JPH0630284B2 - 電圧非直線抵抗素子の製造方法 - Google Patents
電圧非直線抵抗素子の製造方法Info
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- JPH0630284B2 JPH0630284B2 JP62228093A JP22809387A JPH0630284B2 JP H0630284 B2 JPH0630284 B2 JP H0630284B2 JP 62228093 A JP62228093 A JP 62228093A JP 22809387 A JP22809387 A JP 22809387A JP H0630284 B2 JPH0630284 B2 JP H0630284B2
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
- H01C7/112—ZnO type
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/30—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for baking
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧非直線抵抗素子、例えば酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）を主成分とする低電圧回路用バリスタの製造方法に
関する。
Ｏ）を主成分とする低電圧回路用バリスタの製造方法に
関する。
ＺｎＯを主成分とし、これに微量の添加物を加えて混合
した後、焼結して作られるセラミックスは、優れた電圧
非直線性を示すことが知られており、電気回路における
異常電圧（サージ）を制御するためのバリスタとして広
く実用に供されている。
した後、焼結して作られるセラミックスは、優れた電圧
非直線性を示すことが知られており、電気回路における
異常電圧（サージ）を制御するためのバリスタとして広
く実用に供されている。
ＺｎＯのバリスタの電圧非直線性は、ＺｎＯ粒子の粒界
に形成されるショットキー障壁に起因するものである。
実用的なバリスタにおいては、ＺｎＯの粒子が結合して
形成される粒界１層当りのバリスタ電圧は結晶粒径の大
きさにかかわらずほぼ一定であり、その値は２Ｖ程度で
ある。バリスタ電圧とは、バリスタに１mAの電流を流し
たときの端子間電圧であり、通状Ｖ1mAで表わされる。
したがって、電圧非直線抵抗素子のバリスタ電圧はＺｎ
Ｏ焼結体上に設けられた電極間に存在する粒界層の数に
よって決定される。このため低電圧回路に用いられる素
子に対しては、素子の厚さを薄くするか、あるいはＺｎ
Ｏ粒子径を十分に大きくする必要がある。
に形成されるショットキー障壁に起因するものである。
実用的なバリスタにおいては、ＺｎＯの粒子が結合して
形成される粒界１層当りのバリスタ電圧は結晶粒径の大
きさにかかわらずほぼ一定であり、その値は２Ｖ程度で
ある。バリスタ電圧とは、バリスタに１mAの電流を流し
たときの端子間電圧であり、通状Ｖ1mAで表わされる。
したがって、電圧非直線抵抗素子のバリスタ電圧はＺｎ
Ｏ焼結体上に設けられた電極間に存在する粒界層の数に
よって決定される。このため低電圧回路に用いられる素
子に対しては、素子の厚さを薄くするか、あるいはＺｎ
Ｏ粒子径を十分に大きくする必要がある。
例えば、ＤＣ12Ｖ回路のＺｎＯバリスタを適用する場
合、回路電圧の変動などを考慮して、バリスタ電圧は一
般に22Ｖのものが使用されるが、前述のように、粒界１
層当りのバリスタ電圧は約２Ｖであるから、この素子の
端子電極間に存在し得る粒径はたかだか11層である。
合、回路電圧の変動などを考慮して、バリスタ電圧は一
般に22Ｖのものが使用されるが、前述のように、粒界１
層当りのバリスタ電圧は約２Ｖであるから、この素子の
端子電極間に存在し得る粒径はたかだか11層である。
他方、通常の方法で作られるＺｎＯバリスタ焼結体の粒
径は10〜20μｍであるから、約22Ｖのバリスタ電圧を得
るために素子の厚さは0.1〜0.2mmにしなければならな
い。しかし、ＺｎＯバリスタのような焼結体は0.1〜0.2
mmの厚さでは機械的強度が低く、製作中に割れを生ずる
などの問題があり、素子をこのように薄くする方法は実
用的ではない。
径は10〜20μｍであるから、約22Ｖのバリスタ電圧を得
るために素子の厚さは0.1〜0.2mmにしなければならな
い。しかし、ＺｎＯバリスタのような焼結体は0.1〜0.2
mmの厚さでは機械的強度が低く、製作中に割れを生ずる
などの問題があり、素子をこのように薄くする方法は実
用的ではない。
これを解決するためＺｎＯバリスタを作製する際に、原
料のＺｎＯ粉末にそれよりもはるかに大きい粒径のＺｎ
Ｏ単結晶を少量添加し、そのＺｎＯ単結晶（以下これを
核粒子と称する）を核として粒成長を促進させるという
巧妙な方法で特公昭５６−１１２０３号で開示されてい
る。第２図にこの方法の基本的な流れ図を示す。この方
法は、バリスタ粉末と核粒子とを混合し、成形した後、
焼成することからなる。
料のＺｎＯ粉末にそれよりもはるかに大きい粒径のＺｎ
Ｏ単結晶を少量添加し、そのＺｎＯ単結晶（以下これを
核粒子と称する）を核として粒成長を促進させるという
巧妙な方法で特公昭５６−１１２０３号で開示されてい
る。第２図にこの方法の基本的な流れ図を示す。この方
法は、バリスタ粉末と核粒子とを混合し、成形した後、
焼成することからなる。
核粒子をバリスタ粉末に混合して焼成すると表面エネル
ギーの違いにより核粒子を核として粒成長が進み、核粒
子を添加しない場合に比べて非常に大きな結晶粒が得ら
れる。第３図は、この状況を模式的に示した図である。
ここで１は原料粉末を、２は結晶粒を示す。第３図は、
核粒子を添加しない従来法の状況であって、焼結温度を
高くしたりまたは焼結時間を長くしても粒径はたかだか
50μｍである。このように高温で長時間焼結すると、添
加物が蒸発することなどにより素子の電圧非直線係数α
が著しく低下し、実用に供し得ないものとなる。これに
対して、第４図は、核粒子を添加した場合の状況を模式
的に示した図であって、この場合には、高温で長時間焼
結を行わなくとも結晶粒は核粒子３を中心にして巨大粒
子へと大きく成長する。この方法では、結晶粒径が100
〜200μｍに成長し、素子厚さ１mm当りのバリスタ電圧
（以下、これをＶ1mA／ｔと記す）を20Ｖ／mm以下にま
で低下させることができる。
ギーの違いにより核粒子を核として粒成長が進み、核粒
子を添加しない場合に比べて非常に大きな結晶粒が得ら
れる。第３図は、この状況を模式的に示した図である。
ここで１は原料粉末を、２は結晶粒を示す。第３図は、
核粒子を添加しない従来法の状況であって、焼結温度を
高くしたりまたは焼結時間を長くしても粒径はたかだか
50μｍである。このように高温で長時間焼結すると、添
加物が蒸発することなどにより素子の電圧非直線係数α
が著しく低下し、実用に供し得ないものとなる。これに
対して、第４図は、核粒子を添加した場合の状況を模式
的に示した図であって、この場合には、高温で長時間焼
結を行わなくとも結晶粒は核粒子３を中心にして巨大粒
子へと大きく成長する。この方法では、結晶粒径が100
〜200μｍに成長し、素子厚さ１mm当りのバリスタ電圧
（以下、これをＶ1mA／ｔと記す）を20Ｖ／mm以下にま
で低下させることができる。
粒成長を促進させるのに用いられる核粒子を製造するた
めには、通常次の方法が用いられる。
めには、通常次の方法が用いられる。
（１）ＺｎＯ粉末にＢａ化合物またはＳｒ化合物を少量
添加し、混合した粉末を成形した後、焼成し、得られた
焼結体を加水分解する。
添加し、混合した粉末を成形した後、焼成し、得られた
焼結体を加水分解する。
（２）ＺｎＯ粉末にＢｉ２Ｏ３、希土類化合物などの粒
成長促進剤を添加し、混合した粉末成形した後、焼成し
て得られる焼結体を粉砕する。
成長促進剤を添加し、混合した粉末成形した後、焼成し
て得られる焼結体を粉砕する。
（３）気相成長法を用いて直接ＺｎＯ単結晶を形成す
る。
る。
これらの核粒子製造方法のうちで（１）の方法は粒成長
促進剤として用いられるＢａ化合物やＳｒ化合物を加水
分解して除去することが可能であること、また添加物の
制御や核粒子径の制御が容易であることなどの点から最
も良く用いられている。この核粒子製造工程を含む従来
技術によるＺｎＯバリスタの製造方法の工程流れ図を第
５図に示す。第５図から、核粒子製造が多くの工程より
なることがわかる。
促進剤として用いられるＢａ化合物やＳｒ化合物を加水
分解して除去することが可能であること、また添加物の
制御や核粒子径の制御が容易であることなどの点から最
も良く用いられている。この核粒子製造工程を含む従来
技術によるＺｎＯバリスタの製造方法の工程流れ図を第
５図に示す。第５図から、核粒子製造が多くの工程より
なることがわかる。
しかしながら、上述のような従来技術による核粒子製造
工程を包含するＺｎＯバリスタの製造方法にも下記のよ
うな問題点があり、製品の特性のばらつき、製造コスト
などの点で必しも満足できる方法ではなかった。
工程を包含するＺｎＯバリスタの製造方法にも下記のよ
うな問題点があり、製品の特性のばらつき、製造コスト
などの点で必しも満足できる方法ではなかった。
（イ）核粒子形状が球状でないため、焼結後の粒径が不
均一となり易く、電気的特性がばらつく。
均一となり易く、電気的特性がばらつく。
（ロ）核粒子径のばらつきが大きく、使用できる核粒子
の収率が低い。
の収率が低い。
（ハ）焼結体を単結晶にする際の加水分解工程に多くの
時間を費やす。
時間を費やす。
（ニ）核粒子を作製するためのラインが必要である。
したがって、本発明は、上述した従来技術による核粒子
作製工程を含む電圧非直線抵抗素子の製造方法の欠点を
考慮してなされたものであって、素子特性のばらつきを
少なくし、しかも製法を容易にさせる核粒子の改良製造
工程を含む電圧非直線抵抗素子、例えば低電圧ＺｎＯバ
リスタの製造方法を定常することを目的とする。
作製工程を含む電圧非直線抵抗素子の製造方法の欠点を
考慮してなされたものであって、素子特性のばらつきを
少なくし、しかも製法を容易にさせる核粒子の改良製造
工程を含む電圧非直線抵抗素子、例えば低電圧ＺｎＯバ
リスタの製造方法を定常することを目的とする。
本発明は、核粒子製造工程を含むＺｎＯバリスタの製造
方法について研究した結果、（１）ＺｎＯバリスタ原料
粉末を使用して湿式混合により作製されたスラリーを噴
霧乾燥機により乾燥すると、球形の造粒粉が得られるこ
と、 （２）この造粒粉の大きさは10〜100μｍ程度の範囲に
あり、任意に制御できること、 （３）この造粒粉を焼成すると単結晶粒子または数個の
結晶からなる多結晶粒子となり、これが核粒子として使
用できること に着目したもので、このようにして作製された核粒子を
ＺｎＯバリスタ粉末と混合した後、焼成することによっ
て、素子特性のばらつきが少なく、しかも従来法に比べ
て製造工程が大幅に削減された方法により、低電圧Ｚｎ
Ｏバリスタが提供できることを見出し、本発明を完成し
た。
方法について研究した結果、（１）ＺｎＯバリスタ原料
粉末を使用して湿式混合により作製されたスラリーを噴
霧乾燥機により乾燥すると、球形の造粒粉が得られるこ
と、 （２）この造粒粉の大きさは10〜100μｍ程度の範囲に
あり、任意に制御できること、 （３）この造粒粉を焼成すると単結晶粒子または数個の
結晶からなる多結晶粒子となり、これが核粒子として使
用できること に着目したもので、このようにして作製された核粒子を
ＺｎＯバリスタ粉末と混合した後、焼成することによっ
て、素子特性のばらつきが少なく、しかも従来法に比べ
て製造工程が大幅に削減された方法により、低電圧Ｚｎ
Ｏバリスタが提供できることを見出し、本発明を完成し
た。
しかして、本発明は、主成分となる酸化亜鉛粉末に微量
の副成分を添加した、焼結後に電圧非直線性を示す粉末
と、前記酸化亜鉛粉末よりも十分に大きい結晶粒径を有
する酸化亜鉛単結晶または多結晶とを混合し、成形し、
焼成することによって電圧非直線抵抗素子を製造する方
法において、前記酸化亜鉛単結晶または多結晶が前記粉
末のスラリから噴霧乾燥造粒法により得られた前記粉を
焼成し、その解砕して作られることを特徴とする電圧非
直線抵抗素子の製造方法である。
の副成分を添加した、焼結後に電圧非直線性を示す粉末
と、前記酸化亜鉛粉末よりも十分に大きい結晶粒径を有
する酸化亜鉛単結晶または多結晶とを混合し、成形し、
焼成することによって電圧非直線抵抗素子を製造する方
法において、前記酸化亜鉛単結晶または多結晶が前記粉
末のスラリから噴霧乾燥造粒法により得られた前記粉を
焼成し、その解砕して作られることを特徴とする電圧非
直線抵抗素子の製造方法である。
本発明による電圧非直線抵抗素子の製造方法の工程流れ
図を第１図に示す。以下では、この第１図を参照しつ
つ、一具体例として低電圧ＺｎＯバリスタの製造方法に
ついて説明する。
図を第１図に示す。以下では、この第１図を参照しつ
つ、一具体例として低電圧ＺｎＯバリスタの製造方法に
ついて説明する。
まず、本発明の方法では、焼結後に電圧非直線性を発現
させるＺｎＯバリスタ粉末が用意される。これは、Ｚｎ
Ｏ粉末に適量の副成分を添加して得られる。副成分とし
ては、例えばＰｒ、Ｃｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｃｒ
などの酸化物、またはこれら金属の炭酸塩、硝酸塩、水
酸化物などの焼成によって酸化物を生成できる先駆体化
合物であってよい。例えば、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｃｏ
２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｍｎ
Ｏ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３などがあげられる。次い
で、この原料粉末を湿式ボールミルなどによって十分に
混合し、粉砕してスラリーとした後、噴霧乾燥機により
造粒する。このようにして得られた造粒粉はほぼ完全な
球形をしており、その大きさは10〜100μｍ程度であ
る。造粒粉の大きさは造粒条件を変えることによって任
意に制御することができる。本発明の変形として、この
造粒はＺｎＯバリスタの組成と異なった組成のものから
作る方法も考えられるが、これは本発明の方法によって
作られる核粒子がＺｎＯバリスタの組成と同一の組成で
は満足する特性が得られないかとうかで判断すればよ
い。
させるＺｎＯバリスタ粉末が用意される。これは、Ｚｎ
Ｏ粉末に適量の副成分を添加して得られる。副成分とし
ては、例えばＰｒ、Ｃｏ、Ｂ、Ｂｉ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ｃｒ
などの酸化物、またはこれら金属の炭酸塩、硝酸塩、水
酸化物などの焼成によって酸化物を生成できる先駆体化
合物であってよい。例えば、Ｐｒ６Ｏ１１、Ｃｏ
２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４、Ｂ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｍｎ
Ｏ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３などがあげられる。次い
で、この原料粉末を湿式ボールミルなどによって十分に
混合し、粉砕してスラリーとした後、噴霧乾燥機により
造粒する。このようにして得られた造粒粉はほぼ完全な
球形をしており、その大きさは10〜100μｍ程度であ
る。造粒粉の大きさは造粒条件を変えることによって任
意に制御することができる。本発明の変形として、この
造粒はＺｎＯバリスタの組成と異なった組成のものから
作る方法も考えられるが、これは本発明の方法によって
作られる核粒子がＺｎＯバリスタの組成と同一の組成で
は満足する特性が得られないかとうかで判断すればよ
い。
このようにして作られた造粒粉は、例えばアルミナ磁器
製坩堝に詰めた後、一般に1100〜1500℃、好ましくは12
00〜1400℃で、一般に１〜７時間、好ましくは３〜５時
間焼成される。造粒粉は焼結によって約20％程度収縮
し、焼結粒子となる。この焼結粒子は接触部で互いに連
結してネック部を形成しているが、少し圧力を加えてほ
ぐすと、ネック部から分離し、完全に単一の粒子とな
る。電子顕微鏡観察によると、この焼結粒子は単結晶粒
子かまたは２〜３個の結晶から成る多結晶粒子である。
その割合は単結晶がほぼ70％以上で、多結晶がほぼ30％
未満である。
製坩堝に詰めた後、一般に1100〜1500℃、好ましくは12
00〜1400℃で、一般に１〜７時間、好ましくは３〜５時
間焼成される。造粒粉は焼結によって約20％程度収縮
し、焼結粒子となる。この焼結粒子は接触部で互いに連
結してネック部を形成しているが、少し圧力を加えてほ
ぐすと、ネック部から分離し、完全に単一の粒子とな
る。電子顕微鏡観察によると、この焼結粒子は単結晶粒
子かまたは２〜３個の結晶から成る多結晶粒子である。
その割合は単結晶がほぼ70％以上で、多結晶がほぼ30％
未満である。
次に、上記のように作られた単結晶粒子または多結晶粒
子、すなわち核粒子は、任意の所望の割合で、前述した
ＺｎＯバリスタ造粒粉とともに例えばＶ型混合機で十分
に混合され、金型で所定の形状に成形した後、大気中で
一般に1100〜1500℃、好ましくは1200〜1400℃で数時間
焼結される。この焼結により成形体は約20％程度収縮す
る。この焼結体に電極を付け、組立てられてＺｎＯバリ
スタとされる。
子、すなわち核粒子は、任意の所望の割合で、前述した
ＺｎＯバリスタ造粒粉とともに例えばＶ型混合機で十分
に混合され、金型で所定の形状に成形した後、大気中で
一般に1100〜1500℃、好ましくは1200〜1400℃で数時間
焼結される。この焼結により成形体は約20％程度収縮す
る。この焼結体に電極を付け、組立てられてＺｎＯバリ
スタとされる。
本発明にしたがって、ＺｎＯバリスタ原料粉末から湿式
混合により作製されたスラリーを噴霧乾燥造粒法により
乾燥すると、球形であって、大きさが10〜100μｍ程度
で任意に制御できる造粒粉が得られ、これを焼成し、解
砕すると単結晶焼結粒子または数個からなる多結晶焼結
粒子となる。
混合により作製されたスラリーを噴霧乾燥造粒法により
乾燥すると、球形であって、大きさが10〜100μｍ程度
で任意に制御できる造粒粉が得られ、これを焼成し、解
砕すると単結晶焼結粒子または数個からなる多結晶焼結
粒子となる。
これら単結晶または多結晶を核粒子としてＺｎＯバリス
タ粉末と混合した後、焼成して粒成長させると粒成長が
均一に行われ、よって素子特性のばらつきの少ないＺｎ
Ｏバリスタが得られる。
タ粉末と混合した後、焼成して粒成長させると粒成長が
均一に行われ、よって素子特性のばらつきの少ないＺｎ
Ｏバリスタが得られる。
また、上述の核粒子の製造工程数は従来法の核粒子の製
造工程数よりも大幅に削減され、その結果ＺｎＯバリス
タの製造コストを大幅に低減させることができる。
造工程数よりも大幅に削減され、その結果ＺｎＯバリス
タの製造コストを大幅に低減させることができる。
以下、本発明を実施例によって説明する。
まず、ＺｎＯ粉末にＰｒ、Ｃｏ、Ｂなどを酸化物などの
化合物の形で適量添加した原料を湿式ボールミルにて十
分に混合し、粉砕した後、噴霧乾燥機により造粒粉を得
た。この造粒粉はほぼ完全な球形をしており、粒径は30
〜50μｍであった。
化合物の形で適量添加した原料を湿式ボールミルにて十
分に混合し、粉砕した後、噴霧乾燥機により造粒粉を得
た。この造粒粉はほぼ完全な球形をしており、粒径は30
〜50μｍであった。
この造粒粉をアルミナ磁器製坩堝に圧力をかけることな
く詰め、1350℃にて４時間大気中で焼成した。焼成後、
この造粒粉は約20％収縮し、直径25〜40μｍの焼結粒子
となっていた。この焼結粒子は接触部で互いに連結して
ネック部を形成していたが、少し圧力を加えてほぐす
と、ネック部から分離し、完全に単一の粒子となった。
電子顕微鏡で観察すると、この焼結粒子は単結晶である
かまたは２〜３個の結晶から成る粒子であった。その割
合は単結晶がほぼ70％、多結晶がほぼ30％であった。
く詰め、1350℃にて４時間大気中で焼成した。焼成後、
この造粒粉は約20％収縮し、直径25〜40μｍの焼結粒子
となっていた。この焼結粒子は接触部で互いに連結して
ネック部を形成していたが、少し圧力を加えてほぐす
と、ネック部から分離し、完全に単一の粒子となった。
電子顕微鏡で観察すると、この焼結粒子は単結晶である
かまたは２〜３個の結晶から成る粒子であった。その割
合は単結晶がほぼ70％、多結晶がほぼ30％であった。
上記のようにして作られた核粒子と前述したＺｎＯバリ
スタ造粒粉とをＶ型混合機で十分に混合した後、直径17
mmの金型を使用して厚さ1.5mmの円板状に成形した。次
いで、この成形体を大気中で1350℃で４時間焼結した。
得られた焼結体の大きさは直径14mm、厚さ1.2mmであっ
た。
スタ造粒粉とをＶ型混合機で十分に混合した後、直径17
mmの金型を使用して厚さ1.5mmの円板状に成形した。次
いで、この成形体を大気中で1350℃で４時間焼結した。
得られた焼結体の大きさは直径14mm、厚さ1.2mmであっ
た。
上記のようにして作られた焼結体を厚さ１mmに研磨した
後、直径11.5mmΦのオーミック接触の電極を対向する面
に設けてバリスタを構成し、そのバリスタ特性を測定し
た。
後、直径11.5mmΦのオーミック接触の電極を対向する面
に設けてバリスタを構成し、そのバリスタ特性を測定し
た。
得られた結果を第１表に示す。第１表には、Ｖ、Ｖの変
動係数、電流１〜10mA領域における電圧非直線係数α、
２ｍｓサージ耐量を示してある。ただし、サージ耐量
は、２ｍｓ方形波標準電流パルスを素子に20秒間隔で20
回流した後のＶ1mAの変化率が±10％となる電流で規定
した。第１表には、比較のため従来法により製造された
素子の特性も示してある。明らかに本発明の方法により
得られた焼結体が従来法のものよりも均一性がよく、そ
の結果としてＶの変動係数、サージ耐量の向上が認めら
れる。
動係数、電流１〜10mA領域における電圧非直線係数α、
２ｍｓサージ耐量を示してある。ただし、サージ耐量
は、２ｍｓ方形波標準電流パルスを素子に20秒間隔で20
回流した後のＶ1mAの変化率が±10％となる電流で規定
した。第１表には、比較のため従来法により製造された
素子の特性も示してある。明らかに本発明の方法により
得られた焼結体が従来法のものよりも均一性がよく、そ
の結果としてＶの変動係数、サージ耐量の向上が認めら
れる。
〔発明の効果〕 本発明にしたがって、ＺｎＯバリスタ原料粉末から湿式
混合により作られたスラリーを噴霧乾燥することによっ
て作製した造粒粉を焼成し、解砕すると単結晶または２
〜３個からなる多結晶焼結粒子が得られる。このように
して作られた焼結粒子を核粒子として添加することを包
含するＺｎＯバリスタの製造法は、従来法に比べて、特
性のばらつきが少なくかつ特性が向上したＺｎＯバリス
タを提供し、また製造工程の大幅な削減によって大きな
コストダウンをもたらす。
混合により作られたスラリーを噴霧乾燥することによっ
て作製した造粒粉を焼成し、解砕すると単結晶または２
〜３個からなる多結晶焼結粒子が得られる。このように
して作られた焼結粒子を核粒子として添加することを包
含するＺｎＯバリスタの製造法は、従来法に比べて、特
性のばらつきが少なくかつ特性が向上したＺｎＯバリス
タを提供し、また製造工程の大幅な削減によって大きな
コストダウンをもたらす。
第１図は、本発明のＺｎＯバリスタの製造工程を示す流
れ図である。第２図は、従来技術による基本的な核粒子
を添加する低電圧ＺｎＯバリスタの製造工程を示す流れ
図である。第３図は、核粒子を添加しないときのＺｎＯ
バリスタ結晶粒を模式的に示した図である。第４図は、
核粒子を添加したときのＺｎＯバリスタの結晶粒を模式
的に示した図である。第５図は、従来技術によるＺｎＯ
バリスタの製造工程を示す流れ図である。 １……原料粉末、２……結晶粒、 ３……核粒子、４……巨大粒子。
れ図である。第２図は、従来技術による基本的な核粒子
を添加する低電圧ＺｎＯバリスタの製造工程を示す流れ
図である。第３図は、核粒子を添加しないときのＺｎＯ
バリスタ結晶粒を模式的に示した図である。第４図は、
核粒子を添加したときのＺｎＯバリスタの結晶粒を模式
的に示した図である。第５図は、従来技術によるＺｎＯ
バリスタの製造工程を示す流れ図である。 １……原料粉末、２……結晶粒、 ３……核粒子、４……巨大粒子。
フロントページの続き (72)発明者 石井 孝志 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−49608（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】主成分となる酸化亜鉛粉末に微量の副成分
を添加した、焼結後に電圧非直線性を示す粉末と、前記
酸化亜鉛粉末よりも十分に大きい結晶粒径を有する酸化
亜鉛単結晶または多結晶とを混合し、成形し、焼成する
ことによって電圧非直線抵抗素子を製造する方法におい
て、前記酸化亜鉛単結晶または多結晶が前記粉末のスラ
リーから噴霧乾燥造粒法により得られた造粒粉を焼成
し、その後解砕して作られることを特徴とする電圧非直
線抵抗素子の製造方法。
Priority Applications (3)
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| JP62228093A JPH0630284B2 (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 |
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| JP62228093A JPH0630284B2 (ja) | 1987-09-11 | 1987-09-11 | 電圧非直線抵抗素子の製造方法 |
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Family
ID=16871077
Family Applications (1)
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