JPH06240001A - オルガノポリシロキサン及びこれを含有するエポキシ樹脂組成物 - Google Patents
オルガノポリシロキサン及びこれを含有するエポキシ樹脂組成物Info
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- JPH06240001A JPH06240001A JP2823593A JP2823593A JPH06240001A JP H06240001 A JPH06240001 A JP H06240001A JP 2823593 A JP2823593 A JP 2823593A JP 2823593 A JP2823593 A JP 2823593A JP H06240001 A JPH06240001 A JP H06240001A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 内部応力の発生が少なく、無色透明性に優れ
たエポキシ樹脂組成物を提供する。 【構成】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び
（Ｃ）分子中に１個のエポキシ基と１個のエチレン性二
重結合を持つ芳香族エポキシ化合物とＳｉＨ基含有オル
ガノポリシロキサンとの反応によって得られるシリコー
ン変性エポキシ樹脂の三成分を含有するエポキシ樹脂組
成物。 【効果】 上記エポキシ樹脂組成物は光半導体の封止
剤、電子部品用の接着剤、シール剤等、又は自動車、航
空機用の構造剤、接着剤として有用である。例えば、光
半導体の封止剤として用いると、輝度劣化が少なく、耐
熱性、信頼性の高い、光半導体装置が得られる。
たエポキシ樹脂組成物を提供する。 【構成】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、及び
（Ｃ）分子中に１個のエポキシ基と１個のエチレン性二
重結合を持つ芳香族エポキシ化合物とＳｉＨ基含有オル
ガノポリシロキサンとの反応によって得られるシリコー
ン変性エポキシ樹脂の三成分を含有するエポキシ樹脂組
成物。 【効果】 上記エポキシ樹脂組成物は光半導体の封止
剤、電子部品用の接着剤、シール剤等、又は自動車、航
空機用の構造剤、接着剤として有用である。例えば、光
半導体の封止剤として用いると、輝度劣化が少なく、耐
熱性、信頼性の高い、光半導体装置が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオード、フォ
トダイオード等の光半導体の封止剤、電子部品用の接着
剤、シール剤等、又は、自動車、航空機用の構造材ある
いはそれらの接着剤等として有用な樹脂組成物及びそれ
を調製する為のシリコーン変性エポキシ樹脂に関するも
のである。
トダイオード等の光半導体の封止剤、電子部品用の接着
剤、シール剤等、又は、自動車、航空機用の構造材ある
いはそれらの接着剤等として有用な樹脂組成物及びそれ
を調製する為のシリコーン変性エポキシ樹脂に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光半導体装置は、発光ダイオー
ド、フォトダイオード等の光半導体素子を酸無水物硬化
剤を含有するエポキシ樹脂組成物によって樹脂封止する
ことにより構成されている。しかしながら、封止樹脂と
素子、リード、リードフレームとの線膨張係数が相違す
ると、樹脂封止に際して、上記封止用エポキシ樹脂組成
物が硬化温度から室温に冷却される過程で収縮に基づく
かなりの内部応力が発生する。この内部応力により封止
樹脂や配線の損傷が生じ、光半導体装置の信頼性が低下
する現象が生じる。内部応力の低減のために、エポキシ
樹脂をゴム変性することが考えられている。しかし、こ
のようにゴム変性すると、封止樹脂が黄色に着色するた
め光半導体装置の発光、受光特性が著しく阻害されるよ
うになる。
ド、フォトダイオード等の光半導体素子を酸無水物硬化
剤を含有するエポキシ樹脂組成物によって樹脂封止する
ことにより構成されている。しかしながら、封止樹脂と
素子、リード、リードフレームとの線膨張係数が相違す
ると、樹脂封止に際して、上記封止用エポキシ樹脂組成
物が硬化温度から室温に冷却される過程で収縮に基づく
かなりの内部応力が発生する。この内部応力により封止
樹脂や配線の損傷が生じ、光半導体装置の信頼性が低下
する現象が生じる。内部応力の低減のために、エポキシ
樹脂をゴム変性することが考えられている。しかし、こ
のようにゴム変性すると、封止樹脂が黄色に着色するた
め光半導体装置の発光、受光特性が著しく阻害されるよ
うになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、エポキ
シ樹脂をゴム変性することは、実用上不可能であるの
で、シリコーン樹脂を用いてエポキシ樹脂を変性し、内
部応力を低下させることも検討されている。しかし、シ
リコーン樹脂はエポキシ樹脂との相溶性が悪いため、そ
の変性のためには、エポキシ基と反応しうる反応基を持
ったシリコーン樹脂とエポキシ樹脂とを反応させ、エポ
キシ樹脂をシリコーン変性する必要がある。
シ樹脂をゴム変性することは、実用上不可能であるの
で、シリコーン樹脂を用いてエポキシ樹脂を変性し、内
部応力を低下させることも検討されている。しかし、シ
リコーン樹脂はエポキシ樹脂との相溶性が悪いため、そ
の変性のためには、エポキシ基と反応しうる反応基を持
ったシリコーン樹脂とエポキシ樹脂とを反応させ、エポ
キシ樹脂をシリコーン変性する必要がある。
【０００４】両末端にアミノ基を持つオルガノポリシロ
キサンでエポキシ樹脂を変性する試みもなされている
が、この変性物は経時的に不安定で、次第に増粘する。
また、この変性物を含む樹脂組成物の硬化物は耐熱性が
劣っており、黄変しやすい。
キサンでエポキシ樹脂を変性する試みもなされている
が、この変性物は経時的に不安定で、次第に増粘する。
また、この変性物を含む樹脂組成物の硬化物は耐熱性が
劣っており、黄変しやすい。
【０００５】本発明は、上述の欠点が改善されたエポキ
シ樹脂組成物の提供、特に、信頼性が高く、しかも発
光、受光特性に優れた光半導体装置を製造するための樹
脂組成物及びそれを調製する為のシリコーン変性エポキ
シ樹脂の提供を目的とする。
シ樹脂組成物の提供、特に、信頼性が高く、しかも発
光、受光特性に優れた光半導体装置を製造するための樹
脂組成物及びそれを調製する為のシリコーン変性エポキ
シ樹脂の提供を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、その硬化物
の内部応力が小さく、しかも無色透明性に優れたエポキ
シ樹脂組成物、特に封止樹脂用組成物を得るため、種々
のシリコーン変性エポキシ樹脂を検討したところ、分子
中に１個のエポキシ基と１個のエチレン性二重結合を持
つ化合物と、ＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサンとの
反応によって得られるシリコーン変性エポキシ樹脂を組
成物の一成分として使用することにより、上記の目的が
達成されることを見い出し、本発明を完成した。
の内部応力が小さく、しかも無色透明性に優れたエポキ
シ樹脂組成物、特に封止樹脂用組成物を得るため、種々
のシリコーン変性エポキシ樹脂を検討したところ、分子
中に１個のエポキシ基と１個のエチレン性二重結合を持
つ化合物と、ＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサンとの
反応によって得られるシリコーン変性エポキシ樹脂を組
成物の一成分として使用することにより、上記の目的が
達成されることを見い出し、本発明を完成した。
【０００７】即ち、本発明は、 (1) 式（１）で示されるオルガノポリシロキサン
【０００８】
【化４】
【０００９】（Ｒ1 は水素原子、置換若しくは非置換の
１価の炭化水素基、
１価の炭化水素基、
【００１０】
【化５】
【００１１】又は
【００１２】
【化６】
【００１３】を、Ｒ2 、Ｒ3 は各々独立に水素原子又は
置換若しくは非置換の炭化水素基を、Ｒ4 は水素原子、
メチル基又はフェニル基をそれぞれ表す。又ｍ、ｎは０
又はｍ＋ｎが５００以下である正の整数を表す。但しＲ
1 のうち少なくとも１ケは式（２）又は式（３）の置換
基を表すものとする。） (2) 前項(1) に記載の式（１）においてＲ2 及び／又
はＲ3 が水素原子、メチル基、フェニル基又はビニル基
である前項(1) に記載のオルガノポリシロキサン (3) 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有することを特徴
とするエポキシ樹脂組成物 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）前記（１）〜（２）に記載のオルガノポリシロキ
サン (4) （Ｂ）硬化剤が酸無水物である前記(3) に記載の
エポキシ樹脂組成物 (5) （Ａ）エポキシ樹脂が、液状ビスフェノール型エ
ポキシ樹脂、液状脂環式エポキシ樹脂の少なくとも１つ
である前記 (3)〜(4) に記載のエポキシ樹脂組成物 (6) エポキシ樹脂組成物が電子部品用である前記 (3)
〜(5) のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物 (7) 電子部品が光半導体装置である前記(6) のエポキ
シ樹脂組成物を提供する。
置換若しくは非置換の炭化水素基を、Ｒ4 は水素原子、
メチル基又はフェニル基をそれぞれ表す。又ｍ、ｎは０
又はｍ＋ｎが５００以下である正の整数を表す。但しＲ
1 のうち少なくとも１ケは式（２）又は式（３）の置換
基を表すものとする。） (2) 前項(1) に記載の式（１）においてＲ2 及び／又
はＲ3 が水素原子、メチル基、フェニル基又はビニル基
である前項(1) に記載のオルガノポリシロキサン (3) 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有することを特徴
とするエポキシ樹脂組成物 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）前記（１）〜（２）に記載のオルガノポリシロキ
サン (4) （Ｂ）硬化剤が酸無水物である前記(3) に記載の
エポキシ樹脂組成物 (5) （Ａ）エポキシ樹脂が、液状ビスフェノール型エ
ポキシ樹脂、液状脂環式エポキシ樹脂の少なくとも１つ
である前記 (3)〜(4) に記載のエポキシ樹脂組成物 (6) エポキシ樹脂組成物が電子部品用である前記 (3)
〜(5) のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物 (7) 電子部品が光半導体装置である前記(6) のエポキ
シ樹脂組成物を提供する。
【００１４】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１５】上記の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含
有する本発明のエポキシ樹脂組成物を用いることによっ
て内部応力が小さく、透明な硬化物が得られる。
有する本発明のエポキシ樹脂組成物を用いることによっ
て内部応力が小さく、透明な硬化物が得られる。
【００１６】（Ａ）成分となるエポキシ樹脂は、１分子
中に少なくとも１個のエポキシ基を有する従来公知の物
であって、無色ないし極く淡色の透明なものが好まし
い。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、含複素環エポキシ樹脂、水添ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、芳香族、脂肪族もしくは脂
環式カルボン酸のグリシジルエステル型エポキシ樹脂、
スピロ環含有エポキシ樹脂等が挙げられる。
中に少なくとも１個のエポキシ基を有する従来公知の物
であって、無色ないし極く淡色の透明なものが好まし
い。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノールＦ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、含複素環エポキシ樹脂、水添ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂、芳香族、脂肪族もしくは脂
環式カルボン酸のグリシジルエステル型エポキシ樹脂、
スピロ環含有エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００１７】特に、液状ビスフェノールＦ型エポキシ樹
脂、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、液状脂環式
エポキシ樹脂が望ましい。
脂、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、液状脂環式
エポキシ樹脂が望ましい。
【００１８】（Ｂ）成分となる硬化剤としては、無水フ
タル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水
フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘ
キサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ
無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水
フタル酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、ピロメリッ
ト酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、無水トリメリット酸等の酸無水物が挙げられる。
タル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水
フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘ
キサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ
無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水
フタル酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、ピロメリッ
ト酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、無水トリメリット酸等の酸無水物が挙げられる。
【００１９】また、ジエチレントリアミン、トリエチレ
ンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、イミノビス
プロピルアミン（ジプロピレントリアミン）、ビス（ヘ
キサメチレン）トリアミン、１，３，６−トリスアミノ
メチルヘキサン等のポリアミン、トリメチルヘキサメチ
レンジアミン、ポリエーテルジアミン、ジエチルアミノ
プロピルアミン等のポリメチレンジアミン、メンセンジ
アミン、イソフォロンジアミン、ビス（４−アミノ−３
−メチルシクロヘキシル）メタン、ｎ−アミノエチルピ
ペラジン等の脂環式ポリアミン、メタキシリレンジアミ
ン等の芳香環を含む脂肪族アミン、メタフェニレンジア
ミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニル
スルホン、芳香族ジアミン共融混合物等の芳香族第一ア
ミンが挙げられる。
ンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、イミノビス
プロピルアミン（ジプロピレントリアミン）、ビス（ヘ
キサメチレン）トリアミン、１，３，６−トリスアミノ
メチルヘキサン等のポリアミン、トリメチルヘキサメチ
レンジアミン、ポリエーテルジアミン、ジエチルアミノ
プロピルアミン等のポリメチレンジアミン、メンセンジ
アミン、イソフォロンジアミン、ビス（４−アミノ−３
−メチルシクロヘキシル）メタン、ｎ−アミノエチルピ
ペラジン等の脂環式ポリアミン、メタキシリレンジアミ
ン等の芳香環を含む脂肪族アミン、メタフェニレンジア
ミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニル
スルホン、芳香族ジアミン共融混合物等の芳香族第一ア
ミンが挙げられる。
【００２０】（Ｃ）成分を製造するときに使用されるＳ
ｉＨ基含有オルガノポリシロキサンとしては、下記の構
造式（１）′で表されるものが好ましい。
ｉＨ基含有オルガノポリシロキサンとしては、下記の構
造式（１）′で表されるものが好ましい。
【００２１】
【化７】
【００２２】（式中、ｍ＋ｎは３〜５００の整数、ｎは
０〜５０の整数を表わし、Ｒ1 はＨ又は
０〜５０の整数を表わし、Ｒ1 はＨ又は
【００２３】
【化８】
【００２４】であって、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は炭素数２以
下のアルキル基、フェニル基または置換フェニル基であ
り、相互に同じであっても、異なっていてもよい。） 上記の構造式（１）′において、ｍ＋ｎが３未満では内
部応力の低下に効果が十分でなく、５００を越えると相
溶性が悪くなり、硬化物が白濁してしまう傾向にある。
このｍ＋ｎは８から３００の範囲が好ましく、特に、１
０から１５０の範囲が好ましい。Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は好
ましくはメチル基、あるいは非置換フェニル基であり、
相互に同じであっても、異なっていてもよい。
下のアルキル基、フェニル基または置換フェニル基であ
り、相互に同じであっても、異なっていてもよい。） 上記の構造式（１）′において、ｍ＋ｎが３未満では内
部応力の低下に効果が十分でなく、５００を越えると相
溶性が悪くなり、硬化物が白濁してしまう傾向にある。
このｍ＋ｎは８から３００の範囲が好ましく、特に、１
０から１５０の範囲が好ましい。Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は好
ましくはメチル基、あるいは非置換フェニル基であり、
相互に同じであっても、異なっていてもよい。
【００２５】（Ｃ）成分の他方の原料化合物である分子
中に１個のエポキシ基と１個のエチレン性二重結合を持
つ化合物としては、（５）式で表される化合物群が挙げ
られる。そのなかでも、２−アリルフェニルグリシジル
エーテル、２−アリルビフェニルグリシジルエーテル、
アリルナフチルグリシジルエーテルなどが好ましい。
中に１個のエポキシ基と１個のエチレン性二重結合を持
つ化合物としては、（５）式で表される化合物群が挙げ
られる。そのなかでも、２−アリルフェニルグリシジル
エーテル、２−アリルビフェニルグリシジルエーテル、
アリルナフチルグリシジルエーテルなどが好ましい。
【００２６】
【化９】
【００２７】エポキシ樹脂への溶解性の点で、（Ｃ）成
分中のフェニル基の濃度は、該（Ｃ）成分１００ｇ中、
０．１５モル以上であることが好ましい。
分中のフェニル基の濃度は、該（Ｃ）成分１００ｇ中、
０．１５モル以上であることが好ましい。
【００２８】（Ｃ）成分は、例えば触媒の存在下、
（２）式の化合物に（１）式の化合物を滴下することに
より製造される。反応温度は１０〜２００℃、好ましく
は３０〜１５０℃、特に好ましくは、６０〜１３０℃で
ある。反応は無溶媒下でも進行するが、溶媒を使用して
も良い。溶媒として、メチルイソブチルケトン、トルエ
ン、キシレン、酢酸ブチル等が使用される。触媒として
塩化白金酸を２−エチルヘキサノールに２重量％溶解し
た溶液を使用する。触媒溶液の量は、（１）式の化合物
と（２）式の化合物の総量に対し５０〜５０００ ppm、
好ましくは、１００〜１０００ ppmである。触媒は塩化
白金酸以外にも、有機過酸化物などが使用される。滴下
時間は、０．１〜２０時間、好ましくは、０．５〜３時
間である。（２）式の化合物／（１）式の化合物のモル
比は１．０〜１．１が好ましい。反応時間は０．５〜２
０時間、好ましくは、１〜１０時間である。
（２）式の化合物に（１）式の化合物を滴下することに
より製造される。反応温度は１０〜２００℃、好ましく
は３０〜１５０℃、特に好ましくは、６０〜１３０℃で
ある。反応は無溶媒下でも進行するが、溶媒を使用して
も良い。溶媒として、メチルイソブチルケトン、トルエ
ン、キシレン、酢酸ブチル等が使用される。触媒として
塩化白金酸を２−エチルヘキサノールに２重量％溶解し
た溶液を使用する。触媒溶液の量は、（１）式の化合物
と（２）式の化合物の総量に対し５０〜５０００ ppm、
好ましくは、１００〜１０００ ppmである。触媒は塩化
白金酸以外にも、有機過酸化物などが使用される。滴下
時間は、０．１〜２０時間、好ましくは、０．５〜３時
間である。（２）式の化合物／（１）式の化合物のモル
比は１．０〜１．１が好ましい。反応時間は０．５〜２
０時間、好ましくは、１〜１０時間である。
【００２９】成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の好ましい重
量の比率は、 Ａ／Ｃ＝（０〜５０００）／１００、 （Ａ＋Ｃ）／Ｂ＝（５０〜２００）／１００ であり、特に好ましい比率は、 Ａ／Ｃ＝（０〜１０００）／１００、 （Ａ＋Ｃ）／Ｂ＝（８０〜１５０）／１００である。
量の比率は、 Ａ／Ｃ＝（０〜５０００）／１００、 （Ａ＋Ｃ）／Ｂ＝（５０〜２００）／１００ であり、特に好ましい比率は、 Ａ／Ｃ＝（０〜１０００）／１００、 （Ａ＋Ｃ）／Ｂ＝（８０〜１５０）／１００である。
【００３０】Ａ／Ｃが５０００／１００を越えると、内
部応力の低下が少なくなり、光半導体の輝度劣化が生じ
得る。（Ａ＋Ｃ）／Ｂが５０／１００未満の場合、耐湿
性が低下し、２００／１００を越えると、耐熱性が低下
する。
部応力の低下が少なくなり、光半導体の輝度劣化が生じ
得る。（Ａ＋Ｃ）／Ｂが５０／１００未満の場合、耐湿
性が低下し、２００／１００を越えると、耐熱性が低下
する。
【００３１】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物に
は、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分以外に、必要に応じて、硬
化促進剤、染料、変性剤、変色防止剤等の従来公知の添
加剤を適宜配合することができる。本発明のエポキシ樹
脂組成物は（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の各成分及び上記し
たような添加剤を前記したような割合に混合することに
よって得られる。
は、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分以外に、必要に応じて、硬
化促進剤、染料、変性剤、変色防止剤等の従来公知の添
加剤を適宜配合することができる。本発明のエポキシ樹
脂組成物は（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の各成分及び上記し
たような添加剤を前記したような割合に混合することに
よって得られる。
【００３２】本発明のエポキシ樹脂組成物を用いての光
半導体素子の封止は、特に限定されることなく、通常の
注型等の公知のモールド方法により行うことができる。
半導体素子の封止は、特に限定されることなく、通常の
注型等の公知のモールド方法により行うことができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の樹脂組成物は、オルガノポリシ
ロキサンで変性したエポキシ樹脂を含有しているため、
これを封止剤として用いて得られる光半導体装置は、封
止樹脂硬化物の内部応力が小さいので半導体素子の特性
低下が生じず、極めて信頼性が高い。且つ、透明性が高
いため発光、受光特性に優れている。
ロキサンで変性したエポキシ樹脂を含有しているため、
これを封止剤として用いて得られる光半導体装置は、封
止樹脂硬化物の内部応力が小さいので半導体素子の特性
低下が生じず、極めて信頼性が高い。且つ、透明性が高
いため発光、受光特性に優れている。
【００３４】また、内部応力の低下により金属に対する
接着性が向上しているため、光半導体の樹脂封止以外に
も、電子部品用の接着剤やシール剤、自動車、航空機用
の構造材、接着剤等の用途に適用できる。
接着性が向上しているため、光半導体の樹脂封止以外に
も、電子部品用の接着剤やシール剤、自動車、航空機用
の構造材、接着剤等の用途に適用できる。
【００３５】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものでは
ない。
【００３６】実施例１ 還流冷却器、温度計、撹拌機、窒素導入管を備えた４口
フラスコに、２−アリルフェニルグリシジルエーテル５
０ｇとメチルイソブチルケトン１００ccを入れ、撹拌下
に加熱して溶解した。この溶液に、２重量％の塩化白金
酸の２−エチルヘキサノール溶液０．０５ｇを加えた。
その後、約１２０℃で溶剤を還流させながら、約１時間
かけて水が留去しないことを確認後、１００℃に冷却
し、下記の構造式で表されるＨＳ１ ８５ｇを、反応器
に約１時間かけて滴下した。さらに３時間反応後、室温
まで冷却した。３回水洗して触媒を除去後、溶剤を留去
してシリコーン変性エポキシ樹脂ＳＥ１ １３０ｇを得
た。
フラスコに、２−アリルフェニルグリシジルエーテル５
０ｇとメチルイソブチルケトン１００ccを入れ、撹拌下
に加熱して溶解した。この溶液に、２重量％の塩化白金
酸の２−エチルヘキサノール溶液０．０５ｇを加えた。
その後、約１２０℃で溶剤を還流させながら、約１時間
かけて水が留去しないことを確認後、１００℃に冷却
し、下記の構造式で表されるＨＳ１ ８５ｇを、反応器
に約１時間かけて滴下した。さらに３時間反応後、室温
まで冷却した。３回水洗して触媒を除去後、溶剤を留去
してシリコーン変性エポキシ樹脂ＳＥ１ １３０ｇを得
た。
【００３７】
【化１０】
【００３８】実施例２ 実施例１と同じようにして、下記の構造式で表されるＳ
ｉＨ基含有オルガノポリシロキサンＨＳ２ １１０ｇよ
り、シリコーン変性エポキシ樹脂ＳＥ２ １５０ｇを得
た。
ｉＨ基含有オルガノポリシロキサンＨＳ２ １１０ｇよ
り、シリコーン変性エポキシ樹脂ＳＥ２ １５０ｇを得
た。
【００３９】
【化１１】
【００４０】実施例３ 実施例１と同じようにして、下記の構造式で表されるＳ
ｉＨ基含有オルガノポリシロキサンＨＳ３ ４００ｇよ
り、シリコーン変性エポキシ樹脂ＳＥ３ ４３０ｇを得
た。
ｉＨ基含有オルガノポリシロキサンＨＳ３ ４００ｇよ
り、シリコーン変性エポキシ樹脂ＳＥ３ ４３０ｇを得
た。
【００４１】
【化１２】
【００４２】実施例４ 実施例１と同じようにして、下記の構造式で表されるＳ
ｉＨ基含有オルガノポリシロキサンＨＳ４ ７００ｇよ
り、シリコーン変性エポキシ樹脂ＳＥ４ ７２０ｇを得
た。
ｉＨ基含有オルガノポリシロキサンＨＳ４ ７００ｇよ
り、シリコーン変性エポキシ樹脂ＳＥ４ ７２０ｇを得
た。
【００４３】
【化１３】
【００４４】実施例５ 実施例４と同じようにして、２−アリルフェニルグリシ
ジルエーテルの代わりに下記の構造式で表されるアリル
エポキシ化合物ＡＥ５ ７０ｇを用いて、シリコーン変
性エポキシ樹脂ＳＥ５ ７４０ｇを得た。
ジルエーテルの代わりに下記の構造式で表されるアリル
エポキシ化合物ＡＥ５ ７０ｇを用いて、シリコーン変
性エポキシ樹脂ＳＥ５ ７４０ｇを得た。
【００４５】
【化１４】
【００４６】実施例６ 実施例１と同じようにして、２−アリルフェニルグリシ
ジルエーテルの代わりに下記の構造式で表されるアリル
エポキシ化合物ＡＥ６ ６３ｇを用いて、シリコーン変
性エポキシ樹脂ＳＥ６ ７３０ｇを得た。
ジルエーテルの代わりに下記の構造式で表されるアリル
エポキシ化合物ＡＥ６ ６３ｇを用いて、シリコーン変
性エポキシ樹脂ＳＥ６ ７３０ｇを得た。
【００４７】
【化１５】
【００４８】実施例７ 下記の構造式で表される脂環式エポキシ樹脂１００部、
【００４９】
【化１６】
【００５０】実施例１で得たＳＥ１ ５０部に、４−メ
チルヘキサヒドロ無水フタル酸１００部と２−エチル−
４−メチルイミダゾール０．４部を添加混合して、エポ
キシ樹脂組成物を得た。次に、この樹脂組成物を用い
て、発光ダイオードを注型により樹脂封止し、１２０
℃、１６時間加熱硬化して光半導体装置を作成した。
チルヘキサヒドロ無水フタル酸１００部と２−エチル−
４−メチルイミダゾール０．４部を添加混合して、エポ
キシ樹脂組成物を得た。次に、この樹脂組成物を用い
て、発光ダイオードを注型により樹脂封止し、１２０
℃、１６時間加熱硬化して光半導体装置を作成した。
【００５１】得られた光半導体装置は無色透明であり、
通電劣化（Ｉｐ＝２５mA、２０℃、３０時間）の測定を
行ったところ、輝度の低下は認められなかった。
通電劣化（Ｉｐ＝２５mA、２０℃、３０時間）の測定を
行ったところ、輝度の低下は認められなかった。
【００５２】また、スチールリング法で内部応力を測定
したところ、３２kg／cm2 （２５℃）であった。
したところ、３２kg／cm2 （２５℃）であった。
【００５３】実施例８〜１２ 実施例７と同様にして行った結果を表１に示す。併せて
比較例も示す。
比較例も示す。
【００５４】
【表１】
【００５５】上記の表から明らかなように、本発明のエ
ポキシ樹脂組成物は内部応力が少なく、輝度劣化の生じ
ない優れた光半導体装置を与える。
ポキシ樹脂組成物は内部応力が少なく、輝度劣化の生じ
ない優れた光半導体装置を与える。
Claims (7)
- 【請求項１】 式（１）で示されるオルガノポリシロキ
サン。 【化１】 （Ｒ1 は水素原子、置換若しくは非置換の１価の炭化水
素基、 【化２】 又は 【化３】 を、Ｒ2 、Ｒ3 は各々独立に水素原子又は置換若しくは
非置換の１価の炭化水素基を、Ｒ4 は水素原子、メチル
基又はフェニル基をそれぞれ表す。又ｍ、ｎは０又はｍ
＋ｎが５００以下である正の整数を表す。但しＲ1 のう
ち少なくとも１ケは式（２）又は式（３）の置換基を表
すものとする。） - 【請求項２】 請求項１に記載の式（１）においてＲ2
及び／又はＲ3 が水素原子、メチル基、フェニル基又は
ビニル基である請求項１に記載のオルガノポリシロキサ
ン。 - 【請求項３】 下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するこ
とを特徴とするエポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）請求項１〜２に記載のオルガノポリシロキサン。 - 【請求項４】 （Ｂ）硬化剤が酸無水物である請求項３
に記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】 （Ａ）エポキシ樹脂が、液状ビスフェノ
ール型エポキシ樹脂、液状脂環式エポキシ樹脂の少なく
とも１つである請求項３〜４に記載のエポキシ樹脂組成
物。 - 【請求項６】 エポキシ樹脂組成物が電子部品用である
請求項３〜５のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項７】 電子部品が光半導体装置である請求項６
のエポキシ樹脂組成物。
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|---|---|---|---|
| JP02823593A JP3283606B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | オルガノポリシロキサン及びこれを含有するエポキシ樹脂組成物 |
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|---|---|---|---|
| JP02823593A JP3283606B2 (ja) | 1993-02-17 | 1993-02-17 | オルガノポリシロキサン及びこれを含有するエポキシ樹脂組成物 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06240001A true JPH06240001A (ja) | 1994-08-30 |
| JP3283606B2 JP3283606B2 (ja) | 2002-05-20 |
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-
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- 1993-02-17 JP JP02823593A patent/JP3283606B2/ja not_active Expired - Fee Related
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