JPH06236709A - 高分子絶縁材料およびそれを用いた成形体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 ポリプロピレンの重合においてポリプロピレ
ンの取得量が触媒中のチタンに対して３００，０００ｇ
／ｇ−Ｔｉ以上であり、完全に燃焼させて得られる灰分
が４０重量ｐｐｍ以下、その灰分組成のうちチタニウム
が１重量ｐｐｍ以下であり、該ポリプロピレン中に含ま
れる塩素分が２重量ｐｐｍ以下、沸騰ｎ−ヘプタン可溶
分が１重量％以上１０重量％以下である高分子絶縁材
料、およびこのポリプロピレンに１０μｍ以上の粒径を
含まない平均粒径１μｍ以下の無機酸化物または水酸化
物、有機ポリシラン、無水マレイン酸グラフトポリプロ
ピレン、有機ポリエーテル基を有するシラン化合物を添
加して絶縁破壊抵抗をさらに向上させた高分子絶縁材料
である。 【効果】 絶縁破壊電圧の高い、また少なくとも１つの
方向に延伸させて得た成形体は絶縁破壊電圧が高く、電
気特性と物性バランスに優れたポリプロピレンを提供す
るものであり、工業的に極めて価値がある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は優れた電気特性を有する
高分子絶縁材料に関する。詳しくは、特定の物性を有す
るポリプロピレンからなる電気絶縁性の良好な高分子絶
縁材料およびそれを用いた成形体に関する。より詳しく
特に薄肉化しても優れた電気特性を有する高分子絶縁材
料に関し、またこの材料より得られる薄肉の成形体に関
する。

【０００２】

【従来技術】ポリオレフィン、ポリエステル、ポリフッ
化ビニリデン、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチ
レン等の高分子材料は一般に電気伝導率が小さく、これ
らの絶縁性等の電気特性を利用して非常に多くの種類の
電気材料として使用されている。これらの高分子材料は
電気絶縁性に優れている他、可尭性があり、耐熱性があ
り、疎水性のあるといった特徴を有しているため多くの
製品に高分子材料が用いられてきた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ポリオレフィン、なか
でもポリプロピレンは成形加工性が容易であり、優れた
電気的、機械的、化学的性質を有し、また安価に入手す
ることが出来るため各種の電気材料として非常によく利
用されている。たとえばエレクトレット材料としてフィ
ルターやフィルムの形で用いられたり、電気絶縁用テー
プや被覆材としてあるいは二軸延伸フィルムとしてコン
デンサー用絶縁フィルムのような電気絶縁材料として広
く利用されている。これらに使用されるポリプロピレン
はその絶縁抵抗が高いものほど良く、その絶縁破壊強度
が高いほど高性能の製品が得られ、この改良が進められ
てきた。

【０００４】しかしながら現在使用されているポリプロ
ピレンの絶縁特性は非常に優れているとは言えず、さら
に高い絶縁特性を有するポリプロピレンが製造できれば
工業上極めて有益である。この様な目的で従来からポリ
プロピレンの高純度化が検討されてきた。たとえば特開
昭６１−１１０９０６、特開昭５９−６３６０９、特開
昭５８−１８８６２７等にはポリプロピレンの立体規則
性の割合を高め、沸騰ｎ−ヘプタン可溶分を少なくして
結晶化度を上げることにより二軸延伸ポリプロピレンの
絶縁破壊強度が上がることが開示されている。また特開
昭６２−１１３５４８、特開平１−２５４７４９、特開
平１−１６６９５５、特開平２−１５０４４３等にはポ
リプロピレン中に残留している触媒残渣や塩素分を出来
るだけ少なくするといった方法でポリプロピレンの絶縁
特性を改良することが行われてきた。

【０００５】しかしながらそのような改良された高純度
のポリプロピレンを工業的に生産しようとするとコスト
が高くなってしまうといった問題があり、立体規則性を
高くすると結晶化度が高くなって成形品が硬くなり易
く、成形加工性も悪くなって、たとえば紡糸時には紡糸
しにくく、延伸時に延伸切れを起こしたり、フィルム成
形時にはボイドが生成して、結局製品としては絶縁特性
の悪い成形品しか得られないという問題があった。また
実際には不純物を完全に取り除くことは非常に困難であ
って少なからず触媒等からの残留不純物が含まれる。

【０００６】更に、従来の方法では、例えばコンデンサ
ーフィルムの絶縁材料として使用する場合にこれを用い
た電気部品や電子部品を小型化する要望が極めて強く、
これを解決するにはコンデンサーフィルムの絶縁破壊抵
抗を大きくしてフィルムを薄肉にして小型化することが
望まれている。

【０００７】しかしながら従来の方法で得られたポリプ
ロピレンの延伸フィルムは１０μｍ程度以上の厚さのフ
ィルムの場合はかなり大きな絶縁破壊抵抗を有するもの
が得られるが、６μｍ程度以下、特に４μｍ程度にする
と単位厚さ当りの絶縁破壊抵抗の値が極端に低下する欠
点が生じ薄肉フィルムで大きな絶縁破壊抵抗のものを得
ることが困難であり、電気部品や電子部品を小型化する
要望を解決するには至らなかった。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
解決して、エレクトレット材料としてフィルターやフィ
ルムの形で用いられたり、二軸延伸フィルムとしてコン
デンサーフィルムのような電気絶縁材料として使用する
際に成形加工性を損なわず、安価に提供できるポリオレ
フィン材料について種々検討したところ、電気絶縁特性
が高分子材料中に含まれる不純物により非常に大きな影
響を受けることが分かった。不純物としては触媒残渣や
空気中のほこり等があり、中でも特定の成分が電気絶縁
特性に影響を与えており、その成分と量をコントロール
すれば触媒残渣等の不純物が比較的ポリマー中に残存し
ていても良好な絶縁特性を有することを見いだした。さ
らに従来のように沸騰ｎ−ヘプタン可溶分を少なくして
結晶化度を上げるよりもむしろ特定の沸騰ｎ−ヘプタン
可溶分を有するポリプロピレンが良好な電気絶縁性を有
することがわかり、しかも加工性と物性バランスに優れ
ていることを見出し本発明を完成した。

【０００９】即ち本発明は、ポリプロピレンの重合にお
いてポリプロピレンの取得量が、触媒中のチタンに対し
て３００，０００ｇ／ｇ−Ｔｉ以上であり、成形体に使
用するポリプロピレンの空気中で完全に燃焼させて得ら
れる灰分が４０重量ｐｐｍ以下、その灰分組成のうちチ
タニウムが１重量ｐｐｍ以下であり、該ポリプロピレン
中に含まれる塩素分が２重量ｐｐｍ以下、沸騰ｎ−ヘプ
タン可溶分が１重量％以上１０重量％以下である絶縁破
壊電圧の高い高分子絶縁材料である。

【００１０】本発明の高分子絶縁材料であるポリプロピ
レンとしては、その１立方センチメートル当りに含まれ
る１μｍ以上１０μｍ以下の不純物の個数が６０００個
以下で５μｍ以上１０μｍ以下の不純物の個数が１００
０個以下であって１０μｍを超える不純物を含まない高
純度ポリプロピレンが好ましい。

【００１１】さらに本発明は、前記または上記の高分子
絶縁材料を、少なくとも１つの方向に延伸してなる電気
絶縁性の高いポリプロピレン成形体である。

【００１２】また、本発明においては、前記または上記
の高分子絶縁材料に、特定の添加物を添加することによ
り、その絶縁破壊電圧をさらに高めることができる。

【００１３】すなわち、本発明は、前記または上記の高
分子絶縁材料に、無機酸化物または水酸化物を１重量ｐ
ｐｍ以上１０重量％以下添加してなる絶縁破壊電圧の高
い高分子絶縁材料である。無機酸化物または水酸化物と
しては、１０μｍ以上の粒径を含まない平均粒径１μｍ
以下のマグネシウム、アルミニウム、鉄の酸化物あるい
は水酸化物が好ましい。

【００１４】添加物としては、さらに有機ポリシラン、
無水マレイン酸グラフトポリプロピレンおよび有機ポリ
エーテル基を有するシラン化合物がすぐれた効果を示
す。

【００１５】すなわち、本発明は、前記または上記の高
分子絶縁材料に、有機ポリシランを５０重量ｐｐｍ以上
１０重量％以下添加するか；無水マレイン酸グラフトポ
リプロピレンを５０重量ｐｐｍ以上１０重量％以下添加
するか；もしくは有機ポリエーテルを有するシラン化合
物を５０重量ｐｐｍ以上１０重量％以下添加してなる絶
縁破壊電圧の高い高分子絶縁材料である。

【００１６】さらに本発明は、上記各種の添加物を添加
してなる絶縁破壊電圧の高い高分子絶縁材料を、少なく
とも１つの方向に延伸してなる電気絶縁性の高いポリプ
ロピレン成形体である。

【００１７】本発明は、さらにまた、上記添加物を添加
するか、または添加してない上記種々の高分子絶縁材料
を、二軸延伸してなる電気絶縁性フィルムである。

【００１８】本発明の高分子絶縁材料であるポリプロピ
レンを得るためには、チタン、マグネシウム、ハロゲン
および内部添加電子供与性化合物を含む固体状チタン触
媒成分と周期律表の第１族、２族、３族から選ばれた金
属を含む有機金属化合物及び外部添加電子供与性化合物
よりなる重合触媒の存在下にプロピレンを重合させるの
が好ましく、この重合方法で得られたポリプロピレンを
脱ハロゲン処理することにより、特に好ましい本発明の
高分子絶縁材料を得ることができる。

【００１９】また、本発明の高分子絶縁材料を二軸延伸
してなる電気絶縁フィルムにおいては、フィルムの厚さ
が１〜６μｍであるときに、特にすぐれた本発明の効果
を達成することができる。

【００２０】本発明の方法ではポリプロピレンの重合に
おいてポリプロピレンの取得量が、触媒中のチタンに対
して３００，０００ｇ／ｇ−Ｔｉ以上、より好ましくは
１，０００，０００ｇ／ｇ−Ｔｉ以上、さらに好ましく
は３，０００，０００ｇ／ｇ−Ｔｉ以上であることが必
要である。

【００２１】従来から高分子絶縁材料として使用するポ
リプロピレンは灰分の少ないポリプロピレンを使用する
ことが必要とされていたので、重合して得られたポリプ
ロピレンに特別の後処理を行なって灰分を減少させる方
法がとられ、それによってポリプロピレンの灰分を減少
させることは可能であった。しかしながら、重合の過程
でその取得量が触媒中のチタンに対して３００，０００
ｇ／ｇ−Ｔｉ未満であるポリプロピレンについて後処理
を工夫して全体の灰分を減少させた場合には、このポリ
プロピレンより得られた延伸フィルムは１０μｍ程度以
上の厚さのフィルムの場合はかなり大きな絶縁破壊抵抗
を有するものが得られるが、フィルムの厚さを６μｍ程
度以下、特に４μｍ程度にすると単位厚さ当りの絶縁破
壊抵抗の値が極端に低下する欠点が生じ薄肉フィルムで
大きな絶縁破壊抵抗のものを得ることが困難である。

【００２２】原因は不明であるが、重合の過程でその取
得量が触媒中のチタンに対して大きくない場合は、灰分
を減少させる後処理を行なうことによりチタン成分が全
体としてかなり除去されても、部分的にチタン成分が除
去されずに残る部分が存在し、その部分がフィルムを薄
くした場合に絶縁破壊抵抗を低くする欠陥となるものと
本発明者らは推定している。

【００２３】本発明者らは鋭意検討した結果、本発明で
使用するポリプロピレンはまず重合の過程で生成ポリプ
ロピレン中にチタン成分が十分に分散して、凝集してい
ないことが必要であり、この十分に分散するためには、
重合で生成するポリプロピレンをチタン金属当り十分に
大きな取得量にしたポリプロピレンを原料にすることが
必要であることが重要であることを発見し本発明に到達
したものである。

【００２４】また本発明においては灰分組成の分析か
ら、ポリプロピレン中に、チタニウムは１重量ｐｐｍ以
下、好ましくは０．５重量ｐｐｍ以下、さらに好ましく
は０．３重量ｐｐｍ以下であることが要求される。これ
は取得量が低い場合は重合して得られたポリプロピレン
から触媒残渣中のチタンを除去する必要があるが、重合
の過程でのポリプロピレンのチタン当りの取得量が１，
０００，０００ｇ／ｇ−Ｔｉ以上であれば触媒成分中の
チタンは全く除去する必要はなく、触媒系と重合条件を
選択すれば重合して得られたポリプロピレンの後処理を
大幅に簡素化することが可能になる。

【００２５】ポリマー中に残留した触媒残渣は非常に細
かくなってポリマー中に分散していれば問題は無いが、
中でもチタン成分は、凝集しやすく、大きな核となった
物は後処理では取り除けないため電気特性に悪影響を与
える。そのためポリプロピレンの空気中で燃焼させて得
られる灰分が４０重量ｐｐｍ以下であっても、その灰分
組成のうちチタニウムが１重量ｐｐｍ以上であると電気
特性に悪影響を与える。触媒の活性が充分に高くない場
合には生成した重合体を洗浄することにより触媒残渣を
少なくする事ができるが、その場合でもチタン成分が凝
集していれば残留量が微量でも電気特性に悪影響を与え
る。

【００２６】本発明の高分子材料はポリマー中の灰分が
４０重量ｐｐｍ以下、好ましくは２０重量ｐｐｍ以下、
更に好ましくは１５重量ｐｐｍ以下である。灰分が４０
重量ｐｐｍを超えると、繊維やフィルムに加工するとき
に延伸切れやボイドが生成したりして絶縁特性が悪くな
る。

【００２７】従来の方法のようにチタン当りの取得量の
小さい重合過程で得られたポリプロピレンを原料として
後処理で触媒残渣を極めて少量になるまで除去する場合
よりも本発明の場合は灰分は多くてもかまわないので後
処理の簡略化が可能となり、工業的な利益は大きい。

【００２８】本発明の高分子絶縁材料はその沸騰ｎ−ヘ
プタン可溶分が１重量％以上１０重量％以下、好ましく
は１．０重量％以上９．０重量％以下、さらに好ましく
は１．５重量％以上８．５重量％以下であるポリプロピ
レンである。ここで沸騰ｎ−ヘプタン可溶分とはポリプ
ロピレン２ｇをソックスレー抽出器を用いて沸騰ｎ−ヘ
プタンで６時間抽出したｎ−ヘプタン可溶分を仕込み量
に対する重量％で表したものである。沸騰ｎ−ヘプタン
可溶分が１重量％未満のポリプロピレンは結晶化度が高
くなり、結晶化度が高すぎて成形品が硬くなり易く、成
形加工性が悪く、電気絶縁特性の悪い成形品しか得られ
ない。本発明のポリプロピレンでは、従来の知見とは異
なり、沸騰ｎ−ヘプタン抽出残が９５〜９０重量％の範
囲のものでも電気絶縁特性が低下せず、むしろ延伸性が
良好で好ましい結果を与える。

【００２９】また、沸騰ｎ−ヘプタン不溶部のアイソタ
クチックペンタッド分率は０．９００以上、好ましくは
０．９２以上、更に好ましくは０．９５０以上である。

【００３０】また、本発明においてはポリプロピレン中
に含まれる塩素分は２重量ｐｐｍ以下、より好ましくは
１重量ｐｐｍ以下である。イオン性の不純物が電気特性
に悪影響を与える事は公知であり、なかでも微量の塩素
が大きな影響を与えることが先に挙げた引例の特開昭６
２−１１３５４８、特開平１−２５４７４９、特開平１
−１６６９５５、特開平２−１５０４４３等にも記述さ
れている。しかしながらこれらの引例には塩素分が１０
ｐｐｍ未満で、誘電損率への効果は記載されているが電
気絶縁性に関してはなんら記載はない。このポリマー中
の塩素分と電気絶縁性の関係については、実はポリマー
中の塩素分が２重量ｐｐｍを境にして大きく変化するこ
とが見いだされた。すなわち塩素分が２重量ｐｐｍを越
えると絶縁特性が悪くなるが、塩素分が２重量ｐｐｍ以
下になると絶縁特性は大幅に改良される。後述する重合
触媒中には塩素が多く含まれているため洗浄後でも塩素
の含有量が多い場合にはさらにアミン化合物、エポキシ
化合物、アンモニア、有機脂肪酸などで脱塩素処理を行
ってポリマー中の塩素分を２重量ｐｐｍ以下とすること
が好ましい。

【００３１】これらの脱塩素処理の中でも特にエポキシ
化合物を用いた脱塩素処理が好ましい。ここでエポキシ
化合物としてはエチレンオキサイド、プロピレンオキサ
イド、ブテンオキサイド、シクロヘキセンオキサイド等
のアルキレンオキサイドやグリシジルアルコール、グリ
シジル酸、グリシジルエステル等が好ましく用いられ
る。これらのエポキシ化合物を用いてポリマーの脱塩素
処理を行うときにはエポキシ化合物と等モル以上のＯＨ
基を持った化合物を用いると非常に効果的である。ここ
でＯＨ基を持った化合物としては水、アルコール化合物
が挙げられる。またエポキシ化合物の使用量はポリマー
中に含まれている塩素にたいして等モル以上、好ましく
は２倍モルないし１０，０００倍モル、より好ましくは
１０倍モルないし１，０００倍モルの量比で用いられ
る。エポキシ化合物を用いたポリマーの脱塩素処理はバ
ッチ式でも流通式でも特に制限は無く、要するに反応が
容易に起こるように塩素分とこれらの化合物が接触出来
れば良い。脱塩素処理の温度も特に制限は無いが、通
常、室温からポリマーの融点以下であれば良く、好まし
くは５０℃ないし１００℃である。脱塩素処理をおこな
うための処理時間はエポキシ化合物による脱塩素反応が
完結するに必要な時間であり、通常は１０秒ないし１時
間、好ましくは１分ないし３０分間である。また反応生
成物は系外に除去する事が好ましく、減圧にしたり、空
気や窒素を流通させて除去する。

【００３２】本発明のポリプロピレンは、触媒の単位量
当りのポリマーの取得量が低い場合には後処理を行っ
て、触媒残渣を除去する必要がある。また触媒の活性が
高くてポリマーの取得量が多い場合でも後処理を行って
触媒残渣を除去する事が好ましい。後処理方法としては
重合して得られたポリプロピレンを液状のプロピレン、
ブタン、ヘキサンあるいはヘプタン等で洗浄する。この
とき水、アルコール化合物、ケトン化合物、エーテル化
合物、エステル化合物、アミン化合物、有機酸化合物、
無機酸等を添加してチタンやマグネシウム等の触媒成分
を可溶化してより抽出され易くする事も行われる。さら
に水やアルコール等の極性化合物で洗浄する事も好まし
い。

【００３３】また前記の脱塩素処理は上記の洗浄前、洗
浄中あるいは洗浄後に行われる。洗浄前、洗浄中あるい
は洗浄後に引き続いて脱塩素処理を行うときは上記の溶
液中にこれらのアミン化合物、エポキシ化合物、アンモ
ニア、有機脂肪酸を添加してポリマーに良く接触させ
る。あるいはこれらの溶液を除去した後ポリマーと気体
状のこれらの化合物とを接触させる事も好ましい。さら
には生成したポリマーに安定剤を加えて、押し出し機を
用いてペレット化するときに押し出し機中にこれらの化
合物を添加する事も好ましい。

【００３４】ここでポリプロピレンはプロピレンの単独
重合体のみならず１種類またはそれ以上の他の不飽和炭
化水素または不飽和シラン化合物とのランダム共重合
体、あるいはブロック共重合体も含まれる。ここで他の
不飽和炭化水素としてはエチレン、１−ブテン、１−ペ
ンテン、３−メチルペンテン−１、１−ペンテン、３−
メチルブテン−１、１−ヘキセン、４−メチルペンテン
−１、５−エチルヘキセン−１、１−オクテン、１−デ
セン、１−ドデセン、ビニルシクロヘキセン、スチレ
ン、アリルベンゼン、シクロペンテン、ノルボルネン、
５−メチル−２−ノルボルネン等が、不飽和シラン化合
物としてはアリルシラン等が挙げられる。この共重合体
においては、沸騰ｎ−ヘプタン可溶分が１重量％以上１
０重量％以下になるようにランダム共重合ではプロピレ
ン以外のコモノマーの割合が１０ｗｔ％未満、ブロック
共重合の際には、プロピレン単独での重合部分が全体の
５０ｗｔ％以上を占めるのが好ましい。

【００３５】さらにはポリプロピレン以外の他種ポリマ
ーを混合しても用いることができる。例えば、ポリプロ
ピレンとポリブテン、ポリペンテン、ポリヘキセン、ポ
リヘプテン、ポリオクテン等のポリ−α−オレフィンや
ポリシクロペンテン、ポリノルボルネン等の環状ポリオ
レフィンとの混合物や、プロピレンと炭素数２〜２０の
オレフィンとの共重合体と上記他種のポリマーとの混合
物が例示されるが、これらの混合ポリマーの場合、混合
物中に占める他種のポリマーの割合は全体の３０ｗｔ％
以下が好ましい。

【００３６】本発明のポリプロピレンを製造するに用い
る触媒としては、通常、工業的にポリプロピレンを製造
するために用いられている触媒が使用される。例えば三
塩化チタンと有機アルミニウム化合物や、ハロゲン化マ
グネシウム等の担体上に三塩化チタンや四塩化チタンを
担持したものと有機アルミニウム化合物等が用いられ
る。

【００３７】ポリプロピレンを製造する触媒としては高
活性でチタン成分のもともと少ない触媒を用いることが
好ましく、上記に挙げた中では三塩化チタン系のものよ
りもハロゲン化マグネシウム等の担体上に三塩化チタン
や四塩化チタンを担持した触媒系を用いることが好まし
い。

【００３８】中でもハロゲン化マグネシウム担体上に内
部添加電子供与性化合物としてＣ−ＯまたはＣ−Ｎ結合
を含有する化合物と少なくとも１つのハロゲンを有する
四価のチタン化合物を担持した遷移金属触媒成分、有機
アルミニウム化合物および外部添加電子供与性化合物よ
りなる触媒が好ましい。

【００３９】このような触媒はハロゲン化マグネシウム
としては塩化マグネシウム、臭化マグネシウム、あるい
はそれらとエーテル、モノエステルとの錯体、あるいは
塩化マグネシウムと臭化マグネシウムの共晶体などが用
いられる。内部添加電子供与性化合物として用いられる
Ｃ−ＯまたはＣ−Ｎ結合を含有する化合物としては、エ
ステル、エーテル、オルソエステル、アルコキシ珪素化
合物が挙げられる。中でも安息香酸やフタル酸のエステ
ルなどの芳香族酸のエステル化合物が好ましく、特にフ
タル酸と炭素数１〜１２のアルコールとのエステルが好
ましく利用される。

【００４０】また四価のチタンのハロゲン化物として
は、ハロゲンとして好ましくは、塩素が例示でき、一部
のハロゲンがアルコキシ基に変わったものも利用できる
が、特に好ましくは、四塩化チタンが用いられる。芳香
族酸のエステルとハロゲン化チタンの使用割合として
０．３：１〜１：０．３モル比であり、より好ましくは
０．５：１〜１：０．５である。またハロゲン化マグネ
シウムに対するハロゲン化チタンの割合としては１：
０．００１〜１：０．５重量比程度が好ましい。

【００４１】外部添加電子供与性化合物として、エステ
ル、エーテル、オルソエステル、アルコキシ珪素化合物
が用いられ、具体的には、安息香酸及び核置換の安息香
酸と炭素数１〜１０のアルコールとのエステルやアルコ
キシシランが挙げられる。

【００４２】ここで用いるアルコキシシランとしては、
一般式：Ｒ_X Ｓｉ（ＯＲ′）_4-X （式中Ｒは炭素数３〜
１２のアルキル基、Ｒ′は炭素数１〜１２のアルキル
基、Ｘは１，２または３）で表されるものである。

【００４３】好ましい外部添加電子供与性化合物として
は、メチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシ
ラン、ｔ−ブチルトリメトキシシラン、ビニルトリエト
キシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニル
ジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、
シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、ジシクロヘキ
シルジメトキシシラン、２−ノルボルナントリエトキシ
シラン、２−ノルボルナンメチルジメトキシシラン、ジ
シクロペンチルジメトキシシラン、シクロペンチルメチ
ルジメトキシシラン、シクロペンチルジメチルメトキシ
シラン、トリシクロペンチルメトキシシラン、ジイソプ
ロピルジメトキシシラン、ｔ−ブチルメチルジメトキシ
シラン、ジノルマルプロピルジメトキシシランがあり、
さらに好ましくは、ジフェニルジメトキシシラン、シク
ロヘキシルメチルジメトキシシラン、ジシクロヘキシル
ジメトキシシラン、ジシクロペンチルジメトキシシラ
ン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ｔ−ブチルメチ
ルジメトキシシラン、ジノルマルプロピルジメトキシシ
ラン等が用いられる。

【００４４】有機アルミニウム化合物としては、好まし
くはトリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウ
ム、トリプロピルアルミニウム、トリブチルアルミニウ
ムなどのトリアルキルアルミニウム及びその１〜２個の
炭化水素残基が塩素または臭素で置換されたジエチルア
ルミニウムクロライド、ジプロピルアルミニウムクロラ
イド、ジヘキシルアルミニウムクロライドのようなジア
ルキルアルミニウムクロライド等のアルキルアルミニウ
ムハロゲンおよびこれらの組み合わせたものが例示され
る。

【００４５】遷移金属触媒成分中のチタンに対する有機
アルミニウム化合物および上記外部添加電子供与性化合
物の使用割合としては１：１：１〜１：１０，０００：
１０，０００モル比、通常は１：１：１〜１，０００：
１，０００モル比である。

【００４６】これらのハロゲン化マグネシウムに担持さ
れたハロゲン化チタン触媒成分の製造方法については公
知の方法が使用でき格別の限定はないが、活性の大きな
触媒、特に重合におけるポリプロピレンの取得量が１，
０００，０００ｇ／ｇ−Ｔｉ以上、特に３，０００，０
００ｇ／ｇ−Ｔｉ以上が得られるものが好ましい。

【００４７】これらの担持触媒は高活性で担体の塩化マ
グネシウムが柔らかいため、重合後細かく分散してチタ
ンの凝集を起こさないため好ましい。

【００４８】重合に際し温度は常温〜１５０℃、圧力は
常圧〜１００ｋｇ／ｃｍ² で行うのが一般的である。重
合方法は溶媒重合法、塊状重合法、気相重合法など従来
の重合法が用いられるが、特にチタン当りの取得量を向
上させて、本願発明の取得量が３００，０００ｇ／ｇ−
Ｔｉ以上を満足するためには塊状重合法、気相重合法が
好ましい。

【００４９】上述の灰分、チタン及び塩素の定量方法と
しては、公知の方法が利用できる。例えば灰分を測定す
る方法としては、まず１ｇ〜１００ｇ程の試料を用い
て、白金、石英または磁製の坩堝や皿の中でそれらの試
料を燃焼させる。さらに電気炉の中で生成した炭素を約
８００℃で完全に燃焼させて、坩堝が恒量となったの
ち、残った灰分の重量を求めて、試料に対する重量百分
率を算出する方法等が挙げられる。灰分組成はこれらの
灰分を用いて原子吸光法や蛍光Ｘ線法や比色法などの通
常の分析方法で求めることができる。

【００５０】また塩素を定量する方法としては、試料に
ステアリン酸ナトリウムを加え燃焼させることなく揮散
させ、灰化後ＮａＣｌとして捕集された塩素を水で抽出
し、チオシアン酸第二水銀による比色法で定量する方法
（比色法）や、試料をアルゴンガスと酸素ガスの混合気
流中で燃焼し、生成した塩素イオンを電量的に発生させ
た銀イオンで滴定して定量する方法（クーロメトリー
法）、また同様にして試料を燃焼した後、生成した塩素
イオンをイオンクロマトグラフで定量する方法（イオン
クロマトグラフ法）、あるいは平板または錠剤型にした
試料にＸ線を照射して、得られた蛍光Ｘ線の強度により
定量する方法（蛍光Ｘ線法）、試料に熱中性子を照射
し、核反応によって生成する塩素の放射性核種の放射能
を定量する方法（放射化分析法）などが挙げられる。

【００５１】本願発明の好ましい用途としては電気絶縁
フィルムとして延伸フィルムが挙げられる。この延伸フ
ィルムの性質はその原料となる押出フィルムの原反の性
質の影響を大きく受ける。電気絶縁フィルムとしての延
伸フィルムは絶縁破壊電圧の高いことが必要であり、そ
れには該フィルム中の不純物の数が少ないことが必要で
ある。そのためにはその原料となる押出フィルム原反の
不純物の数を少なくすることが必要である。この不純物
は主として触媒残渣に起因するもので、これは押出フィ
ルム原反を顕微鏡で注意深く観察することで評価するこ
とができる。

【００５２】ここで原反中の不純物の個数を数える方法
としては顕微鏡を用いて不純物の個数を数える方法が挙
げられる。しかしながら１μｍ前後の不純物を顕微鏡を
用いて直接見つけることは非常に困難であることから、
はじめに原反をさらに延伸して薄い二軸延伸フィルムと
して不純物を中心としたボイドを形成させる。通常この
操作によりボイドの大きさは不純物の核を中心として延
伸倍率に比例した大きさとなるのでボイドは容易に見つ
けることができるようになる。不純物はこのボイドの中
に含まれるのでボイドをさらに詳しく見る事により不純
物を見つけることができる。具体的には２０ｍｍφの２
層Ｔダイで試料のポリプロピレンについて厚さ１４０μ
ｍの原反を作成し、１４５℃で１分間予熱した後、１５
ｃｍ／秒の延伸速度で縦方向に５倍、横方向に７倍逐次
延伸を行い、製膜したフィルムを位相差顕微鏡を用いて
１μｍ以上のボイドを見つけ、良く観察してその核とな
っている固体不純物の大きさを測定し、単位面積当たり
の個数を換算して、押出フィルム原反１立方センチメー
トル当りに含まれる直径１μｍ以上の不純物の個数とす
る。

【００５３】本発明の方法においては、押出フィルム原
反中の直径１μｍ以上１０μｍ以下の不純物の１立方セ
ンチメートル当たりに含まれる数が６０００個以下、好
ましくは５０００個以下であることが好ましく、１０μ
ｍを越える直径の不純物の存在は好ましくない。

【００５４】これらの不純物は触媒の残渣に由来するも
のだけではなく、重合のプロセスや成形加工時にも混入
するものがるため、できるだけこれらの混入が起こらな
いようにすることも必要である。

【００５５】本発明においては上記のポリプロピレンを
通常の方法で高分子絶縁材料として使用できるが、さら
に本発明ではこのポリプロピレンに１０μｍ以上の粒径
を含まない平均粒径１μｍ以下の無機酸化物または水酸
化物、有機ポリシラン、無水マレイン酸グラフトポリプ
ロピレン、有機ポリエーテル基を有するシラン化合物を
添加して絶縁破壊抵抗をさらに向上させることができ
る。

【００５６】従来、高分子絶縁材料として使用するには
無機化合物等の不純物は極めてすくないことが必要とい
われ、そのために重合して得られたポリプロピレンから
灰分を除去するために複雑な後処理方法を適用し、極め
て高コストの方法が行われてきた。しかしながら、本発
明においては、上記特定の化合物の添加は逆に絶縁破壊
抵抗をさらに向上させることができることを見出した。
これは驚くべきことである。

【００５７】これらの添加剤を添加することにより絶縁
破壊抵抗が向上する理由は今のところ明らかではない
が、おそらくこれらの微小な化合物は電子をトラップし
たり、逆に電子を分散させる効果を持っていると考えら
れる。これらの添加剤の効果は単に絶縁破壊電圧を向上
させるだけでなく、高温下でも絶縁破壊電圧が低下しな
いという性質を付与することができる。すなわち、通
常、二軸延伸ポリプロピレンフィルムの絶縁破壊電圧は
室温付近で測定されるが、室温付近での測定値と比べ
て、例えば８０℃ないし１００℃での絶縁破壊電圧は著
しく低下する欠点があることが知られている。コンデン
サーは蓄放電を繰り返されるが、これにより熱が発生
し、実際に使用される場合は室温よりかなり高い温度に
なる。この場合、二軸延伸ポリプロピレンフィルムを用
いたコンデンサーは温度の上昇によって絶縁破壊電圧が
低下してコンデンサーの性能に悪影響を及ぼす。本発明
のポリプロピレン絶縁材料はそれ自身で優れた性能を有
するが、さらに上記有機ポリシラン、無水マレイン酸グ
ラフトポリプロピレン、有機ポリエーテル基を有するシ
ラン化合物を添加することにより耐熱性を大幅に向上さ
せることができる。

【００５８】本発明はまたこれらの高分子絶縁材料に、
無機酸化物または水酸化物を１重量ｐｐｍ以上１０重量
％以下、好ましくは３０重量ｐｐｍから５重量％、さら
に好ましくは１００重量ｐｐｍから５重量％添加してな
る絶縁破壊電圧の高い高分子絶縁材料である。ここで無
機酸化物または水酸化物は１０μｍ以上の粒径を含まな
い平均粒径１μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下
のマグネシウム、アルミニウム、鉄の酸化物あるいは水
酸化物である。これらの化合物の添加効果は、その機構
は正確には判っていないが、電気絶縁性を向上させる効
果がある。マグネシウム、アルミニウム、鉄の酸化物あ
るいは水酸化物は工業的に生産されており、粉状の物が
入手可能であり、平均粒径が上記の数値よりも大きい物
はさらに粉砕したり、分級して用いる事ができる。また
分散性を改良するために表面処理をしたものも使用する
事ができる。

【００５９】また分散性を高めるために分散性の良い化
合物をポリプロピレンの中に予め分散させておき化学反
応により、それらのマグネシウム、アルミニウム、鉄の
化合物を酸化物や水酸化物に変える方法も挙げられる。

【００６０】具体的にはマグネシウム、アルミニウム、
鉄のハロゲン化物や硫酸塩あるいは有機酸塩等の化合物
をアルカリやアミン化合物、オキシラン化合物、アンモ
ニア等と接触反応させて水酸化物や酸化物に変える事が
できる。これらの反応は液相でも気相でも行う事ができ
る。

【００６１】本発明はまたこれらの高分子絶縁材料に、
有機ポリシラン、無水マレイン酸グラフトポリプロピレ
ン、有機ポリエーテル基を有するシラン化合物等の高分
子量の化合物を５０重量ｐｐｍ以上１０重量％以下、よ
り好ましくは１００重量ｐｐｍ以上５重量％以下添加し
てなる絶縁破壊電圧の高い高分子絶縁材料である。

【００６２】ここで有機ポリシランとしては下記の一般
式（１）で表される主鎖が珪素である有機ポリシランの
ホモポリマー、コポリマー、ターポリマーである。

【００６３】

【化１】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ およびＲ₆ は、
水素、アルキル、アリール、アルコキシ、シリルアルキ
ルを示し、ｎ、ｍおよびｐはポリマー化合物中のモノマ
ー単位の割合を示す０を含む整数でかつ次式、ｎ＋ｍ＋
ｐ≧３を満足させる整数を表す。）これらの有機ポリシ
ランは工業的に生産されており、またジハロゲン化シラ
ンをナトリウム等で脱塩素重縮合したりジシリレン化合
物や環状シラン化合物を重合する方法、あるいはモノシ
ランを遷移金属化合物を用いて脱水素重縮合して製造す
ることができる。

【００６４】具体的にはポリフェニルメチルシラン、ポ
リジフェニルシラン、ポリフェニルメチル−コ−ジメチ
ルシラン、ポリフェニルエチルシラン、ポリジヘキシル
シラン、ポリフェニルメチル−コ−ジフェニルシラン、
ポリプロピルメチルシラン、ポリジペンチルシラン、ポ
リジ−ｔ−ブチル−コ−ジメチルシラン、ポリブチルメ
チルシラン、ポリジブチルシラン、ポリペンチルメチル
シラン、ポリジオクチルシラン、ポリドデシルメチルシ
ラン、ポリトリメチルシリルメチルシラン、ポリトリメ
トキシシリルメチルシラン、ポリフェニルシラン、ポリ
シクロヘキシルメチルシラン、ポリシアノエチルメチル
シラン、ポリ２−アセトキシエチルメチルシラン、ポリ
２−カルボメトキシエチルメチルシラン等が挙げられ
る。

【００６５】これらのポリシラン化合物とポリオレフィ
ンの混合方法として特に制限はなく単に両者を溶融混合
する方法、あるいはポリシランを含む触媒を用いてポリ
オレフィンを重合し、ポリシランを分散させる方法等が
挙げられる。またこれらのポリシラン化合物を高濃度に
含んだマスターバッチを製造したのち必要に応じて他の
ポリオレフィンで適当な濃度になるように希釈して使う
こともできる。

【００６６】これらのポリシラン化合物のポリオレフィ
ンに対する割合としては５０重量ｐｐｍないし１０重量
％が好ましい。より好ましくは１００重量ｐｐｍ以上５
重量％以下である。５０重量ｐｐｍに満たないと効果が
小さく、１０重量％をこえても、格別その効果が増大す
ることはなく、繊維やフィルムに加工するときに延伸切
れやボイドが生成したりして絶縁特性が悪くなる場合が
あるので好ましくない。

【００６７】本発明で用いられる無水マレイン酸グラフ
トポリプロピレンは工業的に生産されており、種々のグ
レードのものが入手可能であり、またポリプロピレンに
無水マレイン酸をラジカル発生剤とともに添加して加熱
することにより製造することもできる。

【００６８】無水マレイン酸グラフトポリプロピレン中
に含まれる無水マレイン酸のグラフト率は０．１％〜２
５％の物が用いられ、これらの無水マレイン酸グラフト
ポリプロピレンとポリオレフィンの混合方法として特に
制限はなく単に両者を混合溶融する方法、あるいはこれ
らの無水マレイン酸グラフトポリプロピレンを高濃度に
含んだマスターバッチを製造したのち必要に応じて他の
ポリオレフィンで適当な濃度になるように希釈して使う
こともできる。

【００６９】これらの無水マレイン酸グラフトポリプロ
ピレンのポリオレフィンに対する割合としては無水マレ
イン酸のグラフト率によっても異なるが無水マレイン酸
グラフトポリプロピレンの割合が５０重量ｐｐｍないし
１０重量％、より好ましくは１００重量ｐｐｍ以上５重
量％以下である。５０重量ｐｐｍに満たないと効果が小
さく、１０重量％をこえても、格別その効果が増大する
ことはなく、繊維やフィルムに加工するときに延伸切れ
やボイドが生成したりして絶縁特性が悪くなる場合があ
るので好ましくない。

【００７０】有機ポリエーテル基を有するシラン化合物
は下記の一般式（２）で表される化合物である。

【００７１】

【化２】 （ここでＲ¹ は同じかまたはそれぞれ異なる炭化水素残
基、Ｒ² は同じかまたはそれぞれ異なる炭化水素残基を
表す。またｎおよびｍは（ ）内の構造単位の割合を示
し、ここでｍは０または自然数、ｎは１以上の自然数で
あり、ｍ＋ｎは１以上１０００以下である。またｋは０
または自然数、１は１以上の自然数である。）これらの
ポリエーテル基を有するシラン化合物は工業的に生産さ
れており、市場で容易に入手することができる。具体的
には、トリス（２−メトキシエトキシ）ビニルシラン、
トリス（２−メトキシエトキシ）メチルシラン、トリメ
トキシシリル（ポリエーテル）、ポリエーテル変性シリ
コーンオイル等が挙げられる。

【００７２】これらのポリエーテル基を有するシラン化
合物とポリオレフィンの混合方法は、特に制限はなく単
に両者を溶融混合する方法、あるいはポリエーテル基を
有するシラン化合物を含む触媒を用いてポリオレフィン
を重合し、ポリエーテル基を有するシラン化合物を分散
させる方法等が挙げられる。またこれらのポリエーテル
基を有するシラン化合物を高濃度に含んだマスターバッ
チを製造したのち必要に応じて他のポリオレフィンで適
当な濃度になるように希釈して使うこともできる。

【００７３】これらのポリエーテル基を有するシラン化
合物のポリオレフィンに対する割合としては５０重量ｐ
ｐｍないし１０重量％が好ましい。より好ましくは１０
０重量ｐｐｍ以上５重量％以下である。５０重量ｐｐｍ
に満たないと効果が小さく、１０重量％を越えても、格
別その効果が増大することはなく、繊維やフィルムに加
工するときに延伸切れやボイドが生成したりして絶縁特
性が悪くなる場合があるので好ましくない。

【００７４】本発明のもう一つの実施態様は上記の高分
子絶縁材料を、少なくとも１つの方向に延伸してなる電
気絶縁性の高いポリプロピレン成形体である。

【００７５】また本発明は上記の高分子絶縁材料を、二
軸延伸してなる電気絶縁性フィルムである。

【００７６】本発明の高分子絶縁材料は成形加工されて
使用されるが、特に繊維やフィルムの形状で使用され
る。これらの成形体は未延伸フィルム、一軸延伸フィル
ム、二軸延伸フィルムとして好ましく用いられる。本発
明の実施態様の一つは高分子絶縁材料を少なくとも一つ
の方向に延伸してなる電気絶縁性の高いポリプロピレン
成形体である。フィルムの延伸方法としては公知の方法
で行われ、特に制限はないが、通常の一軸延伸法あるい
はロール延伸法や、二軸延伸方法では長さ方向と幅方向
を同時に延伸するインフレーション法や長さ方向と幅方
向を逐次延伸するテンター方法が挙げられる。

【００７７】例えばテンター法ではＴダイから熔融押し
出しされた熔融フィルムを冷却ロールで固化させ、熔融
成形フィルムを必要により予熱したあと延伸ゾーンに導
入し、次いで１２０〜１５０℃の温度で縦方向に１．５
ないし８倍延伸される。この延伸倍率は１．５〜８倍、
好ましくは２〜７倍であり、１．５倍より低いとフィル
ム強度が大きくならず、８倍を超えるとボイドが生じ易
く、幅方向の強度が低くなり、長さ方向に裂けやすくな
る。次いで更に１４０〜１７０℃の温度で６ないし１２
倍に幅方向に延伸する。最後にこの二軸延伸されたフィ
ルムは１６０〜１９０℃で熱固定することも必要により
行われる。

【００７８】本発明の高分子絶縁材料は、それ自体非常
に電気絶縁性の高い材料であるが、それを使用した成形
体の場合、フィルムや繊維など特に延伸処理した成形体
は非常に高い電気絶縁性を示す事が特徴である。特に二
軸延伸して得られるフィルムは機械的な強度も高く、薄
物から厚物まで製造することが可能で、本発明の材料は
特に２０μｍ以下の薄膜、好ましくは１０μｍ以下、よ
り好ましくは１μｍないし６μｍのフィルム厚の二軸延
伸フィルムとしたときに公知の材料を使用した場合より
も良好な電気特性を示す。

【００７９】本発明の成形体を成形するときには、本発
明におけるポリプロピレンに、通常のポリプロピレンに
使用される種々の安定剤や添加剤を添加して用いる事が
できる。

【００８０】本発明において絶縁破壊電圧は以下の方法
で測定した。

【００８１】ＪＩＳ−２３３０に準じ、春日電気（株）
製直流耐圧試験機を用い、レンジを２０ＫＶにセット
し、１００Ｖ／ｓｅｃの電圧上昇でもって、フィルムに
電圧を印加して絶縁破壊電圧を測定し、耐圧特性を求め
た。絶縁破壊電圧は絶縁破壊電圧測定値（Ｖ）をフィル
ムの厚み（μｍ）で除したものである。

【００８２】測定に要したフィルムは、ポリプロピレン
のペレットを２７０℃で押出し、厚さ１４０μｍのシー
ト状フィルムを作成して、さらにこのフィルムをＴＭロ
ング社製二軸延伸機を用いて、１５０℃にて、まずＭＤ
方向に５倍、次いでＴＤ方向に７倍延伸して厚さ４μｍ
の二軸延伸フィルムを作成した。このフィルムを１５０
ｍｍ×１５０ｍｍの大きさのものを５０枚用いて、試験
片の測定箇所を１ヶ所と限定した。

【００８３】測定方法は下記の通りであり、上部電極
は、周辺に３ｍｍの丸みを有した２５ｍｍφのよく磨い
た黄銅製円柱を（＋）電極として、下部電極は約１５０
ｍｍ×１５０ｍｍで厚み３０ｍｍの金属板上にゴムショ
ア６０〜７０度の弾性板にのせ、これにＪＩＳ−Ｈ−４
１６０に規定する厚さ０．００７ｍｍ以上、幅８０ｍｍ
のアルミニウム箔を巻き付けて、これを（−）電極とし
た。

【００８４】

【実施例】以下に実施例を示しさらに本発明を説明す
る。実施例１ 直径１２ｍｍの鋼球９ｋｇの入った内容積４リットルの
粉砕用ポットを４個装備した振動ミルを用意した。各ポ
ットに窒素雰囲気中で塩化マグネシウム３００ｇ、フタ
ル酸ジイソブチル７５ｍｌ、四塩化チタン６０ｍｌを加
え４０時間粉砕した。

【００８５】上記共粉砕物１０ｇを２００ｍｌのフラス
コに入れトルエン６０ｍｌを加え１１４℃で３０分間攪
拌処理し、次いで静置して上澄液を除去した。次いでｎ
−ヘプタン１００ｍｌで２０℃で３回、固形分を洗浄し
さらに１００ｍｌのｎ−ヘプタンに分散して固体触媒成
分スラリーとした。得られた固体触媒成分はチタンを
１．９ｗｔ％含有し、フタル酸ジイソブチルを１４．２
ｗｔ％含有していた。

【００８６】内容積７０リットルの充分に乾燥し窒素で
置換したオートクレーブを準備し、ヘプタン１０００ｍ
ｌに希釈したトリエチルアルミニウム２ｍｌ、ジノルマ
ルプロピルジメトキシシラン０．８ｍｌ、上記遷移金属
触媒１５０ｍｇを加えプロピレン２０ｋｇ、水素１７Ｎ
ｌを加え７０℃で２時間重合した。重合後未反応のプロ
ピレンをデカンテーションにより分離し、重合生成物を
液化プロピレンで３回洗浄した。次いで生成物に水０．
２ｇとプロピレンオキサイド１０ｍｌを添加して、さら
に９０℃で１５分間処理し、減圧下で５分間乾燥した。
このプロピレンオキサイドによる処理を３回繰り返し、
生成ポリマーを取り出して秤量したところ１３．４５ｋ
ｇのポリプロピレンが得られた。この重合でチタン当り
の取得量は４７２万ｇ−ＰＰ／ｇ−Ｔｉであった。

【００８７】またポリプロピレンの１３５℃テトラリン
溶液で測定した極限粘度（以下、ηと略記）は１．６
５、ソックスレー抽出器で測定した沸騰ｎ−ヘプタン抽
出残率（抽出残ポリマーの重量／抽出前ポリマーの重量
を１００分率で表示、以下、ＩＩと略記）は９８．１
％、ゲルパーミエーションクロマトグラフで１３５℃の
１，２，４−トリクロロベンゼンを溶媒として測定した
重量平均分子量と数平均分子量の比（以下、ＭＷ／ＭＮ
と略記する）は５．５であった。

【００８８】得られた上記ポリプロピレン１００重量部
に対してイルガノックス−１３３０（商品名、チバガイ
ギー社）０．２重量部、カルシウムステアレート０．０
０２重量部を混合してから２５０℃でペレット化した。

【００８９】このポリプロピレンの灰分を測定するた
め、試料２０ｇを磁製の坩堝に入れ、急激に燃えないよ
うに灰化させ、さらに８５０℃の電気炉に入れて完全に
灰化させた。これを乾燥したデシケータ中で冷却して灰
分を測定したところ１４重量ｐｐｍであり、これをさら
に分析してチタンが０．２ｐｐｍ、カルシウムが１．３
ｐｐｍであった。また本実施例で得られたペレット中の
塩素は０．３１ｐｐｍであった。

【００９０】次いでこのペレットを２７０℃で押出し、
厚さ１４０μｍ及び５２５μｍのシート状フィルムを得
た。このフィルムをＴＭロング社製二軸延伸機を用いて
１５０℃で、まずＭＤ方向に５倍、次いでＴＤ方向に７
倍延伸して厚さ４μｍ及び１５μｍの二軸延伸フィルム
を作成した。厚さ１４０μｍのシート状フィルムを延伸
した時の延伸応力はＴＤ方向に引き始めたときが３５ｋ
ｇ／ｃｍ² ，７倍延伸したときが４２ｋｇ／ｃｍ² であ
った。このフィルムの絶縁破壊電圧はそれぞれ６１０Ｖ
／μｍ、７２５Ｖ／μｍ、ｔａｎδはともに０．００１
であった。

【００９１】なお、厚さ４μｍの延伸フィルムの１００
ｃｍ² を位相差顕微鏡を用いて１μｍ以上のボイドを観
察して、その核となっている固体不純物の大きさと数を
測定したところ、１μｍ以上５μｍ以下の不純物が６０
個（１立方センチメートル当たりに換算すると１５００
個）含まれており、５μｍを越える不純物は含まれなか
った。

【００９２】また、厚さ４μｍのフィルムの８０℃での
絶縁破壊電圧は５３４Ｖ／μｍであった。実施例２ 無水塩化マグネシウム３００ｇ、灯油１．６リットル、
２−エチルヘキシルアルコール１．５リットルを１４０
℃で３時間加熱して均一溶液とした。この溶液に無水フ
タル酸７０ｇを添加し１３０℃で１時間攪拌して溶解し
た後、室温まで冷却した。さらに上記室温まで冷却した
溶液を、−２０℃に冷却した四塩化チタン８．５リット
ル中にゆっくり滴下し、滴下終了後、１１０℃まで昇温
し、フタル酸ジイソブチル２１５ｍｌを加え、さらに２
時間攪拌した。熱時ろ過により固体を分離し、得られた
固体を再度四塩化チタン１０リットル中に懸濁させ、再
び１１０℃で２時間攪拌した。熱時ろ過により固体を分
離し、得られた固体をｎ−ヘプタンで洗浄液にチタンが
実質上検出されなくなるまで洗浄した。得られた固体触
媒成分はチタン２．３ｗｔ％、フタル酸ジイソブチル１
１．６ｗｔ％を含有していた。

【００９３】実施例１の方法において、触媒としてヘプ
タン１０００ｍｌに希釈したトリエチルアルミニウム４
ｍｌ、ジノルマルプロピルジメトキシシラン１．６ｍ
ｌ、上記固体触媒成分３００ｍｇを使用し重合を行っ
た。重合の結果、９．９７ｋｇのポリプロピレンが得ら
れ、この重合でチタン当りの取得量は１４５万ｇ−ＰＰ
／ｇ−Ｔｉであった。

【００９４】このポリプロピレンを実施例１と同様に後
処理を行いポリプロピレンパウダーを得た。このポリプ
ロピレンパウダーのηは１．７０、ＩＩは９８．３％、
ＭＷ／ＭＮは５．１、灰分３３ｗｔ ｐｐｍ、チタン７
ｐｐｍ、塩素０．５３ｐｐｍであった。

【００９５】このポリプロピレンパウダーより実施例１
と同様にして厚さ４μｍ及び１５μｍの二軸延伸フィル
ムを作成した。このフィルムの絶縁破壊電圧はそれぞれ
６００Ｖ／μｍ、７１０Ｖ／μｍ、ｔａｎδはともに
０．００１であった。

【００９６】なお、厚さ４μｍの延伸フィルムの１００
ｃｍ² を位相差顕微鏡を用いて１μｍ以上のボイドを観
察して、その核となっている固体不純物の大きさと数を
測定したところ、１μｍ以上５μｍ以下の不純物が１２
０個（１立方センチメートル当たりに換算すると３００
０個）含まれており、５μｍを越える不純物が５個（１
立方センチメートル当たりに換算すると７５個）、１０
μｍを越える不純物は含まれていなかった。

【００９７】また、厚さ４μｍのフィルムの８０℃での
絶縁破壊電圧は５２０Ｖ／μｍであった。実施例３ 実施例１において重合条件を固体触媒成分を１８０ｍ
ｇ，トリエチルアルミニウム１．５ｍｌ，ジノルマルプ
ロピルジメトキシシラン０．４ｍｌとした以外は実施例
１と同様に重合を行い１５．２８ｋｇのポリプロピレン
が得られた。この重合でチタン当りのポリプロピレンの
取得量は４４７万ｇ−ＰＰ／ｇ−Ｔｉであった。

【００９８】このポリプロピレンを実施例１と同様に後
処理を行いポリプロピレンパウダーを得た。このポリプ
ロピレンパウダーのηは１．７５、ＩＩは９２．７％、
ＭＷ／ＭＮは５．０、灰分９ｗｔ ｐｐｍ、チタン０．
２ｐｐｍ、塩素０．７４ｐｐｍであった。

【００９９】このポリプロピレンパウダーより実施例１
と同様にして二軸延伸フィルムを作成した。厚さ１４０
μｍのシート状フィルムを延伸した時の延伸応力はＴＤ
方向に引き始めたときが２５ｋｇ／ｃｍ² ，７倍延伸し
たときが３５ｋｇ／ｃｍ² であり、延伸性は非常に良か
った。このフィルムの絶縁破壊電圧はそれぞれ６４０Ｖ
／μｍ、７２０Ｖ／μｍ、ｔａｎδはともに０．００１
であった。

【０１００】なお、厚さ４μｍの延伸フィルムの１００
ｃｍ² を位相差顕微鏡を用いて１μｍ以上のボイドを観
察して、その核となっている固体不純物の大きさと数を
測定したところ、１μｍ以上５μｍ以下の不純物が５０
個（１立方センチメートル当たりに換算すると１２５０
個）含まれており、５μｍを越える不純物は含まれなか
った。

【０１０１】また、厚さ４μｍのフィルムの８０℃での
絶縁破壊電圧は５４８Ｖ／μｍであった。比較例１ 実施例１においてポリプロピレンの重合が終わってから
水とプロピレンオキサイドを添加しなかった他は実施例
１と同様にして１３．２ｋｇのポリプロピレンを得た
（４６３万ｇ−ＰＰ／ｇ−Ｔｉの取得量）。このポリプ
ロピレンのηは１．６５、ＩＩは９８．０％、ＭＷ／Ｍ
Ｎは５．３であった。このポリプロピレンの灰分を測定
したところ１６重量ｐｐｍであった。さらに塩素の量を
測定したところ３．６重量ｐｐｍであった。このポリプ
ロピレンパウダーを用いて実施例１と同様にして作成し
たフィルムの絶縁破壊電圧は厚さ４μｍで４４０Ｖ／μ
ｍ、厚さ１５μｍで６３５Ｖ／μｍであった。

【０１０２】なお、厚さ４μｍの延伸フィルムの１００
ｃｍ² を位相差顕微鏡を用いて１μｍ以上のボイドを観
察して、その核となっている固体不純物の大きさと数を
測定したところ、１μｍ以上５μｍ以下の不純物が８０
個（１立方センチメートル当たりに換算すると２０００
個）含まれており、５μｍ以上１０μｍ以下の不純物が
２個（１立方センチメートル当たりに換算すると５０
個）含まれており、１０μｍを越える不純物は含まれな
かった。

【０１０３】また、厚さ４μｍのフィルムの８０℃での
絶縁破壊電圧は３９５Ｖ／μｍであった。比較例２ 内容積７０リットルの充分に乾燥し窒素で置換したオー
トクレーブを準備し、これにヘプタン１０００ｍｌ、ジ
エチルアルミニウムクロリド３２ｍｍｏｌ、トリフェニ
ルホスファイト１．４ｍｍｏｌ、チタン触媒として実施
例１で使用した上記遷移金属触媒の代わりに三塩化チタ
ン固体触媒（四塩化チタンを有機アルミニウム化合物で
還元し、ジ−イソ−アミルエーテル及び四塩化チタンで
活性化したもの）１．４２ｇを装入し、次いで液化プロ
ピレン１５ｋｇ及び水素ガスを装入後オートクレーブを
昇温した、オートクレーブ内温を６０℃で４．５時間攪
拌下に重合を続けた。４．５時間後にプロピレン及び水
素ガスをパージした。続いてメタノール８．５リット
ル、ｎ−ヘプタン１４リットル及びアセト酢酸メチル２
００ｍｍｏｌを装入後、１１０℃で２時間触媒成分の可
溶化処理を行った。分液後１０リットルの水で５５℃で
洗浄する操作を４回繰り返し、生成ポリプロピレンをろ
過し、乾燥して１０．０５ｋｇのポリプロピレンが得ら
れた。この重合反応でのチタン金属当たりのポリプロピ
レンの取得量は２１２００ｇ／ｇ−Ｔｉであった。

【０１０４】このポリプロピレンのηは１．８３、IIは
９９．３％、ＭＷ／ＭＮは８．３であった。このポリプ
ロピレンの灰分を測定したところ５重量ｐｐｍ、チタン
１．５ｐｐｍであった。さらに塩素の量を測定したとこ
ろ３重量ｐｐｍであった。このポリプロピレンパウダー
を用いて実施例１と同様にして作成したフィルムの絶縁
破壊電圧は厚さ４μｍで４０５Ｖ／μｍ、厚さ１５μｍ
で６３５Ｖ／μｍであった。厚さ１４０μｍのシート状
フィルムを延伸した時の延伸応力はＴＤ方向に引き始め
たときが３７ｋｇ／ｃｍ² ，７倍延伸したときが４７ｋ
ｇ／ｃｍ² であり、延伸性が悪かった。

【０１０５】なお、厚さ４μｍの延伸フィルムの１０ｃ
ｍ² を位相差顕微鏡を用いて１μｍ以上のボイドを観察
して、その核となっている固体不純物の大きさと数を測
定したところ、１μｍ以上５μｍ以下の不純物が２５個
（１立方センチメートル当たりに換算すると６２５０
個）含まれており、５μｍ以上１０μｍ以下の不純物が
７個（１立方センチメートル当たりに換算すると１７５
０個）含まれており、１０μｍを越える不純物も２個
（１立方センチメートル当たりに換算すると５００個）
含まれていた。

【０１０６】また、厚さ４μｍのフィルムの８０℃での
絶縁破壊電圧は３２０Ｖ／μｍであった。比較例３ 内容積２０リットルの充分に乾燥し窒素で置換したオー
トクレーブを準備し、これにヘプタン１０リットル、ジ
エチルアルミニウムクロリド３０ｍｍｏｌ、チタン触媒
として実施例１で使用した上記遷移金属触媒の代わりに
三塩化チタン固体触媒（四塩化チタンを金属アルミニウ
ムで還元し、活性化したもの）２．５ｇを装入し、更に
水素ガスを装入後、昇温し、７０℃で５ｋｇ／ｃｍ² −
Ｇを保つようにプロピレンガスを装入し重合を行った。
６時間後プロピレンガスの装入を停止した。得られたポ
リプロピレンスラリーを内容積７０リットルのオートリ
レーブに移しメタノール４．４リットル、アセト酢酸メ
チル１５０ｍｍｏｌを装入後、１１０℃で２時間触媒成
分の可溶化処理を行った。分液後５リットルの水で５５
℃で洗浄する操作を４回繰り返し、生成ポリプロピレン
をろ過し、乾燥して４．２ｋｇのポリプロピレンパンダ
ーが得られた。この重合反応でのチタン金属当たりのポ
リプロピレンの取得量は５０４０ｇ／ｇ−Ｔｉであっ
た。

【０１０７】このポリプロピレンのηは１．８３、ＩＩ
は９７．４％、ＭＷ／ＭＮは６．５であった。このポリ
プロピレンの灰分を測定したところ１６重量ｐｐｍ、チ
タン３．５ｐｐｍであった。さらに塩素の量を測定した
ところ４重量ｐｐｍであった。このポリプロピレンパウ
ダーを用いて実施例１と同様にして作成したフィルムの
絶縁破壊電圧は厚さ４μｍで３９０Ｖ／μｍ、厚さ１５
μｍで５７０Ｖ／μｍであった。

【０１０８】なお、厚さ４μｍの延伸フィルムの１０ｃ
ｍ² を位相差顕微鏡を用いて１μｍ以上のボイドを観察
して、その核となっている固体不純物の大きさと数を測
定したところ、１μｍ以上５μｍ以下の不純物が１００
個以上（１立方センチメートル当たりに換算すると２５
０００個以上）含まれており、５μｍ以上１０μｍ以下
の不純物が４２個（１立方センチメートル当たりに換算
すると１０５００個）含まれており、１０μｍを越える
不純物も１１個（１立方センチメートル当たりに換算す
ると２７００個）含まれていた。

【０１０９】また、厚さ４μｍのフィルムの８０℃での
絶縁破壊電圧は３１０Ｖ／μｍであった。 実施例４ 実施例１のポリプロピレンパウダーを用いてポリプロピ
レンパウダー１００重量部に対して、２，６−ジ−ｔ−
ブチル−ｐ−クレゾール０．１重量部、カルシウムステ
アレート０．００５重量部、及びイルガノックス−１３
３０（商品名、チバガイギー社）０．２重量部を添加混
合してから、さらにポリフェニルメチル−コ−ジメチル
シラン（日曹合成社製、ＰＰＳ−１００：ポリフェニル
メチルシランジクロライドとジメチルシランジクロライ
ドとのモノマー比１／１の共重合体）を３重量部添加し
て、２５０℃で押出しペレット化した。次いでこのペレ
ットを２７０℃で押出し、厚さ１４０μｍのシート状フ
ィルムを得た。このフィルムをＴＭロング二軸延伸機を
用いて１５０℃で、まずＭＤ方向に５倍、次いでＴＤ方
向に７倍延伸して厚さ４μｍの二軸延伸フィルムを作成
した。このようにして得られたフィルムの２３℃と８０
℃における絶縁破壊電圧（以下ＢＤＶと略記）を測定し
たところ、それぞれＢＤＶは６４１Ｖ／μｍ、５８５Ｖ
／μｍであった。すなわち常温でのＢＤＶが非常に高
く、しかも高温でのＢＤＶの低下する割合も小さかっ
た。 実施例５ ポリフェニルメチル−コ−ジメチルシランの添加量をポ
リプロピレンに対して０．１重量部に変えた他は実施例
４と同様にした結果、得られたフィルムの２３℃と８０
℃におけるＢＤＶはそれぞれ６４１Ｖ／μｍ、５８２Ｖ
／μｍであった。 実施例６ ポリフェニルメチル−コ−ジメチルシランに代えてジヘ
キシルシランジクロライドと金属ナトリウムをトルエン
中でトルエンの沸点で反応して得たポリジヘキルシラン
１重量部用いた他は実施例４と同様にした結果、得られ
たフィルムの２３℃と８０℃におけるＢＤＶはそれぞれ
６３８Ｖ／μｍ、５８３Ｖ／μｍであった。 実施例７ ポリフェニルメチル−コ−ジメチルシランに代えてメチ
ルブチルシランジクロライドと金属ナトリウムをトルエ
ン中でトルエンの沸点で反応して得たポリメチルブチル
シラン１重量部用いた他は実施例４と同様にした結果、
得られたフィルムの２３℃と８０℃におけるＢＤＶはそ
れぞれ６２５Ｖ／μｍ、５８１Ｖ／μｍであった。 実施例８ 実施例１のポリプロピレンパウダー１００重量部に対し
て、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール０．１重
量部、カルシウムステアレート０．００５重量部、及び
イルガノックス−１３３０（商品名、チバガイギー社）
０．２重量部を添加混合してから、さらに無水マレイン
酸グラフトポリプロピレン（無水マレイン酸グラフト率
５％）を３重量部添加して、２５０℃で押出しペレット
化した。

【０１１０】次いでこのペレットを２７０℃で押出し、
厚さ１４０μｍのシート状フィルムを得た。このフィル
ムをＴＭロング二軸延伸機を用いて１５０℃で、まずＭ
Ｄ方向に５倍、次いでＴＤ方向に７倍延伸して厚さ４μ
ｍの二軸延伸フィルムを作成した。このようにして得ら
れたフィルムの２３℃と８０℃におけるＢＤＶはそれぞ
れ６３６Ｖ／μｍ、５８９Ｖ／μｍであった。すなわち
常温でのＢＤＶが非常に高く、しかも高温でのＢＤＶが
ほとんど低下しない。 実施例９ 無水マレイン酸グラフトポリプロピレン（無水マレイン
酸グラフト率８％）を用いて添加量をポリプロピレンに
対して５０ｐｐｍ重量部に変えた他は実施例８と同様に
して得られたフィルムの２３℃と８０℃におけるＢＤＶ
を測定したところ、それぞれ６３５Ｖ／μｍ、５８４Ｖ
／μｍであった。 実施例１０ ポリフェニルメチル−コ−ジメチルシランに代えてトリ
メトキシシリル（ポリエーテル）の添加量をポリプロピ
レンに対して０．１重量部とした他は実施例４と同様に
した結果、得られた厚さ４μｍフィルムの２３℃と８０
℃におけるＢＤＶはそれぞれ６１５Ｖ／μｍ、５８３Ｖ
／μｍであった。 実施例１１ ポリフェニルメチル−コ−ジメチルシランに代えトリス
（２−メトキシエトキシ）メチルシラン（信越化学社
製、ＬＳ−３６６０）を１重量部用いた他は実施例４と
同様にした結果、得られたフィルムの２３℃と８０℃に
おけるＢＤＶはそれぞれ６２４Ｖ／μｍ、５８３Ｖ／μ
ｍであった。 実施例１２ ポリフェニルメチル−コ−ジメチルシランに代えポリエ
ーテル変性シリコーンオイル（東芝シリコン社製、ＴＳ
Ｆ−１６０）を１重量部用いた他は実施例４と同様にし
た結果、得られたフィルムの２３℃と８０℃におけるＢ
ＤＶはそれぞれ６１６Ｖ／μｍ、５７８Ｖ／μｍであっ
た。 実施例１３ ポリフェニルメチル−コ−ジメチルシランに代え水酸化
アルミニウム（石津製薬社製、Ｓ−１００の粒径１０μ
ｍ以上を分級して除いた平均粒径が１μｍ以下）をポリ
マー中の含量が３０重量ｐｐｍになる量添加した他は実
施例４と同様にした結果、得られたフィルムの２３℃に
おけるＢＤＶは６３５Ｖ／μｍであった。 実施例１４ ポリフェニルメチル−コ−ジメチルシランに代え水酸化
マグネシウム（協和化学社製、キスマ５Ａの粒径１０μ
ｍ以上を分級して除いた平均粒径が１μｍ以下）をポリ
マー中の含量が３０重量ｐｐｍになる量添加した他は実
施例４と同様にした結果、得られたフィルムの２３℃に
おけるＢＤＶは６４０Ｖ／μｍであった。 実施例１５ ポリフェニルメチル−コ−ジメチルシランに代え酸化鉄
（昭和電工社製、ナノタイト、平均粒径０．０２μｍの
酸化第２鉄）をポリマー中の含量が３０重量ｐｐｍにな
る量添加した他は実施例４と同様にした結果、得られた
フィルムの２３℃におけるＢＤＶは６５５Ｖ／μｍであ
った。 実施例１６ 直径１２ｍｍの鋼球９ｋｇの入った内容積４リットルの
粉砕用ポットを４個装備した振動ミルを用意した。各ポ
ットに窒素雰囲気中で塩化マグネシウム３００ｇ、フタ
ル酸ジイソブチル７５ｍｌ、四塩化チタン２０ｍｌを加
え４０時間粉砕した。得られた共粉砕物１０ｇを２００
ｍｌのフラスコに入れトルエン６０ｍｌを加え、１１４
℃で３０分間攪拌処理し、次いで静置して上澄液を除去
した。次いでｎ−ヘプタン１００ｍｌで２０℃で３回、
固形分を洗浄し、さらに１００ｍｌのｎ−ヘプタンに分
散して固体触媒成分スラリーとした。得られた固体触媒
成分はチタンを０．１ｗｔ％含有し、フタル酸ジイソブ
チルを１４．２ｗｔ％含有していた。

【０１１１】内容積３リットルの充分に乾燥し窒素で置
換したオートクレーブを準備し、ヘプタン１０００ｍｌ
を入れ、さらにヘプタン１００ｍｌに希釈したトリエチ
ルアルミニウム５ｇ、シクロヘキシルメチルジメトキシ
シラン２．５ｍｌ、上記固体触媒成分７５０ｍｇを加え
プロピレンを加圧して５ｋｇ／ｃｍ² −Ｇとして、７０
℃で２時間重合した。重合後反応生成物を濾過して集
め、８０℃で減圧乾燥した。得られたパウダーを、プロ
ピレンオキサイド１ｇあたり水を０．０２ｇの割合で含
む混合物と９０℃で１５分間接触処理した。減圧下で５
分間の乾燥処理を３回繰り返して、生成ポリマーを取り
出して秤量したところ５９９ｇのポリプロピレンパウダ
ー（Ｂ）が得られた。

【０１１２】このポリプロピレン（Ｂ）のηは０．８
３、灰分は１．１３重量％であった。このうち、酸化マ
グネシウムと水酸化マグネシウムの混合物が２３０ｐｐ
ｍ含まれていた。さらに塩素の量を放射化分析法で測定
して求めたところ５．５重量ｐｐｍであった。

【０１１３】実施例１と同様にして得たポリプロピレン
パウダー（Ａ）１００重量部に対して、酸化マグネシウ
ムと水酸化マグネシウムの混合物を含んだポリプロピレ
ンパウダー（Ｂ）をマグネシウムの量が全体の３０重量
ｐｐｍになるように加え、さらに２，６−ジ−ｔ−ブチ
ル−ｐ−クレゾール０．１重量部、カルシウムステアレ
ート０．０１重量部およびイルガノックス−１３３０を
０．２重量部添加混合してから、２５０℃で押出しペレ
ット化した。このペレットの塩素の量を放射化分析法で
測定して求めたところ０．９５重量ｐｐｍであった。次
いでこのペレットから実施例１と同様にして作成したフ
ィルムの絶縁破壊電圧は６４０Ｖ／μｍ、ｔａｎδは
０．００１であった。

【０１１４】

【発明の効果】本発明の高分子絶縁材料は絶縁特性、特
に絶縁破壊電圧の高い、また少なくとも１つの方向に延
伸させて得た成形体は絶縁破壊電圧が高いことは勿論の
こと、電気特性と物性バランスに優れたポリプロピレン
を提供するものであり、工業的に極めて価値がある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平4−337309 (32)優先日 平４(1992)12月17日 (33)優先権主張国 日本（ＪＰ） (72)発明者 石井 行雄 大阪府高石市高砂１丁目６番地 三井東圧 化学株式会社内 (72)発明者 井上 武夫 大阪府高石市高砂１丁目６番地 三井東圧 化学株式会社内 (72)発明者 岩谷 勉 大阪府高石市高砂１丁目６番地 三井東圧 化学株式会社内

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポリプロピレンの重合においてポリプロ
   ピレンの取得量が、触媒中のチタンに対して３００，０
   ００ｇ／ｇ−Ｔｉ以上であり、成形体に使用するポリプ
   ロピレンの空気中で完全に燃焼させて得られる灰分が４
   ０重量ｐｐｍ以下、その灰分組成のうち、チタニウムが
   １重量ｐｐｍ以下であり、該ポリプロピレン中に含まれ
   る塩素分が２重量ｐｐｍ以下、沸騰ｎ−ヘプタン可溶分
   が１重量％以上１０重量％以下である絶縁破壊電圧の高
   い高分子絶縁材料。
2. 【請求項２】 １立方センチメートル当りに含まれる１
   μｍ以上１０μｍ以下の不純物の個数が６０００個以下
   で５μｍ以上１０μｍ以下の不純物の個数が１０００個
   以下であって１０μｍを越える不純物を含まない高純度
   ポリプロピレンからなる請求項１記載の高分子絶縁材
   料。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の高分子絶
   縁材料に、無機酸化物、無機水酸化物、有機ポリシラ
   ン、無水マレイン酸グラフトポリプロピレンおよび有機
   ポリエーテル基を有するシラン化合物よりなる群の少な
   くとも１つの添加剤を添加してなる絶縁破壊電圧の高い
   高分子絶縁材料。
4. 【請求項４】 添加剤が無機酸化物または水酸化物であ
   って、その添加量が１重量ｐｐｍ以上１０重量％以下で
   ある請求項３記載の絶縁破壊電圧の高い高分子絶縁材
   料。
5. 【請求項５】 請求項４記載の無機酸化物または水酸化
   物が１０μｍ以上の粒径を含まない平均粒径１μｍ以下
   のマグネシウム、アルミニウム、鉄の酸化物あるいは水
   酸化物である絶縁破壊電圧の高い高分子絶縁材料。
6. 【請求項６】 添加剤が有機ポリシランであり、その添
   加量が５０重量ｐｐｍ以上１０重量％以下である請求項
   ３記載の絶縁破壊電圧の高い高分子絶縁材料。
7. 【請求項７】 添加剤が無水マレイン酸グラフトポリプ
   ロピレンであり、その添加量が５０重量ｐｐｍ以上１０
   重量％以下である請求項３記載の絶縁破壊電圧の高い高
   分子絶縁材料。
8. 【請求項８】 添加剤が有機ポリエーテル基を有するシ
   ラン化合物であり、その添加量が５０重量ｐｐｍ以上１
   ０重量％以下である請求項３記載の絶縁破壊電圧の高い
   高分子絶縁材料。
9. 【請求項９】 ポリプロピレンがチタン、マグネシウ
   ム、ハロゲンおよび電子供与性化合物（内部添加電子供
   与性化合物）を含む固体状チタン触媒成分と周期律表の
   第１族、２族、３族から選ばれた金属を含む有機金属化
   合物及び電子供与性化合物（外部添加電子供与性化合
   物）よりなる重合触媒の存在下にプロピレンを重合して
   得られることを特徴とする請求項１記載の高分子絶縁材
   料。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の重合方法で得られた
    ポリプロピレンを脱ハロゲン処理してえられたポリプロ
    ピレンを用いることを特徴とする請求項１記載の高分子
    絶縁材料。
11. 【請求項１１】 請求項９に記載の重合方法で得られた
    ポリプロピレンを不活性炭化水素で洗浄したのち脱ハロ
    ゲン処理してえられたポリプロピレンを用いることを特
    徴とする請求項１記載の高分子絶縁材料。
12. 【請求項１２】 請求項１または請求項２記載の高分子
    絶縁材料を、少なくとも１つの方向に延伸してなる電気
    絶縁性の高いポリプロピレン成形体。
13. 【請求項１３】 請求項３から８までのいずれか１項記
    載の高分子絶縁材料を、少なくとも１つの方向に延伸し
    てなる電気絶縁性の高いポリプロピレン成形体。
14. 【請求項１４】 請求項１から８までのいずれか１項記
    載の高分子絶縁材料を、二軸延伸してなる電気絶縁性フ
    ィルム。
15. 【請求項１５】 請求項１〜８までの項に記載の高分子
    絶縁材料を二軸延伸して得られる厚さ１〜６μｍの電気
    絶縁性フィルム。