JPH06303765A - 集積回路用基板バイアス発生装置および基板バイアス制御方法 - Google Patents
集積回路用基板バイアス発生装置および基板バイアス制御方法Info
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Abstract
ドで回路に流れる電流を小さくし、消費電力を低減させ
る。 【構成】 電圧レギュレータ回路100は、集積回路基
板の電圧を監視し所定のレベルからずれた時にクロック
発生信号を出力する。クロック回路200は電圧レギュ
レータ回路100から出力されたクロック発生信号を入
力とし、このクロック発生信号に応答してクロック信号
を発生する。ポンプ回路(チャージポンプ)600は、
クロック信号に応答して電荷(電子)を集積回路基板に
注入し、基板電圧VBBを変化させる。
Description
ポンプ)により基板に電荷を注入して基板電圧(バイア
ス)を制御するための集積回路用基板バイアス発生装置
および基板バイアス制御方法に係り、特に自由発振発振
器を用いることなく、小さい電流で駆動し少ない電力消
費量を示す集積回路用基板バイアス発生装置および基板
バイアス制御方法に関する。
は、ポンプ回路(チャージポンプ)により基板に電荷を
注入して基板電圧を下げるとともに、発振器を用いてポ
ンプ回路のクロックタイミングを取っている。典型的な
例では、発振器は自由発振を行っており、基板電圧が或
る値よりも高いときにポンプ回路が起動する。この自由
発振発振器は約100μAの電流を引き抜くことができ
る。
自由発振発振器による電力損失は、回路がバックアップ
バッテリを使用していない限り問題とはなっていなかっ
た。
携帯性に優れた電子機器が各種開発され、このような電
子機器では、電流や電力を如何に小さくするかが大きな
問題となっている。即ち、従来の自由発振発振器により
起動されるポンプ回路では、比較的大きな電流が流れる
と共に電力損失がかなりのものとなる。これを特に携帯
性の電子機器へ応用した場合、電池などで動作可能な稼
動時間を伸ばすというのが一般的な要請であり、ポンプ
の必要動作電力を小さくすることが、技術者に与えられ
た大きな課題であった。
ので、その目的は、従来の自由発振発振器を用いること
なく、回路に流れる電流を小さくし、消費電力を低減で
きる集積回路用基板バイアス発生装置を提供することに
ある。
アス発生装置に用いて好適な基板バイアス制御方法を提
供することを目的とする。
用基板バイアス発生装置は、集積回路基板に接続され、
前記集積回路基板の電圧を監視し所定のレベルからずれ
た時にクロック発生信号を出力する電圧レギュレータ回
路と、前記クロック発生信号を入力とし、このクロック
発生信号に応答してクロック信号を発生する自己タイミ
ングクロック回路と、前記クロック信号に応答して電荷
を前記集積回路基板に注入し、基板電圧を変化させるポ
ンプ回路とを備えている。
は、待機モードでの電力をかなりの量削減するために、
従来の自由発振発振回路の代わりに、電圧レギュレータ
回路および自己タイミングクロック回路を設けたもので
ある。電圧レギュレータ回路(DCレギュレータ回路)
は常に動作しており電力を消費する唯一の回路である
が、それ自体は小さい電流で駆動し電力消費が少ない。
そのためポンプ回路(チャージポンプ)が電荷注入(ポ
ンピング)を行っていない時には、回路を流れる電流は
数μA以下である。電圧レギュレータ回路は、基板電圧
が所定のレベルからずれ、高すぎる時のみ自己タイミン
グクロック回路を起動させる。これにより自己タイミン
グクロック回路はポンプ回路を制御して、基板電圧を更
に負の値へと降下させる。この自己タイミングクロック
回路は、基板電圧が所定のレベルに達し電圧レギュレー
タ回路が停止信号を出力するまでポンプ回路を駆動す
る。また、自己タイミングクロック回路は、ポンプ回路
で電荷注入(ポンピング)の準備ができるまで、ポンプ
信号(クロック発生信号)を無視する。
は、基板電圧が所定レベルにあるときは自己タイミング
クロック回路の発振は休止している。従って装置が起動
していても、必要な電力は最小限に抑えられる。
生装置は、請求項1記載のものにおいて、前記電圧レギ
ュレータ回路を、VCC信号に比例したVCCREF 信号を発
生させる第1の抵抗ネットワークと、基板電圧VBBに比
例したVBBREF 信号を発生させる第2の抵抗ネットワー
クと、VCCREF 信号とVBBREF 信号とを比較する差動増
幅回路と、この差動増幅回路に接続され、VCCREF 信号
がVBBREF 信号よりも高くなった時、クロック発生信号
を出力するインバータ列と、を含むように構成したもの
である。
生装置は、請求項2記載のものにおいて、差動増幅回路
を構成するトランジスタの各チャネル長を、回路を流れ
る電流を制限するよう長く設定したものである。
生装置は、請求項2記載のものにおいて、インバータ列
を構成するトランジスタの各チャネル長を、VCCレベル
から接地レベルへの電流損失を制限するよう選択して設
定したものである。
生装置は、請求項2記載のものにおいて、インバータ列
の出力を受けて安定なクロック発生信号を出力するラッ
チ回路を更に付加したものである。
生装置は、請求項1記載のものにおいて、自己タイミン
グクロック回路を、アクティブなクロック発生信号が入
力した時のみに起動されるよう構成したものである。
生装置は、請求項6記載のものにおいて、自己タイミン
グクロック回路を、ポンプ回路の電荷注入終了後は前記
クロック発生信号を無視するように構成したものであ
る。
発生装置において、ポンプ回路は、Pチャネルトランジ
スタからなる2ステージポンプにより構成することが好
ましい。
生装置は、集積回路基板に接続され、この基板の電圧を
監視し所定のレベルからずれた時にアクティブなクロッ
ク発生信号を出力する低電流電圧レギュレータ回路と、
第1ステージおよび第2ステージを有し、第1ステージ
で前記アクティブクロック発生信号を入力して第1およ
び第2の信号を出力するとともに、第2ステージで、前
記第1および第2の信号を入力して更に第3、第4、第
5の信号を出力することにより、前記アクティブクロッ
ク発生信号に応答して第1乃至第5のクロック信号を発
生させる、自由発振ではない低電流自己タイミングクロ
ック回路と、前記第1乃至第5のクロック信号に応答し
て電荷を基板に注入し、前記集積回路基板の基板電圧を
下げるポンプ回路とを備え、前記低電流自己タイミング
クロック回路は、前記ポンプ回路による電荷注入が終了
した後は、クロック発生信号を無視することを特徴とす
るものである。
は、集積回路用基板の基板電圧を監視するステップと、
前記基板電圧が所定のレベルからずれた時にクロック回
路を駆動してクロック信号を出力させるステップと、基
板電圧が所定のレベルからずれた時に前記クロック信号
に応答してポンプ回路を駆動し、電荷を前記集積回路用
基板のノードに注入させて基板電圧を変化させるステッ
プとを備えたものである。
体的には、VCC信号に比例するVCCREF 信号を発生させ
るステップと、基板電圧VBBに比例するVBBREF 信号を
発生させるステップと、VCCREF 信号とVBBREF 信号と
を比較するステップと、VCCREF 信号がVBBREF 信号よ
りも高くなった時、クロック発生信号を出力するステッ
プとからなるよう構成することが好ましい。また、クロ
ック回路を駆動するステップでは、具体的には、アクテ
ィブクロック発生信号を入力し、ポンプ回路を制御して
基板のノードへ電荷を注入するためのクロック信号を発
生するよう構成することが好ましい。
ック信号を入力するとともに、Pチャネルトランジスタ
からなる2ステージポンプを利用して集積回路の基板電
圧を下げるよう構成することが好ましい。
的に説明する。
用いない集積回路用基板バイアス発生装置の基本構成を
示すものである。この基板バイアス発生装置は、集積回
路基板に接続され、集積回路基板の電圧を監視し所定の
レベルからずれた時にクロック発生信号を出力する電圧
レギュレータ回路100と、クロック発生信号を入力と
し、このクロック発生信号に応答してクロック信号を発
生する自己タイミングクロック回路(以下、クロック回
路という)200と、クロック信号に応答して電荷を集
積回路基板に注入し、基板電圧VBBを変化させるポンプ
回路(チャージポンプ)600とにより構成されてい
る。
VBBに比例した信号VBBREF が、電圧レギュレータ回路
100に入力される。信号VBBREF は基準電圧VCCREF
(好ましくはVCC/2)と比較され、基板電圧VBBが所
定のレベル(たとえば約ー2V)より上昇しているか否
かを判定する。もし基板電圧VBBがこのレベルよりも上
昇している場合には、電圧レギュレータ回路100はク
ロック回路200を起動する。クロック回路200はク
ロック信号を出力し、ポンプ回路600を制御して基板
へ電荷(電子)を注入することによって、基板電圧VBB
を所望のレベルまで下げる。
100の動作を更に説明する為のものである。前述のよ
うに、電圧レギュレータ回路100は基板電圧VBBを監
視し、この基板電圧VBBが所望のレベルを越えているか
否かを判定する。ここで、抵抗122、124、126
により構成される抵抗ネットワーク120は、差動増幅
器(比較器)130の負の入力(ノードN1)として
の、基板電圧VBBに比例した信号VBBREF を生成するた
めに設けられている。抵抗ネットワーク110は、抵抗
112、114により構成されており、差動増幅器13
0の正の入力(ノードN2)として基準電圧VCCREF を
生成するために設けられている。
る入出力信号のタイミングを表す図であり、特に、ポン
プ信号196がいつハイレベルとロウレベルとの間で変
化し、クロック回路200およびポンプ回路600を起
動したり、動作を停止させたりするかを示している。
BBが高過ぎる場合には、VBBREF がVCCREF を上回り、
差動増幅器130は低レベルのVOUT 信号142を出力
する。VOUT 信号142は、後に図4を参照して詳細に
説明するインバータ列150、170、180を通過し
て、ポンプ信号196を生成する。従って、基板電圧V
BBが十分に低くない場合には、基板電圧レギュレータ回
路100は高いポンプ信号196を発生して、クロック
回路200およびポンプ回路600それぞれを起動す
る。また、基板電圧VBBが十分に低い場合には、低いポ
ンプ信号196を発生して、クロック回路200および
ポンプ回路600それぞれの動作を停止させる。
としているが、本実施例では3VのVCCも同様に考慮さ
れている。ここで、VCCは一定であり、差動増幅器13
0の正の入力VCCREF はほぼVCC/2(2.5V)に固
定されている。
るので、VBBと共に変化する。基板電圧VBBが最初0V
であれば、抵抗122、124、126の大きさを同じ
として、VBBREF は約3.3Vとなる。従ってVBBREF
はVCCREF よりも大きく、差動増幅器130の出力はロ
ーレベルとなり、その結果ポンプ信号196はハイレベ
ルとなって、ポンプ回路600を駆動する。ここで、基
板への電子の注入により基板電圧VBBが徐々に下がる
と、VBBREF も徐々に下がり、図3(a)〜(e)のt
1の時点でVCCREF より低下する。従って、そのとき差
動増幅器130の出力はハイレベルとなり、その結果ポ
ンプ信号196はロウレベルとなって、ポンプ回路60
0へクロック信号を供給するためのクロック回路200
をオフさせる。その後、VBBREF がVCCREF を越える
と、ポンプ回路600は再びオンして基板電圧VBBを引
き下げる。
的な動作を説明する。電流損失と電力消費を押さえる電
圧レギュレータ回路100の別の特徴を、図4の詳細な
回路図に示す。なお、表1〜4はそれぞれ図4および残
りの図面における各トランジスタの寸法(チャネル長お
よびチャネル幅)を具体的に示すものである。
には良く知られたものである。例えば、図4のトランジ
スタ124は、基板とソースが接続されたエンハンスメ
ント型のPチャネルトランジスタである。ここで、全て
のトランジスタはエンハンスメント型が好ましいが、デ
プレッション型トランジスタを用いることもできる。
電力消費を減らすために、図4の電圧ジェネレータ回路
100は、通常小さい電流で動作し、回路での電流損失
を抑えるように設計されている。ここで、抵抗ネットワ
ーク110、120ではそれぞれトランジスタを抵抗と
して用いている。即ち、トランジスタのゲートはソース
またはドレインに接続されている。トランジスタを流れ
る電流はチャネルの幅と長さの比の関数となっているの
で、これらエンハンスメント型抵抗のチャネル長は一般
に大きく、トランジスタネットワークを流れる電流を制
限する。
成するトランジスタ132,134,136,138,
140によってVCCREF とVBBREF が比較され、出力信
号(VOuT )142が生成される。差動増幅器130の
動作は、良く知られた通りである。ここで、回路内の電
流を小さくし、電力消費を押さえるために、特に差動増
幅器130を構成するトランジスタ132,134,1
36,138,140のそれぞれの好ましい寸法が選ば
れている(表1〜4参照)。
ャネル長を選択することにより、差動増幅器130を構
成する各トランジスタのチャネルの幅と長さの比(幅/
長さ)が小さく設定されている。なお、ここでは、差動
増幅器130の構成を具体的に示しているが、本発明の
要旨を変更しない範囲で他の回路構成を用いて、2つの
信号を比較して出力信号を生成し、電流を小さく抑える
こともできる。
132,134,136,138,140の各長いチャ
ネル長は電流を小さく抑えるが、これにより一般的に回
路の反応は鈍り出力信号142の変化は遅くなる。即
ち、ハイレベルとロウレベル間の速やかな遷移が得られ
ない。この遅く変化する信号142は、特に2トランジ
スタ・インバータへの入力の際に、しばしば回路内での
電流損失をもたらす。特に、このインバータの両方のト
ランジスタは一定時間の間オンとなり、“スルーカレン
ト”や“クローバーカレント”がトランジスタ列を流れ
てしまう。従って、レベル遷移の間に、しばしばVCCか
ら接地レベルへの電流損失が生じてしまう。
インバータ150、170とラッチ回路180は、イン
バータ内のスルーカレントを減らし、ポンプ信号が速や
かな遷移をするように、特に設計されている。一般的に
トランジスタのスイッチング時間は、チャネルの幅と長
さの比に依存する。従って、チャネル幅とチャネル長を
選択して、何時インバータ150、170を構成するト
ランジスタのスイッチングが行なわれるかを決めること
ができる。インバータ150を構成するトランジスタの
幅は同じなので、スイッチング時間はチャネル長の関数
となる。回路150のトランジスタのチャネル長は、適
当な時間でノードN4,N5の電圧が変化するように、
即ちインバータ170のトランジスタ172、174の
スイッチングが行われるように、特に選ばれている。
ウレベルへと遷移してノードN6がハイレベルからロウ
レベルへと変化する場合、トランジスタ174がオンす
る前にトランジスタ172をオフしておき、インバータ
170内でのVCCから接地レベルへのスルーカレントを
抑えることは有効である。この順序でトランジスタのス
イッチングを行うために、トランジスタ166のチャネ
ル長をトランジスタ154のそれよりも長くして、トラ
ンジスタ172がオフした後にトランジスタ174をオ
ンさせている。
ハイレベルへと遷移する場合、トランジスタ172がオ
ンする前にトランジスタ174をオフさせておき、VCC
から接地レベルへのスルーカレントを押さえることは有
効である。トランジスタ156のチャネル長をトランジ
スタ168のそれよりも長くして、トランジスタ174
がオフした後にトランジスタ172をオンさせている。
従って、インバータ150を構成するトランジスタのチ
ャネル長の選択は、いずれの方向の遷移についても、イ
ンバータ170内でのVCCから接地レベルへの如何なる
径路も形成されない。
カレントを更に抑えるために、トランジスタ158、1
64がインバータ150に設けられ、インバータ15
3、163内での如何なるスルーカレントも減少させて
いる。電流制御トランジスタ158、164は長いチャ
ネル長を持っており、ノードN4,N5での接地レベル
またはVCCレベルへの遷移は、それぞれ急激には行われ
ない。従って、VCCから接地レベルへの径路はトランジ
スタ172、174を駆動している間は存在する。しか
し、トランジスタ154、156、158、164、1
66、168内での電流は、トランジスタ158、16
4の長いチャネル長によって減少している。
述したそれぞれのトランジスタのスイッチングタイミン
グが損なわれないように設けられている。ノードN3が
ハイレベルからロウレベルへと遷移する場合、インバー
タ153は、トランジスタ154をオンすることによっ
てノードN4を非常に素早くハイレベルへと引き上げ、
トランジスタ172をオフとすることが好ましい。電流
制御トランジスタ158は、ノードN3がロウレベルか
らハイレベルへ遷移する時、ノードN4をロウレベルヘ
駆動するタイミングを調整する一方、ノードN4とトラ
ンジスタ158との容量性結合は十分に大きく、ノード
N4を引き下げトランジスタ172を適切なタイミング
でオンとする。
レベルへと遷移する場合、インバータ163は、トラン
ジスタ168をオンすることによってノードN5を非常
に素早くロウレベルへと引き下げ、トランジスタ174
をオフとすることが好ましい。従って、電流制御トラン
ジスタ164は、インバータ163のPーチャネル側に
のみ設けられており、トランジスタ168に対するトラ
ンジスタ164の影響を押さえている。電流制御トラン
ジスタ164は、ノードN3がハイレベルからロウレベ
ルへ遷移するとき、ノードN5をハイレベルヘ駆動する
タイミングを調整する一方、ノードN5とトランジスタ
164との容量性結合は十分に大きく、ノードN5を引
き上げトランジスタ174を適切なタイミングでオンと
する。
ータ回路100に設けられ、上述のようにスルーカレン
トを防止するためにインバータ170を構成するトラン
ジスタ172とトランジスタ174のいずれもが駆動さ
れていないとき、ポンプ信号196の出力を維持する。
ポンプ信号196は信号線195を介してトランジスタ
ネットワーク182、184、186、188へフィー
ドバックされ、インバータ170がノードN6を駆動し
ノードN6の状態が変化するまで、ノードN6の最初の
状態を維持する。
回路180それ自体は、弱いラッチを行うと共に、スル
ーカレントを制限するように設計されている。一般的
に、トランジスタ172、174は、小さなトランジス
タ(狭いチャネル幅と短いチャネル長)であり、インバ
ータ170がスイッチングを行うために必要とされるイ
ンバータ150からの電流を小さく押さえている。しか
し、これらトランジスタは、そのサイズから、ノードN
6で大きな容量性の負荷を駆動することができない。ノ
ードN6での大きな容量は、このノードでの電圧の変化
を遅くしてしまうので好ましくない。このためトランジ
スタ184、186のチャネル幅とチャネル長を小さ
く、好ましくは1〜2μm程度に小さくして、ノードN
6でのラッチを弱くし、ノードN6での容量を押さえて
いる。
トランジスタ184、186は、ほぼ等しい幅と長さを
持っているので、幅と長さの比は大きく電流駆動能力は
高い。そのために電流制御トランジスタ182、188
が設けられている。これらのトランジスタ182、18
8は長いチャネル長を、従って小さな幅と長さの比を持
っており、ラッチ回路180の電流を制限し、回路の電
力消費を抑えている。
ポンプ信号196が発生しているので、高いポンプ信号
196はクロック回路200を駆動するために用いられ
る。クロック回路200はポンプ回路600を制御する
為のクロック信号を出力する。クロック回路200には
第1のステージ202および第2のステージ400が設
けられている。第1のステージ202ではクロック信号
CP1、CP1B(Bは "bar ”を意味し、反転信号で
あることを示す。)が生成される(図5参照)。
ジ400では、信号CP1、CP1Bを入力して信号C
P2、CP3、CP4を生成する。これらクロック回路
200のステージ202、400から生成される信号C
P1、CP1B、CP2〜CP4は、後述のように各々
ポンプ回路600を駆動するのに用いられる。
うに、ポンプ回路は2種類のサイクル、即ちポンピング
サイクルとプリチャージサイクルで動作を行う。従っ
て、クロック回路200は2組の信号を生成しなければ
ならない。クロック回路200は両方のサイクルでほぼ
同じように動作するが、各々のサイクルで異なる信号を
生成するように、回路にはフィードバック線が設けられ
ている。
ロック信号を最初に説明し、次にプリチャージサイクル
で生成されるクロック信号を説明する。
ク図を参照すると、フィードバック信号V11、即ち第1
ステージ202へのフィードバック入力は、ポンプ回路
600のサイクルを決定する。最初の状態では、クロッ
ク回路200の出力は、プリチャージサイクルの後で回
路がポンプ信号196の入力を待っているときのもので
ある。従って、フィードバック信号V11はハイレベルで
トランジスタ208をオンし、クロック回路200はポ
ンプ信号196を入力する。ポンプ信号196がロウレ
ベルの時、クロック回路200とポンプ回路600は、
ハイレベルのポンプ信号196が入力するまで休止状態
に留まる。
ンジスタ206がオンし、ポンピングサイクルの間クロ
ック信号を発生する。トランジスタ206がオンした
時、ラッチ213の入力側でノードN212はロウレベ
ルに引き下げられ、ノード229はハイレベルへ引き下
げられる。ナンドゲート230の2つの入力は共にハイ
レベルなので、ナンドゲート230の出力はロウレベル
である。従って、ポンピングサイクルでは、ナンドゲー
ト230の出力がインバータ240、260、270を
経て、その結果出力信号CP1はハイレベルとなる。更
にナンドゲート230の出力がインバータ240、25
0を経て、その結果出力信号CP1Bはロウレベルとな
る。
プ回路600の動作を参照することによって理解するこ
とができる。クロック回路200の第1ステージ202
で生成されたこれら電圧信号は、図9で示したように時
間の関数となっている。これについては、ポンプ回路6
00の動作と共に更に論じていく。
1、CP1Bはクロック回路200の第2ステージ40
0を駆動して信号CP2、CP3、CP4を生成する。
信号CP1、CP1Bはインバータ410、460に入
力される。これらインバータ410、460は、付随す
るキャパシタ416、466と共に、クロック回路20
0の自己タイミング回路の一部を構成し、遅延回路とし
て利用される。インバータ410、460は、長いチャ
ネル長を持つトランジスタを有し、キャパシタ416、
466と共に信号遅延をもたらす。この遅延は、チャー
ジポンプの両方のサイクルで、すべての電荷を適切に注
入するために、図9のタイミング図に示した区間TPUMP
と区間TPRECHARGE とを形成するのに必要である。
は、シュミット・トリガード・インバータ420、47
0にそれぞれ入力される。シュミット・トリガード・イ
ンバータ420、470は、良く知られているように、
キャパシタ416、466を充電する信号のような動き
の緩慢な波形を、変化の速いシャープな波形に変換す
る。インバータ440、450を含んだラッチ回路45
1は、トランジスタ438とトランジスタ488のいず
れもが出力V02を駆動しない時に、出力がフローティン
グとならず安定な出力V02を生成するように設けられて
いる。
バータ列500、506、512、518、524、5
30、536、542、546を介して転送される。こ
れらインバータ列500〜546は、信号に遅延と反転
をもたらし、前述の信号CP2、CP3、CP4を生成
する。ゲート550、562、574は、インバータ列
の幾つかの段階から中間信号を受けて、それぞれ信号C
P2、CP3、CP4を生成する。
2、CP4は同一である。この同一信号の必要性は、図
8のポンプ回路600のポンピングサイクルの説明から
更に明確になるであろう。ナンドゲート550、562
を駆動する信号からもう1つのインバータによって分離
された信号によりナンドゲート574が駆動されるの
で、信号CP2、CP4と信号CP3は、互いに180
度位相がずれており、重ならないロウ・アクティブ信号
(ロウレベルでアクティブな信号)である。これら重な
らない信号は、信号CP1、CP1Bと共にポンプ回路
600を駆動するのに必要である。
18、524、530、536、542、546に含ま
れるインバータの数は奇数なので、フィードバック信号
V11は入力V02および最初の信号V11の反転信号であ
る。信号V11のフィードバックによって、本発明の特徴
であるクロック回路200の自己タイミングが実現され
る。特に、ポンピングサイクルの後ロウレベルとなる反
転信号V11は、トランジスタ208をオフとし、ポンプ
信号196を無効とし、同時にプリチャージサイクルを
開始する。即ち、プリチャージサイクルの間、クロック
信号CP1、CP1B、CP2、CP3、CP4が生成
される。結果として、クロック回路200はポンプ信号
196を無視し、ポンプ回路600は必要な時間プリチ
ャージサイクルに留まり、後続のポンピングサイクルで
注入すべき適当な電荷の転送が行われる。
ードバック信号V11はナンドゲート230とインバータ
310に入力される。インバータ310は、トランジス
タ316をオンし、ラッチをリセットする。これにより
ナンドゲート230の両方の入力はロウレベルとなり、
ナンドゲート230の出力はハイレベルとなる。プリチ
ャージサイクルでのクロック回路の動作は、夫々のゲー
トからの出力信号が反転されていることを除き、ポンピ
ングサイクルでのクロック回路200の動作と同じであ
る。従って、クロック回路200はポンピングサイクル
とプリチャージサイクルの両方のための信号を生成し、
ポンプ信号196がロウレベルにある場合は、プリチャ
ージサイクルの後アイドリング状態に留まる。
ック回路200の第1のステージ202および第2ステ
ージ400各々の詳細を表すものである。これらの図に
は、図5のブロックで示されている幾つかのゲートを形
成するトランジスタの一般的に知られた構成が示されて
いる。例えば、ブロックで示されているインバータは、
良く知られているように2つのトランジスタから構成さ
れている。クロック回路200の動作は図5に適切に記
載されているが、図6と図7は夫々のトランジスタの寸
法と(表1〜5参照)、好適な回路の詳細を示すための
ものである。
で生成されたクロック信号に応答して充電を行うポンプ
回路600の構成を表すものである。ポンプ回路600
の一般的な構成を最初に説明し、次にポンピングサイク
ルとプリチャージサイクルの間のポンプ回路600の動
作の詳細を説明する。
ジポンプであり、信号CP1、CP1Bを入力するよう
に接続されたキャパシタ610、620を備えている。
信号CP1、CP1Bは、キャパシタ610、620に
入力した際に、ノードN2,N1での電圧を変化させる
ために用いられる。キャパシタ610、620は、チャ
ージポンプの動作のために、ノードN2,N1を負の方
向に駆動せしめる。これらノードでの電圧を変えること
により、電荷(電子)は接地レベルから基板へトランジ
スタ630、632を介して輸送され、結果的に基板電
圧VBBを引き下げる。
テージチャージポンプであるので、直前のポンピングサ
イクルで注入されたノードN2の電荷は、ポンピングサ
イクルで基板に注入される前に、プリチャージサイクル
の間にノードN1へ輸送される。信号CP2、CP3、
CP4は、ポンピングサイクルの間、トランジスタ63
0、632、634を制御して、接地レベルからN2お
よびN1からVBBヘの電荷の転送を行うために使用され
る。キャパシタ652、654、656は、ノードN
5,N3,N4を負のポテンシャルへ駆動して、チャー
ジポンプの動作を行うのに用いられる。
参照して更に詳しく説明する。
ージサイクル後回路がポンプ信号を待っているとき、ポ
ンピングサイクル、プリチャージサイクルそして後続の
休止状態のクロック回路600の出力信号のタイミング
図を表すものである。ここでクロック信号のハイレベル
およびロウレベルは、接地レベルとVCCのレベルである
ものとし、好適な例としてVCCは3Vまたは5Vであ
る。2つのサイクルでポンプ回路600のそれぞれのノ
ードの取る電圧も、図9のN1〜N5で示されており、
これにより2ステージチャージポンプの動作が良く理解
される。
に休止区間TQUIESCENT と共に説明するように、クロッ
ク信号と各ノード電圧はプリチャージサイクルが終わっ
た後はそのままの状態に留まる。これらクロック信号と
ノード電圧は、クロック回路200がポンプ信号を受け
取るまでその状態に留まる。
レベルのポンプ信号を受けて、ポンピングサイクルを開
始する。信号CP1、CP1Bは、ゆるやかにハイレベ
ルおよびロウレベルヘとそれぞれ遷移する。CP2とC
P4は、直前のプリチャージサイクルの後もロウレベル
となって、トランジスタ630、634をオンとする。
CP3はハイレベルで、トランジスタ632はオフなの
で、接地レベルから基板への直接の径路は形成されず、
不要な電荷の流出は起らない。CP1がハイレベルへ遷
移すると、ノードN2の電位は上がり負の電荷を接地レ
ベルからノードN2へトランジスタ630を介して引き
抜く。このトランジスタ630は、ロウレベルのCP2
でオンする。従って、ノードN2は徐々に接地レベルと
等しくなる。
と、直前のプリチャージサイクルの間ノードN2からノ
ードN1へ転送された電荷がノードN1から基板へ転送
され、区間TPUMPで示したようにVBBを下げる。ノード
N1の電位は減少してVBBと等しくなり、VBBの電位は
所定のレベル(好適な例としてー2V)まで下がる。
ジスタ646をオンさせることによって、ノードN4と
ノードN1とを接続させる。トランジスタ646がオン
しているとき、トランジスタ634のゲート電圧は、そ
のソースに結び付けられており、トランジスタ634は
プリチャージの間オフに保たれている。ノードN4は、
トランジスタ646をオンすることにより、プリチャー
ジサイクルの間ノードN1に接続し、接地レベル以下の
電圧に保たれる。ノードN4が接地レベル以下の約ー1
Vに保たれると、トランジスタ634がオンし、CP4
がロウレベルに遷移し、プリチャージサイクルの間にす
べての電荷が基板へ移動する。
スタ644が、ポンピングサイクルの間ノードN3を接
地レベルへ結び付ける。これによりトランジスタ632
がオフに保たれ、その結果ノードN2(または基板)か
らノードN1への電荷の移動はない。従ってポンピング
サイクルの間、電荷は接地レベルからノードN2へ、ま
たノードN1から基板へ移動する。
P1、CP1Bがクロック回路200の第2ステージ4
00を通過し、その結果CP2とCP4はロウレベルか
らハイレベルへ遷移する。従って、時間t2はポンピン
グステージの終りを示す。
らロウレベルへ遷移して、回路はプリチャージサイクル
へ移行する。信号CP3は、信号CP2、CP4の遷移
の後で遷移するので、重なりの無いロウアクティブ信号
である。従って、トランジスタ632は、トランジスタ
630、634がオフする、即ち信号CP2、CP4が
前もって時間t2でロウレベルからハイレベルへ遷移す
る時までは、ノードN3を駆動するロウレベルの信号C
P3によってオンされない。このタイミングは、接地レ
ベルからノードN2へ、またはノードN1からVBBへの
間で、好ましくない電流が流れることを防止する。
低下し、プリチャージサイクルが開始される。クロック
回路200を参照して既に説明したように、図5に示し
たクロック回路200は、プリチャージサイクルの間ポ
ンプ信号を無視する。というのは、プリチャージサイク
ルの後にクロック回路200がポンプ信号を入力するな
ら、クロック回路200では後続のポンピングサイクル
の準備が必要だからである。これによりクロック回路2
00がポンプ信号を入力した時に、電荷注入を行うのに
十分の準備を可能とする自己タイミング機能が達成され
る。
CP1はロウレベルへ遷移し、CP1Bはハイレベルへ
遷移する。これら信号が変化するにつれ、ノードN2の
電位は更に負の方向へ遷移し、ノードN1の電位は更に
正の方向へ遷移する。信号CP3のレベルは低いので、
トランジスタ632はオンし、電荷はノードN2からノ
ードN1へと移動する。しかし、トランジスタ630、
634はハイレベルのCP2とCP4によってオフし、
接地レベルからノードN2へ、またはノードN1から基
板へ好ましくない電荷の移動が起ることを防止する。
646、650が設けられており、プリチャージサイク
ルの間トランジスタ630、634のオフ状態を保って
いる。特に、トランジスタ646、650は、トランジ
スタ630、634のゲート電位をノードN4,N5
で、それぞれそれらのソース電位へ接続することによっ
て、好ましくない電荷の移動が起ることを防止してい
る。CP3がロウレベルの時、トランジスタ650はオ
ンし、ノードN5を接地レベルへ接続し、プリチャージ
の間トランジスタ630をオフに保つ。また、プリチャ
ージサイクルの間、トランジスタ646もオンし、トラ
ンジスタ634をオフに保つ。トランジスタ646は、
ポンピングサイクルとの関係で既に説明したように、別
の機能も持っている。
ノードN1(約ー1V)に接続し、ノードN4の電位を
十分低くして、トランジスタ634が後続のポンピング
サイクルの間オンするようにしている。従って、接地レ
ベルからノードN2へ、またはノードN1から基板へ電
荷の移動が起ることはない。プリチャージ区間T
PRECHARGE の終り近くで明らかなように、ノードN2,
N1での電圧は、最終電圧のー1Vで等しくなる。ノー
ドN2とノードN1とが等しくなると、チャージポンプ
は後続のポンピングサイクル(チャージポンプがポンプ
信号を入力する限り)のための安定状態となる。
0の第2のステージ400を通過すると、CP3は時間
t5でハイレベルへ遷移して、トランジスタ632がオ
フしプリチャージサイクルが終了する。時間t6では、
CP2とCP4はロウレベルへ遷移し、次のポンピング
サイクルの準備のために、トランジスタ630、634
をオンする。CP2、CP3、CP4の遷移は、ここで
も接地レベルから基板へ好ましくない電荷の移動を防止
するように選ばれている。
V11がハイレベルへ遷移して、クロック回路200がポ
ンプ信号196を読み込むことを可能とする。もしポン
プ信号196がハイレベルならば、クロック回路はT
PRECHARGE 区間に先立つTPUMP区間で、信号を生成す
る。もしポンプ信号196がローレベルならば、ハイレ
ベルのポンプ信号を入力するまで、クロック回路200
はTQUIESCENT 区間で示した休止状態に留まる。
電力消費の少ない基板バイアス発生装置が実現される。
また、この装置は、待機モードでクロック回路200と
ポンプ回路600を休止させることにより、電流を小さ
く抑えることができる。更に、この装置では、クロック
回路として自己タイミングクロック回路200が設けら
れているので、従来のように常に動作する発振器を設け
る必要がなくなる。このクロック回路200がアクティ
ブポンプ信号を受けた時には、クロック回路200は信
号を発生してポンプ回路600にポンプ動作を行わせ、
引き続きプリチャージステージでポンプの回復を行い、
次のポンピングサイクルでの適切なポンピング動作を可
能とする。クロック回路200の自己タイミング機能で
は、プリチャージサイクルが完了するまで、ポンプ信号
は無視される。
明を説明したが、本発明はこれに限定されることはな
く、本発明の要旨の範囲内で如何なる変更も可能である
ことは言うまでもない。ここでの記載を参考にして、当
業者が多くの変形例や他の実施例を想到し得ることは自
明のことである。例えば、チャージポンプとしては、本
発明の趣旨に合う限りどのようなものを用いてもよい。
具体的には、単一ステージのチャージポンプや、Nーチ
ャネル型トランジスタを用いたポンプを採用することも
できる。また、本発明の電圧バイアス発生装置は、小さ
い電流を引いて、基板ではなく集積回路のノードへ電荷
を注入し、このノードを所定のポテンシャルに保つこと
も可能である。
基板バイアス発生装置およびバイアス制御方法によれ
ば、集積回路基板の電圧を監視し所定のレベルからずれ
た時にクロック発生信号を出力するとともに、自己タイ
ミングクロック回路によりクロック発生信号に応答して
クロック信号を発生させ、ポンプ回路においてこのクロ
ック信号に応答して電荷を集積回路基板に注入し、基板
電圧を変化させるようにしたので、駆動時の電流が小さ
くなり、また電力損失を著しく抑えることができるとい
う効果を奏する。従って、例えば携帯性の電子機器への
応用した場合、電池などの動作可能な稼動時間を大きく
延長させることができる。
装置の概略構成を表すブロック図である。
す回路図である。
イミング図である。
す回路図である。
る。
細な回路図である。
細な回路図である。
ある。
ミング図である。
Claims (9)
- 【請求項1】 集積回路基板に接続され、前記集積回路
基板の電圧を監視し所定のレベルからずれた時にクロッ
ク発生信号を出力する電圧レギュレータ回路と、 前記クロック発生信号を入力とし、このクロック発生信
号に応答してクロック信号を発生する自己タイミングク
ロック回路と、 前記クロック信号に応答して電荷を前記集積回路基板に
注入し、基板電圧を変化させるポンプ回路とを備えたこ
とを特徴とする集積回路用基板バイアス発生装置。 - 【請求項2】 前記電圧レギュレータ回路が、VCC信号
に比例したVCCREF信号を発生させる第1の抵抗ネット
ワークと、基板電圧VBBに比例したVBBREF信号を発生
させる第2の抵抗ネットワークと、VCCREF 信号とV
BBREF 信号とを比較する差動増幅回路と、この差動増幅
回路に接続され、VCCREF 信号がVBBREF 信号よりも高
くなった時、クロック発生信号を出力するインバータ列
とを含むことを特徴とする請求項1記載の集積回路用基
板バイアス発生装置。 - 【請求項3】 前記差動増幅回路を構成するトランジス
タの各チャネル長が、回路を流れる電流を制限するよう
長く設定されたことを特徴とする請求項2記載の集積回
路用基板バイアス発生装置。 - 【請求項4】 前記インバータ列を構成するトランジス
タの各チャネル長が、VCCレベルから接地レベルへの電
流損失を制限するよう選択して設定されたことを特徴と
する請求項2記載の集積回路用基板バイアス発生装置。 - 【請求項5】 前記インバータ列の出力を受けて安定な
クロック発生信号を出力するラッチ回路を更に備えたこ
とを特徴とする請求項2記載の集積回路用基板バイアス
発生装置。 - 【請求項6】 前記自己タイミングクロック回路が、ア
クティブなクロック発生信号が入力した時のみに起動さ
れるよう構成したことを特徴とする請求項1記載の集積
回路用基板バイアス発生装置。 - 【請求項7】 前記自己タイミングクロック回路が、前
記ポンプ回路の電荷注入終了後は前記クロック発生信号
を無視するように構成したことを特徴とする請求項6記
載の集積回路用基板バイアス発生装置。 - 【請求項8】 集積回路基板に接続され、この基板の電
圧を監視し所定のレベルからずれた時にアクティブなク
ロック発生信号を出力する低電流電圧レギュレータ回路
と、 第1ステージおよび第2ステージを有し、第1ステージ
で前記アクティブクロック発生信号を入力して第1およ
び第2の信号を出力するとともに、第2ステージで、前
記第1および第2の信号を入力して更に第3、第4、第
5の信号を出力することにより、前記アクティブクロッ
ク発生信号に応答して第1乃至第5のクロック信号を発
生させる、自由発振ではない低電流自己タイミングクロ
ック回路と、 前記第1乃至第5のクロック信号に応答して電荷を基板
に注入し、前記集積回路基板の基板電圧を下げるポンプ
回路とを備え、 前記低電流自己タイミングクロック回路は、前記ポンプ
回路による電荷注入が終了した後は、クロック発生信号
を無視することを特徴とする集積回路用基板バイアス発
生装置。 - 【請求項9】 集積回路用基板の基板電圧を監視するス
テップと、 前記基板電圧が所定のレベルからずれた時にクロック回
路を駆動してクロック信号を出力させるステップと、 基板電圧が所定のレベルからずれた時に前記クロック信
号に応答してポンプ回路を駆動し、電荷を前記集積回路
用基板のノードに注入させて基板電圧を変化させるステ
ップとを備えた基板バイアス制御方法。
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