JPS5818794B2 - 配線パタ−ンの切断方法 - Google Patents
配線パタ−ンの切断方法Info
- Publication number
- JPS5818794B2 JPS5818794B2 JP15119180A JP15119180A JPS5818794B2 JP S5818794 B2 JPS5818794 B2 JP S5818794B2 JP 15119180 A JP15119180 A JP 15119180A JP 15119180 A JP15119180 A JP 15119180A JP S5818794 B2 JPS5818794 B2 JP S5818794B2
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- JP
- Japan
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- wiring pattern
- cutting
- laser beam
- cut
- conductor
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミック配線基板上の配線パターンの切断方
法に関し、より詳細には多層セラミック配線基板におい
て、表面の導体配線パターンのみを切断し、内層導体配
線パターンを損傷しないようにした配線パターンの切断
方法に関する。
法に関し、より詳細には多層セラミック配線基板におい
て、表面の導体配線パターンのみを切断し、内層導体配
線パターンを損傷しないようにした配線パターンの切断
方法に関する。
第１図に、表面に導体配線パターン１を形成したセラミ
ック配線基板２を示す。
ック配線基板２を示す。
このような配線基板において、回路の設計変更あるいは
製作上のミスの修正等のために、既に形成された導体配
線パターン１０両端の端子パッド３，４間の導通を遮断
する必要がある場合には、レーザ光により導体配線パタ
ーン１の中間部を加熱蒸発させて切断する方法が知られ
ている。
製作上のミスの修正等のために、既に形成された導体配
線パターン１０両端の端子パッド３，４間の導通を遮断
する必要がある場合には、レーザ光により導体配線パタ
ーン１の中間部を加熱蒸発させて切断する方法が知られ
ている。
従来のこの種の方法について詳細に説明すると、第２図
に示す投影法と呼ばれる方法では、レーザ光ビームを投
影する領域５に対応した形状の透過孔６を有するマスク
７を用いて、レーザ光ビーム８を選択的にセラミック配
線基板２の上の導体配線パターン１に投影することによ
り、前記領域５内の斜線で示す導体配線パターン９を蒸
発させ導通を遮断していた。
に示す投影法と呼ばれる方法では、レーザ光ビームを投
影する領域５に対応した形状の透過孔６を有するマスク
７を用いて、レーザ光ビーム８を選択的にセラミック配
線基板２の上の導体配線パターン１に投影することによ
り、前記領域５内の斜線で示す導体配線パターン９を蒸
発させ導通を遮断していた。
実際には、第３図に示す如きパルス発振型レーザ光ビー
ムが用いられることが多いが、この場合には、１つのパ
ルスから次のパルスまでの間におけるスポット１０の移
動距離を、スポット径の一程度にしておけば略一様な切
断溝が形成され０ て、導体配線パターンの好ましい遮断が達成される。
ムが用いられることが多いが、この場合には、１つのパ
ルスから次のパルスまでの間におけるスポット１０の移
動距離を、スポット径の一程度にしておけば略一様な切
断溝が形成され０ て、導体配線パターンの好ましい遮断が達成される。
従来のこの種の切断方法においては、１回のレーザ光照
射により、第４図に示す如き切断溝１２を形成するよう
にしているので、導体配線パターン１が表面にのみ存在
する場合には問題ないが、表面の導体配線パターンの直
下に絶縁体層２−１で絶縁された第２の導体配線パター
ン１３（点線で示しである。
射により、第４図に示す如き切断溝１２を形成するよう
にしているので、導体配線パターン１が表面にのみ存在
する場合には問題ないが、表面の導体配線パターンの直
下に絶縁体層２−１で絶縁された第２の導体配線パター
ン１３（点線で示しである。
）が存在するような、いわゆる多層セラミック配線基板
においては、前記切断溝１２が第１の導体配線パターン
１のみでなく、第２の導体配線パターン１３をも切断し
てしまうという重大な問題があった。
においては、前記切断溝１２が第１の導体配線パターン
１のみでなく、第２の導体配線パターン１３をも切断し
てしまうという重大な問題があった。
この問題を解決しようとして、切断溝１２の底面１４が
中間の絶縁層２−１の中に来るように切断溝１２の深さ
を制御する努力もなされてはいるが、導体の材質と縁縁
層の材質との組合せが異な。
中間の絶縁層２−１の中に来るように切断溝１２の深さ
を制御する努力もなされてはいるが、導体の材質と縁縁
層の材質との組合せが異な。
ると、レーザ光の効果が大きく異なって来るので、前記
深さの制御は容易には行なうことができないのが現状で
ある。
深さの制御は容易には行なうことができないのが現状で
ある。
本発明は、従来の導体配線パターンの切断方法の上述の
如き問題を解消し、多層セラミック配線基板においても
、内層の導体配線パターンを損傷することな（、表面の
導体配線パターンのみを切断することが可能な導体配線
パターンの切断方法を提供することを目的とする。
如き問題を解消し、多層セラミック配線基板においても
、内層の導体配線パターンを損傷することな（、表面の
導体配線パターンのみを切断することが可能な導体配線
パターンの切断方法を提供することを目的とする。
本発明の上記目的は、多層セラミック配線基板の表面の
導体配線パターンをレーザ光で蒸発させ切断する方法に
お℃・て、該レーザ光のパワーを複数回の照射によって
前記導体配線パターンの切断が完了するように調節し、
１回のレーザ光照射を行うごとに前記導体配線パターン
両端の端子間の導通を測定するようにして、この間の導
通がな（なるまでレーザ光照射を繰り返すことによって
切断溝の深さを制御するようにした導体配線パターンの
切断方法によって達成される。
導体配線パターンをレーザ光で蒸発させ切断する方法に
お℃・て、該レーザ光のパワーを複数回の照射によって
前記導体配線パターンの切断が完了するように調節し、
１回のレーザ光照射を行うごとに前記導体配線パターン
両端の端子間の導通を測定するようにして、この間の導
通がな（なるまでレーザ光照射を繰り返すことによって
切断溝の深さを制御するようにした導体配線パターンの
切断方法によって達成される。
以下、本発明の実施例を、図面に基いて詳細に説明する
。
。
第５図は本発明の一実施例を示す多層セラミック配線基
板の切断状況を示す斜視図である。
板の切断状況を示す斜視図である。
多層セラミック配線基板２０表面に設けられた導体配線
パターン１の両端の端子パッド３，４には、各各導通測
定用グローブ１５，１６が押しあてられている。
パターン１の両端の端子パッド３，４には、各各導通測
定用グローブ１５，１６が押しあてられている。
グローブ１５，１６は配線１７，１Ｂによって抵抗値測
定器１９に接続されている。
定器１９に接続されている。
また、抵抗値測定器１９は、前記プローブ１５，１６間
の導通がなくなった場合にレーザ発振を停止させるよう
配線２０によりレーザ発振器２１と接続されてい金。
の導通がなくなった場合にレーザ発振を停止させるよう
配線２０によりレーザ発振器２１と接続されてい金。
本実施例に用いた多層セラミック配線基板は、表面に厚
さ約２０μのタングステン材から成る第１の導体配線パ
ターンを有しており、その内層約４０μの位置に同じく
タングステン材から成る第２の導体配線パターン（厚さ
約２０μ）を有しているものである。
さ約２０μのタングステン材から成る第１の導体配線パ
ターンを有しており、その内層約４０μの位置に同じく
タングステン材から成る第２の導体配線パターン（厚さ
約２０μ）を有しているものである。
レーザ光源としては、ＹＡＧ レーザ光源を、パルス発
振方式により、ビームスポット径約５０μで用いている
。
振方式により、ビームスポット径約５０μで用いている
。
このレーザ光の出力は、１回の照射（スキャンニング方
式による）切断される程度に調節されている。
式による）切断される程度に調節されている。
このように設定された切断装置による切断の過程を第６
図〜第８図に示した。
図〜第８図に示した。
第６図は１回目のレーザ光照射が終了した時点を示して
おり、切断溝１２−１の深さは第１の導体層１の厚さ全
体には達していない。
おり、切断溝１２−１の深さは第１の導体層１の厚さ全
体には達していない。
このため、抵抗値測定器１９には、導通があることが測
定されるので、レーザ発振器２１は発振を続行する。
定されるので、レーザ発振器２１は発振を続行する。
第７図は２回目のレーザ光照射が終了した時点を示して
おり、切断溝１２−２は第６図の場合Ｑ約２倍の深さに
はなっているが、まだ第１の導体層１の厚さ全体には達
していない。
おり、切断溝１２−２は第６図の場合Ｑ約２倍の深さに
はなっているが、まだ第１の導体層１の厚さ全体には達
していない。
このためレーザ発振器２１は更に発振を続行する。
第８図は３回目のレーザ光照射が終了した時点を示して
おり、切断溝１２−３は第１の導体層１の厚さよりも深
（なり、両端の端子間の導通が失われるので、抵抗測定
器１９より発振を停止するよう、レーザ発振器２１に指
令が送られる。
おり、切断溝１２−３は第１の導体層１の厚さよりも深
（なり、両端の端子間の導通が失われるので、抵抗測定
器１９より発振を停止するよう、レーザ発振器２１に指
令が送られる。
このようにして、第１の導体層１の厚さよりも深く、し
かも第２の導体層１３を摺動しない深さの切断溝１２−
３を確実に形成させることができる。
かも第２の導体層１３を摺動しない深さの切断溝１２−
３を確実に形成させることができる。
上記実施例においては、レーザ光の出力を、ｌない。
また、レーザ光源の種類もＹＡＧレーザ元源に限るもの
ではなく、蒸発切断される導体層の材質との関係で有効
な他のレーザ光源を自由に用いることができる。
ではなく、蒸発切断される導体層の材質との関係で有効
な他のレーザ光源を自由に用いることができる。
更に、レーザの発振はパルス発振に限らず、連続発振さ
せるものであっても良い。
せるものであっても良い。
本発明を適用し得る導体層の材質は、タングステン材以
外に、モリブデン、ニッケル、銅、クロムあるいはこれ
らの合金等を挙げることができる。
外に、モリブデン、ニッケル、銅、クロムあるいはこれ
らの合金等を挙げることができる。
以上述べた如く、本発明によれば、多層セラミック配線
基板の表面の導体配線パターンのみを、内層の導体配線
パターンを損傷することなく、確実に切断でき、きわめ
て大きな実用的効果を奏するものである。
基板の表面の導体配線パターンのみを、内層の導体配線
パターンを損傷することなく、確実に切断でき、きわめ
て大きな実用的効果を奏するものである。
第１図はセラミック配線基板の斜視図、第２図、第３図
は従来の切断方法を示す斜視図、第４図は従来の切断方
法で切断したセラミック配線基板の断面図、第５図は本
発明の一実施例を示す斜視図、第６図〜第８図は本発明
の切断方法で切断した多層セラミック配線基板の断面図
である。 １：導体配線パターン、２：セラミック配線基板、２−
１：絶縁体層、１２，１２−１，１２−２ 、１１−３
：切断溝、１３：内層導体配線パターン、１９：抵抗
値測定器、２１：レーザ発振器。
は従来の切断方法を示す斜視図、第４図は従来の切断方
法で切断したセラミック配線基板の断面図、第５図は本
発明の一実施例を示す斜視図、第６図〜第８図は本発明
の切断方法で切断した多層セラミック配線基板の断面図
である。 １：導体配線パターン、２：セラミック配線基板、２−
１：絶縁体層、１２，１２−１，１２−２ 、１１−３
：切断溝、１３：内層導体配線パターン、１９：抵抗
値測定器、２１：レーザ発振器。
Claims (1)
- １ 多層セラミック配線基板の表面の導体配線パ、′タ
ーンをレーザ光で切断する方法において、該レーザ光の
パワーを、複数回の照射によって前記導体配線パターン
の切断が完了するように調節し、１回のレーザ光照射と
行なうごとに前記導体配線パターン両端の端子間の導通
を測定するようにして、この間の導通がなくなるまでレ
ーザ光照射を繰り返すことにより切断溝の深さを制御す
るようにしたことを特徴とする導体配線パターンの切断
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119180A JPS5818794B2 (ja) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | 配線パタ−ンの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15119180A JPS5818794B2 (ja) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | 配線パタ−ンの切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5775487A JPS5775487A (en) | 1982-05-12 |
| JPS5818794B2 true JPS5818794B2 (ja) | 1983-04-14 |
Family
ID=15513253
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15119180A Expired JPS5818794B2 (ja) | 1980-10-28 | 1980-10-28 | 配線パタ−ンの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5818794B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4894689A (en) * | 1984-12-28 | 1990-01-16 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Transferred electron device |
-
1980
- 1980-10-28 JP JP15119180A patent/JPS5818794B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5775487A (en) | 1982-05-12 |
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