JPH0366103A - 膜抵抗体の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 セラミック基板上に形成する厚膜或いは薄膜よりなる膜
抵抗体の形成方法に関し、 過剰トリミング等が行われた抵抗膜パターンに適用して
、抵抗値を小さく変更し得る膜抵抗体の形成方法を提供
することを目的とし、 セラ旦ツク基板に形成した対向する一対の電極膜と、一
対の該電極膜に架橋するよう形成した抵抗膜パターンと
よりなる膜抵抗体の製造において、一対の該電極膜及び
該抵抗膜パターンの所望の部分に重畳する、絶縁性高分
子膜を形成する工程と、該抵抗膜パターンの抵抗値を所
望に設定するトリ≧ング工程と、該絶縁性高分子膜の所
望のエリアに、導電性を付与する導電性化工程とを、含
む構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、セラごツタ基板上に形成する厚膜或いは薄膜
よりなる膜抵抗体の形成方法に関する。

〔従来の技術〕

第３図は従来の膜抵抗体の平面図である。

図において、セラ５ツク基板１の表面に形成した２本の
導体パターン３−１．３−２の相対向する端末に、所望
の間隔を隔てて対向する矩形状の一対の電極膜２−１．
２−２をそれぞれ設けである。

これらの電極膜２４．２−２．導体パターン３−１．３
−２は、例えば銀・パラジュームの厚膜導体である。

４は、例えば酸化ルテニューム（ＲｕＯ□）の厚膜より
なる抵抗膜パターンであって、一対の電極膜２−１．２
−２に架橋するよう形成されている。

上記の抵抗膜パターン４の抵抗値Ｒは、Ｉ。

Ｗ・・・・抵抗膜パターンの幅 Ｔ・・・・抵抗膜パターンの膜厚 Ｌ・・・・抵抗膜パターンの長さ で定まる。

しかし、ρ、Ｗ、Ｔ、及びＬを所定に想定して、抵抗膜
パターンを形成した場合に、製作誤差その他の理由によ
りその抵抗値は理論上の計算値通りにはできない。

このため、従来は所望の抵抗値よりも低くなるように、
幅の広い抵抗膜パターン４を設計し、抵抗膜パターン４
を形成した後で、レーザービームを抵抗膜パターン４の
所望の個所に照射し、抵抗膜パターン４の幅を狭小にす
る切込５を設けるというトリ旦ングを実施することで、
抵抗膜パターン４の抵抗値を所望の目標値に調整してい
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら上記従来の膜抵抗体は、−旦トリごング実
施後に、設計変更等により抵抗値を小さくしたい場合が
あっても、小さくすることができないという問題点があ
った。

また、誤って過剰トリミングが行われ、抵抗値が所定以
上に大きくなった場合には、再調整することができない
という問題点があった。

本発明はこのような点に鑑みて創作されたもので、過剰
トリミング等が行われた抵抗膜パターンに適用して、抵
抗値を小さく変更し得る膜抵抗体の形成方法を提供する
ことを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

上記の目的を達成するために本発明は、第１図に示した
ように、セラミック基板１に形成した対向する一対の電
極膜２−Ｌ２−２と、一対の電極膜２−１．２−２に架
橋するよう形成した抵抗膜パターン４とよりなる膜抵抗
体の製造において、一対の電極膜２−１．２−２及び抵
抗膜パターン４の所望の部分に重畳するよう絶縁性高分
子膜１０を形成する。

そして、抵抗膜パターン４に所望の切込５を設けるトリ
ミングを実施する。

次に、過剰トリ果ングに対処して、切込５とは反対側の
絶縁性高分子膜１０の所望のエリアに高導電化処理を施
して、高導電性エリアｌＯＡとするものとする。

〔作用〕

上述の絶縁性高分子膜１０は、ポリイミド、ポリインチ
アナフテン、ポリパラフェニレン、ポリピロール等のπ
電子共役系高分子膜か、或いはこれらの高分子とポリビ
ニルアルコール、ポリエチレン等との複合膜である。

このような絶縁性高分子膜１０は、レーザービームの照
射により分子を炭化させたり、或いはドーピング材料と
して、（Ａｓ　Ｆｓ）、（ＢＦ３　）等のルイス酸や、
Ｉ２＋Ｂｒ２　等のハロゲン分子を用い、イオンン注入
、気相拡散によるドーピングにより、所望のエリアが高
導電性化されて、導電膜になる性質がある。

したがって、過剰トリごングが行われ抵抗膜パターン４
の抵抗値が大きくなった時、或いは最初に形成した抵抗
膜パターンの抵抗値が所望以上に大きい時、または設計
変更等の理由により抵抗値を小さくしたい時には、トリ
ミングの切込５とは反対側の絶縁性高分子ＩＱ　Ｉ　Ｑ
の所望のエリアに、高導電化処理を施すことで導電膜と
なり、抵抗膜パターン４の一部が短絡する。

即ち、膜抵抗体の抵抗値が小さくなり、抵抗値を所望に
調整することができる。

〔実施例］ 以下図を参照しながら、本発明を具体的に説明する。な
お、全図を通して同一符号は同一対象物を示す。

第１図は本発明方法の工程を示す図であり、第２図は本
発明による膜抵抗体の断面図である。

本発明の膜抵抗体の形成方法は、先ず第１図ｆａ）に示
すように、セラミック基板１の表面に２木の相対向する
導体パターン３−１．．３−２と、それぞれの導体パタ
ーンの端末に、所望の間隔を隔てて対向する矩形状の一
対の電極膜２−１．２−２を形成するそして、一対の電
極１＠２−１．２−２に架橋するように矩形状の抵抗膜
パターン４を形成する。

そしてさらに、一対の電極膜２−１．２−２及び抵抗膜
パターン４の一方の側縁部に重畳するように、細長い矩
形状の絶縁性高分子膜１０を形成する。

この絶縁性高分子膜１０は、ポリイミド、ポリインチア
ナフテン、ボリパラフ、エニレン、ポリピロール等のπ
電子共役系高分子膜か、或いはこれらの高分子とポリビ
ニルアルコール、ポリエチレン等との複合膜とする。

次に第１図（ｂ）に示すように、絶縁性高分子膜↓０を
外れた抵抗膜パターン４部分に、レーザービームを照射
して、抵抗膜パターン４の幅を狭小にする切込５を設け
てトリミングを実施し、抵抗膜パターン４の抵抗値が所
望の目標値になるように、抵抗値を大きくする。

そして、抵抗膜パターン４の抵抗値を測定し、抵抗値が
所定以上に大きく、過剰トリ旦ソゲされた場合には、絶
縁性高分子膜１０の所望の工°リアを導電性化する。

即ち、第１図（Ｃ）に示すように、切込５とは反対側の
細幅の抵抗膜パターン４部分及び電極膜２−１の一部を
覆う、絶縁性高分子膜１０のほぼ半体の矩形状のエリア
に、レーザービームを照射して高導電性エリアＩＯＡと
する。

上述のような高導電化処理を施す結果、膜抵抗体は第２
図に示すように、電極膜２−↓と電極膜２２とは、高導
電性エリアｌ０Ａ−切込５のない幅広の抵抗膜パターン
４を介して接続され、過剰トリ稟ングが補償されて抵抗
膜パターン４の抵抗値が小さくなる。即ち、膜抵抗体の
抵抗値が目標の抵抗値に調整される。

なお、導電性化工程後に、再度トリミング工程を実施し
得ること４Ｊ勿論のことである。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、抵抗膜パターン上に絶縁
性高分子膜を設け、必要に応して絶縁性高分子膜の一部
を導電膜にするという、膜抵抗体の形成方法であって、
過剰トリミングが行われた膜抵抗体、或いは抵抗値が誤
って大きく形成された膜抵抗体、さらにまた、設計変更
等の理由により抵抗値を小さくしたい膜抵抗体に適用し
て、抵抗値を所望に小さく調整することができるという
、実用上で優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の工程を示す図、 第２図は本発明による膜抵抗体の断面図、第３図は従来
の膜抵抗体の平面図である。 図において、 １はセラごツタ基板、 ２−１．２−２は電極膜、 ３−１　、３−２は導体パターン、 ４は抵抗膜パターン、 ５は切込、 １０は絶縁性高分子膜、 １０Ｍは高導電性工１／アをそれぞれ示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　セラミック基板（１）に形成した対向する一対の電極
   膜（２−１，２−２）と、一対の該電極膜（２−１，２
   −２）に架橋するよう形成した抵抗膜パターン（４）と
   よりなる膜抵抗体の製造において、 一対の該電極膜（２−１，２−２）及び該抵抗膜パター
   ン（４）の所望の部分に重畳する、絶縁性高分子膜（１
   ０）を形成する工程と、 該抵抗膜パターン（４）の抵抗値を所望に設定するトリ
   ミング工程と、 該絶縁性高分子膜（１０）の所望のエリアに、導電性を
   付与する導電性化工程とを、含むことを特徴とする膜抵
   抗体の形成方法。