JPH0680998B2 - 中間周波増幅器 - Google Patents
中間周波増幅器Info
- Publication number
- JPH0680998B2 JPH0680998B2 JP63079415A JP7941588A JPH0680998B2 JP H0680998 B2 JPH0680998 B2 JP H0680998B2 JP 63079415 A JP63079415 A JP 63079415A JP 7941588 A JP7941588 A JP 7941588A JP H0680998 B2 JPH0680998 B2 JP H0680998B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- frequency amplifier
- resistor
- intermediate frequency
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は車載用FMチューナなどに使用されるFM中間周波
増幅器に関する。
増幅器に関する。
従来、半導体集積回路で形成されたFM中間周波増幅器の
一例として、第３図に示すものがある。図中、12は集積
回路、11は安定化電源回路であり、トランジスタQ1,Q2,
Q3,Q5及び抵抗R1,R2,R3,R5から成る差動増幅器で形成さ
れている。ここで端子Ａは入力端子、Ｂは電源端子、Ｃ
はバイパス端子、Ｄは出力端子、Ｅはアース（接地）端
子で、それぞれ半導体集積回路12の外部引出し端子とな
っている。
一例として、第３図に示すものがある。図中、12は集積
回路、11は安定化電源回路であり、トランジスタQ1,Q2,
Q3,Q5及び抵抗R1,R2,R3,R5から成る差動増幅器で形成さ
れている。ここで端子Ａは入力端子、Ｂは電源端子、Ｃ
はバイパス端子、Ｄは出力端子、Ｅはアース（接地）端
子で、それぞれ半導体集積回路12の外部引出し端子とな
っている。
この中間周波増幅器の電圧利得は、次の（１）式で示さ
れる。
れる。
ここでAvは電圧利得、ｑは単位電荷、ｋはボルツマン定
数、Ｔは絶対温度、IoはトランジスタQ3のコレクタ電
流、RLは抵抗R1の抵抗値を示す。
数、Ｔは絶対温度、IoはトランジスタQ3のコレクタ電
流、RLは抵抗R1の抵抗値を示す。
上述した従来の中間周波増幅器では、半導体集積回路12
内の回路定数（例えば第１式のIo,RL）によって電圧利
得Avがほぼ決定される。例えば、FMチューナセット全体
の応用回路では、電圧利得を変更する必要が生じても１
個の半導体集積回路では対応できないという欠点があっ
た。そのため、別個の半導体集積回路を設計せざるを得
なくなり、経済性の上で問題があった。
内の回路定数（例えば第１式のIo,RL）によって電圧利
得Avがほぼ決定される。例えば、FMチューナセット全体
の応用回路では、電圧利得を変更する必要が生じても１
個の半導体集積回路では対応できないという欠点があっ
た。そのため、別個の半導体集積回路を設計せざるを得
なくなり、経済性の上で問題があった。
本発明の目的は、このような問題を解決し、容易に電圧
利得を変更できるようにした中間周波増幅器を提供する
ことにある。
利得を変更できるようにした中間周波増幅器を提供する
ことにある。
本発明の構成は、所定基準電圧を出力する安定化電源
と、各エミッタを共通接続して差動対構成としいずれか
一方のコレクタから出力を取り出す第１および第２のト
ランジスタと、これら第１、第２のトランジスタの共通
接続したエミッタをコレクタに接続しベースが前記基準
電圧に接続されエミッタが抵抗を介して接地された第３
のトランジスタとを同一半導体集積回路に形成した中間
周波増幅器において、ベースおよびコレクタが前記第３
のトランジスタのベースおよびコレクタにそれぞれ共通
接続され、エミッタが第２の抵抗を介して外部リード端
子に導き出された第４のトランジスタを設け、前記外部
リード端子に所定抵抗を付加することにより、電圧利得
が可変できるようにしたことを特徴とする。
と、各エミッタを共通接続して差動対構成としいずれか
一方のコレクタから出力を取り出す第１および第２のト
ランジスタと、これら第１、第２のトランジスタの共通
接続したエミッタをコレクタに接続しベースが前記基準
電圧に接続されエミッタが抵抗を介して接地された第３
のトランジスタとを同一半導体集積回路に形成した中間
周波増幅器において、ベースおよびコレクタが前記第３
のトランジスタのベースおよびコレクタにそれぞれ共通
接続され、エミッタが第２の抵抗を介して外部リード端
子に導き出された第４のトランジスタを設け、前記外部
リード端子に所定抵抗を付加することにより、電圧利得
が可変できるようにしたことを特徴とする。
次に本発明を図面により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例の回路図、第２図は第１図を
用いた応用回路の一例の回路図である。本実施例は、電
圧利得を変更する手段として（１）式の中のコレクタ電
流Ioを変更する手段を用いたことを特徴とする。図にお
いて、差動対トランジスタQ1,Q2の共通エミッタに供給
する定電流Ioは、トランジスタQ3及びトランジスタQ4の
各々のコレクタ電流の和となる。トランジスタQ3のコレ
クタ電流は、安定化電源11から供給されるトランジスタ
のベースバイアスと、抵抗R2の値によって決定され、半
導体集積回路12の上で一定に設定される。
用いた応用回路の一例の回路図である。本実施例は、電
圧利得を変更する手段として（１）式の中のコレクタ電
流Ioを変更する手段を用いたことを特徴とする。図にお
いて、差動対トランジスタQ1,Q2の共通エミッタに供給
する定電流Ioは、トランジスタQ3及びトランジスタQ4の
各々のコレクタ電流の和となる。トランジスタQ3のコレ
クタ電流は、安定化電源11から供給されるトランジスタ
のベースバイアスと、抵抗R2の値によって決定され、半
導体集積回路12の上で一定に設定される。
他方、トランジスタQ4のコレクタ電流は、エミッタが抵
抗４を介して外部引出し端子Ｆに取り出されているの
で、第２図に示す半導体集積回路12の外部に設けられた
抵抗R12によっても設定されている。また、R11はバイア
ス抵抗、C1はバイパスコンデンサ、R12は電圧利得設定
抵抗を示している。
抗４を介して外部引出し端子Ｆに取り出されているの
で、第２図に示す半導体集積回路12の外部に設けられた
抵抗R12によっても設定されている。また、R11はバイア
ス抵抗、C1はバイパスコンデンサ、R12は電圧利得設定
抵抗を示している。
例えば、第１図における抵抗R4と抵抗R2の抵抗値を同一
に選んだ場合、第２図の抵抗R12を零とすると、差動対
トランジスタQ1,Q2の定電流は、抵抗R12の値を無限大と
した場合に比べて２倍の値になる。これは、（１）式の
電圧利得を6dBだけ変更することが端子Ｆをアースに落
とすか、又は開放とするか、だけの変更で可能となる。
に選んだ場合、第２図の抵抗R12を零とすると、差動対
トランジスタQ1,Q2の定電流は、抵抗R12の値を無限大と
した場合に比べて２倍の値になる。これは、（１）式の
電圧利得を6dBだけ変更することが端子Ｆをアースに落
とすか、又は開放とするか、だけの変更で可能となる。
以上説明した様に本発明は、トランジスタQ4のエミッタ
を抵抗R4を介して外部端子に導き出すことにより、半導
体集積回路内の抵抗R4,R2の抵抗値を適切に選ぶことに
より、中間周波増幅器の電圧利得を容易に、しかも大き
な自由度をもって変更することが可能となるという効果
がある。
を抵抗R4を介して外部端子に導き出すことにより、半導
体集積回路内の抵抗R4,R2の抵抗値を適切に選ぶことに
より、中間周波増幅器の電圧利得を容易に、しかも大き
な自由度をもって変更することが可能となるという効果
がある。
第１図，第２図は本発明の一実施例の回路図および第１
図の応用例の回路図、第３図は従来の中間周波増幅器の
一例の回路図である。 11……安定化電源回路、12……半導体集積回路、A,B,C,
D,E,F……外部端子、Ｇ……入力端子、C1……コンデン
サ、Q1〜Q5……トランジスタ、R1〜R5,R11,R12……抵
抗。
図の応用例の回路図、第３図は従来の中間周波増幅器の
一例の回路図である。 11……安定化電源回路、12……半導体集積回路、A,B,C,
D,E,F……外部端子、Ｇ……入力端子、C1……コンデン
サ、Q1〜Q5……トランジスタ、R1〜R5,R11,R12……抵
抗。
Claims (1)
- 【請求項１】所定基準電圧を出力する安定化電源と、各
エミッタを共通接続して差動対構成としいずれか一方の
コレクタから出力を取り出す第１および第２のトランジ
スタと、これら第１、第２のトランジスタの共通接続し
たエミッタをコレクタに接続しベースが前記基準電圧に
接続されエミッタが抵抗を介して接地された第３のトラ
ンジスタとを同一半導体集積回路に形成した中間周波増
幅器において、ベースおよびコレクタが前記第３のトラ
ンジスタのベースおよびコレクタにそれぞれ共通接続さ
れ、エミッタが第２の抵抗を介して外部リード端子に導
き出された第４のトランジスタを設け、前記外部リード
端子に所定抵抗を付加することにより、電圧利得が可変
できるようにしたことを特徴とする中間周波増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63079415A JPH0680998B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 中間周波増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63079415A JPH0680998B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 中間周波増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251810A JPH01251810A (ja) | 1989-10-06 |
| JPH0680998B2 true JPH0680998B2 (ja) | 1994-10-12 |
Family
ID=13689237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63079415A Expired - Fee Related JPH0680998B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 中間周波増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0680998B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851611A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-26 | Hitachi Ltd | 可変抵抗回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62146311U (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-16 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63079415A patent/JPH0680998B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5851611A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-26 | Hitachi Ltd | 可変抵抗回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01251810A (ja) | 1989-10-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |