JPH0221670B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0221670B2 JPH0221670B2 JP57093090A JP9309082A JPH0221670B2 JP H0221670 B2 JPH0221670 B2 JP H0221670B2 JP 57093090 A JP57093090 A JP 57093090A JP 9309082 A JP9309082 A JP 9309082A JP H0221670 B2 JPH0221670 B2 JP H0221670B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance value
- thick film
- slit
- laser beam
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 7
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- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は厚膜混成集積回路の抵抗調整方法に係
り、特に抵抗素子のレーザビームよるトリミング
方法に関する。
り、特に抵抗素子のレーザビームよるトリミング
方法に関する。
厚膜混成集積回路に用いられる抵抗素子はセラ
ミツク基板上に印刷される回路パターンの導体間
に酸化ルテニウム等からなる厚膜抵抗膜を印刷す
るものであり、また抵抗素子として低抵抗値が要
求される場合には上記回路パターンの導体そのも
のが利用される場合がある。
ミツク基板上に印刷される回路パターンの導体間
に酸化ルテニウム等からなる厚膜抵抗膜を印刷す
るものであり、また抵抗素子として低抵抗値が要
求される場合には上記回路パターンの導体そのも
のが利用される場合がある。
前記抵抗素子を所定の精度で所望の抵抗値に加
工するのにレーザビームによるトリミング方法が
利用されている。
工するのにレーザビームによるトリミング方法が
利用されている。
従来この種レーザビームによるトリミング方法
は、例えば特開昭56−138902号及び特開昭58−
105503号公報で知られているが、その代表例を第
１図により説明する。
は、例えば特開昭56−138902号及び特開昭58−
105503号公報で知られているが、その代表例を第
１図により説明する。
１はセラミツク基板上に印刷された長方形状の
厚膜抵抗体であり、その長手方向両端は前記セラ
ミツク基板上に印刷された回路パターン導体２，
２′に接続されている。厚膜抵抗体１はレーザビ
ームの照射によりＬ字状スリツト３，４が削り取
られる。即ち、厚膜抵抗体１の巾方向のスリツト
３は粗調整のためのものであり、長手方向のスリ
ツト４は微調整のためのものである。このレーザ
ビーム照射による抵抗調整方法は厚膜抵抗体１の
一部を溶融蒸発させて調整を行う方法のため、抵
抗体の一部が集中的に加熱され、削り取られたス
リツトの周辺にクラツクが発生し、これが経時変
化の一つの要因にもなつている。またレーザビー
ムによつて抵抗体をトリミングする速度が早いた
め、高精度の抵抗値を得ることが困難であつた。
厚膜抵抗体であり、その長手方向両端は前記セラ
ミツク基板上に印刷された回路パターン導体２，
２′に接続されている。厚膜抵抗体１はレーザビ
ームの照射によりＬ字状スリツト３，４が削り取
られる。即ち、厚膜抵抗体１の巾方向のスリツト
３は粗調整のためのものであり、長手方向のスリ
ツト４は微調整のためのものである。このレーザ
ビーム照射による抵抗調整方法は厚膜抵抗体１の
一部を溶融蒸発させて調整を行う方法のため、抵
抗体の一部が集中的に加熱され、削り取られたス
リツトの周辺にクラツクが発生し、これが経時変
化の一つの要因にもなつている。またレーザビー
ムによつて抵抗体をトリミングする速度が早いた
め、高精度の抵抗値を得ることが困難であつた。
本発明の目的は上記問題点を解決し、経時変化
の少ない高精度の抵抗値を作業能率を下げること
なく得ることが出来る、厚膜混成集積回路の抵抗
素子のレーザトリミング方法を提供するにある。
の少ない高精度の抵抗値を作業能率を下げること
なく得ることが出来る、厚膜混成集積回路の抵抗
素子のレーザトリミング方法を提供するにある。
本発明の一実施例を第２図により説明する。第
１図に対応して、１はセラミツク基板上に印刷さ
れた厚膜抵抗体であり、２，２′は同様にセラミ
ツク基板上に印刷された回路パターン導体の一部
を示す。３は厚膜抵抗体１をレーザビームの照射
によつて削り取られたスリツトである。このスリ
ツト３は前述のように所望抵抗値に対しての粗調
整用であり、スリツト３の長さは所望抵抗値より
抵抗値が多少小さい値になる様に決められる。厚
膜抵抗上の複数個の断続したスリツト４′は抵抗
値微調整用のものであり、これもレーザビームの
照射によつて加工される。加工されるスリツトの
数は抵抗体が所望抵抗値になるまで継続され、そ
の調整は微細に行われる。またスリツト間の間隔
は、あまり狭いとスリツト間の電流密度が大とな
り、これによつて厚膜抵抗体が局部的に加熱され
るという不具合が生ずるためスリツト間の間隔は
適度に取ることが望ましい。スリツト４′の長さ
はレーザビームの照射時間を順次短くし本実施例
のように順次短いスリツトを加工し抵抗値精度を
得易くしても良く、同一微細長さのスリツトの断
続としても良いことはもちろんである。
１図に対応して、１はセラミツク基板上に印刷さ
れた厚膜抵抗体であり、２，２′は同様にセラミ
ツク基板上に印刷された回路パターン導体の一部
を示す。３は厚膜抵抗体１をレーザビームの照射
によつて削り取られたスリツトである。このスリ
ツト３は前述のように所望抵抗値に対しての粗調
整用であり、スリツト３の長さは所望抵抗値より
抵抗値が多少小さい値になる様に決められる。厚
膜抵抗上の複数個の断続したスリツト４′は抵抗
値微調整用のものであり、これもレーザビームの
照射によつて加工される。加工されるスリツトの
数は抵抗体が所望抵抗値になるまで継続され、そ
の調整は微細に行われる。またスリツト間の間隔
は、あまり狭いとスリツト間の電流密度が大とな
り、これによつて厚膜抵抗体が局部的に加熱され
るという不具合が生ずるためスリツト間の間隔は
適度に取ることが望ましい。スリツト４′の長さ
はレーザビームの照射時間を順次短くし本実施例
のように順次短いスリツトを加工し抵抗値精度を
得易くしても良く、同一微細長さのスリツトの断
続としても良いことはもちろんである。
更に本発明では、抵抗値微調整用スリツトを断
続的にしたことによる作業性の低下を、スリツト
３とスリツト４′とが成す角５を鈍角にすること
により補つている。即ち、厚膜抵抗体１の主電流
通路部６の巾を順次狭くすることにより抵抗の変
化率を大きくすることによりスリツト４′の全体
の長さを短くすることにより作業性を向上させる
ことが出来る。
続的にしたことによる作業性の低下を、スリツト
３とスリツト４′とが成す角５を鈍角にすること
により補つている。即ち、厚膜抵抗体１の主電流
通路部６の巾を順次狭くすることにより抵抗の変
化率を大きくすることによりスリツト４′の全体
の長さを短くすることにより作業性を向上させる
ことが出来る。
以上のように、本発明によれば、抵抗体に照射
するレーザビームを断続的とするため従来に比し
過度な熱的集中を受けることが少く、それによる
スリツト周辺に生ずるクラツクも少くなり、経時
変化の少ない安定した抵抗値を得ることが出来
る。また、レーザビームの断続照射周期を変化さ
せて、最終的には、極く短いスリツトをあけなが
ら抵抗値を調整するため、高精度の抵抗値を得る
ことが出来る。さらに、粗調整用スリツトと微調
整用スリツトとの角を鈍角とすることにより、作
業性の良好な厚膜集積回路のレーザビームトリミ
ング方法が得られる。
するレーザビームを断続的とするため従来に比し
過度な熱的集中を受けることが少く、それによる
スリツト周辺に生ずるクラツクも少くなり、経時
変化の少ない安定した抵抗値を得ることが出来
る。また、レーザビームの断続照射周期を変化さ
せて、最終的には、極く短いスリツトをあけなが
ら抵抗値を調整するため、高精度の抵抗値を得る
ことが出来る。さらに、粗調整用スリツトと微調
整用スリツトとの角を鈍角とすることにより、作
業性の良好な厚膜集積回路のレーザビームトリミ
ング方法が得られる。
第１図は従来のレーザトリミング法を示す図、
第２図は本発明よりなるレーザトリミング法を示
す図である。 １……厚膜抵抗体、２，２′……回路パターン
導体、３……スリツト、４′……スリツト、５…
…角。
第２図は本発明よりなるレーザトリミング法を示
す図である。 １……厚膜抵抗体、２，２′……回路パターン
導体、３……スリツト、４′……スリツト、５…
…角。
Claims (1)
- １ 厚膜混成集積回路の基板上に予め印刷された
厚膜抵抗膜を、その巾方向にレーザビームの照射
によりスリツトを加工することにより抵抗値の粗
調整を行う工程と、その長手方向にスリツトを加
工することにより抵抗値の微調整を行う工程より
なるものにおいて、上記抵抗値の微調整の工程が
レーザビーム照射の工程が断続的に行われ、粗調
整のスリツトと微調整のスリツトとの成す角が鈍
角であることを特徴とする厚膜混成集積回路の抵
抗調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093090A JPS58210652A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 厚膜混成集積回路の抵抗調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57093090A JPS58210652A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 厚膜混成集積回路の抵抗調整方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58210652A JPS58210652A (ja) | 1983-12-07 |
| JPH0221670B2 true JPH0221670B2 (ja) | 1990-05-15 |
Family
ID=14072819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57093090A Granted JPS58210652A (ja) | 1982-06-02 | 1982-06-02 | 厚膜混成集積回路の抵抗調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58210652A (ja) |
-
1982
- 1982-06-02 JP JP57093090A patent/JPS58210652A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58210652A (ja) | 1983-12-07 |
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