JPS6255832A - 小型ヒユ−ズ抵抗器 - Google Patents
小型ヒユ−ズ抵抗器Info
- Publication number
- JPS6255832A JPS6255832A JP19424685A JP19424685A JPS6255832A JP S6255832 A JPS6255832 A JP S6255832A JP 19424685 A JP19424685 A JP 19424685A JP 19424685 A JP19424685 A JP 19424685A JP S6255832 A JPS6255832 A JP S6255832A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating substrate
- fuse resistor
- electrodes
- heat
- fused
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Fuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はチップ状の小型ヒユーズ抵抗器に関する。
今日の電子部品回路はトランジスタＩＣ等の使用により
、より小型、高性能化がなされている。
、より小型、高性能化がなされている。
しかし、これらトランジスタ１Ｃを用いた回路は非常に
デリケートなもので、過電流が流れると回路全部が破壊
され、使用不能になってしまう。
デリケートなもので、過電流が流れると回路全部が破壊
され、使用不能になってしまう。
そしてこのような問題に鑑み従来はチップ状のヒユーズ
抵抗器として第５図に示すようにチップ状アルミナ基板
１上の電極２，２間に金属の抵抗皮膜３を形成し、この
抵抗皮膜３にトリミング４を施して抵抗値の調整と過電
流が流れたとき溶断し易い部分５を形成するか或は、抵
抗皮膜３上に低融点金属や低融点樹脂を用いて過電流が
流れたときに短絡させて抵抗皮膜３を溶断さける等の方
法が用いられていた。しかしながら過電流は、瞬時に遮
断されることが望ましく抵抗皮膜３の溶断時間は可及的
に短いことが要求されている。
抵抗器として第５図に示すようにチップ状アルミナ基板
１上の電極２，２間に金属の抵抗皮膜３を形成し、この
抵抗皮膜３にトリミング４を施して抵抗値の調整と過電
流が流れたとき溶断し易い部分５を形成するか或は、抵
抗皮膜３上に低融点金属や低融点樹脂を用いて過電流が
流れたときに短絡させて抵抗皮膜３を溶断さける等の方
法が用いられていた。しかしながら過電流は、瞬時に遮
断されることが望ましく抵抗皮膜３の溶断時間は可及的
に短いことが要求されている。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は上述の問題に鑑み抵抗皮膜の溶断時間をさらに
短縮させようとするものである。
短縮させようとするものである。
Ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は、絶縁基板の電極間に形成された抵抗皮膜の溶
断部と前記絶縁基板間にこの絶縁基板よりも熱伝導率の
低い物質よりなる断熱層を介在させ、抵抗皮膜の溶断部
と絶縁基板間に断熱層を介在させ抵抗皮膜から絶縁基板
への放熱を防ぎ溶断部に熱を集中させ溶断時間を短縮さ
せようとするものである。
断部と前記絶縁基板間にこの絶縁基板よりも熱伝導率の
低い物質よりなる断熱層を介在させ、抵抗皮膜の溶断部
と絶縁基板間に断熱層を介在させ抵抗皮膜から絶縁基板
への放熱を防ぎ溶断部に熱を集中させ溶断時間を短縮さ
せようとするものである。
本発明は絶縁基板と抵抗皮膜の溶断部間に基板よりも熱
伝導率の低い断熱層を介在させることにより抵抗皮膜の
発熱が絶ＱＷ板に伝達されないようにしこれを溶断部に
集中させ溶断時間を短縮させ過電流を瞬時に遮断するも
のである。
伝導率の低い断熱層を介在させることにより抵抗皮膜の
発熱が絶ＱＷ板に伝達されないようにしこれを溶断部に
集中させ溶断時間を短縮させ過電流を瞬時に遮断するも
のである。
本発明の一実施例を第１図、第２図について説明する。
１はチップ状のセラミック絶縁基板であり、基板１がア
ルミナ板とすると熱伝導率は約０．０５〜０．０７ｃａ
１． ｃｒｌ 、ｓ−１、ｄｅｇ−１である。この絶縁
基板１の上面両端部に印刷により銀電極２，２を形成す
る。さらに電極２．２間の絶縁基板１間に断熱層６を印
刷により形成する。断熱ＦＪ６は非晶質のガラスよりな
り熱伝導率は約０．００２ｃａ１．ｃｍ−’ 、ｓ’
。
ルミナ板とすると熱伝導率は約０．０５〜０．０７ｃａ
１． ｃｒｌ 、ｓ−１、ｄｅｇ−１である。この絶縁
基板１の上面両端部に印刷により銀電極２，２を形成す
る。さらに電極２．２間の絶縁基板１間に断熱層６を印
刷により形成する。断熱ＦＪ６は非晶質のガラスよりな
り熱伝導率は約０．００２ｃａ１．ｃｍ−’ 、ｓ’
。
ｄ ｃ ｇ−１で絶縁基板１よりも遥に低い。次に断熱
層６上に両端を電極２．２上に接続させてニッケル金属
皮膜よりなる抵抗皮膜７を蒸着、スパッタ、メッキ等の
手段により形成する。次に抵抗皮膜７にレーザ光または
サンドブラストでトリミング８を施して抵抗値の調整を
するとともに過電流が流れた時に溶断されるヒユーズ性
を有する溶断部１１を形成する。次に抵抗皮膜７を不燃
性絶縁型ｎ膜９で被覆し溶断時に附近に配置された電子
部品に熱や電気的の影響を及ぼさないようにする。さら
に電極２，２から絶縁基板１の両端面にかけてニッケル
メッキ、ハンダメッキを順次施して端面電極１０．１０
を形成する。
層６上に両端を電極２．２上に接続させてニッケル金属
皮膜よりなる抵抗皮膜７を蒸着、スパッタ、メッキ等の
手段により形成する。次に抵抗皮膜７にレーザ光または
サンドブラストでトリミング８を施して抵抗値の調整を
するとともに過電流が流れた時に溶断されるヒユーズ性
を有する溶断部１１を形成する。次に抵抗皮膜７を不燃
性絶縁型ｎ膜９で被覆し溶断時に附近に配置された電子
部品に熱や電気的の影響を及ぼさないようにする。さら
に電極２，２から絶縁基板１の両端面にかけてニッケル
メッキ、ハンダメッキを順次施して端面電極１０．１０
を形成する。
次に上述の実施例のヒユーズ抵抗器の製造方法を第３図
Ａ−Ｈについて説明する。
Ａ−Ｈについて説明する。
（ハ）１２はアルミナ板で、後工程で縦横に分割されて
多数の絶縁基板１となるものである。
多数の絶縁基板１となるものである。
（へ） アルミナ板１２の各絶縁基板１毎に上面の長さ
方向に相対して銀電極２．２を印刷により形成する。
方向に相対して銀電極２．２を印刷により形成する。
（Ｑ 電極２．２間のアルミナ板１２上に非晶質ガラス
を厚さ３０〜６０ｊＩＩＲに印刷し断熱１ｉ！５６を形
成する。表面に抵抗皮膜形成部分１３を残して全面に耐
メツキ塗料を印刷により形成して抵抗皮膜メッキ用のマ
スク１４を施ず。
を厚さ３０〜６０ｊＩＩＲに印刷し断熱１ｉ！５６を形
成する。表面に抵抗皮膜形成部分１３を残して全面に耐
メツキ塗料を印刷により形成して抵抗皮膜メッキ用のマ
スク１４を施ず。
０ マスク１４を形成したアルミナ板１２を無電解ニッ
ケルメッキ液に浸しニッケル抵抗器１１Ａ７を形成する
。次にマスク１４を剥離し抵抗皮膜７を２６０℃で３時
間エージングする。マスク剥離とエージングの順は逆で
もよい。エージング後アルミナ板１２をトリミング機に
かけて規定の値にトリミング８を施寸。
ケルメッキ液に浸しニッケル抵抗器１１Ａ７を形成する
。次にマスク１４を剥離し抵抗皮膜７を２６０℃で３時
間エージングする。マスク剥離とエージングの順は逆で
もよい。エージング後アルミナ板１２をトリミング機に
かけて規定の値にトリミング８を施寸。
０ 抵抗皮膜７を印刷により不燃性塗料１５１９で被覆
する。
する。
０ アルミナ板１２を細長い短冊片１５に分割する。
０ 細長い短冊片１５の両側に端面電極１０．１０を形
成する。
成する。
０ 短冊片１５を各絶縁基板１毎にチップ状に分割しチ
ップ状ヒユーズ抵抗１ａを得る。
ップ状ヒユーズ抵抗１ａを得る。
次に実施例のヒユーズ抵抗器の作用を説明する。
プリント基板に実装して過大電流が流れると抵抗器ＩＩ
！ａ７が溶断部１１で溶断するが、このとき溶断部１１
と絶縁基板１間に介在する断熱Ｆ４６が溶断部１１の発
熱を絶縁基板１へ伝達し難くし溶断部１１に熱を集中さ
せるから溶断時間が短縮される。
！ａ７が溶断部１１で溶断するが、このとき溶断部１１
と絶縁基板１間に介在する断熱Ｆ４６が溶断部１１の発
熱を絶縁基板１へ伝達し難くし溶断部１１に熱を集中さ
せるから溶断時間が短縮される。
第４図は上述の実施例のヒユーズ抵抗器と、断熱層６が
無く他は同様のヒユーズ抵抗器との通電電力と溶断時間
の関係を示し実線は実施例、点線は断熱層の無いものを
表わしている。この第４図より実施例のものは低い通過
電力で短時間に溶断することがわかる。
無く他は同様のヒユーズ抵抗器との通電電力と溶断時間
の関係を示し実線は実施例、点線は断熱層の無いものを
表わしている。この第４図より実施例のものは低い通過
電力で短時間に溶断することがわかる。
本発明によれば、絶縁基板の電極間に形成された抵抗皮
膜の溶断部と前記絶縁基板間にこの絶縁基板よりも熱伝
導率の低い物質よりなる断熱層を介在させたため、過電
流の発生時に抵抗皮膜の溶断部の発熱が断熱層によって
絶縁基板に伝達されるのを防ぎ溶断部に熱を集中させて
溶断時間を短縮させることができ過電流を瞬時に阻止す
ることができる。
膜の溶断部と前記絶縁基板間にこの絶縁基板よりも熱伝
導率の低い物質よりなる断熱層を介在させたため、過電
流の発生時に抵抗皮膜の溶断部の発熱が断熱層によって
絶縁基板に伝達されるのを防ぎ溶断部に熱を集中させて
溶断時間を短縮させることができ過電流を瞬時に阻止す
ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示すヒユーズ抵抗器の縦断
正面図、第２図は同上の絶縁皮膜と端面電極を除去した
平面図、第３図Ａ−Ｈは本発明品関係図表、第５図は従
来品の絶縁塗膜と端面電極を除いた平面図である。 １・・絶縁基板、２・・電極、６・・断熱層、７・・抵
抗皮膜、１１・・溶断部。
正面図、第２図は同上の絶縁皮膜と端面電極を除去した
平面図、第３図Ａ−Ｈは本発明品関係図表、第５図は従
来品の絶縁塗膜と端面電極を除いた平面図である。 １・・絶縁基板、２・・電極、６・・断熱層、７・・抵
抗皮膜、１１・・溶断部。
Claims (1)
- （１）絶縁基板の電極間に形成された抵抗皮膜の溶断部
と前記絶縁基板間にこの絶縁基板よりも熱伝導率の低い
物質よりなる断熱層を介在させたことを特徴とする小型
ヒューズ抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19424685A JPS6255832A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 小型ヒユ−ズ抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19424685A JPS6255832A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 小型ヒユ−ズ抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6255832A true JPS6255832A (ja) | 1987-03-11 |
Family
ID=16321414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19424685A Pending JPS6255832A (ja) | 1985-09-03 | 1985-09-03 | 小型ヒユ−ズ抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6255832A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620806A (ja) * | 1992-03-21 | 1994-01-28 | Rohm Co Ltd | 固体フューズ |
| WO2014049809A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 釜屋電機株式会社 | チップヒューズ及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-09-03 JP JP19424685A patent/JPS6255832A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0620806A (ja) * | 1992-03-21 | 1994-01-28 | Rohm Co Ltd | 固体フューズ |
| WO2014049809A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 釜屋電機株式会社 | チップヒューズ及びその製造方法 |
| TWI455165B (zh) * | 2012-09-28 | 2014-10-01 | Kamaya Electric Co Ltd | Chip fuse and manufacturing method thereof |
| JPWO2014049809A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-08-22 | 釜屋電機株式会社 | チップヒューズ及びその製造方法 |
| US9852868B2 (en) | 2012-09-28 | 2017-12-26 | Kamaya Electric Co., Ltd. | Chip fuse and manufacturing method therefor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3964666A (en) | Bonding contact members to circuit boards | |
| US4873506A (en) | Metallo-organic film fractional ampere fuses and method of making | |
| JPS63254634A (ja) | ワイヤボンド形マイクロヒューズ及びその製造方法 | |
| JP2004214032A (ja) | 保護素子 | |
| US5291175A (en) | Limiting heat flow in planar, high-density power resistors | |
| JPS6255832A (ja) | 小型ヒユ−ズ抵抗器 | |
| GB2205455A (en) | Thermal fuse | |
| JPH0831848A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07122406A (ja) | チップ状ヒューズ抵抗器とその製造方法 | |
| JP2004319195A (ja) | チップ型ヒューズ | |
| JP4306892B2 (ja) | 回路保護素子の製造方法 | |
| JPH04245132A (ja) | チップヒューズ用基板及びそれを用いたチップヒューズ | |
| JPH02244531A (ja) | 基板型温度ヒューズ・抵抗体及びその製造方法 | |
| JPH0622092B2 (ja) | 基板型温度ヒューズ及びその製造方法 | |
| JPH1140716A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6267849A (ja) | 厚膜混成ｉｃの製造方法 | |
| JP2865788B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
| JP3162177B2 (ja) | チップ部品の実装方法および配線基板 | |
| JPH09246013A (ja) | チップ形ｐｔｃサーミスタ | |
| JP3434897B2 (ja) | 基板型抵抗・温度ヒュ−ズ | |
| JPH08129950A (ja) | チップヒューズ | |
| JPH0355783A (ja) | リード端子の半田付け方法 | |
| JPS6269586A (ja) | 電気部品の取り付け方法 | |
| JP2001068301A (ja) | 薄膜型抵抗器の構造 | |
| JPH08315717A (ja) | ヒューズ抵抗器 |