JPS63252430A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS63252430A
JPS63252430A JP273388A JP273388A JPS63252430A JP S63252430 A JPS63252430 A JP S63252430A JP 273388 A JP273388 A JP 273388A JP 273388 A JP273388 A JP 273388A JP S63252430 A JPS63252430 A JP S63252430A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bending
case
pressure
semiconductor device
disc spring
Prior art date
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Pending
Application number
JP273388A
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English (en)
Inventor
Mitsuo Odate
大館 光雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS63252430A publication Critical patent/JPS63252430A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、加圧接触型の半導体装置の製造方法に関し
、特にその圧接力の保持機構を改良したものの製造方法
に関するものである。
〔従来の技術〕
一般に加圧接触型の半導体装置は、ケース内において、
半導体素子と電極とを皿バネを介して加圧保持して電気
・熱の伝導を行うものである。そしてこの加圧保持機構
としては、ネジ式又はスナップリング式のもの、さらに
は半導体ケースを数ヶ所突き破り、これにより突起部を
形成して皿バネを押えつけ、圧力を保持する方式(特公
昭46−35213号)のものが考案されている。
即ち、第1図は従来の半導体装置(ダイオード)の断面
図を示す0図中、1は半導体素子、2は底部の支持体2
aとこれに固着された筒状体2bとからなり、下部にネ
ジを有するケースであり、これは陽極となっている。3
は電極棒であり、これは陰極となっている。6は皿バネ
、4は絶縁ワッシャー、5はワッシャーである。半導体
素子1はケース2上に戴置され、この半4体素子1の上
に絶縁ワッシャ−4,ワツシヤー59 挿された電極棒3が載置されている。
第2図はこの装置の突起部形成法を説明するための部分
断面図であり、加圧治具10により皿バネ6に下方、即
ち矢印C方向に所定の荷重を加え、その状態にてケース
l外側に配置された3本のバイト11を矢印り,E方向
に破線で示すように作動させ、これによりケース2の外
壁を突き破り、内側に突起部12を形成する。このとき
、上端の皿バネ6の上面に密接するよう突起部12を形
成することは難しり、該皿バネ6上面とバイト11下面
との間は小さな間隔りを設ける必要があるが、この間隔
りが0に近づくと皿バネ6を押しつぶしたり、バイト1
1が破損したりする.一方上記間隔りがあると、これに
より皿バネ6のたわみ寸法が変動し、バネ荷重が大幅に
減少することとなる。
また、突起部L2を形成した後、加圧治具10を皿バネ
6上面より外すとき、皿バネ6の上部は、突起部12の
下端と接触するが、このとき皿バネ6の反発バネ力によ
り突起部12が上方向に少し変形して、前記同様皿バネ
6のたわみ寸法を変動させるので、さらにバネ荷重が減
少することになる。ここで一般的に半導体素子1への圧
接圧力は電気,熱抵抗を考慮して100〜200kg/
cm”に設計されている。
さらにバイト11にてケース2を突き破るとき、ケース
2より破片13が発生することがある。この破片13は
絶縁ワッシャー4上に落下して、ケース2と絶縁してい
る電極棒3とを短絡させ、電気特性を低下させるという
問題を引き起こす。
即ちこの方式の保持機構は、生産性は良いが、皿バネ6
の荷重を精度よく制御できず、またケース2から破片1
3が落下し電気特性を低下させるという欠点がある。
〔発明が解決しようとする問題点〕
本発明は、上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、突起部の位置の精度に関係なく、
皿バネの荷重を所定の値に保持でき、かつ破片の発生を
防止して電気特性の劣化を防止できる半導体装置の製造
方法を提供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ケースを突き破
り、突起部を形成するのではなく、皿バネ等の弾性体を
介して半導体素子に所定の圧力を加えた状態にてケース
上端を内側に折り曲げて皿バネの上端部に接触加圧する
折り曲げ部を形成するようにしたものである。
〔作用〕
本発明においては、皿バネを介して半導体素子に所定の
圧力を加えた状態にてケース上端を内側に折り曲げて皿
バネの上端部に接触加圧する折り曲げ部を形成するよう
にしたので、突起部の位置の精度に関係なく、皿バネの
荷重を所定の値に保持できるとともに、破片の発生を防
止でき、半導体装置の電気特性の劣化を防止することが
できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第3図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す断面図である0図中、第1図と同一符号は同−又
は相当部分を示す.但し、本実施例では皿バネ6を押圧
するものとしては、第1図の突起部12と異なり、底部
の支持体2a及びこれに固着された筒状体2bからなる
ケース2の、該筒状体2bの上端部を折り曲げることに
よって形成した折り曲げ部12aを用いている。
次に、本発明の製造方法を第4図を参照して説明する。
ケース折り曲げ治具14は、少なくとも3本の曲げ具1
4aを有し、曲げ具14aの下面と加圧治具10の下面
との間はh′の寸法を見込んでおく.このh′の寸法は
、ケース2の筒状体2bの肉厚と同じか、少し小さめに
してお(。また、ケース折り曲げ治具14の上下動作は
、加圧治具10の上下動作と連動するしくみになってい
る。
ケース2の折り曲げ部12aを形成するには、まず加圧
治具10にて矢印C方向に所定の荷重を加えて皿バネ6
を平坦に押さえつける。そして、そのままの状態にて、
加圧治具10と連動している折り曲げ治具14の曲げ具
14aを、外から内側、即ち矢印A方向に押し出し、曲
げ具14aの先端部にてケース2の上端部の3箇所以上
を折り曲げて、折り曲げ部12aを形成する。このとき
の曲げ具14aの押し出し寸法は、上記の寸法h′と、
その先端の丸味部分にてケース2を押し曲げることとを
考慮した上で、折り曲げ部12aの厚味がケース2の壁
の厚味とほぼ同一になるように決める。このようにして
形成された折り曲げ部12aは、皿バネ6を介して半導
体素子1に所定の荷重を加えることとなる。
このように本実施例の半導体装置の製造方法では、折り
曲げ部12aは皿バネ6の上端部を所定の加圧力で加圧
した状態にて折り曲げ形成するようにしているので、皿
バネ6のたわみのもどりがなく、さらに皿バネ6による
折り曲げ部12aの変形もなく、バネ荷重の変化は発生
しない。また、折り曲げ部12aはケース2の上端部を
折曲げて形成しているので、破片の発生もなく、従来の
ような半導体装置の電気特性の劣化はなくなる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る半導体装置の製造方法に
よれば、弾性体を介して半導体素子に所定の加圧力を加
え、該圧力を保持した状態で筒状体の上端部を折り曲げ
て折り曲げ部を形成するようにしたので、弾性体の加圧
力の変動を防止できるとともに、ケースを突き破って突
起部を形成する場合のような破片の発生を防止でき、信
幀度の高い半導体装置が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例の半導体装置の製造方法を示す断面図、
第2図はその装置の突起部形成法を示す部分断面図、第
3図は本発明の一実施例による半導体装置の製造方法を
示す断面図、第4図は上記実施例装置の折り曲げ部形成
法を示す部分断面図である。 1・・・半導体素子、2・・・ケース、2a・・・支持
体、2b・・・筒状体、6・・・皿バネ(弾性体)、1
2a・・・折り曲げ部。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)筒状体の収容領域内において支持体上に半導体素
    子を配置する工程と、 上記半導体素子上に弾性体を配置する工程と、上記弾性
    体を押圧し、該弾性体を介して上記半導体素子に所定の
    圧力を加える工程と、 上記所定の圧力を加えた状態にて、上記筒状体の上端の
    3箇所以上を加圧折り曲げ装置によって折り曲げること
    により複数の折り曲げ部を形成し、かつ該折り曲げ部を
    上記弾性体と該弾性体が圧縮された状態で接触させる工
    程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. (2)上記弾性体は上記複数の折り曲げ部を形成する時
    に同時に押圧することを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の半導体装置の製造方法。
  3. (3)上記弾性体は皿ばねであることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項または第2項記載の半導体装置の製造
    方法。
JP273388A 1988-01-09 1988-01-09 半導体装置の製造方法 Pending JPS63252430A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0298715A (ja) * 1988-10-05 1990-04-11 I M V Kk 振動制御装置
JP2009057913A (ja) * 2007-08-31 2009-03-19 Denso Corp スタータ

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56129331A (en) * 1980-03-12 1981-10-09 Mitsubishi Electric Corp Pressure contact type semiconductor device

Patent Citations (1)

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