JPH06275521A - 半導体結晶成長法 - Google Patents
半導体結晶成長法Info
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- JPH06275521A JPH06275521A JP5923493A JP5923493A JPH06275521A JP H06275521 A JPH06275521 A JP H06275521A JP 5923493 A JP5923493 A JP 5923493A JP 5923493 A JP5923493 A JP 5923493A JP H06275521 A JPH06275521 A JP H06275521A
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- Japan
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- corrugation
- gaas
- coating layer
- inp substrate
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 組成の脱離を生じさせることなくコルゲーシ
ョンを有するＩｎＰ基板上に薄く、かつ均一な膜厚で、
しかも良質な膜質のＧａＡｓコーティング層を形成する
こと。 【構成】 面方位（１０１）の基板上にコルゲーション
を形成した後、該コルゲーションが形成された該基板上
にＧａＡｓ保護層をコーティングするように構成する。
ョンを有するＩｎＰ基板上に薄く、かつ均一な膜厚で、
しかも良質な膜質のＧａＡｓコーティング層を形成する
こと。 【構成】 面方位（１０１）の基板上にコルゲーション
を形成した後、該コルゲーションが形成された該基板上
にＧａＡｓ保護層をコーティングするように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体結晶成長法に係
り、詳しくは、回折格子状の微小凹凸（コルゲーショ
ン）を有するＩｎＰ基板上に有機金属気相成長法を用い
て、コルゲーション保護のためのコーティング膜を成長
する成長技術に適用することができる。特に、Ｐ組成の
脱離によるコルゲーションの形状変化を生じさせること
なくコルゲーションを有するＩｎＰ基板上に薄く、かつ
均一な膜厚で、しかも良質な膜質のＧａＡｓコーティン
グ層を形成することができる半導体結晶成長法に関す
る。
り、詳しくは、回折格子状の微小凹凸（コルゲーショ
ン）を有するＩｎＰ基板上に有機金属気相成長法を用い
て、コルゲーション保護のためのコーティング膜を成長
する成長技術に適用することができる。特に、Ｐ組成の
脱離によるコルゲーションの形状変化を生じさせること
なくコルゲーションを有するＩｎＰ基板上に薄く、かつ
均一な膜厚で、しかも良質な膜質のＧａＡｓコーティン
グ層を形成することができる半導体結晶成長法に関す
る。
【０００２】近年、コルゲーション基板上での半導体結
晶成長は、分布帰還型半導体レーザや量子細線等を作成
する際の重要な技術となっており良く用いられている。
この様にコルゲーションを有するＩｎＰ基板上に単結晶
をエピタキシャル成長させる場合、ＩｎＰのＰの飽和蒸
気圧が非常に高く蒸発し易いため、エピタキシャル成長
温度ではＰが抜けてコルゲーションが変形する等熱損傷
を受け易い。これを防ぐためにＰよりも蒸気圧が低いＡ
ｓを含有するＧａＡｓ層をコルゲーションを有するＩｎ
Ｐ基板上にコーティングする技術が検討されている。こ
の方法では、ＧａＡｓのＡｓはＩｎＰ基板のＰよりも蒸
気圧が極端に低く、またＧａＡｓ層は比較的低温で成長
できることから低温でＧａＡｓ成長をした後、エピタキ
シャル成長温度に昇温することにより、熱損傷を受けな
いようにＩｎＰ基板を保護することができる。しかしな
がら、ＧａＡｓ単結晶は、その下のＩｎＰ基板と格子定
数が異なり、厚く積層成長させると格子不整合によりミ
スフィット転位を生じて好ましくないので、ＧａＡｓコ
ーティング層の薄膜化が必要とされている。また、Ｇａ
Ａｓ層が不均一で、ＩｎＰ基板が部分的に露出してしま
うと、ここでＰ組成の脱離を起こしてしまうので、Ｇａ
Ａｓ層は適当に薄く、しかも均一に形成する方法が要求
されている。
晶成長は、分布帰還型半導体レーザや量子細線等を作成
する際の重要な技術となっており良く用いられている。
この様にコルゲーションを有するＩｎＰ基板上に単結晶
をエピタキシャル成長させる場合、ＩｎＰのＰの飽和蒸
気圧が非常に高く蒸発し易いため、エピタキシャル成長
温度ではＰが抜けてコルゲーションが変形する等熱損傷
を受け易い。これを防ぐためにＰよりも蒸気圧が低いＡ
ｓを含有するＧａＡｓ層をコルゲーションを有するＩｎ
Ｐ基板上にコーティングする技術が検討されている。こ
の方法では、ＧａＡｓのＡｓはＩｎＰ基板のＰよりも蒸
気圧が極端に低く、またＧａＡｓ層は比較的低温で成長
できることから低温でＧａＡｓ成長をした後、エピタキ
シャル成長温度に昇温することにより、熱損傷を受けな
いようにＩｎＰ基板を保護することができる。しかしな
がら、ＧａＡｓ単結晶は、その下のＩｎＰ基板と格子定
数が異なり、厚く積層成長させると格子不整合によりミ
スフィット転位を生じて好ましくないので、ＧａＡｓコ
ーティング層の薄膜化が必要とされている。また、Ｇａ
Ａｓ層が不均一で、ＩｎＰ基板が部分的に露出してしま
うと、ここでＰ組成の脱離を起こしてしまうので、Ｇａ
Ａｓ層は適当に薄く、しかも均一に形成する方法が要求
されている。
【０００３】
【従来の技術】図３は従来のＧａＡｓコーティング層の
成長法を示す図である。図３において、31はコルゲーシ
ョン31ａが形成された面方位（１００）のＩｎＰ基板で
あり、コルゲーション31ａ側面にはＩｎとＰが交互に露
出されたそれぞれの１原子層のふちに相当する所にステ
ップ31ｂが存在している。32はＩｎＰ基板31を保護する
ために形成されたＧａＡｓコーティング層である。図３
（ａ）に示す如く、ＩｎＰ基板31上にＧａＡｓコーティ
ング層32を成長させると、面方位（１００）のＩｎＰ基
板31に形成したコルゲーション31ａ上で原料ガスの熱分
解により生じたＧａ原子は拡散し、コルゲーション31ａ
凸部側面のステップ31ｂに付着してＧａＡｓコーティン
グ層32が成長する。この時、図３（ａ）のＡ１，Ａ２に
示す如く、凸部上面からのＧａ拡散（Ａ１）と凹部平坦
部からのＧａ拡散（Ａ２）の割合によって決まる面方向
に従ってＧａＡｓコーティング層32が成長する。なお、
ステップ31ｂが形成されていないコルゲーション31ａの
凸部平坦部上と凹部平坦部は全面にＩｎまたはＰが露出
しているため、Ｇａが付着し難くＧａＡｓコーティング
層32が成長し難い。このため、図３（ｂ）に示す如く、
ステップ31ｂが存在するコルゲーション31ａ側面が厚
く、一方、ステップ31ｂが存在しないコルゲーション31
ａ凸部平坦部上と凹部平坦部上が薄いＧａＡｓコーティ
ング層32が形成される。
成長法を示す図である。図３において、31はコルゲーシ
ョン31ａが形成された面方位（１００）のＩｎＰ基板で
あり、コルゲーション31ａ側面にはＩｎとＰが交互に露
出されたそれぞれの１原子層のふちに相当する所にステ
ップ31ｂが存在している。32はＩｎＰ基板31を保護する
ために形成されたＧａＡｓコーティング層である。図３
（ａ）に示す如く、ＩｎＰ基板31上にＧａＡｓコーティ
ング層32を成長させると、面方位（１００）のＩｎＰ基
板31に形成したコルゲーション31ａ上で原料ガスの熱分
解により生じたＧａ原子は拡散し、コルゲーション31ａ
凸部側面のステップ31ｂに付着してＧａＡｓコーティン
グ層32が成長する。この時、図３（ａ）のＡ１，Ａ２に
示す如く、凸部上面からのＧａ拡散（Ａ１）と凹部平坦
部からのＧａ拡散（Ａ２）の割合によって決まる面方向
に従ってＧａＡｓコーティング層32が成長する。なお、
ステップ31ｂが形成されていないコルゲーション31ａの
凸部平坦部上と凹部平坦部は全面にＩｎまたはＰが露出
しているため、Ｇａが付着し難くＧａＡｓコーティング
層32が成長し難い。このため、図３（ｂ）に示す如く、
ステップ31ｂが存在するコルゲーション31ａ側面が厚
く、一方、ステップ31ｂが存在しないコルゲーション31
ａ凸部平坦部上と凹部平坦部上が薄いＧａＡｓコーティ
ング層32が形成される。
【０００４】この従来の半導体結晶成長法では、ＧａＡ
ｓコーティング層32を構成するＡｓはＩｎＰ基板31のＰ
よりも蒸気圧が極端に低いので、エピタキシャル成長温
度に上げてもＡｓ組成の脱離を生じないようにできる。
このため、ＧａＡｓコーティング層32でＩｎＰ基板31を
コーティングすることでＩｎＰ基板31が熱損傷を受けな
いようにＧａＡｓコーティング層32で保護することがで
きる。
ｓコーティング層32を構成するＡｓはＩｎＰ基板31のＰ
よりも蒸気圧が極端に低いので、エピタキシャル成長温
度に上げてもＡｓ組成の脱離を生じないようにできる。
このため、ＧａＡｓコーティング層32でＩｎＰ基板31を
コーティングすることでＩｎＰ基板31が熱損傷を受けな
いようにＧａＡｓコーティング層32で保護することがで
きる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の半導体結晶成長法では、面方位（１００）のＩ
ｎＰ基板31のコルゲーション31ａ凸部側面に、Ｉｎ，Ｐ
が交互に露出されたステップ31ｂが存在するため、この
ステップ31ｂ部分にＧａＡｓコーティング層32が選択的
に成長し、これに対してコルゲーション31ａの凸部平坦
部と凹部平坦部にはステップが存在しないため、Ｇａ原
子が付着して結晶成長核となる確率が低く、ＧａＡｓコ
ーティング層32が成長され難い。このため、ステップ31
ｂが存在しない平坦部をＧａＡｓコーティング層32（Ｇ
ａＡｓ原子層）が覆う頃にはステップ31ｂが形成された
凸部側面にはミスフィット転位が生じる臨界膜厚を越え
るＧａＡｓコーティング層32が成長して、この部分に結
晶欠陥が生じ易くなり、良質な膜質のＧａＡｓコーティ
ング層32が得られ難いという問題があった。
た従来の半導体結晶成長法では、面方位（１００）のＩ
ｎＰ基板31のコルゲーション31ａ凸部側面に、Ｉｎ，Ｐ
が交互に露出されたステップ31ｂが存在するため、この
ステップ31ｂ部分にＧａＡｓコーティング層32が選択的
に成長し、これに対してコルゲーション31ａの凸部平坦
部と凹部平坦部にはステップが存在しないため、Ｇａ原
子が付着して結晶成長核となる確率が低く、ＧａＡｓコ
ーティング層32が成長され難い。このため、ステップ31
ｂが存在しない平坦部をＧａＡｓコーティング層32（Ｇ
ａＡｓ原子層）が覆う頃にはステップ31ｂが形成された
凸部側面にはミスフィット転位が生じる臨界膜厚を越え
るＧａＡｓコーティング層32が成長して、この部分に結
晶欠陥が生じ易くなり、良質な膜質のＧａＡｓコーティ
ング層32が得られ難いという問題があった。
【０００６】そこで、この問題を解決するためにＧａＡ
ｓコーティング層32を薄く成長すればよいと考えられる
が、ＧａＡｓコーティング層32を薄く形成すると、上記
の方法ではＩｎＰ基板31が部分的に露出してしまうた
め、結局ＩｎＰ基板31のＰ組成の脱離が生じて熱損傷を
受けてしまい、ＧａＡｓコーティング層32で保護する役
目が果たせなくなってしまうという問題がある。
ｓコーティング層32を薄く成長すればよいと考えられる
が、ＧａＡｓコーティング層32を薄く形成すると、上記
の方法ではＩｎＰ基板31が部分的に露出してしまうた
め、結局ＩｎＰ基板31のＰ組成の脱離が生じて熱損傷を
受けてしまい、ＧａＡｓコーティング層32で保護する役
目が果たせなくなってしまうという問題がある。
【０００７】そこで本発明は、Ｐ組成の脱離を生じさせ
ることなくコルゲーションを有するＩｎＰ基板上に薄
く、かつ均一な膜厚で、しかも良質な結晶質のＧａＡｓ
コーティング層を形成することができる半導体結晶成長
法を提供することを目的としている。
ることなくコルゲーションを有するＩｎＰ基板上に薄
く、かつ均一な膜厚で、しかも良質な結晶質のＧａＡｓ
コーティング層を形成することができる半導体結晶成長
法を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体結晶
成長法は上記目的達成のため、面方位（１０１）の基板
上にコルゲーションを形成した後、該コルゲーションが
形成された該基板上にＧａＡｓ保護層をコーティングす
ることを特徴とするものである。本発明による半導体結
晶成長法は上記目的達成のため、面方位（１００）から
任意の方向に結晶表面にステップを生成するようにオフ
セットした基板にコルゲーションを形成した後、該コル
ゲーションが形成された該基板上にＧａＡｓ保護層をコ
ーティングすることを特徴とするものである。
成長法は上記目的達成のため、面方位（１０１）の基板
上にコルゲーションを形成した後、該コルゲーションが
形成された該基板上にＧａＡｓ保護層をコーティングす
ることを特徴とするものである。本発明による半導体結
晶成長法は上記目的達成のため、面方位（１００）から
任意の方向に結晶表面にステップを生成するようにオフ
セットした基板にコルゲーションを形成した後、該コル
ゲーションが形成された該基板上にＧａＡｓ保護層をコ
ーティングすることを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明では、後述する実施例１の
図１に示す如く、面方位（１０１）ＩｎＰ基板１上にコ
ルゲーション１ａを形成することにより、コルゲーショ
ン１ａ凸部上部と凹部底部上にステップ１ｂをが存在し
ている。このため、ＩｎＰ基板１上にＧａＡｓコーティ
ング層２を形成する際、ステップ１ｂが存在しているコ
ルゲーション１ａ凸部上部と凹部底部上にＧａ原子を付
着させてＧａＡｓコーティング層２を成長させることが
できる。そして、コルゲーション１ａ側面ではコルゲー
ション１ａ凸部上のＧａ原子が側面から凹部底部上のＧ
ａＡｓ成長面に落ちて、そこから成長させて覆うことが
できる。従って、ステップ１ｂが形成されたコルゲーシ
ョン１ａ凸部上と凹部底部上に較べてコルゲーション１
ａ側面はＧａＡｓコーティング層２の膜厚が薄くなる
が、従来のコルゲーション側面にステップが存在し、こ
こからＧａＡｓを成長させる場合よりもＧａＡｓコーテ
ィング層２の膜厚をより均一に形成することができる。
従って、Ｐ組織の脱離を生じさせることなくＩｎＰ基板
１上に薄く、かつ均一な膜厚で、しかも良質な膜質のＧ
ａＡｓコーティング層２を形成することができる。
図１に示す如く、面方位（１０１）ＩｎＰ基板１上にコ
ルゲーション１ａを形成することにより、コルゲーショ
ン１ａ凸部上部と凹部底部上にステップ１ｂをが存在し
ている。このため、ＩｎＰ基板１上にＧａＡｓコーティ
ング層２を形成する際、ステップ１ｂが存在しているコ
ルゲーション１ａ凸部上部と凹部底部上にＧａ原子を付
着させてＧａＡｓコーティング層２を成長させることが
できる。そして、コルゲーション１ａ側面ではコルゲー
ション１ａ凸部上のＧａ原子が側面から凹部底部上のＧ
ａＡｓ成長面に落ちて、そこから成長させて覆うことが
できる。従って、ステップ１ｂが形成されたコルゲーシ
ョン１ａ凸部上と凹部底部上に較べてコルゲーション１
ａ側面はＧａＡｓコーティング層２の膜厚が薄くなる
が、従来のコルゲーション側面にステップが存在し、こ
こからＧａＡｓを成長させる場合よりもＧａＡｓコーテ
ィング層２の膜厚をより均一に形成することができる。
従って、Ｐ組織の脱離を生じさせることなくＩｎＰ基板
１上に薄く、かつ均一な膜厚で、しかも良質な膜質のＧ
ａＡｓコーティング層２を形成することができる。
【００１０】請求項２記載の発明では、後述する実施例
２の図２に示す如く、面方位（１００）から結晶表面に
ステップを生成するようにオフセットしたＩｎＰ基板11
上にコルゲーション11ａを形成することにより、ＩｎＰ
基板11上全面にステップ11ｂが存在している。このた
め、ＩｎＰ基板11上にＧａＡｓコーティング層12を形成
する際、ステップ11ｂが形成されたＩｎＰ基板11上全面
にＧａ原子を付着させてＧａＡｓコーティング層12を成
長させることができる。従って、従来のコルゲーション
側面にステップが存在し、ここからＧａＡｓを成長させ
る場合よりもＧａＡｓコーティング層２の膜厚をより均
一に形成することができる。従って、Ｐ組成の脱離を生
じさせることなくＩｎＰ基板１上に薄く、かつ均一な膜
厚で、しかも良質な膜質のＧａＡｓコーティング層２を
形成することができる。
２の図２に示す如く、面方位（１００）から結晶表面に
ステップを生成するようにオフセットしたＩｎＰ基板11
上にコルゲーション11ａを形成することにより、ＩｎＰ
基板11上全面にステップ11ｂが存在している。このた
め、ＩｎＰ基板11上にＧａＡｓコーティング層12を形成
する際、ステップ11ｂが形成されたＩｎＰ基板11上全面
にＧａ原子を付着させてＧａＡｓコーティング層12を成
長させることができる。従って、従来のコルゲーション
側面にステップが存在し、ここからＧａＡｓを成長させ
る場合よりもＧａＡｓコーティング層２の膜厚をより均
一に形成することができる。従って、Ｐ組成の脱離を生
じさせることなくＩｎＰ基板１上に薄く、かつ均一な膜
厚で、しかも良質な膜質のＧａＡｓコーティング層２を
形成することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。 （実施例１）図１は本発明（請求項１）の実施例１に則
した半導体結晶成長法を示す図である。図１において、
１はコルゲーション１ａが形成された面方位（１０１）
のＩｎＰ基板であり、このＩｎＰ基板１にはコルゲーシ
ョン１ａ凸部上と凹部底部上にステップ１ｂが形成され
ている。２はＩｎＰ基板１を保護するために形成された
ＧａＡｓコーティング層である。
る。 （実施例１）図１は本発明（請求項１）の実施例１に則
した半導体結晶成長法を示す図である。図１において、
１はコルゲーション１ａが形成された面方位（１０１）
のＩｎＰ基板であり、このＩｎＰ基板１にはコルゲーシ
ョン１ａ凸部上と凹部底部上にステップ１ｂが形成され
ている。２はＩｎＰ基板１を保護するために形成された
ＧａＡｓコーティング層である。
【００１２】本実施例では、まず、図１（ａ）に示す如
く、面方位（１０１）のＩｎＰ基板１上に干渉露光法等
によりコルゲーション１ａを形成する。この時、コルゲ
ーション１ａ凸部上と凹部底部上にＩｎとＰが交互に露
出されるステップ１ｂが形成される。ここでのステップ
１ｂのサイズは３Åで、ピッチは３Åである。なお、Ｉ
ｎＰ基板１側面にはステップ１ｂは形成されない。
く、面方位（１０１）のＩｎＰ基板１上に干渉露光法等
によりコルゲーション１ａを形成する。この時、コルゲ
ーション１ａ凸部上と凹部底部上にＩｎとＰが交互に露
出されるステップ１ｂが形成される。ここでのステップ
１ｂのサイズは３Åで、ピッチは３Åである。なお、Ｉ
ｎＰ基板１側面にはステップ１ｂは形成されない。
【００１３】そして、ＭＯＣＶＤ法等によりＩｎＰ基板
１上にＧａＡｓを成長させることにより、図１（ｂ）に
示すような膜厚が略均一なＧａＡｓコーティング層２を
得ることができる。ここでの成長温度は３００℃であ
る。このように本実施例では、面方位（１０１）ＩｎＰ
基板１上にコルゲーション１ａを形成することにより、
コルゲーション１ａ凸部上部と凹部底部上にステップ１
ｂが存在している。このため、ＩｎＰ基板１上にＧａＡ
ｓコーティング層２を形成する際、ステップ１ｂが形成
されたコルゲーション１ａ凸部上部と凹部底部上にＧａ
原子を付着させてＧａＡｓコーティング層２を成長させ
ることができる。そして、コルゲーション１ａ側面に
は、コルゲーション１ａ凸部上のＧａ原子が側面から凹
部底部上のＧａＡｓ成長面に落ちて、そこから成長させ
て覆うことができる。従って、ステップ１ｂが形成され
たコルゲーション１ａ凸部上と凹部底部上に較べてコル
ゲーション１ａ側面はＧａＡｓコーティング層２の膜厚
が薄くなるが、従来のステップが形成されたコルゲーシ
ョン側面からＧａＡｓを成長させる場合よりもＧａＡｓ
コーティング層２の膜厚をより均一に形成することがで
きる。従って、Ｐ組織の脱離を生じさせることなくＩｎ
Ｐ基板１上に薄く、かつ均一な膜厚で、しかも良質な膜
質のＧａＡｓコーティング層２を形成することができ
る。 （実施例２）図２は本発明（請求項２）の実施例２に則
した半導体結晶成長法を示す図である。図２において、
11はコルゲーション11ａが形成された面方位（１００）
から結晶表面にステップを生成するようにオフセットし
たＩｎＰ基板であり、このＩｎＰ基板11上全面にはステ
ップ11ｂが形成されている。12はＩｎＰ基板11を保護す
るために形成されたＧａＡｓコーティング層である。
１上にＧａＡｓを成長させることにより、図１（ｂ）に
示すような膜厚が略均一なＧａＡｓコーティング層２を
得ることができる。ここでの成長温度は３００℃であ
る。このように本実施例では、面方位（１０１）ＩｎＰ
基板１上にコルゲーション１ａを形成することにより、
コルゲーション１ａ凸部上部と凹部底部上にステップ１
ｂが存在している。このため、ＩｎＰ基板１上にＧａＡ
ｓコーティング層２を形成する際、ステップ１ｂが形成
されたコルゲーション１ａ凸部上部と凹部底部上にＧａ
原子を付着させてＧａＡｓコーティング層２を成長させ
ることができる。そして、コルゲーション１ａ側面に
は、コルゲーション１ａ凸部上のＧａ原子が側面から凹
部底部上のＧａＡｓ成長面に落ちて、そこから成長させ
て覆うことができる。従って、ステップ１ｂが形成され
たコルゲーション１ａ凸部上と凹部底部上に較べてコル
ゲーション１ａ側面はＧａＡｓコーティング層２の膜厚
が薄くなるが、従来のステップが形成されたコルゲーシ
ョン側面からＧａＡｓを成長させる場合よりもＧａＡｓ
コーティング層２の膜厚をより均一に形成することがで
きる。従って、Ｐ組織の脱離を生じさせることなくＩｎ
Ｐ基板１上に薄く、かつ均一な膜厚で、しかも良質な膜
質のＧａＡｓコーティング層２を形成することができ
る。 （実施例２）図２は本発明（請求項２）の実施例２に則
した半導体結晶成長法を示す図である。図２において、
11はコルゲーション11ａが形成された面方位（１００）
から結晶表面にステップを生成するようにオフセットし
たＩｎＰ基板であり、このＩｎＰ基板11上全面にはステ
ップ11ｂが形成されている。12はＩｎＰ基板11を保護す
るために形成されたＧａＡｓコーティング層である。
【００１４】本実施例では、まず、図２（ａ）に示す如
く、面方位（１００）から任意の方向にオフセットした
ＩｎＰ基板11上に干渉露光法等によりコルゲーション11
ａを形成する。この時、ＩｎＰ基板11上全面にＩｎとＰ
が交互に露出されるステップ11ｂが形成される。ここで
のステップ１ｂのサイズは３Åで、ピッチは３Åであ
る。
く、面方位（１００）から任意の方向にオフセットした
ＩｎＰ基板11上に干渉露光法等によりコルゲーション11
ａを形成する。この時、ＩｎＰ基板11上全面にＩｎとＰ
が交互に露出されるステップ11ｂが形成される。ここで
のステップ１ｂのサイズは３Åで、ピッチは３Åであ
る。
【００１５】そして、ＭＯＣＶＤ法等によりＩｎＰ基板
11上にＧａＡｓを成長させることにより、図２（ｂ）に
示すような膜厚が略均一なＧａＡｓコーティング層12を
得ることができる。ここでの成長温度は３００℃であ
る。このように本実施例では、面方位（１００）から結
晶表面にステップを生成するようにオフセットしたＩｎ
Ｐ基板11上にコルゲーション11ａを形成することによ
り、ＩｎＰ基板11上全面にステップ11ｂが存在してい
る。このため、ＩｎＰ基板11上にＧａＡｓコーティング
層12を形成する際、ステップ11ｂが形成されたＩｎＰ基
板11上全面にＧａ原子を付着させてＧａＡｓコーティン
グ層12を成長させることができる。従って、従来のステ
ップが形成されたコルゲーション側面からＧａＡｓを成
長させる場合よりもＧａＡｓコーティング層12の膜厚を
より均一に形成することができる。従って、Ｐ組成の脱
離を生じさせることなくＩｎＰ基板１上に薄く、かつ均
一な膜厚でしかも、良質な膜質のＧａＡｓコーティング
層２を形成することができる。
11上にＧａＡｓを成長させることにより、図２（ｂ）に
示すような膜厚が略均一なＧａＡｓコーティング層12を
得ることができる。ここでの成長温度は３００℃であ
る。このように本実施例では、面方位（１００）から結
晶表面にステップを生成するようにオフセットしたＩｎ
Ｐ基板11上にコルゲーション11ａを形成することによ
り、ＩｎＰ基板11上全面にステップ11ｂが存在してい
る。このため、ＩｎＰ基板11上にＧａＡｓコーティング
層12を形成する際、ステップ11ｂが形成されたＩｎＰ基
板11上全面にＧａ原子を付着させてＧａＡｓコーティン
グ層12を成長させることができる。従って、従来のステ
ップが形成されたコルゲーション側面からＧａＡｓを成
長させる場合よりもＧａＡｓコーティング層12の膜厚を
より均一に形成することができる。従って、Ｐ組成の脱
離を生じさせることなくＩｎＰ基板１上に薄く、かつ均
一な膜厚でしかも、良質な膜質のＧａＡｓコーティング
層２を形成することができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、Ｐ組成の脱離を生じさ
せることなくコルゲーションを有するＩｎＰ基板上に薄
く、かつ均一な膜厚で、しかも良質な膜質のＧａＡｓコ
ーティング層を形成することができるという効果があ
る。
せることなくコルゲーションを有するＩｎＰ基板上に薄
く、かつ均一な膜厚で、しかも良質な膜質のＧａＡｓコ
ーティング層を形成することができるという効果があ
る。
【図１】本発明の実施例１に則した半導体結晶成長法を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の実施例２に則した半導体結晶成長法を
示す図である。
示す図である。
【図３】従来例の半導体結晶成長法を示す図である。
１、11 ＩｎＰ基板 １ａ、11ａ コルゲーション １ｂ、11ｂ ステップ ２、12 ＧａＡｓコーティング層
Claims (2)
- 【請求項１】 面方位（１０１）の基板（１）上にコル
ゲーション（１ａ）を形成した後、該コルゲーション
（１ａ）が形成された該基板（１）上にＧａＡｓ保護層
（２）をコーティングすることを特徴とする半導体結晶
成長法。 - 【請求項２】 面方位（１００）から結晶表面にステッ
プを生成するようにオフセットした基板（11）にコルゲ
ーション（11ａ）を形成した後、該コルゲーション（11
ａ）が形成された該基板（11）上にＧａＡｓ保護層（1
2）をコーティングすることを特徴とする半導体結晶成
長法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5923493A JPH06275521A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 半導体結晶成長法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5923493A JPH06275521A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 半導体結晶成長法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06275521A true JPH06275521A (ja) | 1994-09-30 |
Family
ID=13107498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5923493A Withdrawn JPH06275521A (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 半導体結晶成長法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06275521A (ja) |
-
1993
- 1993-03-19 JP JP5923493A patent/JPH06275521A/ja not_active Withdrawn
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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