して接続された第２の配線層とを備える多
層配線の形成方法において、上記第１の層間絶縁膜上に
エッチングストッパー層を形成する第１の工程と、上記
エッチングストッパー層上に第２の層間絶縁膜を形成す
る第２の工程と、上記接続孔が形成される領域の上記第
２の層間絶縁膜をエッチングする第３の工程と、上記接
続孔が形成される領域のエッチングストッパー層を除去
する第４の工程と、上記第２の配線層が埋め込まれる配
線溝が形成される領域の上記第２の層間絶縁膜をエッチ
ングするとともに、上記接続孔が形成される領域の上記
第１の層間絶縁膜をエッチングする第５の工程と、上記
接続孔と上記配線溝とに導電体膜を埋め込む第６の工程
とを備えたものである。

【００１１】また、請求項２に係る発明は、半導体基板
上に形成された第１の配線層と、この第１の配線層が埋
め込まれるように形成された第１の層間絶縁膜と、上記
第１の配線層より上方に配置され、上記第１の配線層と
接続孔を介して接続された第２の配線層とを備える多層
配線の形成方法において、上記第１の層間絶縁膜上に第
１のエッチングストッパー層を形成する第１の工程と、
上記第１のエッチングストッパー層上に第２の層間絶縁
膜を形成する第２の工程と、上記第２の層間絶縁膜上に
第２のエッチングストッパー層を形成する第３の工程
と、上記第２のエッチングストッパー層上に第３の層間
絶縁膜を形成する第４の工程と、上記接続孔が形成され
る領域の上記第３の層間絶縁膜をエッチングする第５の
工程と、上記接続孔が形成される領域の上記第２のエッ
チングストッパー層を除去する第６の工程と、上記第２
の配線層が埋め込まれる配線溝が形成される領域の第３
の層間絶縁膜をエッチングするとともに、上記接続孔が
形成される領域の上記第２の層間絶縁膜をエッチングす
る第７の工程と、上記接続孔が形成される領域の上記第
１のエッチングストッパー層を除去する第８の工程と、
上記接続孔と上記配線溝とに導電体膜を埋め込む第９の
工程とを備えたものである。

【００１２】

【００１３】

【００１４】また請求項３に係る発明は、エッチングス
トッパー層を難透光性材料で構成することにより第１の
配線層による光の反射を防止するようにしたものであ
る。また請求項４に係る発明は、半導体基板上に、第１
の層間絶縁膜と、上記第１の層間絶縁膜に埋め込まれる
ように形成された導電体膜から成る第１の配線層と、上
記第１の層間絶縁膜上に形成された第２の層間絶縁膜
と、上記第２の層間絶縁膜上に形成された第３の層間絶
縁膜と、上記第３の層間絶縁膜に埋め込まれるように形
成された導電体膜から成る第２の配線層と、上記第２の
層間絶縁膜に配設された接続孔を介して上記第１の配線
層と上記第２の配線層とを電気的に接続する接続用導電
体膜とを備えた半導体装置であり、上記接続孔に接する
ように、上記第１の層間絶縁膜と上記第２の層間絶縁膜
の間および上記第１の配線層と上記第２の層間絶縁膜の
間にシリコン窒化膜からなる第１のエッチングストッパ
ー層を備えるとともに、上記第２の層間絶縁膜と上記第
３の層間絶縁膜の間に第２のエッチングストッパー層を
備え、さらに上記第２の配線層と上記接続用導電体膜と
が連続した一体をなす同一金属膜であり、上記第１の配
線層と上記接続用導電体膜とがそれぞれ独立した金属膜
であって接続されて形成されたものである。

【００１５】

【作用】請求項１および請求項２に係る発明において
は、接続孔および配線層に対応してエッチングストッパ
ー層を形成するので、エッチングストッパー層で層間絶
縁膜のエッチングを停止することができ、接続孔および
配線溝のエッチングが再現性良くできる。

【００１６】また、請求項３に係る発明においては、エ
ッチングストッパー層を難透光性材料で構成することに
より第１の配線層による光の反射を防止するようにした
ので、反射光によるレジストパターンの解像度の低下を
防ぐことができ、精度の良いレジストパターンを形成で
きる。

【００１７】

【実施例】以下、この発明の実施例を図を用いて説明す
る。なお、従来の技術の説明と重複する部分については
適宜、その説明を省略する。

【００１８】実施例１． 図１はこの発明の一実施例の多層配線の形成方法を示す
工程断面図である。図１（ａ）〜（ｅ）に従って第２の
配線層１１の形成方法を順次説明する。まず、図６
（ａ）と同様に、以下に説明する第２の配線層１１の形
成方法を使用することによって第１の配線層２は既に形
成されており、層間絶縁膜３ａの表面も既に平坦化され
ている。次に、第２の配線層１１用の絶縁膜にて成るエ
ッチングストッパー層４を全面に形成する。ここで、こ
のエッチングストッパー層４は層間絶縁膜３ｂをエッチ
ングする際のストッパーとして機能し、有機樹脂やシリ
コン窒化膜などの絶縁膜からなっている。ここではエッ
チングストッパー層４として有機樹脂を使用した例につ
いて説明を行う。次に、エッチングストッパー層４上全
面に層間絶縁膜３ｂを第２の配線層１１の設定膜厚と等
しく形成する。次に接続孔８のレジスト６を全面に塗布
し、写真製版技術を施してレジスト６パターンを形成す
る（図１（ａ））。

【００１９】次に接続孔８のレジスト６パターンをマス
クとして層間絶縁膜３ｂのエッチングを行う。このとき
エッチングストッパー層４は有機樹脂で形成されている
ため層間絶縁膜３ｂのエッチング工程ではほとんどエッ
チングされることがない。そのため、エッチング時間を
少し長めに設定しておけば、接続孔８の底部はエッチン
グストッパー層４上に再現性よく揃うことになる。その
後、接続孔８底部のエッチングストッパー層４を除去す
る（図１（ｂ））。

【００２０】次に接続孔８用のレジスト６パターンを除
去する。その後、第２の配線層１１用のレジスト７を塗
布し、写真製版技術によって、第２の配線層１１用のレ
ジスト７パターンを形成する（図１（ｃ））。次に、第
２の配線層１１用のレジスト７パターンをマスクとして
層間絶縁膜３ａ、３ｂをエッチングする。このとき層間
絶縁膜３ｂの膜厚は第２の配線層１１の膜厚に形成され
ており、しかも層間絶縁膜３ｂ下にはエッチングストッ
パー層４が形成されている。したがって配線溝９の底部
はエッチングストッパー層４で制御される。また先に開
口した接続孔８については、接続孔８底部のエッチング
ストッパー層４を除去しているので更にエッチングが進
み、層間絶縁膜３ａをエッチングして接続孔８を完成す
る。これらのことからエッチング時間を接続孔８が第１
の配線層に充分に到達するように設定しておけば、エッ
チングストッパー層４まで再現性よく掘られた配線溝９
を形成することができる（図１（ｄ））。

【００２１】次に、第２の配線層１１のレジスト７パタ
ーンを除去し、ＣＶＤやリフロースパッタ等の被覆性に
優れた膜形成方法を用いて全面に金属膜１０を堆積させ
接続孔８や配線溝９を金属膜１０で埋め込む。その後化
学機械研磨法やエッチバック法等を使用して表面が平坦
になるように金属膜１０を研磨し、接続用のプラグと第
２の配線層１１を形成する（図１（ｅ））。

【００２２】全ての配線層を同様の方法で形成してゆけ
ば常に平坦化された表面上に上層の配線層が形成される
ことになるばかりでなく、層間絶縁膜３中にエッチング
ストッパー層４を形成し、エッチング制御が充分行える
ので開口の再現性が飛躍的に増加するとともに、従来の
ようにレジストをマスクとしてレジストをエッチングす
るといった工程を含まないためパターンの精度も向上す
る。

【００２３】実施例２． なお、上記実施例１では配線溝９の底部に絶縁膜にて成
るエッチングストッパー層４を設けた場合について示し
たが、図２で示すように配線層の上部にも絶縁 膜にて成
るエッチングストッパー層を設ける方法もある。第２の
配線層１１の絶縁膜にて成るエッチングストッパー層４
に加えて第１の配線層２の上部にも絶縁膜にて成るエッ
チングストッパー層１２を設けた場合について図２
（ａ）〜（ｅ）に従って順次説明する。まず第１の配線
層２を実施例１の方法で形成する。その後全面にエッチ
ングストッパー層１２を形成する。このエッチングスト
ッパー層１２は実施例１のエッチングストッパー層４と
材質、形成方法ともに同じである。その後実施例１と同
様にして全面に層間絶縁膜３ａ、エッチングストッパー
層４、層間絶縁膜３ｂと順次形成する。その後、接続孔
８用のレジスト６パターンを形成する（図２（ａ））。

【００２４】次に、接続孔８用レジスト６パターンをマ
スクとして層間絶縁膜３ｂをエッチングしたのち、露出
したエッチングストッパー層４を除去する（図２
（ｂ））。次に接続孔８用レジスト６パターンを除去し
たのち、第２の配線層１１用レジスト７パターンを形成
する（図２（ｃ））。次に第２の配線層１１用レジスト
７パターンをマスクとして層間絶縁膜３ｂおよび層間絶
縁膜３ａをエッチングして配線溝９および接続孔８を形
成する。このとき配線溝９底部にはエッチングストッパ
ー層４が形成されており、接続孔８底部にはエッチング
ストッパー層１２が形成されている。したがってエッチ
ング時間を充分長く設定しても底部からの突き抜け等が
生じない（図２（ｄ））。次に露出したエッチングスト
ッパー層４、１２を除去する。その後実施例１と同様に
して金属膜１０を埋め込むことにより接続用プラグおよ
び第２の配線層１１を平坦に形成する（図２（ｅ））。

【００２５】以上のようにエッチングストッパー層を２
層設けることによってエッチング制御をさらに良好なも
のとし、プロセスの再現性を更に向上させる事ができ
る。

【００２６】参考例１．なお、上記実施例１、２では接
続孔８用のレジスト６パターンを先に形成する方法につ
いて示したが図３に示すように、配線用のレジスト７パ
ターンを先に形成してもよい。図３（ａ）〜（ｅ）は参
考例１の多層配線の形成方法であり、図１（ａ）〜
（ｅ）と対応しているものである。まず図１（ａ）と同
様にして、第１の配線層２、層間絶縁膜３ａ、エッチン
グストッパー層４、層間絶縁膜３ｂを形成する。この
後、第２の配線層１１用レジスト７パターンを形成する
（図３（ａ））。次に、この第２の配線層１１用レジス
ト７パターンをマスクとして層間絶縁膜３ｂをエッチン
グし、配線溝９を形成する。このとき、配線溝９底部に
はエッチングストッパー層４が露出した状態となり、良
好なエッチング制御が得られる（図３（ｂ））。

【００２７】次に、第２の配線層１１用レジスト７パタ
ーンを除去したのち、パターニングされた層間絶縁膜３
ｂ上に接続孔８用レジスト６パターンを形成する。この
とき配線溝９は接続孔８用レジスト６パターンによって
塞がれる形となる（図３（ｃ））。次に、接続孔８用レ
ジスト６パターンをマスクとしてまず、エッチングスト
ッパー層４を除去し、次に層間絶縁膜３ａをエッチング
して接続孔８を形成する（図３（ｄ））。次に、接続孔
８用レジスト６パターンを除去したのち、図１（ｅ）と
同様にして接続用プラグおよび第２の配線層１１を表面
が平坦になるよう形成する（図３（ｅ））。

【００２８】参考例２．また上記実施例１、２および参
考例１では形成された配線溝９と接続孔８とを配線用の
金属膜１０で一度に埋め込む方法について説明したが図
４で示すように金属膜１０を２度に分けて埋め込んで配
線しても良い。図４（ａ）〜（ｅ）は金属膜１０を２度
に分けて埋め込んで形成する方法の工程断面図である。
まず上記実施例１、２および参考例１と同様にして第１
の配線層２および層間絶縁膜３ａを平坦に形成する。次
に、接続孔８用のレジスト６パターンを形成し（図示な
し）これをマスクとして層間絶縁膜３ａをエッチング
し、接続孔８の一部を形成する。その後、接続用の金属
膜１３を形成したのちエッチバックし、接続孔８内に金
属膜１３を埋め込んで接続用プラグを形成する（図４
（ａ））。

【００２９】次に、全面に絶縁膜にて成るエッチングス
トッパー層４を形成する（図４（ｂ））。次に、全面に
層間絶縁膜３ｂを堆積させる（図４（ｃ））。次に、全
面に第２の配線層１１用レジスト７を塗布し、写真製版
技術を施して第２の配線層１１用レジスト７パターンを
形成する。その後、第２の配線層１１用レジスト７パタ
ーンをマスクとして層間絶縁膜３ｂをエッチングして配
線溝９を形成する。このとき配線溝９はエッチングスト
ッパー層４によってエッチング制御され、再現性よく形
成できる（図４（ｄ））。次に、第２の配線層１１用レ
ジスト７パターンを除去する。その後露出しているエッ
チングストッパー層４を除去し配線用金属膜１０を全面
に形成する。金属膜１０にエッチバックを施して第２の
配線層１１を形成する（図４（ｅ））。

【００３０】以上のように配線用の金属膜の形成を２度
に分けて形成するようにすれば金属膜形成時の段差が緩
和され、被覆性をより良いものとできる。又、接続孔用
金属１３と配線用金属１０との形成物質や形成方法を変
えることができる。

【００３１】実施例３．また、上記実施例１、２および
参考例１、２ではエッチングストッパー層として、主に
有機樹脂を使用した例を示したが、下地からの光の反射
を阻止する効果を備えた色素入りの有機樹脂を使用して
もよい。この場合、接続孔８や第２の配線層１１パター
ンを写真製版工程する際、通常層間絶縁膜３が透明であ
るため、下層の第１の配線層２からの反射光によってパ
ターンの解像度が低下するといった問題を防ぐことがで
きる。

【００３２】

【発明の効果】以上のように請求項１に係る発明によれ
ば、第１の層間絶縁膜上にエッチングストッパー層を形
成する工程と、上記エッチングストッパー層上に第２の
層間絶縁膜を形成する工程と、接続孔が形成される領域
の上記第２の層間絶縁膜をエッチングする工程と、第２
の配線層が埋め込まれる配線溝が形成される領域の上記
第２の層間絶縁膜をエッチングするとともに、上記接続
孔が形成される領域の上記第１の層間絶縁膜をエッチン
グする工程とを備えたので、精度の良いエッチングを再
現性よく行え、平坦な多層配線を信頼性良く容易に形成
できる。また、請求項２に係る発明によれば、第２の配
線層が埋め込まれる配線溝が形成される領域の第３の層
間絶縁膜をエッチングするとともに、接続孔が形成され
る領域の上記第２の層間絶縁膜をエッチングし、さらに
第１のエッチングストッパー層をエッチングする工程と
を備えたので、上記接続孔のエッチングがさらに精度良
くできる。

【００３３】また、請求項３に係る発明によればエッチ
ングストッパー層を難透光性材料で構成することにより
第１の配線層による光の反射を防止するようにしたの
で、反射光によるレジストパターンの解像度の低下を防
ぐことができ、精度の良いレジストパターンを形成で
き、パターン精度の良い多層配線を形成できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１の多層配線の形成方法を示
す工程断面図である。

【図２】この発明の実施例２の多層配線の形成方法を示
す工程断面図である。

【図３】参考例１の多層配線の形成方法を示す工程断面
図である。

【図４】参考例２の多層配線の形成方法を示す工程断面
図である。

【図５】従来の多層配線の形成方法を示す工程断面図で
ある。

【図６】図５とは異なる従来の多層配線の形成方法を示
す工程断面図である。

【符号の説明】

２ 第１の配線層 ３、３ａ、３ｂ 層間絶縁膜 ４、１２ エッチングストッパー層 ６ 接続孔用レジスト ７ 第２の配線層用レジスト ８ 接続孔 ９ 配線溝 １０ 配線用金属膜 １１ 第２の配線層 １３ 接続孔用金属膜 ２０ 半導体基板

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板上に形成された第１の配線層
   と、この 第１の配線層を覆うように形成された第１の層間絶
   縁膜と、 上記第１の配線層より上方に配置され、上記第１の配線
   層と接続孔を介して接続された第２の配線層とを備える
   多層配線の形成方法において、 上記第１の層間絶縁膜上にエッチングストッパー層を形
   成する第１の工程と、 上記エッチングストッパー層上に第２の層間絶縁膜を形
   成する第２の工程と、 上記接続孔が形成される領域の上記第２の層間絶縁膜を
   エッチングする第３の工程と、上記接続孔が形成される領域のエッチングストッパー層
   を除去する第４の工程と、 上記第２の配線層が埋め込まれる配線溝が形成される領
   域の上記第２の層間絶縁膜をエッチングするとともに、
   上記接続孔が形成される領域の上記第１の層間絶縁膜を
   エッチングする第５の工程と、 上記接続孔と上記配線溝とに導電体膜を埋め込む第６の
   工程とを備えたことを特徴とする多層配線の形成方法。
2. 【請求項２】 半導体基板上に形成された第１の配線層
   と、この 第１の配線層が埋め込まれるように形成された第１
   の層間絶縁膜と、 上記第１の配線層より上方に配置され、上記第１の配線
   層と接続孔を介して接続された第２の配線層とを備える
   多層配線の形成方法において、 上記第１の層間絶縁膜上に第１のエッチングストッパー
   層を形成する第１の工程と、 上記第１のエッチングストッパー層上に第２の層間絶縁
   膜を形成する第２の工程と、 上記第２の層間絶縁膜上に第２のエッチングストッパー
   層を形成する第３の工程と、 上記第２のエッチングストッパー層上に第３の層間絶縁
   膜を形成する第４の工程と、 上記接続孔が形成される領域の上記第３の層間絶縁膜を
   エッチングする第５の工程と、上記接続孔が形成される領域の上記第２のエッチングス
   トッパー層を除去する第６の工程と、 上記第２の配線層が埋め込まれる配線溝が形成される領
   域の第３の層間絶縁膜をエッチングするとともに、上記
   接続孔が形成される領域の上記第２の層間絶縁膜をエッ
   チングする第７の工程と、 上記接続孔が形成される領域の上記第１のエッチングス
   トッパー層を除去する第８ の工程と、 上記接続孔と上記配線溝とに導電体膜を埋め込む第９の
   工程とを備えたことを特徴とする多層配線の形成方法。
3. 【請求項３】 エッチングストッパー層を難透光性材料
   で構成することにより第１の配線層による光の反射を防
   止するようにしたことを特徴とする請求項１および２の
   いずれかに記載の多層配線の形成方法。
4. 【請求項４】 半導体基板上に、第１の層間絶縁膜と、
   上記第１の層間絶縁膜に埋め込まれるように形成された
   導電体膜から成る第１の配線層と、上記第１の層間絶縁
   膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、上記第２の層間
   絶縁膜上に形成された第３の層間絶縁膜と、上記第３の
   層間絶縁膜に埋め込まれるように形成された導電体膜か
   ら成る第２の配線層と、上記第２の層間絶縁膜に配設さ
   れた接続孔を介して上記第１の配線層と上記第２の配線
   層とを電気的に接続する接続用導電体膜とを備えた半導
   体装置であり、上 記接続孔に接するように、上記第１の層間絶縁膜と上
   記第２の層間絶縁膜の間および上記第１の配線層と上記
   第２の層間絶縁膜の間にシリコン窒化膜からなる第１の
   エッチングストッパー層を備えるとともに、 上記第２の層間絶縁膜と上記第３の層間絶縁膜の間に第
   ２のエッチングストッパー層を備え、 さらに上記第２の配線層と上記接続用導電体膜とが連続
   した一体をなす同一金属膜であり、上記第１の配線層と
   上記接続用導電体膜とがそれぞれ独立した金属膜であっ
   て接続されて形成されたものであることを特徴とする半
   導体装置。