JPH0629109A - 抵抗体の抵抗値調整方法 - Google Patents

抵抗体の抵抗値調整方法

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Publication number
JPH0629109A
JPH0629109A JP4182279A JP18227992A JPH0629109A JP H0629109 A JPH0629109 A JP H0629109A JP 4182279 A JP4182279 A JP 4182279A JP 18227992 A JP18227992 A JP 18227992A JP H0629109 A JPH0629109 A JP H0629109A
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JP
Japan
Prior art keywords
resistance value
region
film
resistance
resistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP4182279A
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English (en)
Inventor
Shigeki Azuma
茂樹 東
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】抵抗体の抵抗値調整方法であって、抵抗値の調
整精度を高くする必要のない場合はもちろんのこと、抵
抗値の調整精度を高くする必要のある場合であっても短
時間で調整できるようにする。 【構成】抵抗膜5面の一部に複数個の小面積の導体膜4
を分散配置することにより抵抗値の低い領域5aと高い
領域5bとの2種類の領域をそれらが抵抗膜5の電流経
路に対して並列接続されるように配置し、抵抗値の低い
領域5aの抵抗膜5にシングルカット形状の切溝6を形
成するか、または、抵抗値の高い領域5bの抵抗膜5に
シングルカット形状の切溝を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板面に抵抗膜を形成
してなる抵抗体の抵抗値調整方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来例の抵抗体は、図5に示すように基
板11面に形成された一対の端子電極12,13間に抵
抗膜14を形成して構成されている。
【0003】このように構成された抵抗体の抵抗値は、
図6〜図8に示すように抵抗膜14にシングルカット、
ダブルカット、エルカット等と呼ばれる形状の切溝1
5,16,17を形成することにより所定の値に調整さ
れている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これらの抵抗値調整方
法のうち、図6に示すシングルカット形状と呼ばれるI
字形状の切溝15を形成した場合は、切溝15の形状が
単純であるため、短時間で抵抗値が調整できるという利
点があるが、切溝15が電流経路を横切る部分だけで構
成されているため、抵抗値の調整精度が低いという問題
があった。
【0005】また、図7に示すダブルカット形成と呼ば
れる2本のI字形状の切溝16を形成した場合は、1本
目の切溝16aで粗調整を行い、2本目の切溝16bで
微調整を行うことができるため、抵抗値の調整精度が高
くなるという利点があるが、2本の切溝が必要であるた
め、調整に時間がかかるという問題があった。
【0006】また、図8に示すエルカット形状と呼ばれ
るL形状の切溝17を形成した場合は、電流経路に沿う
切溝部分が存在することにより、この部分で微調整をす
ることができるため、図7の場合と同様に抵抗値の調整
精度が高くなるという利点があるが、切溝の方向を変え
る必要があるため、調整に時間がかかるという問題があ
った。
【0007】したがって、本発明においては、調整精度
を高くする必要のない場合はもちろんのこと、抵抗値の
調整精度を高くする必要がある場合であっても短時間で
抵抗値の調整をすることができる抵抗体の抵抗値調整方
法を提供することを目的としている。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の抵抗値調整方法においては、抵抗膜
面の一部に複数個の小面積の導体膜を分散配置すること
により抵抗値の低い領域と高い領域との2種類の領域を
形成し、かつ、該2種類の領域をそれらが抵抗膜の電流
経路に対して並列接続されるように配置し、該2種類の
領域の内のいずれか一方の領域の抵抗膜にシングルカッ
ト形状の切溝を形成して所定の抵抗値を得るようしたこ
とを特徴としている。
【0009】
【作用】複数個の小面積の導体膜を分散配置した領域
は、導体膜の存在していない領域にくらべて抵抗値が低
くなるため、1つの抵抗膜に抵抗値の低い領域と抵抗値
の高い領域とが形成される。
【0010】この抵抗値の低い領域と抵抗値の高い領域
とが抵抗膜の電流経路に対して並列接続されて配置され
ているため、それぞれの領域にシングルカット形状の切
溝を形成した場合、その切溝の単位長さ当たりの抵抗変
化は抵抗値の低い領域の方が抵抗値の高い領域にくらべ
て大きくなる。したがって、切溝の長さ寸法のバラツキ
による抵抗値のバラツキは、抵抗値の高い領域の方が小
さく、抵抗値の低い領域の方が大きくなる。
【0011】そのため、高い精度を必要としない場合
は、抵抗値の低い領域に切溝を形成し、高い精度を必要
とする場合は、抵抗値の高い領域に切溝を形成すればよ
い。
【0012】抵抗値の高い領域に切溝を形成する場合
は、抵抗値の低い領域に切溝を形成する場合にくらべて
切溝の長さが長くなるが、いずれの場合もシングルカッ
ト形状という単純な形状であるため、短時間で抵抗値の
調整を行うことができる。
【0013】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。
【0014】まず、図1に示すように基板1面に、対と
なる電極2,3と複数個の小面積の導体膜4とを形成す
る。この複数個の小面積の導体膜4は、一対の電極2,
3間を結ぶ方向と直交する方向のほぼ右側半分の領域に
分散配置される。これらの電極2,3と導体膜4は、導
体ペーストを同時にスクリーン印刷して乾燥し、そのの
ちに焼成して形成する。
【0015】ついで、図2に示すようにこの基板1面に
電極2,3に接続して抵抗膜5を形成する。この抵抗膜
5は、抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥し、その
のちに焼成して形成する。
【0016】このようにして形成された抵抗体の抵抗膜
5のうち、複数個の小面積の導体膜4が分散配置された
ほぼ右側半分の領域5aは抵抗値が低く、残るほぼ左側
半分の領域5bは前記領域5aにくらべて抵抗値が高く
なり、この2種類の領域5a,5bは抵抗膜5の電流経
路に対して並列接続された配置となる。
【0017】ついで、図3に示すように抵抗膜5の抵抗
値の低い領域5aにシングルカット形状の切溝6を形成
するか、あるいは、図4に示すように抵抗値の高い領域
5bにシングルカット形状の切溝7を形成して抵抗値の
調整を行う。切溝6,7の形成は、通常はレーザ光線を
照射することにより行う。
【0018】図3に示すように抵抗値の低い領域5aに
切溝6を形成した場合は、切溝の単位長さ当たりの抵抗
変化が大きいため、切溝6の長さは短くてよく、短時間
で抵抗値の調整ができる。しかしながら、この場合の抵
抗値の調整精度は低くなる。
【0019】図4に示すように抵抗値の高い領域5bに
切溝7を形成した場合は、切溝の単位長さ当たりの抵抗
変化が小さいため、切溝7の長さは図3の切溝6にくら
べて長くなる。しかしながら、この場合では、シングル
カット形状であるために切溝6にくらべて若干調整時間
が長くなるとしても短時間で抵抗値の調整ができ、しか
も抵抗値の調整精度は高くなる。
【0020】したがって、あまり抵抗値の調整精度を高
くする必要のない場合は、図3に示すような抵抗値の低
い領域5aに切溝6を形成すればよく、このようにする
ことにより短時間で抵抗値の調整ができる。また、抵抗
値の調整精度を高くする必要がある場合は、図4に示す
ような抵抗値の高い領域5bに切溝7を形成すればよ
い。
【0021】なお、抵抗値の低い領域5aと高い領域5
bとのそれぞれの位置を左右に反転させてもよく、それ
らの幅についても任意に設定することができる。
【0022】また、上述の実施例においては、電極2,
3と導体膜4とを抵抗膜5よりも先に形成しているが、
抵抗膜5を先に形成し、後で電極2,3と導体膜4とを
形成するようにしてもよい。当然のことであるが、導体
膜4を先に形成した場合は、導体膜4は抵抗膜5の下面
に位置し、後で形成した場合は、抵抗膜5の上面に位置
することになる。電極2,3の抵抗膜5と接する部分に
ついても同様である。
【0023】さらに、電極2,3と導体膜4とを別の工
程で形成し、導体膜4のみを抵抗膜5の上面に形成して
もよい。
【0024】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、抵抗膜に
抵抗値の低い領域と高い領域との2種類の領域を形成
し、この2種類の領域をそれらが抵抗膜の電流経路に対
し並列接続されるように配置し、そのいずれか一方の領
域の抵抗膜にシングルカット形状の切溝を形成して所定
の抵抗値を得るようにしたから、抵抗値の調整精度を高
くする必要のない場合はもちろんのこと、抵抗値の調整
精度を高くする必要のある場合であっても、短時間で抵
抗値の調整をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る抵抗体の抵抗値調整方
法を説明するための電極と導体膜とを形成した基板の要
部平面図である。
【図2】図1に示す基板に抵抗膜を形成して構成した抵
抗体の要部平面図である。
【図3】図2に示す抵抗膜の抵抗値の低い領域に切溝を
形成した抵抗体の要部平面図である。
【図4】図2に示す抵抗膜の抵抗値の高い領域に切溝を
形成した抵抗体の要部平面図である。
【図5】従来例の抵抗体の抵抗値調整方法を説明するた
めの抵抗体の要部平面図である。
【図6】抵抗膜にシングルカット形状の切溝を形成した
抵抗体の要部平面図である。
【図7】抵抗膜にダブルカット形状の切溝を形成した抵
抗体の要部平面図である。
【図8】抵抗膜にエルカット形状の切溝を形成した抵抗
体の要部平面図である。
【符号の説明】
1 基板 2,3 電極 4 導体膜 5 抵抗膜 6,7 切溝

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板面に抵抗膜を形成してなる抵抗体の
    抵抗値調整方法であって、 抵抗膜面の一部に複数個の小面積の導体膜を分散配置す
    ることにより抵抗値の低い領域と高い領域との2種類の
    領域を形成し、かつ該2種類の領域をそれらが抵抗膜の
    電流経路に対して並列接続されるように配置し、該2種
    類の領域の内のいずれか一方の領域の抵抗膜にシングル
    カット形状の切溝を形成して所定の抵抗値を得るように
    したことを特徴とする抵抗体の抵抗値調整方法。
JP4182279A 1992-07-09 1992-07-09 抵抗体の抵抗値調整方法 Pending JPH0629109A (ja)

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JP4182279A JPH0629109A (ja) 1992-07-09 1992-07-09 抵抗体の抵抗値調整方法

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JPH0629109A true JPH0629109A (ja) 1994-02-04

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