JPH0642337Y2 - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH0642337Y2 JPH0642337Y2 JP1984102590U JP10259084U JPH0642337Y2 JP H0642337 Y2 JPH0642337 Y2 JP H0642337Y2 JP 1984102590 U JP1984102590 U JP 1984102590U JP 10259084 U JP10259084 U JP 10259084U JP H0642337 Y2 JPH0642337 Y2 JP H0642337Y2
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Description
【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 この考案は、加圧接触形の半導体装置に関し、その圧接
力の保持機構を改良したものに関するものである。
力の保持機構を改良したものに関するものである。
一般に加圧接触形の半導体装置は、ケース内において、
半導体素子と電極とを皿バネを介して加圧保持して電気
・熱の伝導を行うものである。そしてこの加圧保持機構
としては、ネジ式又はスナップリング式のもの、さらに
は半導体ケースを数ケ所突き破り、これにより突起部を
形成して皿バネを押えつけ、圧力を保持する方式(特公
昭46−35213号)のものが考案されている。
半導体素子と電極とを皿バネを介して加圧保持して電気
・熱の伝導を行うものである。そしてこの加圧保持機構
としては、ネジ式又はスナップリング式のもの、さらに
は半導体ケースを数ケ所突き破り、これにより突起部を
形成して皿バネを押えつけ、圧力を保持する方式(特公
昭46−35213号)のものが考案されている。
即ち、第1図は従来の半導体装置(ダイオード)の断面
図を示す。図中、1は半導体素子、2は底部の支持体2a
とこれに固着された筒状体2bとからなり、下部にネジを
有するケースであり、これは陽極となっている。3は電
極棒であり、これは陰極となっている。6は皿バネ、4
は絶縁ワッシャー、5はワッシャーである。半導体素子
1はケース2上に載置され、この半導体素子1の上に絶
縁ワッシャー4,ワッシャー5,皿バネ6の嵌挿された電極
棒3が載置されている。
図を示す。図中、1は半導体素子、2は底部の支持体2a
とこれに固着された筒状体2bとからなり、下部にネジを
有するケースであり、これは陽極となっている。3は電
極棒であり、これは陰極となっている。6は皿バネ、4
は絶縁ワッシャー、5はワッシャーである。半導体素子
1はケース2上に載置され、この半導体素子1の上に絶
縁ワッシャー4,ワッシャー5,皿バネ6の嵌挿された電極
棒3が載置されている。
第2図はこの装置の突起部形成法を説明するための部分
断面図であり、加圧治具10により皿バネ6に下方、即ち
矢印C方向に所定の荷重を加え、その状態にてケース2
外側に配置された3本のバイト11を矢印D,E方向に破線
で示すように作動させ、これによりケース2の外壁を突
き破り、内側に突起部12を形成する。このとき、上端の
皿バネ6の上面に密接するよう突起部12を形成すること
は難かしく、該皿バネ6上面とバイト11下面との間は小
さな間隔hを設ける必要があるが、この間隔hが0に近
づくと皿バネ6を押しつぶしたり、バイト11が破損した
りする。一方上記間隔hがあると、これにより皿バネ6
のたわみ寸法が変動し、バネ荷重が大巾に減少すること
となる。
断面図であり、加圧治具10により皿バネ6に下方、即ち
矢印C方向に所定の荷重を加え、その状態にてケース2
外側に配置された3本のバイト11を矢印D,E方向に破線
で示すように作動させ、これによりケース2の外壁を突
き破り、内側に突起部12を形成する。このとき、上端の
皿バネ6の上面に密接するよう突起部12を形成すること
は難かしく、該皿バネ6上面とバイト11下面との間は小
さな間隔hを設ける必要があるが、この間隔hが0に近
づくと皿バネ6を押しつぶしたり、バイト11が破損した
りする。一方上記間隔hがあると、これにより皿バネ6
のたわみ寸法が変動し、バネ荷重が大巾に減少すること
となる。
また、突起部12を形成した後、加圧治具10を皿バネ6上
面より外すとき、皿バネ6の上部は、突起部12の下端と
接触するが、このとき皿バネ6の反発バネ力により突起
部12が上方向に少し変形して、前記同様皿バネ6のたわ
み寸法を変動させるので、さらにバネ荷重が減少するこ
とになる。ここで一般的に半導体素子1への圧接圧力は
電気,熱抵抗を考慮して100〜200kg/cm2に設計されてい
る。
面より外すとき、皿バネ6の上部は、突起部12の下端と
接触するが、このとき皿バネ6の反発バネ力により突起
部12が上方向に少し変形して、前記同様皿バネ6のたわ
み寸法を変動させるので、さらにバネ荷重が減少するこ
とになる。ここで一般的に半導体素子1への圧接圧力は
電気,熱抵抗を考慮して100〜200kg/cm2に設計されてい
る。
さらにバイト11にてケース2を突き破るとき、ケース2
より破片13が発生することがある。この破片13は絶縁ワ
ッシャー4上に落下して、ケース2と絶縁している電極
棒3とを短絡させ、電気特性を低下させるという問題を
引き起こす。
より破片13が発生することがある。この破片13は絶縁ワ
ッシャー4上に落下して、ケース2と絶縁している電極
棒3とを短絡させ、電気特性を低下させるという問題を
引き起こす。
即ちこの方式の保持機構は、生産性は良いが、皿バネ6
の荷重を精度よく制御できず、またケース2から破片13
が落下し電気特性を低下させるという欠点がある。
の荷重を精度よく制御できず、またケース2から破片13
が落下し電気特性を低下させるという欠点がある。
本考案は、上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、ケースを突き破り突起部を形成す
るのではなく、皿バネ等の弾性体を介して半導体素子に
所定の圧力を加えた状態にて筒状体の上端を一体に繋げ
たまま、この筒状体の上端の少なくとも3箇所に、筒状
体の上端を部分的に内周方向に曲げ込むようにして、皿
バネの上端部に接触加圧する折り曲げ部(受圧ツメ部)
を形成し、剛性の高い折り曲げ部(受圧ツメ部)を配設
することにより、突起部の位置の精度に関係なく,皿バ
ネの荷重を所定の値に保持でき、かつ破片の発生を防止
して電気特性の劣化を防止できる半導体装置を提供する
ことを目的としている。
めになされたもので、ケースを突き破り突起部を形成す
るのではなく、皿バネ等の弾性体を介して半導体素子に
所定の圧力を加えた状態にて筒状体の上端を一体に繋げ
たまま、この筒状体の上端の少なくとも3箇所に、筒状
体の上端を部分的に内周方向に曲げ込むようにして、皿
バネの上端部に接触加圧する折り曲げ部(受圧ツメ部)
を形成し、剛性の高い折り曲げ部(受圧ツメ部)を配設
することにより、突起部の位置の精度に関係なく,皿バ
ネの荷重を所定の値に保持でき、かつ破片の発生を防止
して電気特性の劣化を防止できる半導体装置を提供する
ことを目的としている。
以下、この考案の実施例を図について説明する。
第3図は本考案の一実施例による半導体装置の断面図を
示す。図中、第1図と同一符号は同一又は相当部分を示
す。但し、本実施例では皿バネ6を押圧するものとして
は、第1図の突起部12と異なり、底部の支持体2a及びこ
れに固着された筒状体2bからなるケース2の、該筒状体
2bの上端部を折り曲げることによって折り曲げ部12aが
形成されている。
示す。図中、第1図と同一符号は同一又は相当部分を示
す。但し、本実施例では皿バネ6を押圧するものとして
は、第1図の突起部12と異なり、底部の支持体2a及びこ
れに固着された筒状体2bからなるケース2の、該筒状体
2bの上端部を折り曲げることによって折り曲げ部12aが
形成されている。
次に、この折り曲げ部12aの形成法を第4図を参照して
説明する。
説明する。
ケース折り曲げ治具14は、少なくとも3本の曲げ具14a
を有し、曲げ具14aの下面と加圧治具10の下面との間は
h′の寸法を見込んでおく。このh′の寸法は、ケース
2の筒状体2bの肉厚と同じか、少し小さめにしておく。
また、ケース折り曲げ治具14の上下動作は、加圧治具10
の上下動作と連動するしくみになっている。
を有し、曲げ具14aの下面と加圧治具10の下面との間は
h′の寸法を見込んでおく。このh′の寸法は、ケース
2の筒状体2bの肉厚と同じか、少し小さめにしておく。
また、ケース折り曲げ治具14の上下動作は、加圧治具10
の上下動作と連動するしくみになっている。
ケース2の折り曲げ部12aを形成するには、まず加圧治
具10にて矢印C方向に所定の荷重を加えて皿バネ6を平
坦に押さえつける。そして、そのままの状態にて、加圧
治具10と連動している折り曲げ治具14の曲げ具14aを、
外から内側、即ち矢印A方向に押し出し、曲げ具14aの
先端部にてケース2の上端部の3箇所以上を折り曲げ
て、折り曲げ部12aを形成する。このときの曲げ具14aの
押し出し寸法は、上記の寸法h′と、その先端の丸味部
分にてケース2を押し曲げることとを考慮した上で、折
り曲げ部12aの厚味がケース2の壁の厚味とほほ同一に
なるように決める。このようにして形成された折り曲げ
部12aは、皿バネ6を介して半導体素子1に所定の荷重
を加えることとなる。
具10にて矢印C方向に所定の荷重を加えて皿バネ6を平
坦に押さえつける。そして、そのままの状態にて、加圧
治具10と連動している折り曲げ治具14の曲げ具14aを、
外から内側、即ち矢印A方向に押し出し、曲げ具14aの
先端部にてケース2の上端部の3箇所以上を折り曲げ
て、折り曲げ部12aを形成する。このときの曲げ具14aの
押し出し寸法は、上記の寸法h′と、その先端の丸味部
分にてケース2を押し曲げることとを考慮した上で、折
り曲げ部12aの厚味がケース2の壁の厚味とほほ同一に
なるように決める。このようにして形成された折り曲げ
部12aは、皿バネ6を介して半導体素子1に所定の荷重
を加えることとなる。
このように本実施例の半導体装置では、折り曲げ部12a
は皿バネ6の上端部を所定の加圧力で加圧した状態にて
折り曲げ形成されているので、皿バネ6のたわみのもど
りがなく、さらに皿バネ6による折り曲げ部12aの変形
もなく、バネ荷重の変化は発生しない。また、折り曲げ
部12aはケース2の上端部を折り曲げて形成しているの
で、破片の発生もなく、従来のような電気特性の劣化は
なくなる。
は皿バネ6の上端部を所定の加圧力で加圧した状態にて
折り曲げ形成されているので、皿バネ6のたわみのもど
りがなく、さらに皿バネ6による折り曲げ部12aの変形
もなく、バネ荷重の変化は発生しない。また、折り曲げ
部12aはケース2の上端部を折り曲げて形成しているの
で、破片の発生もなく、従来のような電気特性の劣化は
なくなる。
以上のように、この考案に係る半導体装置によれば、弾
性体を介して半導体素子に所定の加圧力を加え、該圧力
を保持した状態で筒状体の上端を一体を繋げたまま、こ
の筒状体の上端の少なくとも3箇所に、筒状体の上端を
部分的に内周方向に曲げ込むようにした折り曲げ部を配
設したので、弾性体の加圧力の変動を防止できるととも
に、ケースを突き破って突起部を形成する場合のような
破片の発生を防止でき、信頼度の高い半導体装置が得ら
れる効果がある。
性体を介して半導体素子に所定の加圧力を加え、該圧力
を保持した状態で筒状体の上端を一体を繋げたまま、こ
の筒状体の上端の少なくとも3箇所に、筒状体の上端を
部分的に内周方向に曲げ込むようにした折り曲げ部を配
設したので、弾性体の加圧力の変動を防止できるととも
に、ケースを突き破って突起部を形成する場合のような
破片の発生を防止でき、信頼度の高い半導体装置が得ら
れる効果がある。
第1図は従来例の半導体装置の断面図、第2図はその装
置の突起部形成法を示す部分断面図、第3図は本考案の
一実施例による半導体装置の断面図、第4図は本実施例
装置の折り曲げ部形成法を示す部分断面図である。 1…半導体素子、2…ケース、2a…支持体、2b…筒状
体、6…皿バネ(弾性体)、12a…折り曲げ部。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
置の突起部形成法を示す部分断面図、第3図は本考案の
一実施例による半導体装置の断面図、第4図は本実施例
装置の折り曲げ部形成法を示す部分断面図である。 1…半導体素子、2…ケース、2a…支持体、2b…筒状
体、6…皿バネ(弾性体)、12a…折り曲げ部。 なお図中同一符号は同一又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項1】支持体と、該支持体上に配置された半導体
素子と、 この半導体素子の上方に設けられ所定の加圧力で該素子
を上記支持体に圧接する弾性体と、 その下端部が上記支持体に固着され上記半導体素子及び
弾性体を収納する筒状体と、 この筒状体の上端を一体に繋げたまま、該筒状体の上端
の少なくとも3箇所に、該上端を部分的に内周方向に曲
げ込むようにして配設されると共に弾性体の上端部に加
圧接触されることにより弾性体を介して上記半導体素子
に上記加圧力を加える受圧ツメ部とを備えたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984102590U JPH0642337Y2 (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 半導体装置 |
CA000486075A CA1234228A (en) | 1984-07-05 | 1985-06-28 | Semiconductor device |
DE19853524191 DE3524191A1 (de) | 1984-07-05 | 1985-07-05 | Halbleitereinrichtung |
US07/056,990 US4803180A (en) | 1984-07-05 | 1987-06-03 | Method for manufacturing pressure contact semiconductor devices |
US07/075,218 US4792844A (en) | 1984-07-05 | 1987-07-20 | Pressure contact semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1984102590U JPH0642337Y2 (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6117735U JPS6117735U (ja) | 1986-02-01 |
JPH0642337Y2 true JPH0642337Y2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=14331444
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1984102590U Expired - Lifetime JPH0642337Y2 (ja) | 1984-07-05 | 1984-07-05 | 半導体装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US4803180A (ja) |
JP (1) | JPH0642337Y2 (ja) |
CA (1) | CA1234228A (ja) |
DE (1) | DE3524191A1 (ja) |
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FR2665817B1 (fr) * | 1990-08-07 | 1996-08-02 | Auxilec | Diode a electrode et a boitier assembles sans soudure ni sertissage, et pont redresseur realise avec de telles diodes. |
DE102010055470B4 (de) * | 2010-12-22 | 2017-10-19 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | RFID-Transponder und schlüsselloses Fahrzeugzugangssystem |
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-
1984
- 1984-07-05 JP JP1984102590U patent/JPH0642337Y2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1985
- 1985-06-28 CA CA000486075A patent/CA1234228A/en not_active Expired
- 1985-07-05 DE DE19853524191 patent/DE3524191A1/de not_active Ceased
-
1987
- 1987-06-03 US US07/056,990 patent/US4803180A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-20 US US07/075,218 patent/US4792844A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4792844A (en) | 1988-12-20 |
JPS6117735U (ja) | 1986-02-01 |
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