JPS63124535A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、圧接形半導体装置の制御電極圧接機構に関す
るものである。

〔従来の技術〕

第９図および第１２図は半導体装置の第１の従来例を示
す断面図、第４図、第１０図、第１１図、第１３〜第１
５図は第９図および第１２図の装置の主要構成部品を示
す拡大平面図、拡大縦断面図である。なお、ここでは半
導体装置としてサイリスタについて説明する。

第９図において、１はサイリスク装置のサイリスク素子
構成体である。サイリスタ素子構成体１において、２は
サイリスタ素子のシリコン基板、３はシリコン基板の中
央に通常アルミニウム等の真空蒸着により形成された制
御電極、４は制御電極３の周囲に制御電極３と同じ方法
にて形成された第１の主電極としての環状陰極、５は例
えばタングステン板又はモリブデン板から成りシリコン
基板を外部衝撃から補強するための第２の主電極として
の陽極支持板であり、通常は、シリコン基板２と陽極支
持板５は例えば真空合金等による合金により抵抗接着さ
れる。

また、６はサイリスタ素子構成体１の性能が外部雰囲気
により劣化するのを防止するために、サイリスク素子構
成体ｌを収容するパッケージである。パフケージ６にお
いて、７は例えば酸化アルミニウム磁器などから成りサ
イリスク素子構成体１の陽極支持板５の位置決めをなし
得る内径を持つセラミック筒体、８は例えばコバール又
は鉄・ニッケル合金部材から成りセラミック筒体７の第
１の端面（上側端面）に接着された鍔状平板、９は鍔状
平板８と同一部材から成りセラミック筒体７の第２の端
面（下側端面）に接着された環状平板、１０は例えば銅
の金属部材から成り環状平板９の内側面に接着された第
１の主電極端子としての円柱状の陰極端子、１１は陰極
端子１０の端面に形成されセラミック筒体７の内側に開
口し環状陰極４の内径とほぼ同一直径の円形凹部、１２
は円柱形の陰極端子１０の半径方向に設けられ円形凹部
１１に連なる凹状の横溝、１３は例えばコバール部材な
どの金属管から成りセラミック筒体７の側壁から突出し
この側壁に接着して設けられた制御電極端子である。

さらに第９図で、１４は例えば銅や銀などの細線から成
り、サイリスク素子構成体１の制御電極３に圧接され、
制御電極３とパッケージ６の制御電極端子１３とを電気
的に接続する制御電極リード線である。この制御電極リ
ード線１４を第４図の拡大平面図で示す。

第４図において、１５は例えば銅や銀などの金属部材か
ら成り制御電極リード線１４の一端に設けられ制御電極
３にて圧接触される制御リード圧接部で、制御リード圧
接部１５は制御電極３の接触可能面積よりも大きくない
接触面積と０．２ｍｍ〜０．３ｍｍ程度の高さを有する
。１６は制御電極端子１３内に挿入される制御電極リー
ド線１４の挿入部である。

さらに第９図において、１７は陰極端子１０の円形凹部
１１内に挿入され、制御電極リード圧接部１５を制御電
極３に押圧するためのコイル状ばねである。１８はセラ
ミック等の絶縁部材から成り、陰極端子１０の円形凹部
１１の内側面に滑合し、制御電極リード線１４と陰極端
子１０とを電気的にｖＡ縁し、且つコイル状ばね１７の
弾性力により制御リード圧接部１５を制御電極３に押圧
することができるように制御電極リード線１４を支持す
る制御電極リード絶縁支持体である。

第１０図は制御電極リード絶縁支持体１８を拡大して示
す拡大平面図であり、第１１図は第１０図のＸＩ−ＸＩ
線断面図である。第１０図および第１１図において、１
９は制御電極リード線１４の挿入部１６を挿入し支持す
る制御電極リード線挿入孔、２０は制御電極リード絶縁
支持体１８の側面から直径方向に制御電極リード挿入孔
１９を越えて伸びる横溝である。

第９図に示すように、陰極端子１０の円形凹部１１内に
コイル状ばね１７を挿入し、このコイル状ばね１７の上
に制御電極リード絶縁支持体１８を上積みしたとき、制
御電極リード絶縁支持体１８が陰極端子１０の端面から
２〜３ｍｍ程度出るように制御電極リード絶縁支持体１
８の高さＨ（第１１図参照）が設定されている。２１は
制御電極リード線１４が挿入される絶縁管である。絶縁
管２１を使用する理由は、第９図に示すように、制御電
極リード線１４が陰極端子１０と接触するのを防止し、
電気的絶縁を図るためである。２２はシリコン基板２と
ほぼ等しい熱膨張係数をもつ厚さ０．１〜１ｍｍ程度の
モリブデン板から成り、環状陰極４と陰極端子１０との
間に介在して圧接される環状陰極圧接板で、第９の従来
例では、サイリスタ素子構成体１の環状陰極４の上面に
接するようにシリコンゴム等の接着材２３でその側面を
接着し固定される。

さらに第９図において、２４は陽極支持板５に接して押
圧される第２の主電極端子としての陽極端子であり、陽
極端子２４の周囲側面には鍔状平板８と同一部材から成
る環状の平板２５が接着され一体をなしている。２６は
鍔状平板８と環状の平板２５を溶着またはろう接し、パ
ッケージ６内を外気の雰囲気からしゃ断し、サイリスク
素子構成体１を保護するための溶接部である。２７は制
御電極端子１３と制御電極リード線１４の挿入部１６と
を圧接着した後に溶着またはろう接された封止溶接部で
ある。

次に、第９図のサイリスタ装置の組立て作業について述
べる。まず、パッケージ６の陰極端子１０の円形凹部１
１内にコイル状ばね１７を挿入する。次に、制御電極リ
ード線１４を第９図に示すように、制御電極リード絶縁
支持体１８の制御電極リード挿入孔１９に挿入し、この
制御電極リード線１４を制御電極リード絶縁支持体１８
の横溝２０に沿って折り曲げる０次に、この折り曲げら
れた制御電極リード線１４が絶縁管２１に挿入され、次
いで、この絶縁管２１が挿入された制御電極リード線１
４を陰極端子１０の凹状の横溝１２内に挿入し、その挿
入部１６を制御電極端子１３内に挿入すると同時に、制
御電極リード線１４が挿入された制御電極リード絶縁支
持体１８を、すでに陰極端子１０の円形凹部１１内に挿
入されているコイル状ばね１７の上に積み重ねる。この
とき、制御電極リード絶縁支持体１８の先端部が陰極端
子１０の端面から２〜３ｍｍ突出するように設定されて
いる。これは陽極端子２４と陰極端子１０を両側から圧
接したときに、制御電極リード′ａ１４の制御リード圧
接部１５と制御電極３の間に適切な圧接荷重がかかるよ
うにするためである。

通常この圧接荷重は９００〜１０００ｇの荷重に設定さ
れる。

続いて、予めサイリスタ素子構成体１の環状陰極４の上
にシリコンゴム等の接着材２３で環状陰極圧接板２２を
接着したサイリスタ素子構成体１をセラミック筒体７の
内面に沿って挿入する。次に、一体をなす陽極端子２４
と環状の平板２５を陽極支持板５に当接するように積み
重ねる。ここまでの工程を仮組立て工程と呼ぶ。

さらに、上記工程の後、加圧治具を用いて陰極端子１０
と陽極端子２４の両側から押圧し、溶接部２６を形成し
、次いで制御電極端子１３の先端部と制御電極リード線
１４の挿入部１６とを圧接着し、封止溶接部２７を形成
する。以上で組立て作業は完了する。

第９図に示す第１の従来例では、制御電極圧接機構が複
雑なため、この制御電極圧接機構の組立て段階における
手順数が多（、作業性が悪いという欠点があった。また
更に、制御リード圧接部１５を制御電極３に圧接するた
めにコイル状ばね１７による加圧手段を必要とするため
、パフケージ６の陰極端子１０の軸方向高さＭが高（な
り、このためサイリスタ装置の小形化を図ることが困難
であるという欠点もあった。

第１２図に示す第２の従来例としての半導体装置の構造
は上記の欠点に鑑みてなされたもので、導電性の弾性部
材から成る制御電極スプリングリード１４ａを用いて制
御電極圧接機構を簡素化したものである。また、この制
御電極スプリングリード１４ａをパフケージ６の陰極端
子１０に組み込んだ後にサイリスタ素子構成体１をパッ
ケージ６内に挿入することによって組立て作業の能率化
を図ろうとするものである。さらに、第９図に示す第１
の従来例で用いたコイル状ばね１７は、弾性部材から成
る制御電極スプリングリード１４ａを用いることによっ
て不用となり、このためパッケージ６内の陰極端子１０
の軸方向高さＭを低くでき、よってサイリスク装置の小
形化を図ることができることを特徴としている。

次に、第１２図に示す従来例の構造および組立て方法に
関し、第９図に示した従来例と比較し、特筆すべき相違
点について説明する。ただし、第１２図に示すサイリス
ク装置の構成部品の中で、サイリスク素子構成体１．パ
ッケージ６、一体をなしている陽極端子２４と環状の平
板２５は第９図に示すものと同様であるので、その説明
は省略する。

第１３図は制御電極スプリングリード１４ａの正面図で
ある。制御電極スプリングリード１４ａは導電性の弾性
部材から成り、第４図に示す制御電極リード線１４に対
応するものである。第１３図において、１５ａは制御電
極リード線１４の制御リード圧接部１５に対応する制御
電極スプリングリード１４ａの圧接部、１６ａは制御電
極リード線１４の挿入部１６に対応する制御電極スプリ
ングリード１４ａの挿入部である。

第１３図に示す長さＬｌは、制御電極スプリングリード
１４ａの挿入部１６ａをパフケージ６の制御電極端子１
３内に挿入したときに、圧接部１５ａの先端がパフケー
ジ６の陰極端子１０の端面から２〜３ｍｍ程度突出する
ように設定される。

また、制御電極ス、プリングリード１４ａの挿入部１６
ａの所要長さをパフケージ６の制御電極端子１３内に挿
入するときの位置決め用として役立つように制御電極ス
プリングリード１４ａに屈曲個所を設け、この屈曲個所
から圧接部１５ａの中心までの長さＬ２をパッケージ６
のセラミック筒体７の内側の半径にほぼ等しくなるよう
に設定すれば、容易に圧接部１５ａを陰極端子１０の円
形凹部１１のほぼ中心に位置させることができる。しか
しながら、厳密に言えば、長さＬ２は第１２図に示した
サイリスタ装置の構成の元で、陽極端子２４の端面と陰
極端子１０の端面との両側から圧接したときに、制御電
極スプリングリード圧接部１５ａがパッケージ６の陰極
端子１０に設けられた円形凹部１１の中心に位置し、な
おかつサイリスク素子構成体ｌの制御電極３からはみ出
さないことを考慮して設定する必要があるので、サイリ
スタ素子構成体１の陽極支持板５の側面とそれに滑合す
るパッケージ６のセラミック筒体７の内側面との間に極
めて高い寸法精度が要求される。

第１４図は、第１２図に示す装置の構成部品である絶縁
支持体嵌合環状陰極圧接板２２ａの拡大平面図であり、
また第１５図は第１４図のＸＶ−ＸＶ線線断断面図ある
。絶縁支持体嵌合環状陰極圧接板２２ａは、第１３図に
示す制御電極スプリングリード１４ａを支持する制御電
極リード絶縁支持体１８（第１０図、第１１図参照）を
、第９図に示す環状陰極圧接板２２の挿入孔２８に嵌合
させたものである。第１４図、第１５図において、制御
電極り−ド絶縁支持体１８は、環状陰極圧接板２２の内
側面に嵌合し固定するために、第９図に示す制御電極リ
ード絶縁支持体１８の部材とは異なる弾力性のある絶縁
部材を用いる。

以上が第１２図に示す第２の従来例の構造と主要構成部
品についての説明である。

第１２図に示す従来例によれば、第９図に示す従来例で
用いたコイル状ばね１７が不要であり、また第１４図、
第１５図に示す絶縁支持体嵌合環状陰極圧接板２２ａを
用いることによって、第９図に示す従来例で述べたサイ
リスタ素子構成体１の環状陰極４と環状陰極圧接板２２
との接着工程が不要となる。このように、第１２図に示
す従来例では、第９図に示す従来例に比べ、制御電極圧
接機構が簡略化され、また作業性も向上されている。た
だ、特筆すべき欠点は、すでに述べたように、第１３図
における制御電極スプリングリード１４ａの長さＬｌと
Ｌ２を設定する上で極めて高い寸法精度が要求されるこ
と、およびそれに付随して生じるサイリスク素子構成体
１の陽極支持板５の側面とそれに滑合するパッケージ６
のセラミック筒体７の内側面とのクリアランスの問題で
ある。

以上が、第９図に示す従来例と第１２図に示す従来例の
構造から派生する相違点である。

以下に、第１２図に示す従来の半導体装置の組立て方法
について述べる。まず、第１３図に示す制御電極スプリ
ングリード１４ａに所定の長さに切断された絶縁管を挿
入する。次に、制御電極スプリングリード１４ａの挿入
部１６ａを制御電極端子１３内に挿入する。その後、制
御電極スプリングリード１４ａの圧接部１５ａが所定の
位置で陰極端子１０の圧接面に対し垂直になるように位
置決め用治具（図示せず）を用いて位置決めした後、制
御電極端子１３を圧着する。

続いて、予め嵌合された絶縁支持体嵌合環状陰極圧接板
２２ａの制御電極スプリングリード絶縁支持体１８の挿
入孔１９内へ制御電極スプリングリード圧接部１６ａを
挿入すると共に、制御電極スプリングリード１４ａを横
溝２０内に挟み込みながら制御電極スプリングリード絶
縁支持体１８を陰極端子１０の円形凹部１１内に挿入し
て、環状陰極圧接板２２を陰極端子１０の上に載せる。

続いてサイリスタ素子構成体１をセラミック筒体７内に
挿入する。しかる後、一体化した陽極端子２４と環状の
平板２５をサイリスタ素子構成体１の陽極支持板５に当
接するように積み重ねる。

ここまでの工程を上記ですでに述べたように仮組立工程
と呼ぶ、その後の工程はすでに第９図における従来例で
述べた工程と同じなので省略する。

以上で組立て作業が完了する。

このように第１２図に示す従来例によれば、組立工程の
作業手順数は第１の従来例に比べ少なくなっている。し
かし、ある面では、制御電極スプリングリード１４ａの
位置決めのための治具が必要なこと、また位置決め作業
をする上で熟練を要することなどを欠点として上げるこ
とができる。

以上が、第９図に示す従来例と第１２図に示す従来例の
組立て方法についての相違点である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述したように、従来の半導体装置としてのサイリスク
装置の第１例によれば、制御電極圧接機構が複雑なため
、制御電極圧接機構を組み立てる段階における所要部品
点数が多く、このため作業手順数も多くなり、したがっ
て作業性が悪いという欠点があった。さらに、第９図で
示すコイル状ばね１７による加圧手段を必要とするため
、陰極端子１０に設けられた円形凹部１１の穴の深さを
十分に深くする必要があり、よって陰極端子１０の軸方
向高さＭを高くする必要があり、サイリスク装置の小形
化を図ることが困難であった。

第１２図の第２の従来例では、第９図で示すコイル状ば
ね１７は不要であり、このため部品点数が減り作業が簡
略化されているが、第１２図で示す制御電極スプリング
リード１４ａの長さＬｌとＬ２の設定をする上で、サイ
リスタ素子構成体１の陽極支持板５の側面とそれに滑合
するパッケージ６のセラミック筒体７の内側面とのクリ
アランスを考慮した掻めて高い寸法精度が要求されると
いう欠点があった。

また、第１の従来例で述べた第９図に示す制御電極リー
ド絶縁支持体１８を用いるため、第２の従来例では第１
の従来例に比ベコイル状ばね１７の軸方向高さの分だけ
陰極端子１０の軸方向高さＭを低くできるので小形化が
図られているが、この高さＭも第１２図で示す制御電極
リード絶縁支持体１８の高さＨによって規定され、小形
化を図る上での障害となっていた。

さらに、仮組立工程においては、制御電極スプリングリ
ード圧接部１５ａが所定の位置で陰極端子１０の圧接面
に対し垂直になるようにするための位置決め用治具を用
いて位置決めする必要があり、煩雑性とそれに伴う作業
の熟練を要求されるなどの欠点があった。

本発明はこのような点に漏みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、第１に制御電極圧接機構の簡略
化を図るために主要構成部品点数を少なくすること、第
２にサイリスタ装置の小形化を図ること、第３に作業性
の向上を図ることおよびこれに関連して位置合わせの精
度を向上させることにある。

〔問題点を解決するための手段〕

このような目的を達成するために本発明は、第１の主面
に制御電極とこの制御電極を取り囲むように形成された
環状の第１の主電極とが設けられ第２の主面に第２の主
電極が設けられた半導体素子構成体を圧接し電気的に接
続するために第１の主電極と当接される第１の主電極端
子と第２の主電極と当接される第２の主電極端子と、制
御電極を外部に接続するための制御電極リード線とを有
し、第１の主電極端子は制御電極を取り出すだめの円形
凹部と凹上の横溝を有する半導体装置において、円形の
凹部に挿入することによって制御電極リード線を所定の
位置に位置決めする機能と、制御電極リード線と半導体
素子構成体の制御電極とを適切な荷重で圧接し電気的に
接続するための機能とを有する皿状の制御電極リード支
持ばねを装置に設けるようにしたものである。

〔作用〕

本発明においては、主要構成部品点数が従来より少なく
なり、第１の主電極端子の高さを低くでき、装置を小形
化でき、装置の熱抵抗を小さくでき、作業性の向上を図
ることができる。

〔実施例〕

第１図は、本発明に係わる半導体装置の一実施例を示す
縦断面図である。また、第２図〜第４図は、第１図の装
置の主要構成部品を示す拡大平面図又は拡大縦断面図で
あり、第５図〜第８図は第１図の装置の主要部位の構造
を示す拡大平面図又は拡大縦断面図である。

第１図において、２９は制御電極リード支持ばねであり
、この制御電極リード支持ばね２９は、第４図で示す制
御電極リード圧接部１５を支持しサイリスタ素子構成体
１の環状陰極４と当接させるための圧着機能と、第４図
で示す制御電極リード圧接部１５をパッケージ６の陰極
端子１ｏの所定の位置に位置決めするための位置決め機
能とを兼ね備えている。また、制御電極リード支持ばね
２９は弾力性を有し、極めて薄（自由高さの低い絶縁部
材から成る。３０は制御電極リード圧接部１５を支持す
るための制御電極リード支持ばね２９の支持部である。

第２図は上記制御電極リード支持ばね２９の拡大平面図
、第３図は第２図のｍ−ｍ線断面図である。第４図の制
御電極リード線１４については従来の技術で説明したの
でその説明を省略する。第５図は第１図に示す陰極端子
１０のパッケージ６の内側に面する上方から見たサイリ
スタ素子構成体１の環状陰極４の側に接する端面の拡大
平面図であり、第６図は第５図のＶＩ−Ｖｌ線断面の一
部を示す拡大縦断面図である。また、第７図は第１図で
示す制御電極圧接機構部位の拡大平面図であり、第８図
は第７図の■−■線断面図の一部を示す拡大縦断面図で
ある。

次に、本装置の組立て作業について説明する。

まず、制御電極リード線１４の挿入部１６を制御電極リ
ード支持ばね１７の挿入孔１９に挿入し、続いて絶縁管
２１に挿入する。その後の工程つまり仮組立工程以降に
ついてすでに第９図の従来例で述べたので省略する。こ
のように、本装置においては、制御電極圧接機構に係る
主要構成部品の部品点数を少なくすることができ組立て
作業が筒略化されるため、熟練を要することがなく、従
って作業性が向上する。

このように構成された半導体装置において、第２図、第
３図に示す制御電極リード支持ばね２９は極めて厚さが
薄く、またその自由高さｔを低く設定することにより、
陰極端子１０の設けられた円形凹部１１の穴の深さを浅
くすることができ、これにより陰極端子１０の軸方向高
さＭを低くすることができる。従って、これにより、サ
イリスク装置の小形化を図ることができると共に、サイ
リスク素子構成体１の電気的特性である熱抵抗を従来の
ものに比べ極端に小さくすることができ、特性の向上を
図ることができる。なお、第２図。

第３図に示す制御電極リード支持ばね２９の支持部３０
の面積は制御電極リード圧接部１５の当たり面の面積よ
りも大きく設定することが望ましい。

これは、より安定した支持を提供するためである。

また、制御電極リード支持ばね２９に設けられる挿入孔
１９の内径は制御電極リード！１４を適度に滑合せしめ
、なおかつ支持部３０と当接する制御電極リード圧接部
１５の端面との接触が十分になされる程度の寸法に設定
することが望ましい。

なお、本装置の制御電極リード支持ばね２９の部材は、
９００〜１０００ｇの圧力荷重に耐えられる程度の極め
て薄い絶縁性弾性材であるエポキシ系樹脂材、酸化アル
ミニウム又はセラミックから成る。第１図における凹状
の横溝１２の深さの寸法は、絶縁管２１の直径よりやや
大きい程度でよい。

なお、この実施例ではサイリスク装置について述べたが
、本発明はこれに限らず、トライチック、逆導通サイリ
スタ、トライアックあるいはこれらを集積化した半導体
装置の一例であるパワーブリック（Ｐｏｗｅｒ−Ｂｒｉ
ｋ）と称されるモジュラ形半導体装置にも適用すること
ができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、制御電極リード線を円形
の凹部に挿入することによって所定の位置に位置決めす
る機能と、制御電極リード線と半導体素子構成体の制御
電極とを適切な荷重で圧接し電気的に接続するための機
能とを有する皿状の制御電極リード支持ばねを設けたこ
とにより、制御電極圧接機構を簡略化して組立部品の点
数を少なくすることができ、従って作業性を向上させる
ことができると共に、上記位置決め機能により位置合わ
せの精度を上げることができる効果がある。

また、陰極端子の軸方向高さが低くなるため半導体装置
を小形にすることができ、熱抵抗が小さくなるため半導
体装置の電流を増大することができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係わる半導体装置の一実施例を示す縦
断面図、第２図、第４図は第１図の装置の主要構成部品
を示す拡大平面図、第３図は第２図のｍ−ｍ線断面図、
第５図〜第８図は第１図の装置の主要部位の構造図、第
９図は従来の半導体装置の第１例を示す縦断面図、第１
０図は第９図の装置の主要構成部品を示す拡大平面図、
第１１図は第１０図のＸＩ−ＸＩ線断面図、第１２図は
従来の半導体装置の第２例を示す縦断面図、第１３図と
第１４図は第１２図の装置の主要構成部品を示す拡大平
面図、第１５図は第１４図のＸ■−ＸＶ線断面図である
。 １・・・サイリスタ素子構成体、２・・・シリコン基板
、３・・・制御電極、４・・・環状陰極、５・・・陽極
支持板、６・・・パッケージ、７・・・セラミック筒体
、８・・・鍔状平板、９．２５・・・環状平板、１０・
・・陰極端子、１１・・・円形凹部、１２・・・横溝、
１３・・・制御電極端子、１４・・・制御電極リード線
、１５・・・制御リード圧接部、１６・・・挿入部、１
９・・・制御電極リード挿入孔、２１・・・絶縁管、２
２・・・環状陰極圧接板、２３・・・接着材、２４・・
・陽極端子、２６・・・溶接部、２７・・・封止溶接部
、２９・・・制御電極リード支持ばね、３０・・・支持
部。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）制御電極と環状の第１の主電極と第２の主電極と
   を有し前記制御電極が第１の主面に設けられ前記第１の
   主電極が前記制御電極を取り囲むように形成され前記第
   ２の主電極が第２の主面に設けられた半導体素子構成体
   を圧接し電気的に接続するために第１の主電極と当接さ
   れる第１の主電極端子と第２の主電極と当接される第２
   の主電極端子とを有し、前記制御電極を外部に接続する
   ための制御電極リード線を有し、前記第１の主電極端子
   は前記制御電極を取り出すための円形凹部と凹上の横溝
   を有する半導体装置において、前記円形の凹部に挿入す
   ることによって前記制御電極リード線を所定の位置に位
   置決めする機能と、前記制御電極リード線と前記半導体
   素子構成体の制御電極とを適切な荷重で圧接し電気的に
   接続するための機能とを有する皿状の制御電極リード支
   持ばねを備えたことを特徴とする半導体装置。
2. （２）皿状の制御電極リード支持ばねは、第１の主電極
   端子と制御電極リード線とを電気的に絶縁する弾力性あ
   る支持部を有することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の半導体装置。
3. （３）支持部は、弾力性あるエポキシ樹脂系絶縁材又は
   酸化アルミニウムから成ることを特徴とする特許請求の
   範囲第２項記載の半導体装置。
4. （４）皿状の制御電極リード支持ばねは、制御電極リー
   ド線と当接する面の面積が制御電極リード線の圧接面の
   面積より大きいことを特徴とする特許請求の範囲第１項
   又は第２項記載の半導体装置。
5. （５）皿状の制御電極リード支持ばねは、制御電極リー
   ド線と当接する面が平坦になっていることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項、第２項又は第４項記載の半導体
   装置。
6. （６）第１の主電極端子および第２の主電極端子は、銅
   を主成分とする電気的良導体を用いて形成されたことを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。