JPS63177501A - 薄膜抵抗器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜抵抗器に関し、特にＩ・リミングにより抵
抗値を調整する薄膜抵抗器に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の薄膜抵抗器は、絶縁基板上にフォトレジ
ストを用いるエツチング処理で形成し、レーザｌ−リミ
ング法によりその抵抗値を調整するトリミング領域を有
していて、抵抗値調整工程においてトリミング領域をル
ーザパルス光で切断し、所定の抵抗値としていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述した従来の薄膜抵抗器は、フォ１〜エッチング工程
により所望の低抗体を形成する際、第３図に示すように
、抵抗体３のトリミング領域３１のレーザ切口部３２の
形状は直線状になっており、絶縁基板１とレーザ切口部
３２との境界部ではレーザパルス光のエネルギが低下す
るため、第４図に示すように、切れ残りが生じるので、
製品検査工程でのバイアス試験で切れ残り部の破壊によ
り抵抗値変化を生じるという欠点がある。

本発明の目的は、抵抗値変化の生じない薄膜抵抗器を提
供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の薄膜抵抗器は、絶縁性基板と、該絶縁性基板上
に設けられレーザトリミングにより抵抗値を調整するト
リミング領域を有する抵抗体とを備える薄膜抵抗器にお
いて、前記トリミング領域と前記絶縁性基板の境界部の
レーザ切口部に該レーザ切口部の１部を一辺として設け
られた複数の三角形の切欠き部を含んで構成される。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例の平面図である。

第１図に示すように、絶縁基板１又は５ｉ０２を約８０
００人生成したＳｉウェーハ上に、タンタル薄膜及び良
導電性金属膜、例えば、ＮｉＣｒ・Ｐｄ−Ａｕ構成膜又
はＡ２膜、をマグネトロンスパッタで連続成膜し、公知
のフォトレジスト及びエツチング工程により夕〉・タル
金属膜からなる抵抗体２及び良導電性金属膜からなる電
極部４を形成し、タンタルの薄膜抵抗器とする。

抵抗体２のレーザパルス光によるトリミング領域２１と
絶縁基板１との境界部のレーザ切口部２２には、レーザ
切口部２２に一辺が重なる複数の三角形の切欠き部２３
が設けられている。

薄膜抵抗器は２５０〜４５０℃で一定時間加熱する安定
化熱処理を施した後、抵抗値トリミング調整を行う。

第２図は第１図の実施例のトリミング後の平面図である
。

第２図に示すように、切欠き部２３のレーザ切口部２２
の対角をほぼ中心として、トリミング領域２１をレーザ
切口部２２とほぼ直角をなす方向にレーザパルス光で切
断し、所定の抵抗値に調整する。

この場合、切欠き部２３の切断領域では、切断面積が小
さくなるので、絶縁基板１の境界部でレーザパルス光の
エネルギ低下があっても、レーザ切口部２２を完全に切
断できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の薄膜抵抗器は、抵抗体のト
リミング領域のレーザ切口部にレーザ切口部の１部を一
辺とする複数個の三角形の切欠き部を設けることにより
、絶縁基板と低抗体の境界部の金属膜の切り残しを防止
して安定したレーザトリミングが可能になり、最終製品
検査でのバイアス試験などによる切れ残り部の破壊によ
る抵抗値変化を防止できるので、品質の信頼性が向上す
るという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の平面図、第２図は第１図の
実施例のトリミング後の平面図、第３図は従来の薄膜抵
抗器の一例の平面図、第４図は第３図の薄膜抵抗器のト
リミング後の平面図である。 １・・・絶縁基板、２．２ａ、３．３ａ・・・低抗体、
４・・・電極部、２１・・・トリミング領域、２２・・
・レーザ切口部、２３・・・切欠き部、３１・・・トリ
ミング領域、３２・・・レーザ切口部。 箭１図　　　　　第２図 １５３図　　　　ＹＪ４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けられレーザトリ
   ミングにより抵抗値を調整するトリミング領域を有する
   抵抗体とを備える薄膜抵抗器において、前記トリミング
   領域と前記絶縁性基板の境界部のレーザ切口部に該レー
   ザ切口部の１部を一辺として設けられた複数の三角形の
   切欠き部を含むことを特徴とする薄膜抵抗器。