JPS5824452Y2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS5824452Y2
JPS5824452Y2 JP7887079U JP7887079U JPS5824452Y2 JP S5824452 Y2 JPS5824452 Y2 JP S5824452Y2 JP 7887079 U JP7887079 U JP 7887079U JP 7887079 U JP7887079 U JP 7887079U JP S5824452 Y2 JPS5824452 Y2 JP S5824452Y2
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JP
Japan
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auxiliary
lead
electrode terminal
terminal
hermetically sealed
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JP7887079U
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JPS55179064U (ja
Inventor
光雄 大館
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三菱電機株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案はサイリスタ、トライアックなどの補助電極を
有する半導体装置に係り、特にその補助電極に加圧接触
される補助リードの加圧機構の改良に関するものである
以下、電力用サイリスタを例にとり説明する。
第1図は従来の電力用サイリスタの一例を示す縦断面図
である。
図において、1はサイリスタ素子で、このサイリスタ素
子1は、pnpn接合を有し端面に所定のベベリングと
安定化処理とが施された半導体基板1aと、熱膨張係数
の小さなモリブチ゛ンからなり半導体基板1aの第1の
主面にろう材1bによってろう付けされ陽極電極を構成
する支持板1Cと、半導体基板1aの第2の主面に形成
されたアルミニウム蒸着層からなる環状の陰極電極1d
と、この環状の陰極電極1dに取り囲まれた半導体基板
1a上に形成されたアルミニウム蒸着層からなるゲート
電極1eとで構成されている。
2は陽極端子で、この陽極端子2は、柱状の鋼材からな
り第1の端面にサイリスタ素子1の支持板1Cが加圧接
触され第2の端面に取り付けねじが設けられ陽極電流を
導くスタッド2aと、このスタッド2aの第1の端面に
加圧接触されたサイリスタ素子1の側面を取り囲むよう
に設けられた鉄製の管状体2bと、この管状体2bの一
端部にこれと一体に設けられスタッド2aの第1の端面
に固着された鉄製のつば状体2Cとで構成されている。
3は内部にサイリスク素子1を収容し、このサイリスタ
素子1の性能が外部雰囲気によって劣化するのを防止す
るためのパッケージで、このパッケージ3は、鉄合金か
らなり陽極端子2の管状体2bの側面を取り囲み一端部
が陽極端子2のつば状体2Cにその全周にわたって抵抗
溶接またはアーク溶接で気密封着された金属筒体3aと
、この金属筒体3aの他端部に気密封着されたセラミッ
クからなる絶縁体3bと、銅棒からなり絶縁体3bにこ
れを貫通し外部に突出するように気密封着されサイリス
タ素子1側の端面部に陰極電流を導く後述の陰極引出し
端子が挿入される第1の凹部とこの端面部の反対側の端
面部に陰極端子リード(図示せず)が挿入される第2の
凹部とが設けられた陰極中継ぎ体3Cと、鉄合金からな
り上記絶縁体3bにこれを貫通し外部に突出するように
気密封着されこれも後述するゲートリードが挿入される
管状のゲート電極端子3dとで構成されている。
4はステンレスばね鋼線などの弾性導電部材からなり一
端がサイリスタ素子1のゲート電極1eに圧接し他端が
パッケージ3の管状のゲート電極端子3d内に挿入され
るゲートリードで、このゲートリード4がゲート電極1
eに所定圧接荷重で圧接するための弾性力を得るために
、ゲートリード4の管状のゲート電極端子3dへの挿入
側の所定部分にコイル状に巻回されたコイル部4aが設
けである。
5はゲートリード4を絶縁するためにゲートリード4に
被覆された絶縁管、6は鋼材からなりサイリスク素子1
の陰極電極1dに圧接された平板部とこの平板部と一体
に設けられパッケージ3の陰極中継ぎ体3Cの第1の凹
部内に挿入されて陰極電流を導き出す棒状部とで構成さ
れた陰極引出し端子で、この陰極引出し端子6には、上
記平板部の陰極電極1dとの圧接面からその棒状部の軸
方向に沿うて縦穴が形成され、この縦穴から上記ゲー)
IJ−ド4を上記棒状部の外に引出すための横穴が形
成されている。
7はアルミナセラミックからなり陰極引出し端子6の上
記縦穴内に挿入されゲートリード4の先端部をサイリス
タ素子1のゲート電極1e上へ導くための貫通孔を有す
るゲートリード支持体、8はアルミナセラミックからな
り陰極引出し端子6の棒状部の外側にはめ込まれその平
板部上に装着された段付き絶縁環状体、9はばね鋼から
なり陽極端子2の管状体2bの開口端部と段付き絶縁環
状体8との間に挿入され、この絶縁環状体8を介して陰
極引出し端子6の平板部をサイリスタ素子1の陰極電極
1dに押圧するための皿ばねである。
次に、この従来例のサイリスタの組立工程について説明
する。
まず、第1の段階として、段付き絶縁環状体8を陰極引
出し端子6の棒状部にはめ込んでその平板部上に装着し
たのち、この絶縁環状体8の上に皿ばね9をその凹面が
上になるようにして装着する。
この皿ばね9と陰極引出し端子6とは絶縁環状体8によ
って絶縁されている。
次に、第2の段階として、陽極端子2のスタッド2a上
に、これとサイリスタ素子1の支持板1Cとが接触する
ようにして、サイリスタ素子1を載置し、このサイリス
タ素子1の環状の陰極電極1dの上に、上記第1の段階
において組立てられた陰極引出し端子6をその平板部が
陰極電極1dと接触するようにして載置する。
次いで、第3の段階として、上記第1および第2の段階
を経て組立てられた組立体の陽極端子2を加圧装置(図
示せず)上に載せて、皿ばね9の外周部に上方から荷重
を加え、この皿ばね9がほぼ平板状になるようにすると
ともに、陽極端子2の管状体2bの開口端部に横方向か
ら圧力を加えて、この管状体2bの開口端部を変形させ
、この変形によって上記器ばね9がほぼ平板状の状態を
保持するようにする。
そうすると、この皿ばね9の弾性力によって、陰極引出
し端子6の平板部とサイリスタ素子1の陰極電極1dと
が加圧接触させられる。
次に、第4の段階として、上記陰極引出し端子6の棒状
部の縦穴内にその横穴からゲートリード支持体7を挿入
し、このゲートリード支持体7をサイリスタ素子1のゲ
ート電極1e上に載置する。
しかるのち、第5の段階として、このゲートリード支持
体7の貫通孔内ヘゲ−) IJ−ド4の絶縁管5が被覆
されている側の先端部を挿入し、パッケージ3の管状の
ゲート電極端子3d内へ上記ゲートリード4の絶縁管5
が被覆されていない側の先端部を挿入するとともに、パ
ッケージ3の陰極中継ぎ体3Cの第1の凹部内へ陰極引
出し端子6の棒状部を挿入する。
最後に、第6の段階として、パッケージ3の金属筒体3
aと陽極端子2のつば状体2Cとを抵抗溶接もしくはア
ーク溶接で気密封着するとともに、パッケージ3の管状
のゲート電極端子3d内へ挿入され、このゲート電極端
子3dから外部に突き出ているゲートリード4の先端部
を治工具(図示せず)を用いてゲート電極端子3d内に
押し込みながら、ゲート電極端子3dとゲートリード4
とを外部がら機械的に圧着して溶接などによって気密封
着する。
このように、ゲートリード4の先端部をゲート電極端子
3d内に押し込んで気密封着すると、ゲートリード4に
、コイル部4aのひねり、図示イの部分のたわみなどの
弾性変形が生じ、この弾性変形による弾性力によってゲ
ートリード4の先端部とサイリスタ素子1のゲート電極
1eとが加圧接触させられる。
ところが、このように、ゲート電極端子3dから外部に
突き出ているゲートリード4の先端部をゲート電極端子
3d内に押し込みながらこれらを機械的に圧着して気密
封着するとき、ゲー) IJ−ド4の先端部のゲート電
極端子3d内への押込みのばらつきによって、ゲートリ
ード4のコイル部4aおよび図示イの部分の弾性変形に
よる弾性力にばらつきが生じて、ゲートリード4の先端
部のサイリスタ素子1のゲート電極1eへの押圧力が変
動し、これらの間の電気的接触抵抗も変動するという問
題があった。
この考案は、上述の問題に鑑みてなされたもので、補助
リード(上記例ではゲートリード)のパッケージの絶縁
体に気密封着された管状の補助電極端子内へ挿入される
側の所定部分に、上記補助電極端子の内径より大きい加
工部を設け、上記パッケージと半導体素子が載置された
主電極端子とを気密封着するとき、上記半導体素子の補
助電極に補助リードの下端部を当接させた状態で上記加
工部が上記補助電極端子または上記絶縁体によって下方
に押し下げられて、上記補助リードが所定の弾性変形す
るようにすることによって、上記補助リードの上記半導
体素子の補助電極への押圧力の変動を抑制し、これらの
間の電気的接触抵抗のばらつきのない、作業性のよい半
導体装置を提供することを目的とする。
第2図はこの考案の一実施例の電力用サイリスクを示す
縦断面図である。
図において、40はこの実施例のゲートリードである。
この実施例の構造は、ゲートリード40以外は第1図の
縦断面図に示した従来例の構造とほぼ同様である。
この実施例のゲートリード40は、パッケージ3の金属
筒体3aと陽極端子のつば状体2Cとが気密封着された
ときの絶縁体3bの下面とサイリスタ素子1のゲート電
極1eの表面との間の距離Hより、このゲート電極1e
の表面に接するゲートリード40の先端部とゲート電極
端子3dの内径より大きいコイル部40 aの上端との
間のこの表面と垂直な方向の距離が所定の長さhだけ長
くなるように構成されている。
従って、パッケージ3の金属筒体3aと陽極端子2のつ
ば状体2Cとが気密封着される以前の状態では、第3図
の縦断面図に示すように、パッケージ3の金属筒体3a
の開口端面と陽極端子2のつば状体2Cとの間に長さh
のすき間ができる。
この実施例の組立工程は、第1図の縦断面図に示した従
来例の組立工程とほぼ同様であるので、第3図の縦断面
図は、上記従来例の組立工程の第1〜第5の段階に対応
する各段階を終了したときのこの実施例の状態を示す。
上記従来例の最後の第6の段階に対応するこの実施例の
段階において、パッケージ3の金属筒体3aと陽極端子
2のつば状体2Cとを接触させて抵抗溶接もしくはアー
ク溶接で気密封着する。
このとき、ゲートリード40のコイル部40 aがパッ
ケージ3の絶縁体3bによって押し下げられて、ゲート
リード40に、こイル部40 aのひねり、図示イの部
分のたわみなどの弾性変形が生じ、この弾性変形による
弾性力によってゲートリード40の先端部とサイリスク
素子1のゲート電極1eとが加圧接触させられる。
次いで、パッケージ3の管状のゲート電極端子3dとこ
れに挿入されているゲートリード40の先端部とを外部
から機械的に圧着して溶接などによって気密封着する。
このように、この実施例では、従来例のように管状のゲ
ート電極端子3dから外部に突出しているゲー) IJ
−ド40の先端部をゲート電極端子3d内に押し込んで
ゲートリード40に弾性変形を生じさせながらこれらを
気密封着する必要がないので、ゲートリード40の先端
部をゲート電極端子3d内へ押し込む作業がなく、作業
性の向上を図ることができるとともに、ゲートリード4
0の先端部のゲート電極端子3d内へ押し込みの変動に
よるゲートリード40のサイリスタ素子1のゲート電極
1eへの押圧力のばらつきがなく、これらの間の電気的
接触抵抗のばらつきもなくなる。
この実施例では、ゲートリード40のコイル部40 a
をパッケージ3の絶縁体3bで押し下げてゲートリード
40に弾性変形が生ずるようにしたが、必ずしもコイル
部40 aを絶縁体3bで押し下げるようにする必要が
なく、ゲートリードの管状のゲート電極端子3d内へ挿
入される側の所定部分に、ゲート電極端子3dの内径よ
り大きい加工部を設け、この加工部をゲート電極端子3
dまたは絶縁体3bで押し下げるようにしてもよい。
なお、これまで、電力用サイリスタを例にとり説明した
が、この考案はこれに限らず、その他の補助電極を有す
る半導体装置にも適用できることは言うまでもない。
以上、説明したように、この考案の半導体装置では、半
導体素子が載置されその第1の主面に形成された第1の
主電極に電気的に接続された第1の主電極端子に一端縁
が気密封着されるとともに絶縁体に他端縁が気密封着さ
れ内部に上記半導体素子を収容する金属筒体と、上記絶
縁体に気密封止された管状の補助電極端子と、弾性導電
部材からなり一方の先端部が上記管状の補助電極端子内
に挿入圧着されそれ自体の弾性変形による弾性力によっ
て他方の先端部が上記半導体素子の第2の主面に形成さ
れた補助電極に加圧接触された補助リードとを備えたも
のにおいて、上記補助リードの上記管状の補助電極端子
内に挿入圧着される側の所定部分に上記補助電極端子の
内径より大きい加工部を設け、上記半導体素子が載置さ
れた上記第1の主電極端子上に上記半導体素子を取り囲
むように、上記補助電極端子が気密封着された上記絶縁
体に一端縁が気密封着された上記金属筒体の他端縁を気
密封着するときに、上記補助電極端子または上記絶縁体
によって上記加工部の位置決めされた上記補助リードの
自由下端が上記気密封着後の上記半導体素子の補助電極
の表面位置より所定量下方にあるようにした状態で上記
気密封着することによって上記自由下端が上記補助電極
表面によって押圧され上記補助リードが所定の弾性変形
するようにしたので、従来例のように、上記補助電極端
子から外部に突出している上記補助リードを上記補助電
極端子内に押し込んで上記補助リードに弾性変形させな
がらこれらを気密封着する必要がないため、上記補助リ
ードの先端部を上記補助電極端子内へ押し込む作業がな
く、作業性の向上を図ることができるとともに、上記補
助リードの先端部の上記補助電極端子内への押し込みの
変動による上記補助リードの上記補助電極への押圧力の
ばらつきがなく、これらの間の電気的接触抵抗のばらつ
きもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電力用サイリスタの一例を示す縦断面図
、第2図はこの考案の一実施例の電力用サイリスタを示
す縦断面図、第3図は上記実施例のパッケージと陽極端
子とが固着される以前の状態を示す縦断面図である。 図において、1は半導体素子、1Cは第1の主電極、1
dは第2の主電極、1eはゲート電極(補助電極)、2
は第1の主電極端子、3aは金属筒体、3bは絶縁体、
3Cは第2の主電極端子、3dはゲート電極端子(補助
電極端子)、4および10はそれぞれゲートリード(補
助リード)、6は主電極引出し端子である。 なお、図中同一符号はそれぞれ同一もしくは相当部分を
示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第1の主面に第1の主電極が形成され第2の主面に第2
    の主電極と補助電極とが形成された半導体素子、この半
    導体素子が載置され上記第1の主電極に電気的に接続さ
    れた第1の主電極端子に一端縁が気密封着されるととも
    に絶縁体に他端縁が気密封着され内部に上記半導体素子
    を収容する金属筒体、上記絶縁体に互いに独立に気密封
    着された第2の主電極端子および管状の補助電極端子、
    一端が上記第2の主電極に電気的に接続され他端が上記
    第2の主電極端子に電気に接続され主電流を導く主電極
    引出し端子、並びに弾性導電部材からなり一方の先端部
    が上記管状の補助電極端子内に挿入圧着されそれ自体の
    弾性変形による弾性力によって他方の先端部が上記補助
    電極に加圧接触された補助リードを備えたものにおいて
    、上記補助リードの上記管状の補助電極端子内に挿入圧
    着される側の所定部分に上記補助電極端子の内径より大
    きい加工部を設け、上記半導体素子が載置された上記第
    1の主電極端子上に上記半導体素子を取り囲むように、
    上記補助電極端子が気密封着された上記絶縁体に一端縁
    が気密封着された上記金属筒体の他端縁を気密封着する
    ときに、上記補助電極端子または上記絶縁体によって上
    記加工部の位置決めされた上記補助リードの自由下端が
    上記気密封着後の上記半導体素子の補助電極の表面位置
    より所定量下方にあるようにした状態で上記気密封着す
    ることによって上記自由下端が上記補助電極表面によっ
    て押圧され上記補助リードが所定の弾性変形するように
    したことを特徴とする半導体装置。
JP7887079U 1979-06-08 1979-06-08 半導体装置 Expired JPS5824452Y2 (ja)

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Publication Number Publication Date
JPS55179064U JPS55179064U (ja) 1980-12-23
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