KR940009802A - 무(無)발진기 기판 바이어스 발생기 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 회로는 발진기 대신에 클록회로를 구비한 전압 안정기를 회로를 구비하므로, 스탠드바이 모드일 때 상당한 전력을 절감한다. 저전류를 동작시키고 저전력을 소비하는 DC전압 레귤레이터는 향기 작동하고 전력을 소비하는 유일한 회로이다. 전하 펌핑되지 않을 때, 회로의 전류는 수 마이크로암페아 이하가 된다. DC전압 레귤레이터회로는 기판 전압 Vbb가 너무 높을 때 자기타이밍회로를 인에이블(enable)한다. 셀프 타임회로는 기판 전압 VBB를 더욱 네가티브한 수치로 펌프하는 전하 펌프를 제어한다. 상기 자기타이밍회로는 VBB가 소망 레벨에 도달할때까지 그리고 DC전압 레귤레이터 신호가 그것을 정지시킬 때까지 전하 펌프를 클록(clock)한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 양호한 실시예에 따른 기판 바이어스 발생회로의 블록도,
제2도는 제1도의 기판 전압 레귤레이터 회로의 블록도.
Claims (17)
- 집적 회로기판에 접속되고, 상기 집족 회로 기판의 전압을 감시하여 소정의 레벨로부터 벗어났을 때 클록 발생 신호를 출력하는 전압 레귤레이터회로와, 상기 클록 발생 신호를 수신하였을 때, 이 클록 발생신호에 응답하여 클록신호를 발생시키는 자기 타이밍 클록회로와 상기 클록신호에 응답하여 전하를 상기 집적 회로 기판에 주입하여, 기판 전압을 변화시키는 2단 펌프회로를 구비한 것을 특징으로 하는 직접회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 전압 레귤레이터회로가 Vcc신호에 비례한 VCCREF신호를 발생시키는 제1의 저항 네트워크과, 기판 전압 VBB에 비례한 VCCREF신호를 발생시키는 제2의 저항 네트워크와, VCCREF신호와 VBBREF신호를 비교하는 차동 증폭회로와, 이 차동증폭회로에 접속되고, VCCREF신호가 VBBREF신호보다도 높게 되었을 때, 클록 발생 신호를 출력하는 일련의 인버터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 직접회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제2항에 있어서, 상기 차동 증폭회로는 회로의 전류를 제한하도록 길게 설정된 채널을 갖는 트랜지스터들을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제2항에 있어서, 상기 인버터들은 회로의 VCC레벨로부터 접지로의 전류손실을 제한하도록 선택된 채널 길이를 갖는 트랜지스터를 포함하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제2항에 있어서, 안정된 클록 발생신호를 출력하는 래치회로를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 자기 타이밍 클록회로는 클록 발생신호를 수신하고 제1 및 제2신호를 출력하는 제1단을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제6항에 있어서, 상기 자기 타이밍 클록회로는 상기 제1 및 제2 신호를 수신하고, 제3, 제4 및 제5신호를 출력하는 제2단을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제7항에 있어서, 상기 펌프 회로는 상기 제1내지 제5신호에 응답하여 상기 직접회로의 노드전압을 낮추는 것을 특징으로 하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제8항에 있어서, 상기 펌프회로는 P채널 트랜지스터들을 포함하는 2단 펌프회로임을 특징으로 하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제1항에 있어서, 상기 자기 타이밍 클록회로는 액티브한 클록발생 신호를 수신하였을때만 기동됨을 특징으로 하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제10항에 있어서, 상기 자기 타이밍 클록 회로는 자유발진(free running)이 아님을 특징으로 하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 제10항에 있어서, 상기 자기 타이밍 클록회로는 전하 주입 종료후에 클록발생신호를 무시하는 것을 특징으로 하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 집적 회로 기판에 접속되고, 이 기판의 전압을 감시하여, 소정의 레벨로부터 벗어났을 때 액티브한 클록발생신호를 출력하는 저전류 전압 레귤레이터회로와, 상기 액티브한 클록 발생 신호를 수신하고 제1 및 제2신호를 출력하는 제1단과, 상기 제1 및 제2신호를 수신하고, 제3, 제4 및 제5신호를 출력하는 제2단을 포함하고, 상기 액티브 클록 발생신호에 응답하여 클록 신호들을 발생시키는 자유발진이 아닌 저전류 자기 타이밍 클록회로와, 상기 제1 내지 제5의 신호에 응답하여 전하를 주입하고 상기 집적회로 기판의 전압을 낮추는 펌프 회로를 구비하고, 상기 저전류 타이밍 클록회로는 전하 주입의 종류후에는 클록 발생신호를 무시하는 것을 특징으로 하는 집적회로용 기판 바이어스 발생기.
- 집적 회로용 기판의 기판 전압을 감시하는 단계와, 상기 기판전압이 소정의 레벨로부터 벗어났을 때 클록회로를 구동하는 단계, 상기 기판 전압이 소정의 레벨로부터 벗어났을 때 전하를 상기 집적 회로용 기판의 노드에 주입시켜서 기판 전압을 변화시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 기판 전압 레귤레이팅 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 기판 전압을 감시하는 단계는, Vcc신호에 비례한 VCCREF신호를 발생시키는 것, 기판 전압 VBB에 비례한 VBBREF신호를 발생시키는 것, VCCREF신호와 VBBREF신호를 비교하는 것, 및 VCCREF신호가 VBBREF신호보다도 높게 되었을 때, 클록 발생 신호를 출력하는 것을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 기판 전압 레귤레이팅 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 클록회로를 구동하는 단계는 액티브 클록 발생 신호를 수신하여 전하를 기판에 주입하는 전하 주입을 제어하기 위한 클록신호를 출력하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 기판 전압 레귤레이팅 방법.
- 제14항에 있어서, 상기 전하 주입 단계는 P채널 트랜지스터들을 포함하는 2단 전하 주입을 채용하는 것에 의해 클록신호를 수신하고 상기 집적 회로의 기판 전압을 내리는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 장치의 기판 전압 레귤레이팅 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/964,912 US5347172A (en) | 1992-10-22 | 1992-10-22 | Oscillatorless substrate bias generator |
US07/964,912 | 1992-10-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR940009802A true KR940009802A (ko) | 1994-05-24 |
KR100278870B1 KR100278870B1 (ko) | 2001-01-15 |
Family
ID=25509149
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019930022062A KR100278870B1 (ko) | 1992-10-22 | 1993-10-22 | 무발진기 기판 바이어스 발생기 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5347172A (ko) |
EP (1) | EP0596228B1 (ko) |
JP (1) | JP2889979B2 (ko) |
KR (1) | KR100278870B1 (ko) |
DE (1) | DE69312858T2 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100718037B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2007-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 기판 바이어스 전압 발생 회로 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6424202B1 (en) * | 1994-02-09 | 2002-07-23 | Lsi Logic Corporation | Negative voltage generator for use with N-well CMOS processes |
JP3292417B2 (ja) * | 1994-02-15 | 2002-06-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
KR0149224B1 (ko) * | 1994-10-13 | 1998-10-01 | 김광호 | 반도체 집적장치의 내부전압 승압회로 |
US5670907A (en) * | 1995-03-14 | 1997-09-23 | Lattice Semiconductor Corporation | VBB reference for pumped substrates |
US5973956A (en) * | 1995-07-31 | 1999-10-26 | Information Storage Devices, Inc. | Non-volatile electrically alterable semiconductor memory for analog and digital storage |
US5694072A (en) * | 1995-08-28 | 1997-12-02 | Pericom Semiconductor Corp. | Programmable substrate bias generator with current-mirrored differential comparator and isolated bulk-node sensing transistor for bias voltage control |
JPH09330590A (ja) * | 1996-06-07 | 1997-12-22 | Mitsubishi Electric Corp | 内部電圧検出回路、および基板電圧検出回路 |
TW362277B (en) * | 1996-07-29 | 1999-06-21 | Hynix Semiconductor Inc | Charge pump for a semiconductor substrate |
US6188590B1 (en) | 1996-12-18 | 2001-02-13 | Macronix International Co., Ltd. | Regulator system for charge pump circuits |
WO1998027477A1 (en) * | 1996-12-18 | 1998-06-25 | Macronix International Co., Ltd. | A regulator system for charge pump circuits |
KR100273208B1 (ko) | 1997-04-02 | 2000-12-15 | 김영환 | 반도체메모리장치의고효율전하펌프회로 |
JP3135859B2 (ja) * | 1997-04-11 | 2001-02-19 | 株式会社リコー | 基板バイアス回路 |
FR2773012B1 (fr) | 1997-12-24 | 2001-02-02 | Sgs Thomson Microelectronics | Dispositif a pompe de charges negatives |
FR2772941B1 (fr) * | 1998-05-28 | 2002-10-11 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuit de regulation d'une pompe de charges negatives |
US6646415B1 (en) | 1999-06-25 | 2003-11-11 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Dynamically-switched power converter |
US6310789B1 (en) | 1999-06-25 | 2001-10-30 | The Procter & Gamble Company | Dynamically-controlled, intrinsically regulated charge pump power converter |
US6370046B1 (en) | 2000-08-31 | 2002-04-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Ultra-capacitor based dynamically regulated charge pump power converter |
JP2001332696A (ja) | 2000-05-24 | 2001-11-30 | Nec Corp | 基板電位検知回路及び基板電位発生回路 |
US6486727B1 (en) * | 2001-10-11 | 2002-11-26 | Pericom Semiconductor Corp. | Low-power substrate bias generator disabled by comparators for supply over-voltage protection and bias target voltage |
DE10162309A1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-07-03 | Philips Intellectual Property | Verfahren und Anordnung zur Erhöhung der Sicherheit von Schaltkreisen gegen unbefugten Zugriff |
JP2005516454A (ja) * | 2002-01-23 | 2005-06-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 集積回路及び電池式電子装置 |
US6864664B2 (en) * | 2003-06-06 | 2005-03-08 | Sony Corporation | Circuit for charging supplemental battery in portable electronic device |
US7129771B1 (en) * | 2003-12-23 | 2006-10-31 | Transmeta Corporation | Servo loop for well bias voltage source |
US7649402B1 (en) * | 2003-12-23 | 2010-01-19 | Tien-Min Chen | Feedback-controlled body-bias voltage source |
US7012461B1 (en) | 2003-12-23 | 2006-03-14 | Transmeta Corporation | Stabilization component for a substrate potential regulation circuit |
KR100732756B1 (ko) * | 2005-04-08 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 펌핑장치 |
US8098089B2 (en) * | 2006-07-28 | 2012-01-17 | Stmicroelectronics S.R.L. | Voltage booster |
US9002447B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-04-07 | Medtronic, Inc. | Implantable medical device having power supply for generating a regulated power supply |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4142114A (en) * | 1977-07-18 | 1979-02-27 | Mostek Corporation | Integrated circuit with threshold regulation |
US4356412A (en) * | 1979-03-05 | 1982-10-26 | Motorola, Inc. | Substrate bias regulator |
JPS55162257A (en) * | 1979-06-05 | 1980-12-17 | Fujitsu Ltd | Semiconductor element having substrate bias generator circuit |
JPS5785253A (en) * | 1980-11-17 | 1982-05-27 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
US4401897A (en) * | 1981-03-17 | 1983-08-30 | Motorola, Inc. | Substrate bias voltage regulator |
US4739191A (en) * | 1981-04-27 | 1988-04-19 | Signetics Corporation | Depletion-mode FET for the regulation of the on-chip generated substrate bias voltage |
US4553047A (en) * | 1983-01-06 | 1985-11-12 | International Business Machines Corporation | Regulator for substrate voltage generator |
US4585954A (en) * | 1983-07-08 | 1986-04-29 | Texas Instruments Incorporated | Substrate bias generator for dynamic RAM having variable pump current level |
US4581546A (en) * | 1983-11-02 | 1986-04-08 | Inmos Corporation | CMOS substrate bias generator having only P channel transistors in the charge pump |
NL8701278A (nl) * | 1987-05-29 | 1988-12-16 | Philips Nv | Geintegreerde cmos-schakeling met een substraatvoorspanningsgenerator. |
JPS6445157A (en) * | 1987-08-13 | 1989-02-17 | Toshiba Corp | Semiconductor integrated circuit |
US4883976A (en) * | 1987-12-02 | 1989-11-28 | Xicor, Inc. | Low power dual-mode CMOS bias voltage generator |
JP2568442B2 (ja) * | 1989-07-14 | 1997-01-08 | セイコー電子工業株式会社 | 半導体集積回路装置 |
US5220534A (en) * | 1990-07-31 | 1993-06-15 | Texas Instruments, Incorporated | Substrate bias generator system |
JP2870277B2 (ja) * | 1991-01-29 | 1999-03-17 | 日本電気株式会社 | ダイナミック型ランダムアクセスメモリ装置 |
JPH04255989A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置および内部電圧発生方法 |
US5126590A (en) * | 1991-06-17 | 1992-06-30 | Micron Technology, Inc. | High efficiency charge pump |
-
1992
- 1992-10-22 US US07/964,912 patent/US5347172A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-09-20 EP EP93115067A patent/EP0596228B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-09-20 DE DE69312858T patent/DE69312858T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-08 JP JP5277923A patent/JP2889979B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-22 KR KR1019930022062A patent/KR100278870B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100718037B1 (ko) * | 2005-09-13 | 2007-05-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 기판 바이어스 전압 발생 회로 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0596228B1 (en) | 1997-08-06 |
JP2889979B2 (ja) | 1999-05-10 |
DE69312858T2 (de) | 1998-02-19 |
EP0596228A1 (en) | 1994-05-11 |
KR100278870B1 (ko) | 2001-01-15 |
DE69312858D1 (de) | 1997-09-11 |
JPH06303765A (ja) | 1994-10-28 |
US5347172A (en) | 1994-09-13 |
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Date | Code | Title | Description |
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A201 | Request for examination | ||
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