JPH0636911A - 抵抗体の抵抗値調整方法 - Google Patents

抵抗体の抵抗値調整方法

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Publication number
JPH0636911A
JPH0636911A JP4185210A JP18521092A JPH0636911A JP H0636911 A JPH0636911 A JP H0636911A JP 4185210 A JP4185210 A JP 4185210A JP 18521092 A JP18521092 A JP 18521092A JP H0636911 A JPH0636911 A JP H0636911A
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JP
Japan
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resistance value
resistance
region
film
resistor
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Pending
Application number
JP4185210A
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English (en)
Inventor
Shigeki Azuma
茂樹 東
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】抵抗値の調整精度を高くする必要のない場合は
勿論のこと、抵抗値の調整精度を高くする必要のある場
合であっても短時間で調整できるようにする。 【構成】抵抗膜5面の一部に複数個の小面積の導体膜4
を分散配置することにより抵抗値の低い領域5aと高い
領域5bの2種類の領域を形成し、この2種類の領域5
a、5bをそれらが抵抗膜の電流経路に対して直列接続
されるように配置し、この2種類のいずれか一方の領域
の抵抗膜5にシングルカット形状の切溝を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板面に抵抗膜を形成
してなる抵抗体の抵抗値調整方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の抵抗体は、図6に示すように、基
板11面に形成された一対の端子電極12、13間に抵
抗膜14を形成して構成されている。
【0003】このように構成された抵抗体の抵抗値は、
図7〜図9に示すように、抵抗膜14にシングルカッ
ト、ダブルカット、エルカット等と呼ばれる形状の切溝
15、16、17を形成することにより所定の値に調整
されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これらの抵抗値調整方
法のうち、図7に示すシングルカット形状と呼ばれるI
字形状の切溝15を形成した場合は、切溝15の形状が
単純であるため、短時間で抵抗値が調整できるという利
点はあるが、電流経路を横切る部分だけで構成されてい
るため、抵抗値の調整精度が低いという問題があった。
【0005】また、図8に示すダブルカット形状と呼ば
れる2本のI字形状の切溝16を形成した場合は、1本
目の切溝16aで粗調整をし、2本目の切溝16bで微
調整をすることができるため、抵抗値の調整精度が高く
なるという利点がある。しかし、2本の切溝が必要なた
め、調整に時間がかかるという問題があった。
【0006】また、図9に示すエルカット形状と呼ばれ
るL字形状の切溝17を形成した場合は、電流経路に沿
う方向の切溝部分が存在することにより、この部分で微
調整をすることができるため、図8の場合と同様に抵抗
値の調整精度が高くなるという利点がある。しかし、切
溝の方向を変える必要があるため、調整に時間がかかる
という問題があった。
【0007】したがって、本発明においては、抵抗値の
調整精度を高くする必要のない場合は勿論のこと、抵抗
値の調整精度を高くする必要のある場合であっても短時
間で抵抗値の調整をすることができる抵抗体の抵抗値調
整方法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明の抵抗体の抵抗値調整方法においては、
抵抗膜面の一部に複数個の小面積の導体膜を分散配置す
ることにより抵抗値の低い領域と高い領域の2種類の領
域を形成し、かつ該2種類の領域をそれらが抵抗膜の電
流経路に対して直列接続されるように配置し、該2種類
の領域のいずれか一方の領域の抵抗膜にシングルカット
形状の切溝を形成して所定の抵抗値を得るようにしたこ
とを特徴としている。
【0009】
【作用】複数個の小面積の導体膜を分散配置した領域
は、導体膜の存在していない領域に比べて抵抗値が低く
なるため、1つの抵抗膜に抵抗値の低い領域と抵抗値の
高い領域とが形成される。
【0010】この抵抗値の低い領域と抵抗値の高い領域
とが抵抗膜の電流経路に対して直列接続されて配置され
ているため、それぞれの領域にシングルカット形状の切
溝を形成した場合、その切溝の単位長さあたりの抵抗変
化は抵抗値の高い領域の方が抵抗値の低い領域に比べて
大きくなる。従って、切溝の長さ寸法のばらつきによる
抵抗値のばらつきは、抵抗値の低い領域の方が小さく、
抵抗値の高い領域の方が大きくなる。
【0011】そのため、高い精度を必要としない場合
は、抵抗値の高い領域に切溝を形成し、高い精度を必要
とする場合は、抵抗値の低い領域に切溝を形成すればよ
い。
【0012】抵抗値の低い領域に切溝を形成する場合
は、抵抗値の高い領域に切溝を形成する場合に比べて切
溝の長さが長くなるが、いずれの場合もシングルカット
形状という単純な形状であるため、短時間で抵抗値の調
整をおこなうことができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
【0014】まず、図1に示すように、基板1面に、対
となる電極2、3と複数個の小面積の導体膜4とを形成
する。この複数個の小面積の導体膜4は、一対の電極
2、3間の中央付近と一方の電極2との間の領域に分散
配置される。これらの電極2、3と導体膜4は、導体ペ
ーストを同時にスクリーン印刷して乾燥し、その後に焼
成して形成する。
【0015】ついで、図2に示すように、この基板1面
に電極2、3に接続して抵抗膜5を形成する。この抵抗
膜5は、抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥し、そ
の後に焼成して形成する。
【0016】このようにして形成された抵抗体の抵抗膜
5のうち、複数個の小面積の導体膜4の分散配置された
領域5aは抵抗値が低く、残る領域5bは前記領域5a
に比べて抵抗値が高くなり、この2種類の領域5a、5
bは抵抗膜5の電流経路に対して直列接続された配置と
なる。
【0017】ついで、図3に示すように、抵抗膜5の抵
抗値の高い領域5bにシングルカット形状の切溝6を形
成するか、あるいは、図4に示すように、抵抗値の低い
領域5aにシングルカット形状の切溝7を形成して抵抗
値の調整をおこなう。切溝6、7の形成は、通常はレー
ザ光線を照射することによりなされる。
【0018】図3に示すように、抵抗値の高い領域5b
に切溝6を形成した場合は、切溝の単位長さ当りの抵抗
変化が大きいため、切溝6の長さは短くてよく、短時間
で抵抗値の調整ができる。しかし、抵抗値の調整精度は
低くなる。
【0019】図4に示すように、抵抗値の低い領域5a
に切溝7を形成した場合は、切溝の単位長さ当たりの抵
抗変化が小さいため、切溝7の長さは図3の切溝6に比
べて長くなる。しかし、シングルカット形状であるた
め、切溝6に比べれば若干調整時間は長くなるとしても
短時間で抵抗値の調整ができ、しかも抵抗値の調整精度
は高くなる。
【0020】従って、あまり抵抗値の調整精度を高くす
る必要のない場合は、図3に示すような抵抗値の高い領
域5bに切溝6を形成すればよく、そうすることによっ
てより短時間で抵抗値の調整ができる。また、抵抗値の
調整精度を高くする必要がある場合は、図4に示すよう
な抵抗値の低い領域5aに切溝7を形成すればよい。
【0021】なお、抵抗値の低い領域5aは上記実施例
のような位置に限らず、たとえば図5に示すような位置
に形成することも可能である。
【0022】また、上記実施例においては、電極2、3
と導体膜4を抵抗膜5よりも先に形成しているが、抵抗
膜5を先に形成し、その後に電極2、3と導体膜4を形
成するようにしてもよい。当然のことではあるが、導体
膜4を先に形成した場合は、導体膜4は抵抗膜5の下面
に位置し、後で形成した場合は、抵抗膜5の上面に位置
することになる。電極2、3の抵抗膜5と接する部分も
同様である。
【0023】さらには、電極2、3と導体膜4とを別工
程で形成し、導体膜4のみを抵抗膜5の上面に形成して
もよい。
【0024】
【考案の効果】以上説明したことから明らかなように本
発明によれば、抵抗膜に抵抗値の低い領域と高い領域の
2種類の領域を形成し、この2種類の領域をそれらが抵
抗膜の電流経路に対して直列接続されるように配置し、
そのいずれか一方の領域の抵抗膜にシングルカット形状
の切溝を形成して所定の抵抗値を得るようにしたから、
抵抗値の調整精度を高くする必要のない場合はもちろん
のこと、抵抗値の調整精度を高くする必要のある場合で
あっても短時間で抵抗値の調整をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例の抵抗体の抵抗値調整方法を説
明するための電極と導体膜とを形成した基板の要部平面
図である。
【図2】図1に示す基板に抵抗膜を形成して構成した抵
抗体の要部平面図である。
【図3】抵抗膜の抵抗値の高い領域に切溝を形成した抵
抗体の要部平面図である。
【図4】抵抗膜の抵抗値の低い領域に切溝を形成した抵
抗体の要部平面図である。
【図5】抵抗膜の抵抗値の低い領域を図2に示す抵抗体
とは異なる位置に形成した抵抗体の要部平面図である。
【図6】従来の抵抗体の抵抗値調整方法を説明するため
の抵抗体の要部平面図である。
【図7】抵抗膜にシングルカット形状の切溝を形成した
抵抗体の要部平面図である。
【図8】抵抗膜にダブルカット形状の切溝を形成した抵
抗体の要部平面図である。
【図9】抵抗膜にエルカット形状の切溝を形成した抵抗
体の要部平面図である。
【符号の説明】
1 基板 2、3 電極 4 導体膜 5 抵抗膜 6、7 切溝

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板面に抵抗膜を形成してなる抵抗体の抵
    抗値調整方法であって、 抵抗膜面の一部に複数個の小面積の導体膜を分散配置す
    ることにより抵抗値の低い領域と高い領域の2種類の領
    域を形成し、かつ該2種類の領域をそれらが抵抗膜の電
    流経路に対して直列接続されるように配置し、該2種類
    の領域のいずれか一方の領域の抵抗膜にシングルカット
    形状の切溝を形成して所定の抵抗値を得るようにしたこ
    とを特徴とする抵抗体の抵抗値調整方法。
JP4185210A 1992-07-13 1992-07-13 抵抗体の抵抗値調整方法 Pending JPH0636911A (ja)

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