JPH06252046A - 半導体デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
半導体デバイスおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH06252046A JPH06252046A JP4122818A JP12281892A JPH06252046A JP H06252046 A JPH06252046 A JP H06252046A JP 4122818 A JP4122818 A JP 4122818A JP 12281892 A JP12281892 A JP 12281892A JP H06252046 A JPH06252046 A JP H06252046A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- silicon
- alloy
- germanium
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 66
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 66
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 18
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 5
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 229910008310 Si—Ge Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- -1 indium gallium phosphide compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000219492 Quercus Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N [Ge].[Au] Chemical compound [Ge].[Au] BYDQGSVXQDOSJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ONRPGGOGHKMHDT-UHFFFAOYSA-N benzene-1,2-diol;ethane-1,2-diamine Chemical compound NCCN.OC1=CC=CC=C1O ONRPGGOGHKMHDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- SAOPTAQUONRHEV-UHFFFAOYSA-N gold zinc Chemical compound [Zn].[Au] SAOPTAQUONRHEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000001289 rapid thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02381—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02494—Structure
- H01L21/02496—Layer structure
- H01L21/0251—Graded layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02543—Phosphides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/8258—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using a combination of technologies covered by H01L21/8206, H01L21/8213, H01L21/822, H01L21/8252, H01L21/8254 or H01L21/8256
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66431—Unipolar field-effect transistors with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/161—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table including two or more of the elements provided for in group H01L29/16, e.g. alloys
- H01L29/165—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table including two or more of the elements provided for in group H01L29/16, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/938—Lattice strain control or utilization
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
層化GexSi1-x合金の大面積ヘテロ構造体を成長させ
る。 【構成】 単結晶シリコン基板を準備し、その基板上に
850℃以上の温度で約25%/マイクロメートル以下
の勾配で増大するゲルマニウム成分をもつGexSi1-x
の階層化層をエピタキシャル成長し、GexSi1-xの階
層化層上に半導体材料の層をエピタキシャル成長する。
Description
ング転位密度を有するゲルマニウム−シリコンの半導体
ヘテロ構造体を形成する方法およびそれによって形成さ
れるデバイスに関する。このような低欠陥構造体は、イ
ンジウムガリウムリン、ガリウムヒ素やシリコンの歪み
層からなる半導体デバイスを形成するための緩衝層とし
て特に有用である。
シャル層および大きい格子不整合を含むヘテロ構造デバ
イスに多くの関心が集まっている。例えば、シリコン基
板上に成長されたゲルマニウム−シリコン合金GexS
i1-xは、LEDのようなさまざまな光電子デバイスを
可能にし、シリコンVLSI回路の電子プロセス技術を
直接バンド半導体で利用可能な光素子技術と結合させ
た。
エピタキシャル層は、シリコン基板上のガリウムヒ素の
エピタキシャル成長を可能にし、それによって、シリコ
ン電子素子およびガリウムヒ素光素子を使用したさまざ
まな新しい光電子デバイスを可能にする。しかし、この
ような結合構造の潜在的利点が認識されており、それら
を開発する多くの努力にもかかわらず、それらの実用化
は、シリコン基板上に成長されるヘテロ構造層内の高い
欠陥密度によって制限されている。
し、電気的および光学的性質の望ましくない突然の変化
を導入する。転位欠陥は、ある種の結晶材料を異種材料
の基板上にエピタキシャル成長させようとする際に、2
材料の異なる結晶格子サイズのために生じる。転位は、
不整合界面で、ミスフィット歪みをやわらげようとして
形成される。多くのミスフィット転位は、スレディング
セグメントと呼ばれる垂直成分を有する。これは、後続
層を通してある傾斜角で延びる。半導体デバイスの活動
領域内のこのようなスレディング欠陥は、デバイス性能
に重大な劣化を及ぼす。
に多くの方法が使用されてきており、成果はさまざまで
ある。1つの方法は、基板にほぼ整合した結晶格子構造
を有する材料の薄層にヘテロ層を制限することである。
一般的に、格子不整合は1%以内であり、層の厚さは欠
陥形成の臨界厚さ以下に保持される。このような構造体
では、基板は、ヘテロ層の成長のための鋳型として作用
する。ヘテロ層は、基板鋳型に弾性的に従属する。この
方法は、多くの構造体の転位を除去するが、大きなエネ
ルギーバンドオフセットをもつ格子近似整合系は比較的
少ない。従って、この方法では、新たなデバイスの設計
の選択は制限される。
44号(発明者:イー.エイ.フィッツジェラルド(E.
A. Fitzgerald)、出願日:1990年8月2日)に開示
されているが、厚さは大きいが横方向の面積が制限され
たヘテロ層を利用するものである。横寸法に比べて十分
大きい厚さを形成することによって、スレディング転位
は層の側面を出ることが可能となる。従って、上面はほ
ぼ無欠陥のままとなる。この方法は、約10,000平
方マイクロメートル以下の面積を有する制限された表面
上に形成可能なさまざまなデバイスおよび回路の製造を
可能にする。
ウム−シリコン合金の層を順次堆積し、層ごとにゲルマ
ニウム分を増加させることである。目的は、連続する層
間の歪みを広げることによって転位を回避することであ
る。残念ながらこの方法はうまくいっていない。例え
ば、純Geを生成するために、2000オングストロー
ムで20%Geのステップ階層化では、Si上に純Ge
を堆積するのとほぼ等しい高い転位密度を生じる。(ジ
ェイ.エム.バリボー(J. M. Baribeau)他「ジャーナル
・オヴ・アプライド・フィジックス(Journal of Applie
d Physics)」第63巻(1988年)5738ページ参
照。)
(一般に約550℃)では、Si−Geの初期層はほぼ
完全に弾性的に歪んでいるためであると考えられる。従
って、より大きいゲルマニウム分をもつSi−Geの次
の層が加えられると、2つのSi−Ge層間の不整合
は、初期Si−Ge層とSi基板の間の不整合とほぼ等
しくなり、その結果高い転位密度を生じる。従って、大
面積、低欠陥のヘテロ構造体をシリコン上に形成する方
法が必要である。
える高温でゲルマニウム−シリコン合金を成長し、約2
5%/マイクロメートル以下の勾配でゲルマニウム分を
増加させることにより、シリコン上に、低レベルのスレ
ディング転位欠陥を有する階層化GexSi1-x合金の大
面積ヘテロ構造体を成長させることができることを発見
した。
0)では、このヘテロ層は、MODFETのような歪み
層シリコンデバイスを成長するための基板として使用可
能である。高濃度のGe(.65≦x≦1.00)で
は、このヘテロ層は、光放出ダイオードおよびレーザの
ようなインジウムガリウムリンデバイスのための緩衝層
としてシリコン基板上で使用可能である。純ゲルマニウ
ム(x=1.00)の濃度では、このヘテロ層はGaA
sまたはGaAs/AlGaAsデバイスのために使用
可能である。
備する。望ましくは、基板は、集積回路の製造において
一般的に使用される種類の標準(100)方向シリコン
ウェハーである。予備的ステップとして、基板には、従
来の光リソグラフィー・パターン形成およびエッチング
によって大面積の陥没したタブが設けられる。タブは、
成長されるゲルマニウム−シリコン合金の厚さに依存し
て、12,000平方マイクロメートル以上の面積で数
マイクロメートルの深さを有することが可能である。目
標は、タブ内で成長されるゲルマニウム−シリコン合金
層が、シリコン基板の非陥没部分とほぼ共面的になるよ
うな適当な深さのタブを設けることである。
ム−シリコン合金GexSi1-xの大面積の階層化層をシ
リコン基板上に高温で成長する。成長プロセスは、望ま
しくは、化学蒸着(CVD)または分子線エピタキシー
(MBE)である。基板成長開始温度は、850℃〜1
100℃の範囲内であるべきであり、そうすれば、階層
化合金の面積は12,000平方マイクロメートルを超
える。
ゲルマニウムは、約25%/ミクロン以下の勾配でGe
xSi1-xを形成するように導入される。望ましくは、階
層化は、約10%/ミクロンの割合で線形である。ある
いは、階層化は、同様の勾配で、階段状であってもよ
い。合金のゲルマニウム成分が増加すると、成長温度
は、合金の融点が低下するのに比例して都合よく低下す
る。目標は、合金の融解を避けることである。GexS
i1-xの階層化成長は、所望される最終組成に到達する
まで継続される。
的に依存する。例えば、構造体が、歪み層シリコンデバ
イスを成長するための基板として使用される場合、最終
Ge濃度は10〜50%の範囲内であるべきである。構
造体が、インジウムガリウムリンデバイスの基板として
使用される場合、最終Ge濃度は65〜100%の範囲
内であるべきである。他方、構造体がGaAsまたはG
aAs/AlGaAsデバイスの基板として使用される
場合、Ge濃度は望ましくは約100%である。
終組成をもつオプションのキャップ層を、階層化層上
に、100オングストローム以上の、望ましくは1マイ
クロメートル以上の厚さまで成長することができる。キ
ャップ層の効果は、階層化層の上部の低レベルの残留歪
みをさらに緩和することである。
察することによって詳細に理解される。
00)方向のシリコン基板において、主表面を酸化ケイ
素のマスキング層で被覆し、タブの周囲を区画するため
に酸化マスクに長方形の開口をエッチングし、暴露され
たシリコンをエチレンジアミンピロカテコール(ED
P)でエッチングすることによって、深さ約10マイク
ロメートルの大面積の長方形タブが形成される。EDP
エッチングは、シリコン基板の(111)面に側面をも
つ平滑なタブ表面を形成する。続いて基板は、H2SO4
とH2O2の3:1の混合物で10分間、緩衝HFで1分
間洗浄される。
度コントローラ(Sentinel 3 Deposition Rate Controll
er)によって制御されたリバーEVA32シリコンMB
E装置(Riber EVA 32 Silicon MBE Apparatus)に入れら
れる。容器は10-9トル以下の圧力まで排気され、タブ
表面上の酸化物は、基板を約800℃に加熱し、約0.
05オングストローム/秒の速度で低フラックスのシリ
コン・ビームを当てることによって、解離する。シリコ
ン緩衝層を形成するために、さらに大きい速度でのシリ
コン成長が、厚さ約0.1マイクロメートルまで継続さ
れる。
上昇され、階層化層が成長される。階層化成長は、約3
オングストローム/秒の速度で純シリコンから開始され
る。約10%/マイクロメートルの線形勾配でゲルマニ
ウムを導入する間、全体の成長速度は一定に保持され
る。目標は、熱平衡に近い状態での成長を保持すること
である。10%/マイクロメートルで100%ゲルマニ
ウムまで階層化成長するためのパラメータ変化が表1に
示されている。表1は、厚さ、ゲルマニウムの割合、温
度および成長中のさまざまな時点での速度を与える。
トロームから1マイクロメートルの範囲の厚さを有する
最終ゲルマニウムキャップ層が最上部に成長される。
構造体は、所望のゲルマニウム濃度で階層化成長を終了
し、その濃度で最終キャップ層を成長することによって
得られる。
的ステップとして、100mm(100)Siウェハー
が希釈HF(H2O中1%)中で洗浄され、N2内でスピ
ン乾燥された。このウェハーはRTCVD反応器内に装
填され、10-7トルのベース圧力まで排気された。ウェ
ハーは、残留酸素および炭素を除去するためにH2流
(3lpm)中で15秒間1000℃に加熱され、2秒
間で900℃まで冷却された。
00オングストロームのSi緩衝層を堆積することによ
って堆積が開始された。これは、約4トルの圧力で1分
間SiH2Cl2(H2中1%、1lpm)を使用して完
了された。その直後に、0から50%Geまで増大する
Si−Ge合金層を形成するために、GeH4(H2中1
%GeH4)が徐々に導入された。GeH4流は40秒ご
とに4sccmの流量増分だけ増加することができる。
SiH2Cl2は同じ時間スケールで同じ流量増分だけ減
少した。こうして、GeH4およびSiH2Cl2流は1
lpmに維持された。900℃での堆積によってSi−
Ge階層化合金層が生じ、続いて成長されながら緩和さ
れた。
ヘテロ構造体は、従来製造されたヘテロ構造体と比べて
欠陥の減少を示している。三重結晶X線回折は、0.1
0<x<0.50に対し、層は完全に緩和している。G
exSi1-xキャップ層は、平面像および断面像透過電子
顕微鏡で検査すると、スレディング転位がない。電子ビ
ーム誘導電流像は、x=0.25に対し4×105±5
×104cm-2、x=0.50に対し3×106±2×1
06cm-2の低いスレディング転位密度を示した。キャ
ップ層からの光ルミネセンススペクトルは、バルクGe
xSi1-xからの光ルミネセンスとほぼ同一である。
の歪み層を使用したものからIII−V半導体を使用し
たものまでの広範囲のデバイスをエピタキシャル成長す
るための緩衝層として有用である。
するための低欠陥ヘテロ構造体を使用したデバイスの断
面図である。基本的には、階層化層2上に成長されたG
exSi1-xキャップ層1からなるヘテロ構造体上に形成
され、これらはすべてシリコン基板3上に堆積される。
ヘテロ構造体は、ゲルマニウムの最大濃度を(0.10
≦x≦0.50)の範囲内として、望ましくはx=0.
30として、上記のようにして形成される。
基本的に、層1上にエピタキシャル成長されたシリコン
の歪み層4からなる。GexSi1-xのもう1つの層5
(最初は真性だが、50〜900オングストロームでn
ドープ)がそのシリコン上に成長され、歪みシリコン層
4に接触するようにn+接触領域6Aおよび6Bが間隔
をおいて形成される。n+接触領域6Aおよび6Bとの
オーム接点8Aおよび8Bが形成され、層5へのショッ
トキー障壁接点7が、間隔をおかれたオーム接点間に配
置される。誘電体層9が都合よく接点7、8A、および
8Bを分離する。
トロームから1000オングストロームの範囲の厚さを
有し非ドープである。
ストロームから1000オングストロームの範囲の厚さ
を有する。層5は望ましくは50〜900オングストロ
ームでは真性で、続いて、アンチモン、リンまたはヒ素
で1×1017/cm3〜5×1018/cm3の範囲の濃度
でn+ドープされる。層5は望ましくはキャップ層1よ
りも低いGe濃度を有する。
シリコン層4に1019/cm3の濃度でアンチモン、ヒ
素またはリンを注入することによって形成される。オー
ム接点8Aおよび8Bにはアルミニウムの層、ショット
キー接点7には白金の層が可能である。
いう長所をもつ電界効果トランジスタとして作用する。
ショットキー接点7(一般にゲートとして知られる)へ
の信号電圧バイアスの印加は、Si層4内の電子密度を
変化させ、さらにそれが8Aと8Bの間のチャネルの膜
コンダクタンスを変化させて、トランジスタ作用を生じ
る。歪みシリコン層は、少なくとも次の3つの理由で、
特に高速のパスである:1)シリコンの歪みが、低有効
質量で高移動度の電子によって伝導に有利なようにシリ
コンのエネルギーバンドを変化させる、2)シリコン層
には電子流を妨害する不純物がない、3)低欠陥基板上
に成長されたシリコン層は電子流を妨害する欠陥の濃度
が低い。
ムガリウムヒ素表面放出LEDの断面図である。特に、
LED20は、シリコン基板10上の大面積タブ11内
に成長されたGexSi1-x層12からなるヘテロ構造体
上に形成されている。ヘテロ構造体は基本的には上記の
ように形成される。ただし、GexSi1-xは、Beのよ
うなp型不純物で、1018cm-3の濃度までドープされ
る。
るために化学線エピタキシーのような従来のプロセスを
使用してGexSi1-x上に形成される。構成層21〜2
5の厚さ、構成およびドーピングを表2に示す。
ム接点が形成され、デバイスが分離される。オーム接点
26は、金−亜鉛合金の層を堆積し、円環を形成するよ
うにその金属を光リソグラフィーでパターン形成するこ
とによって、pドープ層25に接触するように形成され
る。
の、金属接触環26の外側部分がエッチングで除去され
る。ホトレジスト円をマスクとして使用して、環26の
周りに、nドープ層21で終端するように、メサがエッ
チングされる。環26の周囲に垂直側壁をもつメサを得
るために、エッチングは、望ましくは反応性イオンエッ
チングによる。
オーム接点27が、金−ゲルマニウム合金の層を堆積
し、メサの周りに円形接触環27を光リソグラフィーで
区画することによって形成される。さらに分離するた
め、環27と同心円上のメサが層21を通して化学的に
エッチングされる。
って、不動態絶縁層28を堆積し、接点26および27
への金属相互接続29を形成することを含む。相互接続
は、シリコン基板上に形成された集積電子回路(図示せ
ず)に都合よく延びる。
れるDCバイアス電圧が、環26の中心を通しての光放
出を誘導する。
の組成が、放出波長の広い選択範囲を与えるさまざまな
インジウムガリウムリン化合物に格子整合するように選
択可能であることである。例えば、インジウムガリウム
リン化合物が65〜70%GeをもつGe−Siバッフ
ァに整合する場合、放出光は緑であるが、100%Ge
に格子整合する化合物は赤色光を放出する。従って、大
部分の可視領域がカバーされる。
表面放出LEDの断面図である。特に、LED30は、
シリコン基板10上の大面積タブ11内に成長されたG
exSi1-x層12からなるヘテロ構造体上に形成されて
いる。さらに、LEDは、シリコン基板10内に統合的
に形成された駆動トランジスタ40に、金属リード36
を介して接続されているように図示されている。
たようにタブ11内に形成される。GexSi1-xは望ま
しくは非ドープであり、LED30の材料に格子整合す
るために、基本的に純ゲルマニウムからなる最終組成を
達成するのが望ましい。
で成長されたnドープAlyGa1-yAsの層31、層3
1上に成長されたpドープGaAsの層32、および、
層32上に成長されたp+ドープAlyGa1-yAsの層
33からなる。LEDは、層33への円形p型オーム接
点34と、層31へのn型オーム接点35を有する。
m3の濃度までシリコンでドープされて厚さ0.5マイ
クロメートルを有し、p層32は1016/cm3の濃度
までBeでドープされて厚さ0.6マイクロメートルを
有する。p+層33は1019/cm3までBeでドープさ
れて厚さ0.5マイクロメートルを有する。n接点35
はニッケル、チタンおよび金の複合層であり、p接点3
4はAuBe合金である。LED30はアルミニウム相
互接続36でトランジスタ40に接続される。
従来技術によって、シリコン基板10上に統合的に形成
されたn型エミッタ41、p型ベース42およびn型コ
レクタ43から基本的に構成される。
(例えばトランジスタ40)およびIII−V半導体光
素子(例えばLED30)が同じ基板上に形成されるこ
とを可能にするという重要な長所を例示する。明らか
に、さらにずっと複雑な回路も同じ基板上に形成可能で
ある。
850℃を超える高温でゲルマニウム−シリコン合金を
成長し、約25%/マイクロメートル以下の勾配でゲル
マニウム分を増加させることにより、シリコン上に、低
レベルのスレディング転位欠陥を有する階層化GexS
i1-x合金の大面積ヘテロ構造体を成長させることがで
きる。低濃度のゲルマニウム(.10≦x≦.50)で
は、このヘテロ層は、MODFETのような歪み層シリ
コンデバイスを成長するための基板として使用可能であ
る。高濃度のGe(.65≦x≦1.00)では、この
ヘテロ層は、光放出ダイオードおよびレーザのようなイ
ンジウムガリウムリンデバイスのための緩衝層としてシ
リコン基板上で使用可能である。純ゲルマニウム(x=
1.00)の濃度では、このヘテロ層はGaAsまたは
GaAs/AlGaAsデバイスのために使用可能であ
る。
を説明するブロック図である。
図である。
Dの断面図である。
Claims (14)
- 【請求項1】 単結晶シリコン基板を準備するステップ
と、 前記シリコン基板上に、850℃以上の温度で、約25
%/マイクロメートル以下の勾配で増大するゲルマニウ
ム成分をもつGexSi1-xの階層化層をエピタキシャル
成長するステップと、 前記GexSi1-xの階層化層上に半導体材料の層をエピ
タキシャル成長するステップからなることを特徴とする
半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項2】 前記半導体材料の層が、階層化層の表面
と等しい組成および100オングストローム以上の厚さ
を有するGe−Si合金のキャップ層からなることを特
徴とする請求項1の方法。 - 【請求項3】 前記GexSi1-xの階層化層が0.1≦
x≦0.5の範囲の最終組成を有し、前記半導体材料の
層がシリコンからなることを特徴とする請求項1の方
法。 - 【請求項4】 前記GexSi1-xの階層化層が0.65
≦x≦1.0の範囲の最終組成を有し、前記半導体材料
の層がインジウムガリウムリンからなることを特徴とす
る請求項1の方法。 - 【請求項5】 前記GexSi1-xの階層化層が純ゲルマ
ニウムの最終組成を有し、前記半導体材料の層がガリウ
ムヒ素またはアルミニウムガリウムヒ素からなることを
特徴とする請求項1の方法。 - 【請求項6】 前記エピタキシャル層が分子線エピタキ
シーで成長されることを特徴とする請求項1の方法。 - 【請求項7】 前記エピタキシャル層が化学蒸着法で成
長されることを特徴とする請求項1の方法。 - 【請求項8】 GexSi1-xの階層化層とキャップ層の
厚さの和に等しい深さを有する陥没タブを前記シリコン
基板に設けるステップからなることを特徴とする請求項
1の方法。 - 【請求項9】 前記GexSi1-xの階層化層の成長温度
がGexSi1-xの融点に比例してスケールされることを
特徴とする請求項1の方法。 - 【請求項10】 前記階層化GexSi1-x層の面積が1
2,000平方ミクロンを超えることを特徴とする請求
項1の方法。 - 【請求項11】 10パーセントから50パーセントの
範囲のゲルマニウム濃度を有するゲルマニウム−シリコ
ン合金の層と、 前記合金の層上にエピタキシャル成長された歪みシリコ
ンの層と、 ドナードーパント、および、前記シリコン層に電気的に
接触するための、間隔をおかれた接触領域を含み、前記
歪みシリコン層上にエピタキシャル成長されたゲルマニ
ウム−シリコン合金の第2の層と、 前記接触領域に接触するために、前記合金の第2層上に
配置されたソースおよびドレインオーム手段と、 前記ソースおよびドレイン接触手段の間に配置されたシ
ョットキー障壁接触手段からなり、該手段によって前記
ソースとドレインの間の伝導が前記ショットキー接点へ
の負電圧の印加によって高められることを特徴とするM
ODFET半導体デバイス。 - 【請求項12】 5×1016cm-2以下のスレディング
転位密度を有するゲルマニウム−シリコン合金GexS
i1-x(0.10≦x≦.50)の層と、 前記合金の層上にエピタキシャル成長されたシリコンの
歪み層と、 前記合金の層上にエピタキシャル成長されたゲルマニウ
ム−シリコンの第2の層と、 前記歪みシリコン層の間隔をおかれた領域との電気的接
点を形成する手段からなることを特徴とするデバイス。 - 【請求項13】 前記シリコンの歪み層が非ドープであ
ることを特徴とする請求項12のデバイス。 - 【請求項14】 前記ゲルマニウム−シリコン合金の層
のうちの少なくとも1つがnドープであることを特徴と
する請求項12のデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US690429 | 1991-04-24 | ||
US07/690,429 US5221413A (en) | 1991-04-24 | 1991-04-24 | Method for making low defect density semiconductor heterostructure and devices made thereby |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06252046A true JPH06252046A (ja) | 1994-09-09 |
JP2792785B2 JP2792785B2 (ja) | 1998-09-03 |
Family
ID=24772416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4122818A Expired - Lifetime JP2792785B2 (ja) | 1991-04-24 | 1992-04-17 | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5221413A (ja) |
EP (1) | EP0514018A3 (ja) |
JP (1) | JP2792785B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6525338B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-02-25 | Mitsubishi Materials Corporation | Semiconductor substrate, field effect transistor, method of forming SiGe layer and method of forming strained Si layer using same, and method of manufacturing field effect transistor |
WO2004049411A1 (ja) | 2002-11-28 | 2004-06-10 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | 半導体基板の製造方法及び電界効果型タランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタ |
JP2004342976A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP2005236265A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-09-02 | Internatl Rectifier Corp | 粗面度が小さい半導体合金、およびその製造方法 |
US7056789B2 (en) | 2001-08-23 | 2006-06-06 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Production method for semiconductor substrate and production method for field effect transistor and semiconductor substrate and field effect transistor |
US7060597B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-06-13 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Manufacturing method for a silicon substrate having strained layer |
JP2006523380A (ja) * | 2003-03-19 | 2006-10-12 | アンバーウェーブ システムズ コーポレイション | 高品質の緩和シリコンゲルマニウム層の製造方法 |
US7138650B2 (en) | 2001-08-06 | 2006-11-21 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Semiconductor substrate, field-effect transistor, and their manufacturing method of the same |
US7405142B2 (en) | 2003-02-04 | 2008-07-29 | Sumco Corporation | Semiconductor substrate and field-effect transistor, and manufacturing method for same |
WO2010061616A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
Families Citing this family (122)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2062134C (en) * | 1991-05-31 | 1997-03-25 | Ibm | Heteroepitaxial layers with low defect density and arbitrary network parameter |
US5273930A (en) * | 1992-09-03 | 1993-12-28 | Motorola, Inc. | Method of forming a non-selective silicon-germanium epitaxial film |
DE4438380C1 (de) * | 1994-10-27 | 1996-01-25 | Inst Halbleiterphysik Gmbh | Verfahren zur Abscheidung von einkristallinen Mischkristallschichten aus Ge¶x¶Si¶1¶¶-¶¶x¶ für Halbleiterbauelemente |
US6039803A (en) * | 1996-06-28 | 2000-03-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Utilization of miscut substrates to improve relaxed graded silicon-germanium and germanium layers on silicon |
ATE283549T1 (de) | 1997-06-24 | 2004-12-15 | Massachusetts Inst Technology | Kontrolle der verspannungsdichte durch verwendung von gradientenschichten und durch planarisierung |
US20010006249A1 (en) | 1997-09-16 | 2001-07-05 | Eugene A Fitzgerald | Co-planar si and ge composite substrate and method of producing same |
US6154475A (en) * | 1997-12-04 | 2000-11-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Silicon-based strain-symmetrized GE-SI quantum lasers |
US7227176B2 (en) * | 1998-04-10 | 2007-06-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Etch stop layer system |
US6350993B1 (en) | 1999-03-12 | 2002-02-26 | International Business Machines Corporation | High speed composite p-channel Si/SiGe heterostructure for field effect devices |
JP2003517726A (ja) * | 1999-09-20 | 2003-05-27 | アンバーウェーブ システムズ コーポレイション | 緩和シリコンゲルマニウム層の作製方法 |
US6602613B1 (en) | 2000-01-20 | 2003-08-05 | Amberwave Systems Corporation | Heterointegration of materials using deposition and bonding |
US6750130B1 (en) | 2000-01-20 | 2004-06-15 | Amberwave Systems Corporation | Heterointegration of materials using deposition and bonding |
WO2001054175A1 (en) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Amberwave Systems Corporation | Low threading dislocation density relaxed mismatched epilayers without high temperature growth |
US6392257B1 (en) | 2000-02-10 | 2002-05-21 | Motorola Inc. | Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same |
US6693033B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Method of removing an amorphous oxide from a monocrystalline surface |
US6555839B2 (en) * | 2000-05-26 | 2003-04-29 | Amberwave Systems Corporation | Buried channel strained silicon FET using a supply layer created through ion implantation |
US6427066B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-07-30 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for effecting communications among a plurality of remote stations |
US6501973B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-31 | Motorola, Inc. | Apparatus and method for measuring selected physical condition of an animate subject |
US6477285B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-11-05 | Motorola, Inc. | Integrated circuits with optical signal propagation |
US6410941B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-06-25 | Motorola, Inc. | Reconfigurable systems using hybrid integrated circuits with optical ports |
US6555946B1 (en) | 2000-07-24 | 2003-04-29 | Motorola, Inc. | Acoustic wave device and process for forming the same |
US6645829B2 (en) * | 2000-08-04 | 2003-11-11 | Amberwave Systems Corporation | Silicon wafer with embedded optoelectronic material for monolithic OEIC |
US7687888B2 (en) | 2000-08-04 | 2010-03-30 | The Regents Of The University Of California | Method of controlling stress in gallium nitride films deposited on substrates |
US6573126B2 (en) | 2000-08-16 | 2003-06-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for producing semiconductor article using graded epitaxial growth |
US6638838B1 (en) | 2000-10-02 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a partially annealed layer and method of forming the same |
US6583034B2 (en) | 2000-11-22 | 2003-06-24 | Motorola, Inc. | Semiconductor structure including a compliant substrate having a graded monocrystalline layer and methods for fabricating the structure and semiconductor devices including the structure |
US20020100942A1 (en) * | 2000-12-04 | 2002-08-01 | Fitzgerald Eugene A. | CMOS inverter and integrated circuits utilizing strained silicon surface channel MOSFETs |
US6649480B2 (en) | 2000-12-04 | 2003-11-18 | Amberwave Systems Corporation | Method of fabricating CMOS inverter and integrated circuits utilizing strained silicon surface channel MOSFETs |
US6563118B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-05-13 | Motorola, Inc. | Pyroelectric device on a monocrystalline semiconductor substrate and process for fabricating same |
US6649287B2 (en) | 2000-12-14 | 2003-11-18 | Nitronex Corporation | Gallium nitride materials and methods |
WO2002063665A2 (en) * | 2001-02-08 | 2002-08-15 | Amberwave Systems Corporation | RELAXED InXGa1-xAs LAYERS INTEGRATED WITH Si |
US6594293B1 (en) | 2001-02-08 | 2003-07-15 | Amberwave Systems Corporation | Relaxed InxGa1-xAs layers integrated with Si |
US6589335B2 (en) * | 2001-02-08 | 2003-07-08 | Amberwave Systems Corporation | Relaxed InxGa1-xAs layers integrated with Si |
US6673646B2 (en) | 2001-02-28 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Growth of compound semiconductor structures on patterned oxide films and process for fabricating same |
US6830976B2 (en) | 2001-03-02 | 2004-12-14 | Amberwave Systems Corproation | Relaxed silicon germanium platform for high speed CMOS electronics and high speed analog circuits |
US6703688B1 (en) | 2001-03-02 | 2004-03-09 | Amberwave Systems Corporation | Relaxed silicon germanium platform for high speed CMOS electronics and high speed analog circuits |
US6724008B2 (en) | 2001-03-02 | 2004-04-20 | Amberwave Systems Corporation | Relaxed silicon germanium platform for high speed CMOS electronics and high speed analog circuits |
US6723661B2 (en) * | 2001-03-02 | 2004-04-20 | Amberwave Systems Corporation | Relaxed silicon germanium platform for high speed CMOS electronics and high speed analog circuits |
US7046719B2 (en) | 2001-03-08 | 2006-05-16 | Motorola, Inc. | Soft handoff between cellular systems employing different encoding rates |
WO2002082514A1 (en) | 2001-04-04 | 2002-10-17 | Massachusetts Institute Of Technology | A method for semiconductor device fabrication |
US6709989B2 (en) | 2001-06-21 | 2004-03-23 | Motorola, Inc. | Method for fabricating a semiconductor structure including a metal oxide interface with silicon |
US6646293B2 (en) | 2001-07-18 | 2003-11-11 | Motorola, Inc. | Structure for fabricating high electron mobility transistors utilizing the formation of complaint substrates |
US6693298B2 (en) | 2001-07-20 | 2004-02-17 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating epitaxial semiconductor on insulator (SOI) structures and devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form same |
US6472694B1 (en) | 2001-07-23 | 2002-10-29 | Motorola, Inc. | Microprocessor structure having a compound semiconductor layer |
US6594414B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-07-15 | Motorola, Inc. | Structure and method of fabrication for an optical switch |
US6585424B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-07-01 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating an electro-rheological lens |
US6667196B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-12-23 | Motorola, Inc. | Method for real-time monitoring and controlling perovskite oxide film growth and semiconductor structure formed using the method |
US6462360B1 (en) | 2001-08-06 | 2002-10-08 | Motorola, Inc. | Integrated gallium arsenide communications systems |
US6589856B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-07-08 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for controlling anti-phase domains in semiconductor structures and devices |
US6639249B2 (en) | 2001-08-06 | 2003-10-28 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabrication for a solid-state lighting device |
AU2002319801A1 (en) | 2001-08-09 | 2003-02-24 | Amberwave Systems Corporation | Optimized buried-channel fets based on sige heterostructures |
US6673667B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-01-06 | Motorola, Inc. | Method for manufacturing a substantially integral monolithic apparatus including a plurality of semiconductor materials |
EP1428262A2 (en) * | 2001-09-21 | 2004-06-16 | Amberwave Systems Corporation | Semiconductor structures employing strained material layers with defined impurity gradients and methods for fabricating same |
AU2002341803A1 (en) | 2001-09-24 | 2003-04-07 | Amberwave Systems Corporation | Rf circuits including transistors having strained material layers |
DE10163394A1 (de) * | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Aixtron Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden kristalliner Schichten und auf kristallinen Substraten |
US6515335B1 (en) * | 2002-01-04 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Method for fabrication of relaxed SiGe buffer layers on silicon-on-insulators and structures containing the same |
FR2836159B1 (fr) * | 2002-02-15 | 2004-05-07 | Centre Nat Rech Scient | Procede de formation de couche de carbure de silicium ou de nitrure d'element iii sur un substrat adapte |
US6723622B2 (en) | 2002-02-21 | 2004-04-20 | Intel Corporation | Method of forming a germanium film on a semiconductor substrate that includes the formation of a graded silicon-germanium buffer layer prior to the formation of a germanium layer |
WO2003079415A2 (en) | 2002-03-14 | 2003-09-25 | Amberwave Systems Corporation | Methods for fabricating strained layers on semiconductor substrates |
GB0212616D0 (en) | 2002-05-31 | 2002-07-10 | Univ Warwick | Formation of lattice-tuning semiconductor substrates |
JP2003347229A (ja) * | 2002-05-31 | 2003-12-05 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US7615829B2 (en) | 2002-06-07 | 2009-11-10 | Amberwave Systems Corporation | Elevated source and drain elements for strained-channel heterojuntion field-effect transistors |
US7074623B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-07-11 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures |
US6995430B2 (en) | 2002-06-07 | 2006-02-07 | Amberwave Systems Corporation | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
US7307273B2 (en) | 2002-06-07 | 2007-12-11 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by selective relaxation |
US7335545B2 (en) | 2002-06-07 | 2008-02-26 | Amberwave Systems Corporation | Control of strain in device layers by prevention of relaxation |
US20030227057A1 (en) | 2002-06-07 | 2003-12-11 | Lochtefeld Anthony J. | Strained-semiconductor-on-insulator device structures |
US6946371B2 (en) | 2002-06-10 | 2005-09-20 | Amberwave Systems Corporation | Methods of fabricating semiconductor structures having epitaxially grown source and drain elements |
US6982474B2 (en) | 2002-06-25 | 2006-01-03 | Amberwave Systems Corporation | Reacted conductive gate electrodes |
US6936869B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-08-30 | International Rectifier Corporation | Heterojunction field effect transistors using silicon-germanium and silicon-carbon alloys |
FR2842217A1 (fr) * | 2002-07-12 | 2004-01-16 | St Microelectronics Sa | Croissance d'une region monocristalline d'un compose iii-v sur un substrat de silicium monocristallin |
EP2267762A3 (en) | 2002-08-23 | 2012-08-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor heterostructures having reduced dislocation pile-ups and related methods |
US7594967B2 (en) * | 2002-08-30 | 2009-09-29 | Amberwave Systems Corporation | Reduction of dislocation pile-up formation during relaxed lattice-mismatched epitaxy |
US6787882B2 (en) * | 2002-10-02 | 2004-09-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Semiconductor varactor diode with doped heterojunction |
WO2004102635A2 (en) * | 2002-10-30 | 2004-11-25 | Amberwave Systems Corporation | Methods for preserving strained semiconductor layers during oxide layer formation |
US7453129B2 (en) | 2002-12-18 | 2008-11-18 | Noble Peak Vision Corp. | Image sensor comprising isolated germanium photodetectors integrated with a silicon substrate and silicon circuitry |
DE10260853A1 (de) * | 2002-12-23 | 2004-07-08 | Robert Bosch Gmbh | Piezoaktor und ein Verfahren zu dessen Herstellung |
WO2004068556A2 (en) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Amberwave Systems Corporation | Semiconductor structures with structural homogeneity |
KR100728173B1 (ko) | 2003-03-07 | 2007-06-13 | 앰버웨이브 시스템즈 코포레이션 | 쉘로우 트렌치 분리법 |
US7238595B2 (en) | 2003-03-13 | 2007-07-03 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
US7682947B2 (en) * | 2003-03-13 | 2010-03-23 | Asm America, Inc. | Epitaxial semiconductor deposition methods and structures |
US20060225642A1 (en) * | 2003-03-31 | 2006-10-12 | Yoshihiko Kanzawa | Method of forming semiconductor crystal |
US7049660B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-05-23 | International Business Machines Corporation | High-quality SGOI by oxidation near the alloy melting temperature |
WO2005013326A2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-02-10 | Asm America, Inc. | Epitaxial growth of relaxed silicon germanium layers |
TWI237908B (en) * | 2003-08-29 | 2005-08-11 | Ind Tech Res Inst | A method for manufacturing a strained Si having few threading dislocations |
JP2005210062A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Canon Inc | 半導体部材とその製造方法、及び半導体装置 |
US20060124961A1 (en) * | 2003-12-26 | 2006-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate, manufacturing method thereof, and semiconductor device |
JP2005244187A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 歪みシリコンウエハおよびその製造方法 |
US7247583B2 (en) | 2004-01-30 | 2007-07-24 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Manufacturing method for strained silicon wafer |
GB2411047B (en) * | 2004-02-13 | 2008-01-02 | Iqe Silicon Compounds Ltd | Compound semiconductor device and method of producing the same |
TWI263709B (en) * | 2004-02-17 | 2006-10-11 | Ind Tech Res Inst | Structure of strain relaxed thin Si/Ge epitaxial layer and fabricating method thereof |
US7229866B2 (en) | 2004-03-15 | 2007-06-12 | Velox Semiconductor Corporation | Non-activated guard ring for semiconductor devices |
ES2363089T3 (es) * | 2004-04-30 | 2011-07-20 | Dichroic Cell S.R.L. | Método para producir sustratos de ge virtuales para la integración iii/v sobre si (001). |
US7417266B1 (en) | 2004-06-10 | 2008-08-26 | Qspeed Semiconductor Inc. | MOSFET having a JFET embedded as a body diode |
JP2006080278A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 歪みシリコンウエハおよびその製造方法 |
US7682952B2 (en) * | 2004-11-30 | 2010-03-23 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for forming low defect density alloy graded layers and structure containing such layers |
US7393733B2 (en) | 2004-12-01 | 2008-07-01 | Amberwave Systems Corporation | Methods of forming hybrid fin field-effect transistor structures |
US7436039B2 (en) | 2005-01-06 | 2008-10-14 | Velox Semiconductor Corporation | Gallium nitride semiconductor device |
JP4654710B2 (ja) * | 2005-02-24 | 2011-03-23 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハの製造方法 |
US8324660B2 (en) | 2005-05-17 | 2012-12-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
WO2006125040A2 (en) | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Amberwave Systems Corporation | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities related methods for device fabrication |
US9153645B2 (en) | 2005-05-17 | 2015-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lattice-mismatched semiconductor structures with reduced dislocation defect densities and related methods for device fabrication |
JP5243256B2 (ja) * | 2005-11-01 | 2013-07-24 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | モノリシックに集積化された半導体材料およびデバイス |
US8026568B2 (en) | 2005-11-15 | 2011-09-27 | Velox Semiconductor Corporation | Second Schottky contact metal layer to improve GaN Schottky diode performance |
US20070252223A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-11-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Insulated gate devices and method of making same |
US8063397B2 (en) * | 2006-06-28 | 2011-11-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Semiconductor light-emitting structure and graded-composition substrate providing yellow-green light emission |
US7939853B2 (en) | 2007-03-20 | 2011-05-10 | Power Integrations, Inc. | Termination and contact structures for a high voltage GaN-based heterojunction transistor |
US7795605B2 (en) * | 2007-06-29 | 2010-09-14 | International Business Machines Corporation | Phase change material based temperature sensor |
US8237126B2 (en) | 2007-08-17 | 2012-08-07 | Csem Centre Suisse D'electronique Et De Mictrotechnique Sa | X-ray imaging device and method for the manufacturing thereof |
US20110017127A1 (en) * | 2007-08-17 | 2011-01-27 | Epispeed Sa | Apparatus and method for producing epitaxial layers |
JP2010141272A (ja) | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Sumco Corp | エピタキシャルウェーハとその製造方法 |
TWI562195B (en) | 2010-04-27 | 2016-12-11 | Pilegrowth Tech S R L | Dislocation and stress management by mask-less processes using substrate patterning and methods for device fabrication |
US8633094B2 (en) | 2011-12-01 | 2014-01-21 | Power Integrations, Inc. | GaN high voltage HFET with passivation plus gate dielectric multilayer structure |
US8940620B2 (en) | 2011-12-15 | 2015-01-27 | Power Integrations, Inc. | Composite wafer for fabrication of semiconductor devices |
US9127345B2 (en) | 2012-03-06 | 2015-09-08 | Asm America, Inc. | Methods for depositing an epitaxial silicon germanium layer having a germanium to silicon ratio greater than 1:1 using silylgermane and a diluent |
US9171715B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of GeO2 |
US9177992B2 (en) | 2013-01-09 | 2015-11-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Active LED module with LED and transistor formed on same substrate |
US8928037B2 (en) | 2013-02-28 | 2015-01-06 | Power Integrations, Inc. | Heterostructure power transistor with AlSiN passivation layer |
WO2014140082A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Pilegrowth Tech S.R.L. | High efficiency solar cells on silicon substrates |
US20150090180A1 (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-02 | Ultratech, Inc. | Epitaxial growth of compound semiconductors using lattice-tuned domain-matching epitaxy |
US9218963B2 (en) | 2013-12-19 | 2015-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclical deposition of germanium |
US11469333B1 (en) | 2020-02-19 | 2022-10-11 | Semiq Incorporated | Counter-doped silicon carbide Schottky barrier diode |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6164118A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3615855A (en) * | 1969-04-03 | 1971-10-26 | Gen Motors Corp | Radiant energy photovoltalic device |
US3935040A (en) * | 1971-10-20 | 1976-01-27 | Harris Corporation | Process for forming monolithic semiconductor display |
US4357183A (en) * | 1980-08-13 | 1982-11-02 | Massachusetts Institute Of Technology | Heteroepitaxy of germanium silicon on silicon utilizing alloying control |
JPS5753927A (en) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | Compound semiconductor device |
US4529455A (en) * | 1983-10-28 | 1985-07-16 | At&T Bell Laboratories | Method for epitaxially growing Gex Si1-x layers on Si utilizing molecular beam epitaxy |
DE3542482A1 (de) * | 1985-11-30 | 1987-06-04 | Licentia Gmbh | Modulationsdotierter feldeffekttransistor |
US4711857A (en) * | 1986-08-28 | 1987-12-08 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Tailorable infrared sensing device with strain layer superlattice structure |
US4876210A (en) * | 1987-04-30 | 1989-10-24 | The University Of Delaware | Solution growth of lattice mismatched and solubility mismatched heterostructures |
JPS63285923A (ja) * | 1987-05-19 | 1988-11-22 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | シリコン−ゲルマニウム合金の製造方法 |
DE3830102A1 (de) * | 1987-09-16 | 1989-03-30 | Licentia Gmbh | Si/sige-halbleiterkoerper |
-
1991
- 1991-04-24 US US07/690,429 patent/US5221413A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-04-16 EP EP19920303475 patent/EP0514018A3/en not_active Withdrawn
- 1992-04-17 JP JP4122818A patent/JP2792785B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6164118A (ja) * | 1984-09-05 | 1986-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6525338B2 (en) | 2000-08-01 | 2003-02-25 | Mitsubishi Materials Corporation | Semiconductor substrate, field effect transistor, method of forming SiGe layer and method of forming strained Si layer using same, and method of manufacturing field effect transistor |
US7138650B2 (en) | 2001-08-06 | 2006-11-21 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Semiconductor substrate, field-effect transistor, and their manufacturing method of the same |
US7056789B2 (en) | 2001-08-23 | 2006-06-06 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Production method for semiconductor substrate and production method for field effect transistor and semiconductor substrate and field effect transistor |
US7198997B2 (en) | 2002-11-28 | 2007-04-03 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Method for producing semiconductor substrate, method for producing field effect transistor, semiconductor substrate, and field effect transistor |
WO2004049411A1 (ja) | 2002-11-28 | 2004-06-10 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | 半導体基板の製造方法及び電界効果型タランジスタの製造方法並びに半導体基板及び電界効果型トランジスタ |
US7405142B2 (en) | 2003-02-04 | 2008-07-29 | Sumco Corporation | Semiconductor substrate and field-effect transistor, and manufacturing method for same |
EP2631933A1 (en) | 2003-02-04 | 2013-08-28 | Sumco Corporation | Semiconductor substrate and field effect transistor, and manufacturing method for same |
JP2006523380A (ja) * | 2003-03-19 | 2006-10-12 | アンバーウェーブ システムズ コーポレイション | 高品質の緩和シリコンゲルマニウム層の製造方法 |
US7060597B2 (en) | 2003-05-19 | 2006-06-13 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Manufacturing method for a silicon substrate having strained layer |
JP2004342976A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP4557505B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2010-10-06 | コバレントマテリアル株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
JP2005236265A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-09-02 | Internatl Rectifier Corp | 粗面度が小さい半導体合金、およびその製造方法 |
WO2010061616A1 (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-03 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
JP2010153846A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-07-08 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 半導体基板、電子デバイス、および半導体基板の製造方法 |
CN102227801A (zh) * | 2008-11-28 | 2011-10-26 | 住友化学株式会社 | 半导体基板、电子器件、及半导体基板的制造方法 |
US8729677B2 (en) | 2008-11-28 | 2014-05-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing semiconductor substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0514018A3 (en) | 1994-06-29 |
EP0514018A2 (en) | 1992-11-19 |
JP2792785B2 (ja) | 1998-09-03 |
US5221413A (en) | 1993-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2792785B2 (ja) | 半導体デバイスおよびその製造方法 | |
US5442205A (en) | Semiconductor heterostructure devices with strained semiconductor layers | |
US4963508A (en) | Method of making an epitaxial gallium arsenide semiconductor wafer using a strained layer superlattice | |
US5744375A (en) | Capped anneal | |
US6229153B1 (en) | High peak current density resonant tunneling diode | |
US4876210A (en) | Solution growth of lattice mismatched and solubility mismatched heterostructures | |
US4876219A (en) | Method of forming a heteroepitaxial semiconductor thin film using amorphous buffer layers | |
EP0447327B1 (en) | Heterostructure semiconductor device | |
US6680492B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for producing the same | |
US5256550A (en) | Fabricating a semiconductor device with strained Si1-x Gex layer | |
US5084409A (en) | Method for patterned heteroepitaxial growth | |
JPS6327851B2 (ja) | ||
US4925810A (en) | Compound semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
US5549749A (en) | Substrate with a compound semiconductor surface layer and method for preparing the same | |
US5013682A (en) | Method for selective epitaxy using a WSI mask | |
JPH05259077A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US5183776A (en) | Heteroepitaxy by growth of thermally strained homojunction superlattice buffer layers | |
US20020110946A1 (en) | Metamorphic long wavelength high-speed photodiode | |
JP2565908B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
JP2694260B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP2000133654A (ja) | バイポーラトランジスタの製造方法 | |
KR100407955B1 (ko) | 퓨전 기판 위에 GaAs을 형성하는 방법 | |
US8729677B2 (en) | Semiconductor substrate, electronic device and method for manufacturing semiconductor substrate | |
Van Rossum | Compound semiconductors on silicon | |
Plumton et al. | Method for selective epitaxy using a WS I mask |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090619 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100619 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100619 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110619 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120619 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |