JPH01164001A - 薄膜抵抗素子 - Google Patents
薄膜抵抗素子Info
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- JPH01164001A JPH01164001A JP62321542A JP32154287A JPH01164001A JP H01164001 A JPH01164001 A JP H01164001A JP 62321542 A JP62321542 A JP 62321542A JP 32154287 A JP32154287 A JP 32154287A JP H01164001 A JPH01164001 A JP H01164001A
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- resistance
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜抵抗体パターンを切断することにより抵抗
値の調節（以下トリミングと称する）を行なう抵抗体調
整パターンを有する薄膜抵抗素子に関するものである。
値の調節（以下トリミングと称する）を行なう抵抗体調
整パターンを有する薄膜抵抗素子に関するものである。
近年、ＩＣ製造技術を用いて抵抗素子を薄膜化すること
により、小型で安価という特長をもたせた薄膜抵抗素子
が製作されるように々ってきた。
により、小型で安価という特長をもたせた薄膜抵抗素子
が製作されるように々ってきた。
しかしながら、薄膜化することにより、抵抗値がばらつ
くという問題があり、何らかの調整手段が必要と々る。
くという問題があり、何らかの調整手段が必要と々る。
この調整手段の１つとして抵抗値調節用パターンを有す
る抵抗体調整パターンを微細加工技術で基板上に形成し
、レーザビームもしくはサンドブラスト等により抵抗値
調節用パターンを切断することによって抵抗値の調整を
行なう方法がある。この抵抗値調節パターンを切断して
抵抗値の調整を行なうことをトリミングと称する。
る抵抗体調整パターンを微細加工技術で基板上に形成し
、レーザビームもしくはサンドブラスト等により抵抗値
調節用パターンを切断することによって抵抗値の調整を
行なう方法がある。この抵抗値調節パターンを切断して
抵抗値の調整を行なうことをトリミングと称する。
トリミング用の抵抗体調整パターンは、抵抗値のばらつ
きの情報から目標抵抗値を越えない抵抗値となるように
設計され、トリミングによって目標とする抵抗値に調整
し設定される。
きの情報から目標抵抗値を越えない抵抗値となるように
設計され、トリミングによって目標とする抵抗値に調整
し設定される。
通常、トリミング用のｉ抗体調整パターンには、アナロ
グトリミング用パターンとデジタルトリミング用パター
ンとがあり、アナログトリミング用パターンは、第４図
および第５図に示すように抵抗値調節用・パターン１を
連続的に切断し、パターン切断部２を形成することによ
シ、抵抗体調整パターン３の電気導通路を長くし、抵抗
値を上昇させて所望の抵抗値を得ている。このアナログ
） ＩＪミ／グ用パターンは、連続的に抵抗値が変化し
、微調整ができる利点を有する反面、ノ（ターン切断部
２にパターンが完全に切断されない非切断部４が形成さ
れ、この非切断部４に電流が流れるので、信頼性に問題
がある。また、デジタルトリミング用パターンは、第６
図に示すように互いに抵抗値の異々る抵抗値調節用パタ
ーン５ｍ、５ｂ、５ｃｔ５ｄ＋５・を第７図に示すよう
にレーザビームによシ個々に切断し、段階的に切断部６
を形成することによυ、抵抗体調整パターン７の電気導
通路を長くし、抵抗値を上昇させて電極端子パターン８
，９間に所望の抵抗値を得ている。このデジタルトリミ
ング用パターンは、切断部６およびその近傍に電流が流
れないためにトリミングによ多切断近傍部に変質があっ
ても信頼性に影響をおよぼさない反面、その抵抗体調整
パターンＴのパターン形状が大きくなる。すなわち、デ
ジタルトリミング用パターンは、１箇所の切断による抵
抗値は階段状に上昇するので、第８図に示すように粗い
調整から微調整までの切断用パターンを多段階に設けて
おく必要性から形状が大きくなり、この結果、薄膜抵抗
素子が高価格となる。
グトリミング用パターンとデジタルトリミング用パター
ンとがあり、アナログトリミング用パターンは、第４図
および第５図に示すように抵抗値調節用・パターン１を
連続的に切断し、パターン切断部２を形成することによ
シ、抵抗体調整パターン３の電気導通路を長くし、抵抗
値を上昇させて所望の抵抗値を得ている。このアナログ
） ＩＪミ／グ用パターンは、連続的に抵抗値が変化し
、微調整ができる利点を有する反面、ノ（ターン切断部
２にパターンが完全に切断されない非切断部４が形成さ
れ、この非切断部４に電流が流れるので、信頼性に問題
がある。また、デジタルトリミング用パターンは、第６
図に示すように互いに抵抗値の異々る抵抗値調節用パタ
ーン５ｍ、５ｂ、５ｃｔ５ｄ＋５・を第７図に示すよう
にレーザビームによシ個々に切断し、段階的に切断部６
を形成することによυ、抵抗体調整パターン７の電気導
通路を長くし、抵抗値を上昇させて電極端子パターン８
，９間に所望の抵抗値を得ている。このデジタルトリミ
ング用パターンは、切断部６およびその近傍に電流が流
れないためにトリミングによ多切断近傍部に変質があっ
ても信頼性に影響をおよぼさない反面、その抵抗体調整
パターンＴのパターン形状が大きくなる。すなわち、デ
ジタルトリミング用パターンは、１箇所の切断による抵
抗値は階段状に上昇するので、第８図に示すように粗い
調整から微調整までの切断用パターンを多段階に設けて
おく必要性から形状が大きくなり、この結果、薄膜抵抗
素子が高価格となる。
前述したデジタルトリミング用の抵抗体調整パターンＴ
を有する薄膜抵抗素子は、デジタルトリミング法によシ
目標抵抗値の精度を向上させる場合、第６図に示すよう
に梯子状の抵抗値調節用ノくターン５ａ〜５ｅの形状を
大きくするかもしくは第９図に示すように抵抗値非調節
パターン１０のｎ倍の抵抗値調節パターン１１を抵抗値
非調節ノ（ターン１０と並列に接続して形成し、抵抗値
調節）くターン１１をトリミングするというパターンで
対応していた。しかしながら、いずれのノくターン５１
〜５＠、１０．１１とも抵抗値の微調整を行なうと、第
６図および第９図に示すようにパターンの形状が大きく
なってしまうという問題があった。
を有する薄膜抵抗素子は、デジタルトリミング法によシ
目標抵抗値の精度を向上させる場合、第６図に示すよう
に梯子状の抵抗値調節用ノくターン５ａ〜５ｅの形状を
大きくするかもしくは第９図に示すように抵抗値非調節
パターン１０のｎ倍の抵抗値調節パターン１１を抵抗値
非調節ノ（ターン１０と並列に接続して形成し、抵抗値
調節）くターン１１をトリミングするというパターンで
対応していた。しかしながら、いずれのノくターン５１
〜５＠、１０．１１とも抵抗値の微調整を行なうと、第
６図および第９図に示すようにパターンの形状が大きく
なってしまうという問題があった。
また、このように構成される薄膜抵抗素子は、通常のＩ
Ｃ製造技術により、基板上に一度に多数個製作できるが
、素子寸法が大きくなると、基板上に配設する素子数の
減少と素子の良品率の急激力低下との相乗効果により、
素子１個当υの製造コストが飛躍的に上昇する。したが
って、素子は可能な限り寸法を小さくすることが極めて
重要と力っている。
Ｃ製造技術により、基板上に一度に多数個製作できるが
、素子寸法が大きくなると、基板上に配設する素子数の
減少と素子の良品率の急激力低下との相乗効果により、
素子１個当υの製造コストが飛躍的に上昇する。したが
って、素子は可能な限り寸法を小さくすることが極めて
重要と力っている。
したがって本発明は、前述した従来の問題に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、トリミング用の抵抗体調
整パターンの占有面積を低減させるとともにトリミング
後の信頼性向上および高精度の抵抗値調整を実現可能と
した薄膜抵抗素子を提供することＫある。
れたものであり、その目的は、トリミング用の抵抗体調
整パターンの占有面積を低減させるとともにトリミング
後の信頼性向上および高精度の抵抗値調整を実現可能と
した薄膜抵抗素子を提供することＫある。
本発明による薄膜抵抗素子は、抵抗体調整パターンを、
抵抗値の調節を行なわ力い抵抗値非調節パターンと、こ
の抵抗値非調節パターンのｎ倍の長さを有しかつこの抵
抗値非調節パターンに並列に接続された抵抗値の調節を
行なう第１の抵抗値調節パターンと、この第１の抵抗値
調節パターンのｎ倍の長さを有しかつこの第１の抵抗値
調節ノくターンに並列接続された抵抗値を調節する第２
の抵抗値調節パターンとから構成するものである。
抵抗値の調節を行なわ力い抵抗値非調節パターンと、こ
の抵抗値非調節パターンのｎ倍の長さを有しかつこの抵
抗値非調節パターンに並列に接続された抵抗値の調節を
行なう第１の抵抗値調節パターンと、この第１の抵抗値
調節パターンのｎ倍の長さを有しかつこの第１の抵抗値
調節ノくターンに並列接続された抵抗値を調節する第２
の抵抗値調節パターンとから構成するものである。
本発明においては、抵抗値の調節を行なう第１゜第２の
抵抗値調節パターンが小領域で形成されるので、抵抗体
調整パターンの形成領域が減縮される。
抵抗値調節パターンが小領域で形成されるので、抵抗体
調整パターンの形成領域が減縮される。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図（＆） 、 （ｂ）は本発明による薄膜抵抗素子
の一実施例を示す抵抗体調整パターンを示す要部平面図
であり、前述の図と同一部分には同一符号を付しである
。同図（ａ）において、電極端子パターン８゜９間に多
数個直列接続される抵抗体調整パターン１２は、抵抗値
の調節を行なわない抵抗値非調節パターン１３にとの抵
抗値非調節パターン１３ののｎ倍の長さを有する抵抗値
の調節を行なう第１の抵抗値調節パターン１４が並列接
続され、さらにこの第１の抵抗値調節パターン１４にこ
の第１の抵抗値調節パターン１４０ｍ倍の長さを有する
抵抗値の調整を行なう第２の抵抗値調節パターン１５が
並列接続されて形成されている。なお、これらのパター
ン１３，１４．１５からなる抵抗体調整パターン１２お
よび電極端子パターン８．９は、絶縁性基板１６上に例
えば白金等の金属薄膜を形成し、この金属薄膜をフォト
エツチング法などＫよシ加工して形成される。
の一実施例を示す抵抗体調整パターンを示す要部平面図
であり、前述の図と同一部分には同一符号を付しである
。同図（ａ）において、電極端子パターン８゜９間に多
数個直列接続される抵抗体調整パターン１２は、抵抗値
の調節を行なわない抵抗値非調節パターン１３にとの抵
抗値非調節パターン１３ののｎ倍の長さを有する抵抗値
の調節を行なう第１の抵抗値調節パターン１４が並列接
続され、さらにこの第１の抵抗値調節パターン１４にこ
の第１の抵抗値調節パターン１４０ｍ倍の長さを有する
抵抗値の調整を行なう第２の抵抗値調節パターン１５が
並列接続されて形成されている。なお、これらのパター
ン１３，１４．１５からなる抵抗体調整パターン１２お
よび電極端子パターン８．９は、絶縁性基板１６上に例
えば白金等の金属薄膜を形成し、この金属薄膜をフォト
エツチング法などＫよシ加工して形成される。
このように構成された抵抗体調整パターン１２は、同図
（ｂ）に示すように第２の抵抗値調節パターン１５を矢
印Ａ方向もしくは矢印に方向にレーザビームを走査する
ととくより、焼切り、切断部１Ｔを形成することによっ
て抵抗値の微調節が行なわれる。
（ｂ）に示すように第２の抵抗値調節パターン１５を矢
印Ａ方向もしくは矢印に方向にレーザビームを走査する
ととくより、焼切り、切断部１Ｔを形成することによっ
て抵抗値の微調節が行なわれる。
このような構成においては、抵抗値非調節パターン１３
と並列接続される第１の抵抗値調節パターン１４に並列
に第２の抵抗値調節パターン１５を形成することにより
、この第２の抵抗値調節パターン１５を小さ々領域で形
成することができるので、抵抗体調整パターン１２の全
体形状を小さくするととができる。また、この第２の抵
抗値調節パターン１５は、第１の抵抗値調節パターン１
４のいずれの箇所、例えば第２図＠） 、 （ｂ）に示
すようなパターン配置も可能となる。また、トリミング
箇所は第２の抵抗値調節パターン１４でも良く、微調節
をしない場合には第１の抵抗値調節パターン１４をトリ
ミングしても良い。
と並列接続される第１の抵抗値調節パターン１４に並列
に第２の抵抗値調節パターン１５を形成することにより
、この第２の抵抗値調節パターン１５を小さ々領域で形
成することができるので、抵抗体調整パターン１２の全
体形状を小さくするととができる。また、この第２の抵
抗値調節パターン１５は、第１の抵抗値調節パターン１
４のいずれの箇所、例えば第２図＠） 、 （ｂ）に示
すようなパターン配置も可能となる。また、トリミング
箇所は第２の抵抗値調節パターン１４でも良く、微調節
をしない場合には第１の抵抗値調節パターン１４をトリ
ミングしても良い。
第３図（、） 、 （ｂ）は本発明による薄膜抵抗素子
の他の実施例を示す抵抗体調整パターンの要部斜視図で
あ〕、前述の図と同一部分には同一符号を付しである。
の他の実施例を示す抵抗体調整パターンの要部斜視図で
あ〕、前述の図と同一部分には同一符号を付しである。
同図（−）において、第１図（−） 、 （ｂ）と異な
る点は、第１の抵抗値調節パターン１４に並列接続され
る第２の抵抗値調節パターン１８が梯子状のラダーパタ
ーンで形成されて抵抗体調整パターン１２Ａが形成され
ている。
る点は、第１の抵抗値調節パターン１４に並列接続され
る第２の抵抗値調節パターン１８が梯子状のラダーパタ
ーンで形成されて抵抗体調整パターン１２Ａが形成され
ている。
このような構成によれば、同図（ｂ）に示すように第２
の抵抗値調節パターン１８が矢印Ａ方向もしくは矢印Ａ
′方向にトリミングされることになシ、抵抗値増分がト
リミングすることによシ小さくなるという効果が得られ
る。
の抵抗値調節パターン１８が矢印Ａ方向もしくは矢印Ａ
′方向にトリミングされることになシ、抵抗値増分がト
リミングすることによシ小さくなるという効果が得られ
る。
以上説明したように本発明によれば、抵抗体調整パター
ンを、抵抗値の調節を行かわない抵抗値非調節パターン
と、この抵抗値非調節パターンのｎ倍の長さを有する第
１の抵抗値調節パターンと、この第１の抵抗値調節パタ
ーンのｍ倍の長さを有する第２の抵抗値調節パターンと
を並列接続して構成したことによシ、第１．第２の抵抗
値調節パターンの形状が７４％さくなるので、抵抗体調
整パターン形成領域が小さくなり、薄膜抵抗素子の全体
形状を小さくすることができるとともに高精度のトリミ
ングおよびトリミング後の信頼性が向上できるなどの極
めて優れた効果が得られる。
ンを、抵抗値の調節を行かわない抵抗値非調節パターン
と、この抵抗値非調節パターンのｎ倍の長さを有する第
１の抵抗値調節パターンと、この第１の抵抗値調節パタ
ーンのｍ倍の長さを有する第２の抵抗値調節パターンと
を並列接続して構成したことによシ、第１．第２の抵抗
値調節パターンの形状が７４％さくなるので、抵抗体調
整パターン形成領域が小さくなり、薄膜抵抗素子の全体
形状を小さくすることができるとともに高精度のトリミ
ングおよびトリミング後の信頼性が向上できるなどの極
めて優れた効果が得られる。
第１図（り 、 （ｂ）は本発明による薄膜抵抗素子の
一実施例を説明するための抵抗体調整パターンの要部平
面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）および第３図（、）
、 （ｂ）は本発明に係る抵抗体調整パターンの他の実
施例を示す平面図、第４図〜第７図は従来の薄膜抵抗素
子の問題点を説明する要部平面図、第８図は抵抗体調整
パターンの切断数に対応する抵抗値の変化を示す図、第
９図は従来の抵抗体調整パターンを示す図である。 ８．９・・書・電極端子パターン、１２ 、１２Ａ・・
拳・抵抗体調整パターン、１３・・・・抵抗値非調節パ
ターン、１４・・・・第１の抵抗値調節パターン、１５
・・・・第２の抵抗値調節パターン、１６・・・・絶縁
性基板、１１・・・拳切断部、１８・・・・第２の抵抗
値調節パターン。
一実施例を説明するための抵抗体調整パターンの要部平
面図、第２図（ａ） 、 （ｂ）および第３図（、）
、 （ｂ）は本発明に係る抵抗体調整パターンの他の実
施例を示す平面図、第４図〜第７図は従来の薄膜抵抗素
子の問題点を説明する要部平面図、第８図は抵抗体調整
パターンの切断数に対応する抵抗値の変化を示す図、第
９図は従来の抵抗体調整パターンを示す図である。 ８．９・・書・電極端子パターン、１２ 、１２Ａ・・
拳・抵抗体調整パターン、１３・・・・抵抗値非調節パ
ターン、１４・・・・第１の抵抗値調節パターン、１５
・・・・第２の抵抗値調節パターン、１６・・・・絶縁
性基板、１１・・・拳切断部、１８・・・・第２の抵抗
値調節パターン。
Claims (1)
- 抵抗値調節の行なわない抵抗値非調節パターンと、前
記抵抗値非調節パターンのｎ倍の長さを有し抵抗値調節
を不連続的に行なう第１の抵抗値不連続調節パターンと
、前記第１の抵抗値不連続調節パターンのｍ倍の長さを
有し抵抗値調節を不連続的に行なう第２の抵抗値不連続
調節パターンとを並列接続してなる抵抗体調整パターン
を複数直列接続することを特徴とした薄膜抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62321542A JPH01164001A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 薄膜抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62321542A JPH01164001A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 薄膜抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01164001A true JPH01164001A (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=18133720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62321542A Pending JPH01164001A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 薄膜抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01164001A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2013047724A1 (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-04 | ローム株式会社 | チップ抵抗器および抵抗回路網を有する電子機器 |
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| CN104409323A (zh) * | 2014-10-24 | 2015-03-11 | 中国电子科技集团公司第四十一研究所 | 一种微波薄膜电阻制造方法 |
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| JP2018006771A (ja) * | 2017-09-28 | 2018-01-11 | ローム株式会社 | チップ部品 |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP62321542A patent/JPH01164001A/ja active Pending
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| EP0795880A3 (en) * | 1996-03-11 | 1998-12-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ladder-like resistor and method of manufacturing the same |
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