JPH0684619A - 抵抗体の抵抗値調整方法 - Google Patents
抵抗体の抵抗値調整方法Info
- Publication number
- JPH0684619A JPH0684619A JP4233536A JP23353692A JPH0684619A JP H0684619 A JPH0684619 A JP H0684619A JP 4233536 A JP4233536 A JP 4233536A JP 23353692 A JP23353692 A JP 23353692A JP H0684619 A JPH0684619 A JP H0684619A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- terminal electrodes
- facing distance
- kerf
- resistance
- Prior art date
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】対向して形成された一対の端子電極と、この一
対の端子電極間にまたがって形成された抵抗膜とからな
る抵抗体の抵抗値調整方法であって、抵抗値をより高精
度に調整できるようにする。 【構成】対向する一対の端子電極１，２を一方端の対向
間隔が狭く、他方端の対向間隔が広くよるように配置
し、抵抗膜３の端子電極１，２の対向間隔が狭い方の側
部Ａに、端子電極１，２の対向間隔が広い方の側部Ｂに
向かう第１の切溝５を形成し、その後に、抵抗膜３の内
面部に端子電極１，２の対向間隔が広い方の側部Ｂに向
かう第２の切溝６を形成する。
対の端子電極間にまたがって形成された抵抗膜とからな
る抵抗体の抵抗値調整方法であって、抵抗値をより高精
度に調整できるようにする。 【構成】対向する一対の端子電極１，２を一方端の対向
間隔が狭く、他方端の対向間隔が広くよるように配置
し、抵抗膜３の端子電極１，２の対向間隔が狭い方の側
部Ａに、端子電極１，２の対向間隔が広い方の側部Ｂに
向かう第１の切溝５を形成し、その後に、抵抗膜３の内
面部に端子電極１，２の対向間隔が広い方の側部Ｂに向
かう第２の切溝６を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、対向して形成された一
対の端子電極と、この一対の端子電極間にまたがって形
成された抵抗膜とからなる抵抗体の抵抗値調整方法に関
する。
対の端子電極と、この一対の端子電極間にまたがって形
成された抵抗膜とからなる抵抗体の抵抗値調整方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来の抵抗体は、図４に示すように、対
向して形成された一対の端子電極１１，１２と、この一
対の端子電極１１，１２間にまたがって形成された抵抗
膜１３とから構成されている。このような抵抗体におい
て、その抵抗値を高精度に調整するには、抵抗膜１３の
側部に、図５に示すようにダブルカットと呼ばれる切溝
１４を形成したり、図６に示すようなトリプルカットと
呼ばれる切溝１５を形成したり、図７に示すようなＬカ
ットと呼ばれる切溝１６を形成したりしている。
向して形成された一対の端子電極１１，１２と、この一
対の端子電極１１，１２間にまたがって形成された抵抗
膜１３とから構成されている。このような抵抗体におい
て、その抵抗値を高精度に調整するには、抵抗膜１３の
側部に、図５に示すようにダブルカットと呼ばれる切溝
１４を形成したり、図６に示すようなトリプルカットと
呼ばれる切溝１５を形成したり、図７に示すようなＬカ
ットと呼ばれる切溝１６を形成したりしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のいずれの調整方法においても、抵抗体の抵抗値を高
精度に調整するには不可避的な限界があった。
来のいずれの調整方法においても、抵抗体の抵抗値を高
精度に調整するには不可避的な限界があった。
【０００４】したがって、本発明においては、抵抗体の
抵抗値をより高精度に調整することのできる抵抗体の抵
抗値調整方法を提供することを目的としている。
抵抗値をより高精度に調整することのできる抵抗体の抵
抗値調整方法を提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の抵抗体の抵抗値調整方法において
は、対向する一対の端子電極を一方端の対向間隔が狭
く、他方端の対向間隔が広くなるように配置し、前記抵
抗膜の端子電極の対向間隔が狭い方の側部に、端子電極
の対向間隔が広い方の側部に向かう第１の切溝を形成
し、その後に、前記抵抗膜の内面部であって前記第１の
切溝の終端部よりも端子電極の対向間隔が広い方の側部
寄りの位置に、端子電極の対向間隔が広い方の側部に向
かう第２の切溝を形成したことを特徴としている。
るために、本発明の抵抗体の抵抗値調整方法において
は、対向する一対の端子電極を一方端の対向間隔が狭
く、他方端の対向間隔が広くなるように配置し、前記抵
抗膜の端子電極の対向間隔が狭い方の側部に、端子電極
の対向間隔が広い方の側部に向かう第１の切溝を形成
し、その後に、前記抵抗膜の内面部であって前記第１の
切溝の終端部よりも端子電極の対向間隔が広い方の側部
寄りの位置に、端子電極の対向間隔が広い方の側部に向
かう第２の切溝を形成したことを特徴としている。
【０００６】
【作用】対向する一対の端子電極を一方端の対向間隔が
狭く、他方端の対向間隔が広くなるように配置したこと
により、そこにまたがって形成された抵抗膜は、端子電
極の対向間隔が狭い部分ほど抵抗値が低く、対向間隔が
広い部分ほど抵抗値が高くなる。すなわち、一対の端子
電極間に電圧が印加されたときに抵抗膜に流れる電流の
密度は、端子電極の対向間隔が狭い部分ほど高く、端子
電極の対向間隔が広い方の部分ほど低くなる。
狭く、他方端の対向間隔が広くなるように配置したこと
により、そこにまたがって形成された抵抗膜は、端子電
極の対向間隔が狭い部分ほど抵抗値が低く、対向間隔が
広い部分ほど抵抗値が高くなる。すなわち、一対の端子
電極間に電圧が印加されたときに抵抗膜に流れる電流の
密度は、端子電極の対向間隔が狭い部分ほど高く、端子
電極の対向間隔が広い方の部分ほど低くなる。
【０００７】そのため、抵抗膜に形成した切溝は、端子
電極の対向間隔が狭い方の部分ほど単位長さ当たりの抵
抗変化が大きく、端子電極の対向間隔が広い方の部分ほ
ど単位長さ当たりの抵抗変化が小さくなる。
電極の対向間隔が狭い方の部分ほど単位長さ当たりの抵
抗変化が大きく、端子電極の対向間隔が広い方の部分ほ
ど単位長さ当たりの抵抗変化が小さくなる。
【０００８】したがって、抵抗膜の端子電極の対向間隔
が狭い方の側部に形成した第１の切溝により抵抗値の粗
調整ができ、第１の切溝よりも端子電極の対向間隔が広
い方の側部寄りに形成した第２の切溝により抵抗値の微
調整ができることになる。
が狭い方の側部に形成した第１の切溝により抵抗値の粗
調整ができ、第１の切溝よりも端子電極の対向間隔が広
い方の側部寄りに形成した第２の切溝により抵抗値の微
調整ができることになる。
【０００９】しかも、微調整ができる第２の切溝は、そ
の終端部側ほど単位長さ当たりの抵抗変化が小さくなる
ため、従来の調整方法よりも抵抗値をより高精度に調整
することができるようになる。
の終端部側ほど単位長さ当たりの抵抗変化が小さくなる
ため、従来の調整方法よりも抵抗値をより高精度に調整
することができるようになる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。
細に説明する。
【００１１】まず、図１に示すような抵抗体１０を準備
する。この抵抗体１０は、図示していない基板面に形成
されたもので、対向する一対の端子電極１，２と、この
一対の端子電極１，２間にまたがって形成された抵抗膜
３とからなっている。
する。この抵抗体１０は、図示していない基板面に形成
されたもので、対向する一対の端子電極１，２と、この
一対の端子電極１，２間にまたがって形成された抵抗膜
３とからなっている。
【００１２】上記一対の端子電極１，２は、Ａｇ、Ａｇ
ーＰｄ等の導体材料からなる導体ペーストを印刷し、焼
成することにより形成されたもので、一方端の対向間隔
が狭く、他方端の対向間隔が広くなるように配置されて
いる。
ーＰｄ等の導体材料からなる導体ペーストを印刷し、焼
成することにより形成されたもので、一方端の対向間隔
が狭く、他方端の対向間隔が広くなるように配置されて
いる。
【００１３】上記の抵抗膜３は、酸化ルテニウム等のサ
ーメット抵抗材料からなる抵抗ペーストを印刷し、焼成
することにより形成されたもので、端子電極１，２が傾
めに形成されているため、必然的に台形形状となってお
り、その内面部には抵抗膜の存在しない小さな空隙部４
が形成されている。
ーメット抵抗材料からなる抵抗ペーストを印刷し、焼成
することにより形成されたもので、端子電極１，２が傾
めに形成されているため、必然的に台形形状となってお
り、その内面部には抵抗膜の存在しない小さな空隙部４
が形成されている。
【００１４】次いで、図２に示すように、抵抗膜３の端
子電極１，２の対向間隔が狭い方の側部Ａに、その側部
Ａから端子電極１，２の対向間隔が広い方の側部Ｂに向
かう第１の切溝５をレーザ光線等で形成し、抵抗体１０
を最終の調整目標値である所定の抵抗値よりも低い値で
あって、その所定の抵抗値に近い値に調整する。
子電極１，２の対向間隔が狭い方の側部Ａに、その側部
Ａから端子電極１，２の対向間隔が広い方の側部Ｂに向
かう第１の切溝５をレーザ光線等で形成し、抵抗体１０
を最終の調整目標値である所定の抵抗値よりも低い値で
あって、その所定の抵抗値に近い値に調整する。
【００１５】ここで、この第１の切溝５は、抵抗膜３内
面部の空隙部４を越えて形成されることがないようにす
る必要がある。すなわち、空隙部４は、あらかじめ、第
１の切溝５の終端部よりも端子電極１，２の対向間隔が
広い方の側部Ｂ寄りの位置に形成しておく必要がある。
面部の空隙部４を越えて形成されることがないようにす
る必要がある。すなわち、空隙部４は、あらかじめ、第
１の切溝５の終端部よりも端子電極１，２の対向間隔が
広い方の側部Ｂ寄りの位置に形成しておく必要がある。
【００１６】次いで、図３に示すように、抵抗膜３の内
面部に、空隙部４を起点として、端子電極１，２の対向
間隔が広い方の側部Ｂに向かう第２の切溝６をレーザ光
線等で形成し、抵抗体１０を最終の調整目標値である所
定の抵抗値に調整する。
面部に、空隙部４を起点として、端子電極１，２の対向
間隔が広い方の側部Ｂに向かう第２の切溝６をレーザ光
線等で形成し、抵抗体１０を最終の調整目標値である所
定の抵抗値に調整する。
【００１７】この第２の切溝６は、第１の切溝５よりも
端子電極１，２の対向間隔が広い方の側部Ｂ寄りに位置
しているため、その単位長さ当たりの抵抗変化は第１の
切溝５よりも小さく、しかもその終端部は最も上記の側
部Ｂ寄りの位置にあるため、その単位長さ当たりの抵抗
変化はより小さくなり、抵抗値を高精度に調整すること
ができる。
端子電極１，２の対向間隔が広い方の側部Ｂ寄りに位置
しているため、その単位長さ当たりの抵抗変化は第１の
切溝５よりも小さく、しかもその終端部は最も上記の側
部Ｂ寄りの位置にあるため、その単位長さ当たりの抵抗
変化はより小さくなり、抵抗値を高精度に調整すること
ができる。
【００１８】なお、抵抗体１０における抵抗膜３の空隙
部４は、上記実施例のように１個だけではなく、複数個
を抵抗膜３の内面部にその側部Ａから側部Ｂに向かう方
向に順次形成し、第２の切溝６と同様の第３とか第４の
切溝を順次形成するようにすると、さらに抵抗値を高精
度に調整することができるようになる。
部４は、上記実施例のように１個だけではなく、複数個
を抵抗膜３の内面部にその側部Ａから側部Ｂに向かう方
向に順次形成し、第２の切溝６と同様の第３とか第４の
切溝を順次形成するようにすると、さらに抵抗値を高精
度に調整することができるようになる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、対向する一対の端子電極を一方端の対向
間隔が狭く、他方端の対向間隔が広くなるように配置
し、その端子電極にまたがって形成された抵抗膜の端子
電極の対向間隔が狭い方の側部に第１の切溝を形成し、
さらに、抵抗膜の内面部に第２の切溝を形成したから、
抵抗体の抵抗値を従来例よりも高精度に調整することが
できるようになる。
発明によれば、対向する一対の端子電極を一方端の対向
間隔が狭く、他方端の対向間隔が広くなるように配置
し、その端子電極にまたがって形成された抵抗膜の端子
電極の対向間隔が狭い方の側部に第１の切溝を形成し、
さらに、抵抗膜の内面部に第２の切溝を形成したから、
抵抗体の抵抗値を従来例よりも高精度に調整することが
できるようになる。
【図１】本発明の一実施例に係る抵抗体の平面図であ
る。
る。
【図２】図１の抵抗体の抵抗膜の側部に第１の切溝を形
成した抵抗体の平面図である。
成した抵抗体の平面図である。
【図３】図２の抵抗体の抵抗膜の内面部に第２の切溝を
形成した抵抗体の平面図である。
形成した抵抗体の平面図である。
【図４】従来例に係る抵抗体の平面図である。
【図５】図４の抵抗体の抵抗膜の側部にダブルカット形
状の切溝を形成した抵抗体の平面図である。
状の切溝を形成した抵抗体の平面図である。
【図６】図４の抵抗体の抵抗膜の側部にトリプルカット
形状の切溝を形成した抵抗体の平面図である。
形状の切溝を形成した抵抗体の平面図である。
【図７】図４の抵抗体の抵抗膜の側部にＬカット形状の
切溝を形成した抵抗体の平面図である。
切溝を形成した抵抗体の平面図である。
１，２ 端子電極 ３ 抵抗膜 ４ 空隙部 ５ 第１の切溝 ６ 第２の切溝
Claims (1)
- 【請求項１】 対向して形成された一対の端子電極と、
この一対の端子電極間にまたがって形成された抵抗膜と
からなる抵抗体の抵抗値調整方法であって、 前記対向する一対の端子電極を一方端の対向間隔が狭
く、他方端の対向間隔が広くなるように配置し、前記抵
抗膜の端子電極の対向間隔が狭い方の側部に、端子電極
の対向間隔が広い方の側部に向かう第１の切溝を形成
し、その後に、前記抵抗膜の内面部であって前記第１の
切溝の終端部よりも端子電極の対向間隔が広い方の側部
寄りの位置に、端子電極の対向間隔が広い方の側部に向
かう第２の切溝を形成したことを特徴とする抵抗体の抵
抗値調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4233536A JPH0684619A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 抵抗体の抵抗値調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4233536A JPH0684619A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 抵抗体の抵抗値調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684619A true JPH0684619A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16956594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4233536A Pending JPH0684619A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 抵抗体の抵抗値調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0684619A (ja) |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP4233536A patent/JPH0684619A/ja active Pending
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