JPH06100762A - エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物Info
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- JPH06100762A JPH06100762A JP4274815A JP27481592A JPH06100762A JP H06100762 A JPH06100762 A JP H06100762A JP 4274815 A JP4274815 A JP 4274815A JP 27481592 A JP27481592 A JP 27481592A JP H06100762 A JPH06100762 A JP H06100762A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】輝度劣化が少なく、耐熱性、信頼性の高い、光
半導体を製造する為の樹脂組成物を提供する。 【構成】１）エポキシ樹脂 ２）硬化剤 ３）アルコー
ル性水酸基含有オルガノポリシロキサンを酸無水物でハ
ーフエステル化して得られるカルボキシル基をもつ化合
物と、エポキシ樹脂との反応生成物を含む樹脂組成物。
半導体を製造する為の樹脂組成物を提供する。 【構成】１）エポキシ樹脂 ２）硬化剤 ３）アルコー
ル性水酸基含有オルガノポリシロキサンを酸無水物でハ
ーフエステル化して得られるカルボキシル基をもつ化合
物と、エポキシ樹脂との反応生成物を含む樹脂組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、発光ダイオ−ド、フォ
トダイオ−ド等の光半導体の封止剤、接着剤、シール剤
等の電子部品用、又は、自動車、航空機用の構造材ある
いは、それらの接着剤用の樹脂組成物に関するものであ
る。
トダイオ−ド等の光半導体の封止剤、接着剤、シール剤
等の電子部品用、又は、自動車、航空機用の構造材ある
いは、それらの接着剤用の樹脂組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光半導体装置は、発光ダイオ−
ド、フォトダイオ−ド等の光半導体素子を酸無水物硬化
剤を含有するエポキシ樹脂組成物によって樹脂封止する
ことにより構成されている。しかしながら、封止樹脂と
素子、リ−ド、リ−ドフレ−ムとの線膨張係数の相違に
より、樹脂封止に際して、上記封止用エポキシ樹脂組成
物が硬化温度から室温に冷却される課程で収縮に基づく
かなりの内部応力が発生しこれにより封止樹脂や配線の
損傷が生じ、光半導体装置の信頼性の低下現象が生じて
いる。この内部応力の低減のためにエポキシ樹脂をゴム
変性することが考えられる。しかし、このようにゴム変
性すると、封止樹脂が黄色に着色するため光半導体装置
の発光、受光特性が著しく阻害されるようになる。
ド、フォトダイオ−ド等の光半導体素子を酸無水物硬化
剤を含有するエポキシ樹脂組成物によって樹脂封止する
ことにより構成されている。しかしながら、封止樹脂と
素子、リ−ド、リ−ドフレ−ムとの線膨張係数の相違に
より、樹脂封止に際して、上記封止用エポキシ樹脂組成
物が硬化温度から室温に冷却される課程で収縮に基づく
かなりの内部応力が発生しこれにより封止樹脂や配線の
損傷が生じ、光半導体装置の信頼性の低下現象が生じて
いる。この内部応力の低減のためにエポキシ樹脂をゴム
変性することが考えられる。しかし、このようにゴム変
性すると、封止樹脂が黄色に着色するため光半導体装置
の発光、受光特性が著しく阻害されるようになる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、エポキ
シ樹脂をゴム変性することは、実用上不可能であるの
で、シリコン樹脂を用いてエポキシ樹脂を変性し、内部
応力を低下させることも検討されている。しかし、シリ
コン樹脂はエポキシ樹脂との相溶性が悪いため、その変
性のためには、エポキシ基と反応する反応基を持ったシ
リコン樹脂とエポキシ樹脂とを反応させ、エポキシ樹脂
をシリコン変性する必要がある。両末端にアミノ基を持
つオルガノポリシロキサンでエポキシ樹脂を変性する試
みもなされているが、この変性物は、経時的に不安定
で、次第に増粘する。また、この変性物を含む樹脂組成
物の硬化物は、耐熱性が劣っており、黄変しやすい。本
発明は、このような事情に鑑みなされたもので、信頼性
が高く、しかも発光、受光特性に優れた光半導体装置を
製造するための樹脂組成物の提供を目的とする。
シ樹脂をゴム変性することは、実用上不可能であるの
で、シリコン樹脂を用いてエポキシ樹脂を変性し、内部
応力を低下させることも検討されている。しかし、シリ
コン樹脂はエポキシ樹脂との相溶性が悪いため、その変
性のためには、エポキシ基と反応する反応基を持ったシ
リコン樹脂とエポキシ樹脂とを反応させ、エポキシ樹脂
をシリコン変性する必要がある。両末端にアミノ基を持
つオルガノポリシロキサンでエポキシ樹脂を変性する試
みもなされているが、この変性物は、経時的に不安定
で、次第に増粘する。また、この変性物を含む樹脂組成
物の硬化物は、耐熱性が劣っており、黄変しやすい。本
発明は、このような事情に鑑みなされたもので、信頼性
が高く、しかも発光、受光特性に優れた光半導体装置を
製造するための樹脂組成物の提供を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、内部応力が
小さく、しかも無色透明性に優れた封止樹脂を得るため
種々の官能基を持ったオルガノポリシロキサンとエポキ
シ樹脂を反応させ、その物性を測定したところ、アルコ
ール性水酸基を持つオルガノポリシロキサンを酸無水物
でハーフエステル化し、生じたカルボキシル基をエポキ
シ樹脂のエポキシ基と反応させたものを用いることによ
り、上記の目的が達成されることを見いだし、本発明を
完成させた。
小さく、しかも無色透明性に優れた封止樹脂を得るため
種々の官能基を持ったオルガノポリシロキサンとエポキ
シ樹脂を反応させ、その物性を測定したところ、アルコ
ール性水酸基を持つオルガノポリシロキサンを酸無水物
でハーフエステル化し、生じたカルボキシル基をエポキ
シ樹脂のエポキシ基と反応させたものを用いることによ
り、上記の目的が達成されることを見いだし、本発明を
完成させた。
【０００５】即ち、本発明は、 （１）下記の（Ａ）−（Ｃ）成分を含有する事を特徴と
するエポキシ樹脂組成物 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）アルコール性水酸基含有オルガノポリシロキサン
を酸無水物でハーフエステル化して得られるカルボキシ
ル基と、エポキシ樹脂のエポキシ基との反応生成物 （２）アルコール性水酸基含有オルガノポリシロキサン
が、下記式（１）で表されるものである前記（１）項記
載のエポキシ樹脂組成物
するエポキシ樹脂組成物 （Ａ）エポキシ樹脂 （Ｂ）硬化剤 （Ｃ）アルコール性水酸基含有オルガノポリシロキサン
を酸無水物でハーフエステル化して得られるカルボキシ
ル基と、エポキシ樹脂のエポキシ基との反応生成物 （２）アルコール性水酸基含有オルガノポリシロキサン
が、下記式（１）で表されるものである前記（１）項記
載のエポキシ樹脂組成物
【０００６】
【化２】
【０００７】（式（１）においてＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ
4 、ｍ及びｎは次の意味を表す） ｍ＋ｎ ：３〜１００ Ｒ1 ：アルコール性水酸基を含む１価の有
機残基 Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 ：炭素数２以下のアルキル基、フェニ
ル基または置換フェニル基であり、相互に同じであって
も、異なっていてもよい。 （３）（Ｂ）成分の硬化剤が、酸無水物である前記
（１）−（２）項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成
物 （４）（Ａ）成分のエポキシ樹脂が、液状ビスフェノ−
ル型エポキシ樹脂、液状脂環式エポキシ樹脂の少なくと
も１つである前記（１）−（３）項のいずれかに記載の
エポキシ樹脂組成物 （５）エポキシ樹脂組成物が、電子部品用樹脂組成物で
ある前記（１）−（４）項のいずれかに記載のエポキシ
樹脂組成物 （６）電子部品が光半導体である前記（５）項記載のエ
ポキシ樹脂組成物 （７）光半導体を、前記（１）項記載のエポキシ樹脂組
成物を用いて封止して成る光半導体装置に関する。
4 、ｍ及びｎは次の意味を表す） ｍ＋ｎ ：３〜１００ Ｒ1 ：アルコール性水酸基を含む１価の有
機残基 Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 ：炭素数２以下のアルキル基、フェニ
ル基または置換フェニル基であり、相互に同じであって
も、異なっていてもよい。 （３）（Ｂ）成分の硬化剤が、酸無水物である前記
（１）−（２）項のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成
物 （４）（Ａ）成分のエポキシ樹脂が、液状ビスフェノ−
ル型エポキシ樹脂、液状脂環式エポキシ樹脂の少なくと
も１つである前記（１）−（３）項のいずれかに記載の
エポキシ樹脂組成物 （５）エポキシ樹脂組成物が、電子部品用樹脂組成物で
ある前記（１）−（４）項のいずれかに記載のエポキシ
樹脂組成物 （６）電子部品が光半導体である前記（５）項記載のエ
ポキシ樹脂組成物 （７）光半導体を、前記（１）項記載のエポキシ樹脂組
成物を用いて封止して成る光半導体装置に関する。
【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。この発明
の光半導体装置は、上記の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いることによって
得られる。上記（Ａ）成分となるエポキシ樹脂は、１分
子中に少なくとも１個のエポキシ基を有する従来公知の
物であって無色ないし極く淡色の透明なものが好まし
い。例えば、ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノ−ルＦ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、フェ
ノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、含複素環エポキシ樹脂、水添ビスフ
ェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、芳香族．脂肪族もしくは脂
環式カルボン酸のグリシジルエステル型エポキシ樹脂、
スピロ環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、単独で、もし
くは併せて用いられる。特に、液状ビスフェノ−ルＦ型
エポキシ樹脂、液状ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、
液状脂環式エポキシ樹脂が望ましい。
の光半導体装置は、上記の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成
分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いることによって
得られる。上記（Ａ）成分となるエポキシ樹脂は、１分
子中に少なくとも１個のエポキシ基を有する従来公知の
物であって無色ないし極く淡色の透明なものが好まし
い。例えば、ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、ビスフ
ェノ−ルＦ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、フェ
ノ−ルノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂、含複素環エポキシ樹脂、水添ビスフ
ェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、芳香族．脂肪族もしくは脂
環式カルボン酸のグリシジルエステル型エポキシ樹脂、
スピロ環含有エポキシ樹脂等が挙げられ、単独で、もし
くは併せて用いられる。特に、液状ビスフェノ−ルＦ型
エポキシ樹脂、液状ビスフェノ−ルＡ型エポキシ樹脂、
液状脂環式エポキシ樹脂が望ましい。
【０００９】（Ｂ）成分となる硬化剤としては、無水フ
タル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水
フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘ
キサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ
無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水
フタル酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、ピロメリッ
ト酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、無水トリメリット酸等の酸無水物が挙げられる。
タル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水
フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘ
キサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ
無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水
フタル酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、ピロメリッ
ト酸二無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水
物、無水トリメリット酸等の酸無水物が挙げられる。
【００１０】（Ｃ）成分を製造するときに使用されるア
ルコール性水酸基含有オルガノポリシロキサンとして前
記の構造式（１）で表されるものが、好ましい。
ルコール性水酸基含有オルガノポリシロキサンとして前
記の構造式（１）で表されるものが、好ましい。
【００１１】前記式（１）においてｍ＋ｎが３未満だ
と、内部応力の低下に効果がなく、１００を越えると、
相溶性が悪くなり、硬化物が白濁してしまう。８から１
００の範囲、特に、１０から５０の範囲が好ましい。Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 は好ましくはメチル基、あるいは非置換
フェニル基であり、相互に同じであっても、異なってい
てもよい。
と、内部応力の低下に効果がなく、１００を越えると、
相溶性が悪くなり、硬化物が白濁してしまう。８から１
００の範囲、特に、１０から５０の範囲が好ましい。Ｒ
2 、Ｒ3 、Ｒ4 は好ましくはメチル基、あるいは非置換
フェニル基であり、相互に同じであっても、異なってい
てもよい。
【００１２】（Ｃ）成分は、アルコール性水酸基含有オ
ルガノポリシロキサンと酸無水物を、酸無水物／水酸基
＝０．５−４．０（当量比）好ましくは１．０−２．０
で、溶媒中又は無溶媒中で、５０−２００℃、好ましく
は、１００−１５０℃で反応するハーフエステル化工程
と、更にハーフエステル化工程で得られるカルボキシル
基と、エポキシ樹脂のエポキシ基を、溶媒中又は無溶媒
中で、５０−２００℃、好ましくは、１００−１５０℃
で反応するエポキシ変性の工程より製造される。両工程
とも、溶媒は特に使用する必要がないが、例えばメチル
イソブチルケトン、トルエン、キシレン、酢酸ブチル等
の溶媒を使用しても良い。両工程とも反応時間は、１−
５０時間であり、２−２０時間が好ましい。ハーフエス
テル化工程は、無触媒で進行するが、エポキシ変性の工
程は、トリフェニルフォスフィン、トリｎ−ヘキシルフ
ォスフィン等のリン化合物、第三級アミン類等の触媒が
通常使用される。触媒の添加量は、アルコール性水酸基
含有オルガノポリシロキサン １００部対し、０．１−
５部で、０．３−３部が好ましい。アルコール性水酸基
含有オルガノポリシロキサンの量は、エポキシ樹脂１０
０重量部（以下「部」と略す）に対し、５−２００部で
あり、２０−７０部が好ましい。５部未満だと、応力緩
和の効果がなく、２００部を越えると硬化物のガラス転
移点が低くなる。このエポキシ樹脂は、（Ａ）成分のエ
ポキシ樹脂と同じ物でもよく、異なっても良い。アルコ
ール性水酸基含有オルガノポリシロキサンをハーフエス
テル化する酸無水物は、（Ｂ）成分として、使用される
酸無水物と同じ物でもよく、異なっても良い。
ルガノポリシロキサンと酸無水物を、酸無水物／水酸基
＝０．５−４．０（当量比）好ましくは１．０−２．０
で、溶媒中又は無溶媒中で、５０−２００℃、好ましく
は、１００−１５０℃で反応するハーフエステル化工程
と、更にハーフエステル化工程で得られるカルボキシル
基と、エポキシ樹脂のエポキシ基を、溶媒中又は無溶媒
中で、５０−２００℃、好ましくは、１００−１５０℃
で反応するエポキシ変性の工程より製造される。両工程
とも、溶媒は特に使用する必要がないが、例えばメチル
イソブチルケトン、トルエン、キシレン、酢酸ブチル等
の溶媒を使用しても良い。両工程とも反応時間は、１−
５０時間であり、２−２０時間が好ましい。ハーフエス
テル化工程は、無触媒で進行するが、エポキシ変性の工
程は、トリフェニルフォスフィン、トリｎ−ヘキシルフ
ォスフィン等のリン化合物、第三級アミン類等の触媒が
通常使用される。触媒の添加量は、アルコール性水酸基
含有オルガノポリシロキサン １００部対し、０．１−
５部で、０．３−３部が好ましい。アルコール性水酸基
含有オルガノポリシロキサンの量は、エポキシ樹脂１０
０重量部（以下「部」と略す）に対し、５−２００部で
あり、２０−７０部が好ましい。５部未満だと、応力緩
和の効果がなく、２００部を越えると硬化物のガラス転
移点が低くなる。このエポキシ樹脂は、（Ａ）成分のエ
ポキシ樹脂と同じ物でもよく、異なっても良い。アルコ
ール性水酸基含有オルガノポリシロキサンをハーフエス
テル化する酸無水物は、（Ｂ）成分として、使用される
酸無水物と同じ物でもよく、異なっても良い。
【００１３】成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）の重量部の比
率は、 Ａ／Ｃ＜５０００／１００ （Ａ＋Ｃ）／Ｂ＝（５０−２００）／１００であり、好
ましい比率は、 Ａ／Ｃ＜５００／１００、 （Ａ＋Ｃ）／Ｂ＝（８０−１３０）／１００である。
率は、 Ａ／Ｃ＜５０００／１００ （Ａ＋Ｃ）／Ｂ＝（５０−２００）／１００であり、好
ましい比率は、 Ａ／Ｃ＜５００／１００、 （Ａ＋Ｃ）／Ｂ＝（８０−１３０）／１００である。
【００１４】本発明のエポキシ樹脂組成物には、上記
（Ａ）−（Ｃ）成分以外に、必要に応じて、硬化促進
剤、染料、変性剤、変色防止剤、等の従来公知の添加剤
を適宜配合することが出来る。本エポキシ樹脂組成物を
用いての光半導体の封止は、特に限定するものでなく、
通常の注型等の公知のモ−ルド方法により行うことがで
きる。以上のように、本発明の樹脂組成物は、オルガノ
ポリシロキサンで変性したエポキシ樹脂により構成され
ているので、これによって封止された光半導体は、内部
応力に起因する半導体素子の特性が低下せず、極めて信
頼性が高い。且つ、透明性が高いため発光、受光特性に
優れている。また、内部応力が低く、金属に対する接着
性が向上しているので、光半導体の樹脂封止以外に、電
子部品用の接着剤や、自動車、航空機用の構造材、接着
剤の用途に適用できる。
（Ａ）−（Ｃ）成分以外に、必要に応じて、硬化促進
剤、染料、変性剤、変色防止剤、等の従来公知の添加剤
を適宜配合することが出来る。本エポキシ樹脂組成物を
用いての光半導体の封止は、特に限定するものでなく、
通常の注型等の公知のモ−ルド方法により行うことがで
きる。以上のように、本発明の樹脂組成物は、オルガノ
ポリシロキサンで変性したエポキシ樹脂により構成され
ているので、これによって封止された光半導体は、内部
応力に起因する半導体素子の特性が低下せず、極めて信
頼性が高い。且つ、透明性が高いため発光、受光特性に
優れている。また、内部応力が低く、金属に対する接着
性が向上しているので、光半導体の樹脂封止以外に、電
子部品用の接着剤や、自動車、航空機用の構造材、接着
剤の用途に適用できる。
【００１５】
【実施例】実施例によって本発明を更に具体的に説明す
るが、本発明がこれらの実施例のみに限定されるもので
ない。
るが、本発明がこれらの実施例のみに限定されるもので
ない。
【００１６】（製造例１）還流冷却器、温度計、撹はん
機、窒素導入管を備えた５００ｃｃ４口フラスコに、下
記の構造式（２）で表されるアルコール性水酸基含有オ
ルガノポリシロキサン ＰＳ１（ＯＨ価１１２）５０
ｇ、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸１６．８ｇを加
え、窒素気流下、１００℃、４時間、加熱撹はんして、
反応せしめ、透明な液体を得た。これに、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６７）１３４ｇ、
メチルイソブチルケトン１００ｃｃを入れ、撹はん、加
熱して、溶解、約１２０℃で溶剤を還流させる。トリｎ
−ヘキシルフォスフィン１．４ｇをメチルイソブチルケ
トン１０ｃｃに溶かした物を、還流下、反応器に滴下す
る。約３時間かけて滴下した後、さらに１５時間反応、
溶剤を留去して、シリコン変性エポキシ樹脂ＳＥ１ ２
００ｇを得た。
機、窒素導入管を備えた５００ｃｃ４口フラスコに、下
記の構造式（２）で表されるアルコール性水酸基含有オ
ルガノポリシロキサン ＰＳ１（ＯＨ価１１２）５０
ｇ、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸１６．８ｇを加
え、窒素気流下、１００℃、４時間、加熱撹はんして、
反応せしめ、透明な液体を得た。これに、ビスフェノー
ルＦ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１６７）１３４ｇ、
メチルイソブチルケトン１００ｃｃを入れ、撹はん、加
熱して、溶解、約１２０℃で溶剤を還流させる。トリｎ
−ヘキシルフォスフィン１．４ｇをメチルイソブチルケ
トン１０ｃｃに溶かした物を、還流下、反応器に滴下す
る。約３時間かけて滴下した後、さらに１５時間反応、
溶剤を留去して、シリコン変性エポキシ樹脂ＳＥ１ ２
００ｇを得た。
【００１７】
【化３】
【００１８】（製造例２）製造例１と同じようにして、
下記の構造式（３）で表されるアルコール性水酸基含有
オルガノポリシロキサン ＰＳ２（ＯＨ価５６）より、
シリコン変性エポキシ樹脂ＳＥ２を得た。
下記の構造式（３）で表されるアルコール性水酸基含有
オルガノポリシロキサン ＰＳ２（ＯＨ価５６）より、
シリコン変性エポキシ樹脂ＳＥ２を得た。
【００１９】
【化４】
【００２０】（製造例３）還流冷却器、温度計、撹はん
機、窒素導入管を備えた５００ｃｃ４口フラスコに、上
記の構造式（３）で表されるアルコール性水酸基含有オ
ルガノポリシロキサン ＰＳ２（ＯＨ価５６）５０ｇ、
メチルヘキサヒドロ無水フタル酸３３．６ｇを加え、窒
素気流下、１３５℃、１５時間、加熱撹はんして、反応
し、後、過剰のメチルヘキサヒドロ無水フタル酸を１７
０℃、５ｍｍＨｇの減圧で、大部分、追い出し、透明な
液体を得た。これに、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量１６７）１３４ｇ、メチルイソブチルケ
トン１００ｃｃを入れ、撹はん、加熱して、溶解、約１
２０℃で溶剤を還流させる。トリｎ−ヘキシルフォスフ
ィン１．４ｇをメチルイソブチルケトン１０ｃｃに溶か
した物を、還流下、反応器に滴下する。約３時間かけて
滴下した後、さらに１５時間反応、溶剤を留去して、シ
リコン変性エポキシ樹脂ＳＥ３ ２００ｇを得た。
機、窒素導入管を備えた５００ｃｃ４口フラスコに、上
記の構造式（３）で表されるアルコール性水酸基含有オ
ルガノポリシロキサン ＰＳ２（ＯＨ価５６）５０ｇ、
メチルヘキサヒドロ無水フタル酸３３．６ｇを加え、窒
素気流下、１３５℃、１５時間、加熱撹はんして、反応
し、後、過剰のメチルヘキサヒドロ無水フタル酸を１７
０℃、５ｍｍＨｇの減圧で、大部分、追い出し、透明な
液体を得た。これに、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂
（エポキシ当量１６７）１３４ｇ、メチルイソブチルケ
トン１００ｃｃを入れ、撹はん、加熱して、溶解、約１
２０℃で溶剤を還流させる。トリｎ−ヘキシルフォスフ
ィン１．４ｇをメチルイソブチルケトン１０ｃｃに溶か
した物を、還流下、反応器に滴下する。約３時間かけて
滴下した後、さらに１５時間反応、溶剤を留去して、シ
リコン変性エポキシ樹脂ＳＥ３ ２００ｇを得た。
【００２１】実施例１ エポキシ当量１６７のビスフェノ−ルＦ型エポキシ樹脂
３０部、エポキシ当量２５２の下記の構造式（４）で表
される脂環式エポキシ樹脂２７部、
３０部、エポキシ当量２５２の下記の構造式（４）で表
される脂環式エポキシ樹脂２７部、
【００２２】
【化５】
【００２３】製造例１で得たＳＥ１ ６６部に、４−メ
チルヘキサヒドロ無水フタル酸１００部と２−エチル−
４−メチルイミダゾ−ル０．４部を添加混合して、エポ
キシ樹脂組成物を得た。次に、この樹脂組成物を用い
て、発光ダイオ−ドを注型により、樹脂封止し、１２０
℃、１６時間加熱硬化して光半導体を作成した。得られ
た光半導体は、無色透明であり、通電劣化（Ｉｐ＝２５
ｍＡ、２０℃、３００時間）の測定を行ったところ、輝
度の低下は無かった。又、スチ−ルリング法で内部応力
を測定したところ、６６ｋｇ／ｃｍ2 （２５℃）であっ
た。
チルヘキサヒドロ無水フタル酸１００部と２−エチル−
４−メチルイミダゾ−ル０．４部を添加混合して、エポ
キシ樹脂組成物を得た。次に、この樹脂組成物を用い
て、発光ダイオ−ドを注型により、樹脂封止し、１２０
℃、１６時間加熱硬化して光半導体を作成した。得られ
た光半導体は、無色透明であり、通電劣化（Ｉｐ＝２５
ｍＡ、２０℃、３００時間）の測定を行ったところ、輝
度の低下は無かった。又、スチ−ルリング法で内部応力
を測定したところ、６６ｋｇ／ｃｍ2 （２５℃）であっ
た。
【００２４】実施例２ エポキシ当量１６７のビスフェノ−ルＦ型エポキシ樹脂
３０部、エポキシ当量２５２の前記の構造式（４）で表
される脂環式エポキシ樹脂２７部、製造例２で得たＳＥ
２ ６６部に、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸１
００部と２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル０．４部
を添加混合して、エポキシ樹脂組成物を得た。次に、こ
の樹脂組成物を用いて、発光ダイオ−ドを注型により、
樹脂封止し、１２０℃、１６時間加熱硬化して光半導体
を作成した。得られた光半導体は、無色透明であり、通
電劣化（Ｉｐ＝２５ｍＡ、２０℃、３００時間）の測定
を行ったところ、輝度の低下は無かった。又、スチ−ル
リング法で内部応力を測定したところ、５８ｋｇ／ｃｍ
2 （２５℃）であった。
３０部、エポキシ当量２５２の前記の構造式（４）で表
される脂環式エポキシ樹脂２７部、製造例２で得たＳＥ
２ ６６部に、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸１
００部と２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル０．４部
を添加混合して、エポキシ樹脂組成物を得た。次に、こ
の樹脂組成物を用いて、発光ダイオ−ドを注型により、
樹脂封止し、１２０℃、１６時間加熱硬化して光半導体
を作成した。得られた光半導体は、無色透明であり、通
電劣化（Ｉｐ＝２５ｍＡ、２０℃、３００時間）の測定
を行ったところ、輝度の低下は無かった。又、スチ−ル
リング法で内部応力を測定したところ、５８ｋｇ／ｃｍ
2 （２５℃）であった。
【００２５】実施例３ エポキシ当量１６７のビスフェノ−ルＦ型エポキシ樹脂
３０部、エポキシ当量２５２の前記の構造式（４）で表
される脂環式エポキシ樹脂２７部、製造例３で得たＳＥ
３ ６６部に、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸１
００部と２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル０．４部
を添加混合して、エポキシ樹脂組成物を得た。次に、こ
の樹脂組成物を用いて、発光ダイオ−ドを注型により、
樹脂封止し、１２０℃、１６時間加熱硬化して光半導体
を作成した。得られた光半導体は、無色透明であり、通
電劣化（Ｉｐ＝２５ｍＡ、２０℃、３００時間）の測定
を行ったところ、輝度の低下は無かった。又、スチ−ル
リング法で内部応力を測定したところ、５３ｋｇ／ｃｍ
2 （２５℃）であった。
３０部、エポキシ当量２５２の前記の構造式（４）で表
される脂環式エポキシ樹脂２７部、製造例３で得たＳＥ
３ ６６部に、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸１
００部と２−エチル−４−メチルイミダゾ−ル０．４部
を添加混合して、エポキシ樹脂組成物を得た。次に、こ
の樹脂組成物を用いて、発光ダイオ−ドを注型により、
樹脂封止し、１２０℃、１６時間加熱硬化して光半導体
を作成した。得られた光半導体は、無色透明であり、通
電劣化（Ｉｐ＝２５ｍＡ、２０℃、３００時間）の測定
を行ったところ、輝度の低下は無かった。又、スチ−ル
リング法で内部応力を測定したところ、５３ｋｇ／ｃｍ
2 （２５℃）であった。
【００２６】比較例１ エポキシ当量１６７のビスフェノ−ルＦ型エポキシ樹脂
７３部、エポキシ当量２５２の前記の構造式（４）で表
される脂環式エポキシ樹脂２７部、４−メチルヘキサヒ
ドロ無水フタル酸１００部と２−エチル−４−メチルイ
ミダゾ−ル０．４部を添加混合して、エポキシ樹脂組成
物を得た。次に、この樹脂組成物を用いて、発光ダイオ
−ドを注型により、樹脂封止し、１２０℃、１６時間加
熱硬化して光半導体を作成した。得られた光半導体は、
無色透明であり、通電劣化（Ｉｐ＝２５ｍＡ、２０℃、
３００時間）の測定を行ったところ、輝度が低下してい
た。又、スチ−ルリング法で内部応力を測定したとこ
ろ、９３ｋｇ／ｃｍ2 （２５℃）であった。
７３部、エポキシ当量２５２の前記の構造式（４）で表
される脂環式エポキシ樹脂２７部、４−メチルヘキサヒ
ドロ無水フタル酸１００部と２−エチル−４−メチルイ
ミダゾ−ル０．４部を添加混合して、エポキシ樹脂組成
物を得た。次に、この樹脂組成物を用いて、発光ダイオ
−ドを注型により、樹脂封止し、１２０℃、１６時間加
熱硬化して光半導体を作成した。得られた光半導体は、
無色透明であり、通電劣化（Ｉｐ＝２５ｍＡ、２０℃、
３００時間）の測定を行ったところ、輝度が低下してい
た。又、スチ−ルリング法で内部応力を測定したとこ
ろ、９３ｋｇ／ｃｍ2 （２５℃）であった。
【００２７】
【発明の効果】信頼性が高く、しかも発光、受光特性に
優れた光半導体を製造するためのエポキシ樹脂組成物が
得られた。
優れた光半導体を製造するためのエポキシ樹脂組成物が
得られた。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｎ 7514−4Ｍ
Claims (7)
- 【請求項１】下記の（Ａ）−（Ｃ）成分を含有する事を
特徴とするエポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）アルコール性水酸基含有オルガノポリシロキサン
を酸無水物でハーフエステル化して得られるカルボキシ
ル基と、エポキシ樹脂のエポキシ基との反応生成物。 - 【請求項２】アルコール性水酸基含有オルガノポリシロ
キサンが、下記式（１）で表されるものである請求項１
記載のエポキシ樹脂組成物。 【化１】 （式（１）においてＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、ｍ及びｎ
は次の意味を表す） ｍ＋ｎ ：３〜１００ Ｒ1 ：アルコール性水酸基を含む１価の有
機残基 Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 ：炭素数２以下のアルキル基、フェニ
ル基または置換フェニル基であり、相互に同じであって
も、異なっていてもよい。 - 【請求項３】（Ｂ）成分の硬化剤が、酸無水物である請
求項１−２のいずれかに記載のエポキシ樹脂組成物。 - 【請求項４】（Ａ）成分のエポキシ樹脂が、液状ビスフ
ェノ−ル型エポキシ樹脂、液状脂環式エポキシ樹脂の少
なくとも１つである請求項１−３のいずれかに記載のエ
ポキシ樹脂組成物。 - 【請求項５】エポキシ樹脂組成物が、電子部品用樹脂組
成物である請求項１−４のいずれかに記載のエポキシ樹
脂組成物。 - 【請求項６】電子部品が光半導体である請求項５記載の
エポキシ樹脂組成物。 - 【請求項７】光半導体を、請求項１記載のエポキシ樹脂
組成物を用いて封止して成る光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274815A JPH06100762A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4274815A JPH06100762A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | エポキシ樹脂組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06100762A true JPH06100762A (ja) | 1994-04-12 |
Family
ID=17546955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4274815A Pending JPH06100762A (ja) | 1992-09-21 | 1992-09-21 | エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06100762A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2010071168A1 (ja) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | 日本化薬株式会社 | カルボン酸化合物及びそれを含有するエポキシ樹脂組成物 |
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-
1992
- 1992-09-21 JP JP4274815A patent/JPH06100762A/ja active Pending
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