JPS58196002A - レ−ザトリミング方法 - Google Patents
レ−ザトリミング方法Info
- Publication number
- JPS58196002A JPS58196002A JP57078391A JP7839182A JPS58196002A JP S58196002 A JPS58196002 A JP S58196002A JP 57078391 A JP57078391 A JP 57078391A JP 7839182 A JP7839182 A JP 7839182A JP S58196002 A JPS58196002 A JP S58196002A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- resistance
- trimming
- thick film
- resistance value
- Prior art date
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本尭明はレーザトリミング方法に係シ１％に厚膜混成集
積回路に用いられる抵抗素子のレーザトリミング方法に
関する。
積回路に用いられる抵抗素子のレーザトリミング方法に
関する。
たとえば厚膜混成集積回路に用いられる抵抗素子はセラ
オツク基板等上に印刷した回路パターンの導体間に酸化
ルテニエウム等からなる厚膜を印刷して形成されるもＯ
で−Ｆハまた低抵抗が要求される場合は回路パターンの
導体そのものを抵抗素子として利用する場合がある。そ
してこれらの抵抗素子はいずれも微細な抵抗値調整の工
程が必要となる。
オツク基板等上に印刷した回路パターンの導体間に酸化
ルテニエウム等からなる厚膜を印刷して形成されるもＯ
で−Ｆハまた低抵抗が要求される場合は回路パターンの
導体そのものを抵抗素子として利用する場合がある。そ
してこれらの抵抗素子はいずれも微細な抵抗値調整の工
程が必要となる。
抵抗値調整方法の代表的な例として、サンドブラスト法
、レーザトリミング方がある。前者は上記厚膜抵抗素子
、低抵抗の場合は導体にアルｉす粉末を吹き付けて導体
の−ｍｔＮＪｒｔｘｉする方法であり、後者は厚膜抵抗
素子参るいは上記導体表面にレーザ光を集光させ、集光
部が加熱されて溶融蒸発を起させて導体の一部を取り除
く方法である。
、レーザトリミング方がある。前者は上記厚膜抵抗素子
、低抵抗の場合は導体にアルｉす粉末を吹き付けて導体
の−ｍｔＮＪｒｔｘｉする方法であり、後者は厚膜抵抗
素子参るいは上記導体表面にレーザ光を集光させ、集光
部が加熱されて溶融蒸発を起させて導体の一部を取り除
く方法である。
かかる抵抗素子は用途に応じて高稽ｌＬＫその抵抗値ｔ
ｉＩＩ整する必要があ）、場合によっては±０．２％の
要求がある。このように高精度の抵抗値が要求される場
合、サンドブラスト法は抵抗素子′ｆ：削シ取る巾が大
きく高精度に抵抗値を調整することは困難であり、ｉ九
作業性も悪く、多量生産を行う場合の抵抗調整方法とし
ては不向暑である。
ｉＩＩ整する必要があ）、場合によっては±０．２％の
要求がある。このように高精度の抵抗値が要求される場
合、サンドブラスト法は抵抗素子′ｆ：削シ取る巾が大
きく高精度に抵抗値を調整することは困難であり、ｉ九
作業性も悪く、多量生産を行う場合の抵抗調整方法とし
ては不向暑である。
これに対して、・レーザトリミング方法はトリミング速
度９ｗ４整速度の観点から見ればサンドプラスト法よシ
秀れている。しかしこの方法は抵抗素子の一部を溶融蒸
発させて調整を行なっている６−＃−め。
度９ｗ４整速度の観点から見ればサンドプラスト法よシ
秀れている。しかしこの方法は抵抗素子の一部を溶融蒸
発させて調整を行なっている６−＃−め。
抵抗素子の一部が集中的に加熱され、削１堆った擲の周
辺にクツツクが発生し、これが抵抗値の経時変化の一つ
の要因に４なっている。ｉたレーザによって抵抗素子上
を★ッ卜する速度が速いため（通常の速さは約１０〜３
９ｍ／ｓｃ）高い精度の抵抗値を得ることは困難となる
。
辺にクツツクが発生し、これが抵抗値の経時変化の一つ
の要因に４なっている。ｉたレーザによって抵抗素子上
を★ッ卜する速度が速いため（通常の速さは約１０〜３
９ｍ／ｓｃ）高い精度の抵抗値を得ることは困難となる
。
本発明の目的は上記の問題を解決し、経時変化の少ない
高精度の抵抗値を得ることができるレーザトリキング方
法を提供するＫｌる。
高精度の抵抗値を得ることができるレーザトリキング方
法を提供するＫｌる。
このような目的を達成する丸めに１本発明は基板上に膜
形成された回路素子にレーザ光を照射して上記回路素子
の抵抗をトリミングするレーｆ）リミング方法において
、上記レーザ光を断続的に上記回路素子上を照射して孔
を形成するようＫし九４のである。
形成された回路素子にレーザ光を照射して上記回路素子
の抵抗をトリミングするレーｆ）リミング方法において
、上記レーザ光を断続的に上記回路素子上を照射して孔
を形成するようＫし九４のである。
亨発明の一実施例を第１図にした、かって説明す為。１
はセラミック基板上に印刷されている回路パターン（導
体）の一部であ）、２は誤導体関に印刷され九厚膜抵抗
体である。３は誤厚膜抵抗体２上【レーザ光でもって削
シ取られた溝部である。
はセラミック基板上に印刷されている回路パターン（導
体）の一部であ）、２は誤導体関に印刷され九厚膜抵抗
体である。３は誤厚膜抵抗体２上【レーザ光でもって削
シ取られた溝部である。
この＃ＩＷＡ３は抵抗トリきングの中の粗調整用のもの
であシ、溝部３の長さはそれによって決まる抵抗値があ
らかじめ定められた設定抵抗値より多少小さめに定めら
れている。厚膜抵抗上の複数個の孔４は抵抗微調整用の
ものであシ、これもレーザ光の照射によってあけられる
。あけられる孔の数は抵抗体が設定抵抗値になるまで継
続されるものであり、その調整は微細に行なわれる。ま
た孔の間隔はあま）狭いと孔４と孔４との間の電流密度
が大となシ、それによって厚膜抵抗体が局部的に加熱さ
れるという不具合が生ずるため孔４の間隔は速度にあけ
ることが望ましい。
であシ、溝部３の長さはそれによって決まる抵抗値があ
らかじめ定められた設定抵抗値より多少小さめに定めら
れている。厚膜抵抗上の複数個の孔４は抵抗微調整用の
ものであシ、これもレーザ光の照射によってあけられる
。あけられる孔の数は抵抗体が設定抵抗値になるまで継
続されるものであり、その調整は微細に行なわれる。ま
た孔の間隔はあま）狭いと孔４と孔４との間の電流密度
が大となシ、それによって厚膜抵抗体が局部的に加熱さ
れるという不具合が生ずるため孔４の間隔は速度にあけ
ることが望ましい。
第２図は本発明の他の実施例である。第２図から明らか
なよりに、厚膜抵抗体２上の溝部３及び孔５はレーザ光
を断続的に照射し、且つその照射時間を次第に短くして
行った場合を示している。
なよりに、厚膜抵抗体２上の溝部３及び孔５はレーザ光
を断続的に照射し、且つその照射時間を次第に短くして
行った場合を示している。
そしてこの場合、最終的には第１図に示すような孔４の
如き黴細な孔が少なくとも１個以上あけられることにな
る。
如き黴細な孔が少なくとも１個以上あけられることにな
る。
前述の説明は厚膜抵抗素子を用いた比較的高抵抗のレー
ザトリさング方法について説明したが。
ザトリさング方法について説明したが。
以下低抵抗のレーずトリキング方法について説明する。
一般に高抵抗は前述の如く酸化ルテニエウムを導体間に
印刷し、これを抵抗素子として利用するが、低抵抗の場
合は竜うζツク基板上に印刷される回路パターン（導体
）の一部が用いられる。
印刷し、これを抵抗素子として利用するが、低抵抗の場
合は竜うζツク基板上に印刷される回路パターン（導体
）の一部が用いられる。
第３図において回路パターン１である導体は金属である
ため、光の反射車が高い。し九がってレーザの照射部分
は加熱されに＜＜ｔ トリキング方法が遅くなる。そ
のために光吸収率の高い厚膜抵抗素子２を上記導体であ
る回路パターン１の１部に印刷し、その上からレーず光
を照射すれば、高抵抗の場合のレーザトリキング方法と
同一の方法で抵抗トリミングが可能となゐ、なお、上記
印刷される厚膜抵抗素子はあらかじめ決められた導体上
に他の厚膜抵抗素子と同時に印刷する丸め、特に作業工
程が増大することはない。
ため、光の反射車が高い。し九がってレーザの照射部分
は加熱されに＜＜ｔ トリキング方法が遅くなる。そ
のために光吸収率の高い厚膜抵抗素子２を上記導体であ
る回路パターン１の１部に印刷し、その上からレーず光
を照射すれば、高抵抗の場合のレーザトリキング方法と
同一の方法で抵抗トリミングが可能となゐ、なお、上記
印刷される厚膜抵抗素子はあらかじめ決められた導体上
に他の厚膜抵抗素子と同時に印刷する丸め、特に作業工
程が増大することはない。
また上述のレーザトリンング方法は一般の抵抗素子につ
いて述べたが、かかるトリミング方法をサーミスタのト
リミングに適用すればよυ有効である。即ち、サーミス
タは温度が変化すれば抵抗値も変化する性質がある。し
たがってレーザ光を連続照射してサーミスタをトリミン
グすれば、サーミスタは集中的に熱を受け、それによっ
てトリミング中に抵抗値が変化するため、レーザ光の照
射を一時的に中断し、サーミスタの冷却を待たない＠シ
トリミング不能の状態になる。かかる問題に対して本発
明のトリキング方法を適用すれば熱的集中は受けＫ〈〈
、九とえ一時的に熱を受けてもレーザ照射の断続周期を
一般の抵抗トリミングの場合よシ大きく設定すれば熱の
拡散はレーザの連続照射時のそれよシも著しく速い丸め
、サーミスタのトリミング速度はよシ速く、よシ高精度
Ｋ１１１１ｍすることが可能になる。なお、第１図ない
し第３図に示した実施例は総べてＬ字形のトリミング形
ｍｔ示しているが、必ずしもこの形に限定するものでは
なく、抵抗素子の幅方向に対して直線状であってもよく
また円形をなしてもよい。さらに上記幅方向に対して複
数本の長さの異なる溝部を構成し、最終的に微調整用と
して複数個の孔を有するように構成してもよい。
いて述べたが、かかるトリミング方法をサーミスタのト
リミングに適用すればよυ有効である。即ち、サーミス
タは温度が変化すれば抵抗値も変化する性質がある。し
たがってレーザ光を連続照射してサーミスタをトリミン
グすれば、サーミスタは集中的に熱を受け、それによっ
てトリミング中に抵抗値が変化するため、レーザ光の照
射を一時的に中断し、サーミスタの冷却を待たない＠シ
トリミング不能の状態になる。かかる問題に対して本発
明のトリキング方法を適用すれば熱的集中は受けＫ〈〈
、九とえ一時的に熱を受けてもレーザ照射の断続周期を
一般の抵抗トリミングの場合よシ大きく設定すれば熱の
拡散はレーザの連続照射時のそれよシも著しく速い丸め
、サーミスタのトリミング速度はよシ速く、よシ高精度
Ｋ１１１１ｍすることが可能になる。なお、第１図ない
し第３図に示した実施例は総べてＬ字形のトリミング形
ｍｔ示しているが、必ずしもこの形に限定するものでは
なく、抵抗素子の幅方向に対して直線状であってもよく
また円形をなしてもよい。さらに上記幅方向に対して複
数本の長さの異なる溝部を構成し、最終的に微調整用と
して複数個の孔を有するように構成してもよい。
以上の如く１本発明はレーザ光を断続的に回路素子上を
照射する丸め、従来に比して過度にわたる熱的集中を受
けることが少なくなり、それによって溝部周辺に生ずる
クラックも少なくなシ、経時変化の少ない安定し九抵抗
値を得ることが可能となる。またレーザ光の断続照射周
期を変化させて、最終的には礼状の溝部ｔあけながら微
細に抵抗値を調整する丸め、高精度の抵抗値を得ること
ができる。
照射する丸め、従来に比して過度にわたる熱的集中を受
けることが少なくなり、それによって溝部周辺に生ずる
クラックも少なくなシ、経時変化の少ない安定し九抵抗
値を得ることが可能となる。またレーザ光の断続照射周
期を変化させて、最終的には礼状の溝部ｔあけながら微
細に抵抗値を調整する丸め、高精度の抵抗値を得ること
ができる。
第１図は本発明によるレーザトリイング法の一実施例を
示す平面図、第２図、第３図は本発明によるレーザトリ
きフグ法の他の実施例を示す平面図である。 １・・・回路パターン、２・・・厚膜抵抗体、３・・・
溝部。 第１Ｂ
示す平面図、第２図、第３図は本発明によるレーザトリ
きフグ法の他の実施例を示す平面図である。 １・・・回路パターン、２・・・厚膜抵抗体、３・・・
溝部。 第１Ｂ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に膜形成された回路素子にレーザ光を照射し
て上記回路素子の抵抗をトリミングするレーザトリミン
グ方法において、上記レーザ光を断続的に上記回路素子
上を照射して孔を形成するようＫしたことを＊＊とする
レーザトリミング方法。 ２ 断続周期を変化させて上記回路素子上をレーず光で
もって照射するよ５になし九ことを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のレーザトリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078391A JPS58196002A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | レ−ザトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57078391A JPS58196002A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | レ−ザトリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58196002A true JPS58196002A (ja) | 1983-11-15 |
Family
ID=13660710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57078391A Pending JPS58196002A (ja) | 1982-05-12 | 1982-05-12 | レ−ザトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58196002A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106782951A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-05-31 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 薄膜热敏电阻的调阻方法及薄膜式热敏电阻的制造方法 |
| JP2020021948A (ja) * | 2015-02-17 | 2020-02-06 | ローム株式会社 | 抵抗器、および抵抗器の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52118557A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-05 | Hitachi Ltd | Thickkfilm resistor elements |
| JPS53114057A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-05 | Yokogawa Electric Works Ltd | Method of adjusting resistance value of film resistor |
-
1982
- 1982-05-12 JP JP57078391A patent/JPS58196002A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52118557A (en) * | 1976-03-31 | 1977-10-05 | Hitachi Ltd | Thickkfilm resistor elements |
| JPS53114057A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-05 | Yokogawa Electric Works Ltd | Method of adjusting resistance value of film resistor |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020021948A (ja) * | 2015-02-17 | 2020-02-06 | ローム株式会社 | 抵抗器、および抵抗器の製造方法 |
| CN106782951A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-05-31 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 薄膜热敏电阻的调阻方法及薄膜式热敏电阻的制造方法 |
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