JPH06216175A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体製造装置及び半導体装置の製造方法

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JPH06216175A
JPH06216175A JP5021739A JP2173993A JPH06216175A JP H06216175 A JPH06216175 A JP H06216175A JP 5021739 A JP5021739 A JP 5021739A JP 2173993 A JP2173993 A JP 2173993A JP H06216175 A JPH06216175 A JP H06216175A
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ozone
mold
cleaner
resin
die
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JP5021739A
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Miyoshi Egashira
美佳 江頭
Yasumasa Noda
康昌 野田
Shinji Takei
信二 武井
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 洗浄工程を含むモールド工程の全自動化を可
能にすると共に成形品の離型に必要な離型剤を損傷しな
いで効率的に実施するモールド金型の洗浄方法及びこの
モールド金型を用いた半導体装置の製造方法を提供す
る。 【構成】 モールド金型の上金型１と下金型３の間にス
ペースを設けてその間にクリーナー２を挿入する。この
クリーナー２は、グラスファイバーなどの紫外線供給手
段とオゾン供給手段と排気ガスを含むオゾン回収手段と
を備え、紫外線とオゾンによってモールド金型の上金型
１及び下金型３の表面に付着する樹脂などの汚れを取り
除く。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のプラスチ
ックパッケージ製造装置に係り、とくに、モールド金型
の汚れを洗浄することのできる自動モールド装置及びモ
ールド金型を洗浄する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの半導体装置の半導体
素子を保護する技術には、合成樹脂などの有機物で半導
体素子を樹脂封止する方法がある。樹脂封止は量産性に
優れ、低コストでもあるので、多くの半導体装置に採用
されている。樹脂封止にはポッティング法などモールド
金型を用いない方法も知られているが、現在モールド金
型を用いてトランスファ成形する場合が多い。この方法
は、予め一定の温度に加熱しておいた上型と下型からな
る金型に封止すべきチップを載置したリードフレームを
下型のキャビティにセットし金型を閉じておく。タブレ
ット状の樹脂を金型内部での流動性を良くするために高
周波プレヒータで加熱し、これをポットに入れてトラン
スファのプランジャーを動作させ、加熱した樹脂をラン
ナー、ゲートを通してキャビティに注入し、加圧し成形
する。この場合樹脂がある程度硬化するまで１〜３分程
度、約２０〜１００ｋｇ／ｃｍ2 で加圧成形する。キャ
ビティの取り数はその大きさにもよるが、１個から数１
０００個である。樹脂の硬化が進み、キャビティから取
出せるようになったときに、金型を開いて成形品をカル
ランナーと分離し、その後ポストキュアされ、バリ取
り、メッキ、カッティング等の処理を行ったあと、テス
トされマーキングされる。モールド樹脂に用いられる材
料は、熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でも良く、エポキ
シ樹脂、シリコーン、シリコーン・エポキシ樹脂、ポリ
アセタール樹脂、ポリイミド樹脂などが用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】通常、半導体素子を金
型内でモールド樹脂封止する場合には、その成形は射出
成形、吹込み成形或いは押出し成形等によっている。し
かし、このような成形を行うにあたり、成形を繰返し行
う間に発生するガスが固化し、あるいはモールド樹脂や
離型剤の組成物中に含まれる化合物が析出して金型の表
面に付着してしまう。この付着物が汚れとなって成形品
の寸法精度を損ない、又、成形品の表面に転写されてそ
の外観を損ねたり、金型からの成形品の離型不良を起こ
すことがある。したがって金型の洗浄は半導体装置を製
造する上で不可欠の作業である。現在行われているモー
ルド金型の洗浄方法は、洗浄液を金型に塗布した後に布
や脱脂綿を用いて付着物を除去する方法や、洗浄液塗布
後に通常の成形条件でメラミン樹脂等により成形して付
着物を除去する方法などがある、洗浄液自体が洗浄性に
乏しく、又、人手による拭き取りは、多大な労力と時間
を必要とするし、その拭き取りについても精密成形に用
いられる複雑な金型などでは細部まで完全に付着物の除
去を行うことは困難である。前述のような従来の金型の
洗浄では、一旦モールド装置の自動装置を止め、洗浄樹
脂を用いてこれを成形することで行われている。しか
し、この洗浄樹脂は、成形後バラケを起こしたり、洗浄
を含めたモールド工程全自動化が困難になる。
【０００４】また製品を成形する場合に離型回復樹脂を
成形したり、ダミーを成形したり、離型状態が良くなっ
たことを確認しなければならない。又、金型の付着物に
紫外線を照射することによりこれを分解して除去するこ
とも知られている（特開昭６０−２５０９１５号公報参
照）。この方法によると、例えば、紫外線の発生する低
圧水銀ランプにより空気中の酸素からオゾンが生成され
るが、このオゾンも付着物分解の科学的補助効果が期待
できる。しかし、その得られる量は、高々３００ｐｐｍ
程度であるので、この従来の技術では格別な洗浄効果は
認められず、その洗浄温度も明確でない。本発明は、こ
の様な事情によって成されたものであり、洗浄工程を含
むモールド工程の全自動化を可能にすると共に金型表面
の汚れを効果的に取り去ることの出来るモールド金型の
洗浄方法及びこれに用いる半導体製造装置を提供するこ
とを目的にしている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、モールド装置
の加熱した金型の表面に付着した汚れをオゾンの存在す
る雰囲気中で紫外線により除去することを特徴してい
る。すなわち、本発明の半導体製造装置は、上金型と下
金型とを有し、半導体チップを樹脂モールドする金型
と、前記上金型と前記下金型との間に挿入され、これら
上金型及び下金型の表面を洗浄するクリーナーとを備
え、前記クリーナーは、紫外線供給手段、オゾン供給手
段、オゾンや排気ガスを回収するオゾン回収手段及び前
記上金型及び下金型とに接触しているブラシとを備えて
いることを特徴としている。前記紫外線供給手段は、紫
外線発光ランプであり、前記オゾン供給手段は、オゾン
発生装置であり、前記オゾン回収手段は、オゾンを還元
するオゾン回収装置であることができる。前記紫外線供
給手段は、紫外線発生ランプに接続されたガラスファイ
バー又は光ガイドパイプであり、前記オゾン供給手段
は、オゾン発生装置に接続されたオゾン供給パイプであ
り、前記オゾン回収手段は、オゾンを還元するオゾン回
収装置に接続されたオゾン回収パイプであることができ
る。前記オゾン供給手段には、加熱装置を取付ける事が
できる。
【０００６】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
モールド金型を加熱する工程と、半導体チップを搭載し
たリードフレームをモールド金型の下金型に載置し、こ
のモールド金型の上金型と前記下金型とを型締めする工
程と、前記モールド金型に溶融したモールド樹脂を注入
する工程と、前記注入したモールド樹脂を硬化する工程
と、前記リードフレームを前記モールド金型から取出す
工程と、前記下金型及び前記上金型との間にクリーナー
を挿入し、このクリーナの紫外線供給手段、オゾン供給
手段、オゾン回収手段及びブラシを用いて金型表面の汚
れを紫外線照射とオゾンにより分解し、前記ブラシによ
り除去する工程とを備えていることを第１の特徴として
いる。
【０００７】モールド金型を加熱する工程と、半導体チ
ップを搭載したリードフレームをモールド金型の下金型
に載置し、このモールド金型の上金型及び下金型を型締
めする工程と、前記モールド金型に溶融したモールド樹
脂を注入する工程と、前記注入したモールド樹脂を硬化
する工程と、前記リードフレームを前記モールド金型か
ら取出す工程と、前記下金型及び前記上金型との間にク
リーナーを挿入し、このクリーナーの紫外線供給手段、
オゾン供給手段、オゾン回収手段及びブラシを用いて金
型表面の汚れを紫外線照射とオゾンにより分解し、前記
ブラシにより除去する工程と、前記リードフレームをオ
ーブンに挿入する工程と、オゾン供給手段及び紫外線供
給手段とを前記オーブンに挿入し、前記リードフレーム
に形成された樹脂バリを紫外線とオゾンの選択的な照射
により除去する工程と、前記オーブンの中で前記リード
フレームのモールド樹脂を加熱してポストキュアする工
程とを備えていることを第２の特徴としている。
【０００８】
【作用】モールド装置の金型をその表面に形成された離
型剤を損なうことなく効率的に金型表面の汚れを取り去
ることができる。その際オゾン、紫外線及び加熱された
雰囲気のいずれが欠けてもその効果を期待することはで
きない。
【０００９】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は、本発明に係る半導体製造装置のモールド
装置の模式断面図である。このモールド装置は従来のも
のと同様に半導体チップが取付けられているリードフレ
ームなどにモールド樹脂を封止するための上金型１と下
金型３を備えている。そしてこれら金型を支持するため
に下プラテン１１が設けられている。この下プラテン１
１と可動プラテンの間には駆動手段として型締装置が設
けられていて、その中の上方へ突出している上下動自在
なピストンロッドが可動プラテン（スライドベース）１
２を支持している。可動プラテン１２は、下プラテン１
１に突設された複数のタイバー１３に沿って上下動する
ようになっている。可動プラテン１２の上面部には下金
型３が固定されており、この下金型３には上金型１が対
向している。上金型１は上プラテン１４の下面部に固定
され、この上プラテン１４はタイバー１３の上端部に固
定されている。この上金型１及び下金型３の間で樹脂モ
ールドが行われ、この樹脂モールドが終わり、成形物を
取り除いた後これら金型の間にクリーナー２が挿入され
て樹脂モールドによって生じた金型表面の汚れを取り除
く。
【００１０】図２は、トランスファ成形を行うモールド
装置の細部を説明する模式断面図であり、クリーナーは
記載していない。図２１は、この図の金型のパーティン
グ面を示す平面図である。上金型１と下金型３とが対向
し接する下金型パーティング面中央にポット１８があ
り、図の左右の１ブロック毎に複数対のキャビティ１５
が対向配設されている。中央部に形成したポット１８の
カル部から分岐形成した複数の主ランナー２７をサブラ
ンナー１６に連通させる。サブランナー１６にはゲート
２８を介して複数対のキャビティ１５が形成されてい
る。図２では、上記のポット１８とこれに接続するキャ
ビティ１５を模式的に示し、その詳細は図２１に示し
た。この発明の金型に用いるポットはこの実施例のよう
にシングルポットでも良いが、マルチポットを用いても
良い。
【００１１】この様なトランスファ成形金型を用いて、
上金型１と下金型３のパーティング面に半導体チップを
載置し、例えば、ボンディングワイヤなどでボンディン
グしたリードフレームをセットして型締めする。つい
で、上金型１側の中央部に設けた円筒状のポット１８内
に予備加熱したエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などのタ
ブレット状の合成樹脂を供給し、この材料をポット上の
円筒状プランジャーで加圧する。この加圧と加熱によっ
てポット１８内で流動化した材料は主ランナー、サブラ
ンナー、ゲートを経てキャビティ１５内に加圧注入さ
れ、半導体チップを封入した状態で成形される。成形さ
れたリードフレームをこの金型から取出し、オーブンに
入れてポストキュアを行ってからリードフレームの表面
に付着した不要な樹脂を除去するバリ取りを行い、外装
後リード成形を行って製品を完成させる。一方、モール
ド装置は、再び成形を行うが、その前に金型のパーティ
ング面は、その表面に塗布されている離型剤を残しなが
らこの表面に付着した不要な樹脂を取除かなければなら
ない。そのため、図１に示すように離隔した上金型１と
下金型３の間にクリーナー２を挿入して金型表面を清浄
にする。
【００１２】次に、図４及至図７を参照してクリーナー
２の内部構造を説明する。図４は、クリーナー２内部を
示す模式断面図、図５は、上下金型間を移動するクリー
ナー２の断面図、図６及び図７は、前図のクリーナー部
分の平面図。クリーナー２はその少なくとも１つの側面
に取付けたアーム２０によって金型表面を移動し、その
構造は、ブラシ、紫外線発生手段、オゾン発生手段及び
オゾンを還元などにより処理し、排気ガスも回収するオ
ゾン回収装置を少なくとも備えており、必要に応じてオ
ゾン加熱装置及び下金型に加熱装置を取付けるものも含
んでいる。図４（ａ）は、これらの各ユニットが全て金
型間を移動するクリーナー２の筐体内部に収まっている
場合であり、紫外線（ＵＶ）ランプ２６、ＵＶ電源２
７、オゾン発生装置２８及びオゾン回収装置（オゾン還
元装置）２９を備えている。また、図４（ｂ）は、クリ
ーナー本体が金型１、２の外に配置され、金型表面を清
浄にする洗浄部分のみ金型間に挿入する場合である。洗
浄部分はガラスファイバーのような紫外線を照射するワ
イヤ、ブラシ、オゾン供給パイプ及びオゾン回収パイプ
等からなりブラシを除いて金型外のクリーナー本体３０
に接続されている。
【００１３】したがって、前者では、電源ケーブルのみ
が金型間のクリーナー２から外に導出しているのに対し
て、後者では、電源ケーブル以外にガラスファイバー、
オゾン供給パイプ、オゾン回収パイプなども金型外に導
出してクリーナー本体に接続されている。クリーナー本
体３０には、ＵＶランプ２６、ＵＶ電源２７、オゾン発
生装置２８及びオゾン還元装置２９等を備えている。図
５では、洗浄部分をクリーナー本体から離した図４
（ｂ）に示した構造を例に挙げて説明する。クリーナー
２は、長方形の枠体２５を有し、その上下に金型表面を
掃くブラシ２４が植設されている。枠体２５の側面にア
ーム２０が固定されており、このアーム２０の移動によ
ってクリーナー２は、金型内を移動できる。クリーナー
２の一辺は金型の一辺とほぼ等しいので、両者のほぼ等
しい辺同士を一致させれば、クリーナー２の移動方向
は、直線的で済むので操作し易くなる。勿論、クリーナ
ー２の平面の形状を金型の平面形状と必ずしも同じにす
る必要はない。図１のクリーナー２は、その一辺が金型
の一辺より幾分大きいので紙面に垂直に移動し、水平方
向には移動する必要がない。クリーナー２の内部には、
クリーナーの中央部にオゾン（Ｏ3 ）発生装置から延在
しているオゾン供給パイプ２２が複数束ねられて上金型
１及び下金型３の２方向に対向している。
【００１４】次に、複数に束ねられた紫外線を照射する
ガラスファイバー２１も両金型に対向しており、その表
面を照射できるようになっている。そして、図６に示す
ようにガラスファイバー２１群は、オゾン供給パイプ２
２群を両側から挟み込むように配置されている。オゾン
や排気ガスを回収するオゾン回収パイプ２３は、ガラス
ファイバー或いは光ガイドパイプ２１群とオゾン供給パ
イプ２２群とを挟むように、ブラシ２４の内側に沿って
複数形成されている。これらガラスファイバー２１、オ
ゾン供給パイプ２２及びオゾン回収パイプ２３はいずれ
もブラシ２４が植設されている枠体２５の側面から外部
のクリーナー本体に接続されている。このクリーナー２
には、金型を加熱する加熱装置を取付けることもできる
が、通常は、加熱装置を利用しないようにしている。ま
た、後述するようにオゾンを加熱すると一層オゾンが活
性化するので、オゾン発生装置もしくはオゾン供給パイ
プに加熱装置を取付けても良い。この様に金型表面の樹
脂等の付着物を取り除くためにオゾン雰囲気中で高温で
紫外線をその金型表面に照射することが不可欠な条件で
あり、オゾン濃度や紫外線照射が場所によってむらがあ
れば充分な洗浄効果が期待できなくなる。
【００１５】そこで、図７のクリーナー２の断面図に示
すようにガラスファイバーやオゾン供給パイプの配置を
換える事もできる。この実施例では、ガラスファイバー
２１を縦横に整列配置し、その隙間にこれより径の小さ
いオゾン供給パイプ２２を挿入している。この様な配置
では、金型全体にオゾンと紫外線とを同時に均一に当て
ることができる。後述のように洗浄作用は、オゾン自身
にあるのではなく、オゾンの生成／分解過程で生ずる酸
素ラジカルの作用によるものである。そして、オゾンの
分解は紫外線照射によるので、ガラスファイバーとオゾ
ン供給パイプを近接させれば供給されるオゾンは有効に
分解される。次に、本発明の半導体製造装置の洗浄特性
について説明する。
【００１６】半導体装置の製造工程において少なくとも
数回は、洗浄工程が含まれ、この洗浄の善し悪しが歩留
まりや製造効率の向上に重要な影響を与えている。本発
明の半導体製造装置は、この様な点を考慮して発明され
たものであり、これに組込まれるクリーナーは、前述の
ように紫外線をオゾン雰囲気中で照射することにより金
型表面に付着し、高温で加熱した樹脂などの付着物を分
解し、除去する新規な構造を有するものである。紫外線
およびオゾンは一般に有機物の汚れに対して洗浄効果が
あることが知られており、本発明は、この紫外線及びオ
ゾンによる洗浄（紫外線／オゾン洗浄）を金型及びこれ
を用いた半導体装置の製造工程に適用できるように構成
されている。紫外線照射による炭水化物の分解について
は以前から知られている。これは、酸素が紫外線照射に
よってこれを吸収し、オゾンを発生するが、その発生の
過程で酸素ラジカルを発生する。また、オゾンに紫外線
照射を行うと、オゾンは紫外線を吸収して分解し、酸素
ラジカルを生成する。この酸素ラジカルが有機化合物を
分解する強力な酸化作用を行うのである。
【００１７】オゾン雰囲気中で紫外線照射を行う洗浄方
法の可能性が研究されるようになったのはごく最近のこ
とである。紫外線／オゾン洗浄の原理は前記の酸素ラジ
カルの発生を増大させるために大量のオゾンを供給し、
紫外線による有機化合物の分解とオゾンや酸素ラジカル
による強力な酸化作用によって有機化合物を水、炭酸ガ
ス、窒素などの揮発性の物質に変化させて汚染表面から
取り除くことにある。オゾンを発生させる装置は酸素雰
囲気中にある電極間に高電圧を印加して数万ｐｐｍ以上
のオゾンを発生させる通常のオゾン発生装置を用いる。
低圧水銀ランプから発光する紫外線によって酸素を分解
することもできるが、生成されるオゾンの濃度は、高々
３００ｐｐｍ程度であるので、本発明の製造装置に使用
されるオゾン発生装置としては適当でない。なお、オゾ
ンは１ｇ／ｍ3 は５１０ｐｐｍである。本発明に用いる
紫外線は、波長が１００〜４５０ｎｍ（ナノメートル）
程度の大きさであり、発生源としては水素放電管、キセ
ノン放電管、水銀ランプ、殺菌灯など既存の任意のもの
を用いることができる。
【００１８】この使用波長の範囲は、オゾン及び酸素が
吸収する範囲に限られる。４５０ｎｍ以上ではオゾンも
酸素も分解することは困難であり、大体１００ｎｍ以下
ではどちらも分解することは可能であるが、これを越え
るとやはり有機化合物である金型表面に塗布されてモー
ルド工程に使用されるワックスなどの離型剤まで分解し
てしまうので、この波長以下では好ましくなく、特に有
効な紫外線波長はこれを酸素が吸収して酸素ラジカルを
生成する２４２．４ｎｍ程度及びこれをオゾンが吸収し
て酸素ラジカルを生成する３１０．０ｎｍ以下にするの
が適当である。オゾンの分解反応の紫外線吸収ピーク
は、ほぼ２５０ｎｍにあるので、低圧水銀ランプの２５
３．７ｎｍの輝線が効果的である。低圧水銀ランプを用
いる場合、入力密度は、０．５〜１０Ｗ／ｃｍ、ランプ
入力は、４〜１０００Ｗである。
【００１９】つぎに、図８を参照してオゾンによる金型
表面の清浄効果について説明する。図は、金型表面の清
浄度のオゾン濃度依存性を示す特性図である。縦軸が金
型表面の光反射率改善比率ΔＲ（％）、横軸がオゾン濃
度（１０3 ｐｐｍ）を表わしている。この光反射率改善
比率ΔＲは、モールド処理を行った後の洗浄処理を行っ
ていない金型表面の光反射率をＲ0 とし洗浄処理を行っ
た後の前記光反射率をＲとした場合のＲ−Ｒ0 を意味し
ている。紫外線照射は１８０℃で約５分であり、１００
０Ｗの低圧水銀ランプを使用する。金型表面は、モール
ド樹脂などが付着すると光を吸収して光反射率改善比率
ΔＲが低下する。しかし、紫外線照射とオゾンの供給に
よって、付着した有機物の汚れは分解して表面は清浄化
し、その光反射率改善比率ΔＲは向上する。図ではオゾ
ン濃度は、５０００〜７０００ｐｐｍについて示されて
いるが、本発明では、約１０００００ｐｐｍまで使用が
可能である。オゾンを所定の濃度に維持するには、オゾ
ンは紫外線照射によって分解されるので、オゾン供給パ
イプによってオゾンは適宜供給されなければならない。
また、オゾンが過剰になった場合には、オゾン回収パイ
プによって回収され分解される。分解されたオゾンは酸
素になって再び紫外線照射のもとにオゾンと共に供給す
ることができる。
【００２０】オゾン回収パイプは、有機物の汚れを分解
したときに発生する揮発性の生成ガスや有機物の微粒子
などを同時に回収するので、クリーナー内は常に清浄に
保たれ、クリーナーの洗浄作用は著しく向上している。
次いで、図９を参照して所定のオゾン濃度における金
型表面の清浄度の紫外線照射時間依存性について説明す
る。図の縦軸は、金型表面の光反射率改善比率ΔＲ
（％）、横軸は、紫外線照射時間（分）である。前図と
同様に１０００Ｗの低圧水銀ランプを用いて１８０℃で
紫外線照射を行う。紫外線照射条件を一定にした場合、
洗浄効果はオゾン濃度に依存し、その依存性は５分を過
ぎても格別変わらない。これは、洗浄効果はオゾンの濃
度に大きく左右されることを示している。 次いで、図
１０を参照して所定のオゾン濃度における金型表面の清
浄度の洗浄処理温度依存性について説明する。図の縦軸
は、金型表面の光反射率改善比率ΔＲ（％）横軸は、処
理温度を示している。２５℃では、殆ど洗浄効果が無い
のに１８０℃になると有機物が活性化されて光反射率改
善比率が向上する。処理温度として適当な温度範囲は、
大体１５０〜２００℃が適当である。
【００２１】次ぎに、図１１及び図１２を参照して本発
明に係る半導体製造装置を利用した半導体装置の製造工
程について説明する。図１１は、この製造装置を利用し
た前記工程のフローチャート図であり、図１２は、製造
装置内の下金型及びこの下金型表面に載置され、半導体
チップが搭載されて樹脂モールドされたリードフレーム
の平面図である。この半導体製造装置を用いた半導体装
置の樹脂モールド工程は、図１１に示す手順で実施され
る。まず、モールド金型を１８０℃程度に加熱する（工
程１）。次に、モールド金型を開き下金型３のキャビテ
ィ１５内に半導体チップを搭載したリードフレーム１９
を装着する（工程２）。次に、樹脂タブレットをモール
ド金型内のポットに投入し、加圧して溶融したポット内
の樹脂をキャビティ１５内に注入してリードフレーム１
９に取付けたボンディングワイヤでボンディングされた
半導体チップとその周辺をモールド樹脂２６で樹脂封止
する（工程３）。次に、モールド樹脂２６を硬化させる
（工程４）。その後リードフレームをモールド金型から
取り出す（工程５）。次に、金型を開き、上金型と下金
型３との距離を所定の間隔に保持し、この上金型と下金
型の間に本発明の前記クリーナーをアームにより挿入
し、紫外線照射と同時にオゾンを供給して両金型の表面
を洗浄し、樹脂などによる汚れを取り去る（工程６）。
【００２２】次に、モールド金型から取出したリードフ
レームをオーブンに入れ、約１７５℃で約８時間加熱し
てリードフレームのモールド樹脂をポストキュアする
（工程７）。このポストキュアの条件は、加熱温度が１
６０℃〜２００℃程度、加熱時間が３時間〜１０時間程
度にするのが適当である。リードフレームがこのオーブ
ンに載置されている時に、前記クリーナーから紫外線を
供給するガラスファイバー及びオゾン供給パイプをオー
ブン内部に持ち込み、オゾンを供給すると共に紫外線を
リードフレームに１０数分から１時間程度照射してリー
ドフレーム１９のタイバー付近などにたまる樹脂バリを
分解して除去する（工程８）。紫外線等はこの樹脂バリ
が形成されている部分のみ供給されれば良いので、図７
に示す配置を変えて、その部分のみが照射するようにガ
ラスファイバー群やオゾン供給パイプ群の配置構成を考
慮することができる。また、この工程に用いる紫外線供
給手段やオゾン供給手段は、前記工程６で用いたクリー
ナーを利用できるが、別のクリーナーを用いても良い。
【００２３】いずれにしても、図４（ｂ）に示すような
紫外線供給手段やオゾン供給手段がクリーナー本体と別
体になっている構造のクリーナーを用いるのが好まし
い。また、クリーナーから紫外線供給手段やオゾン供給
手段のみをモールド金型の上金型及び下金型の間に挿入
すれば、リードフレームを金型に載置したままでその樹
脂バリを取り除くことが可能である。さらに、モールド
工程の加熱処理による余熱を洗浄工程における加熱に利
用しているので、この実施例では、クリーナーにとくに
加熱装置を付ける必要はない。しかし、オゾン発生装置
に加熱装置を取付け、加熱したオゾンを吹付ければその
洗浄効果はさらに向上する。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、以上の構成により、金型内の
洗浄が非常に簡単になるとともにリードフレームの汚れ
の洗浄も同時に可能になるので、有効な半導体製造装置
及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のクリーナーを装着したモールド装置の
断面図。
【図２】本発明のモールド装置の断面図。
【図３】本発明のモールド装置の金型の平面図。
【図４】本発明のモールド装置のクリーナー内部の断面
図。
【図５】本発明のモールド装置の金型間のクリーナー内
部の断面図。
【図６】図５のクリーナーの平面図。
【図７】本発明のクリーナーの平面図。
【図８】本発明の光反射率改善比率とオゾン濃度特性
図。
【図９】本発明の光反射率改善比率とオゾン濃度特性
図。
【図１０】本発明の光反射率改善比率と紫外線照射時間
特性図。
【図１１】本発明のモ−ルド工程を示すフローチャート
図。
【図１２】本発明のリードフレームを搭載した下金型の
平面図。
【符号の説明】
１ 上金型 ２ クリーナー ３ 下金型 １１ 下プラテン １２ 可動プラテン １３ タイバー １４ 上プラテン １５ キャビティ １６ サブランナー １８ ポット １９ リードフレーム ２０ アーム ２１ 紫外線供給パイプ（ガラスファイバ
ー） ２２ オゾン供給パイプ ２３ オゾン回収パイプ ２４ ブラシ ２５ クリーナーの枠体 ２６ モールド樹脂 ２７ 主ランナー ２８ ゲート

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上金型と下金型とを有し、半導体チップ
    を樹脂モールドする金型と、 前記上金型と前記下金型との間に挿入され、これら上金
    型及び下金型の表面を洗浄するクリーナーとを備え、 前記クリーナーは、紫外線供給手段、オゾン供給手段、
    オゾンや排気ガスを回収するオゾン回収手段及び前記上
    金型及び下金型とに接触しているブラシとを備えている
    ことを特徴とする半導体製造装置。
  2. 【請求項２】 前記紫外線供給手段は、紫外線発光ラン
    プであり、前記オゾン供給手段は、オゾン発生装置であ
    り、前記オゾン回収手段は、オゾンを還元するオゾン回
    収装置であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
    製造装置。
  3. 【請求項３】 前記紫外線供給手段は、紫外線発生ラン
    プに接続されたガラスファイバー又は光ガイドパイプで
    あり、前記オゾン供給手段は、オゾン発生装置に接続さ
    れたオゾン供給パイプであり、前記オゾン回収手段は、
    オゾンを還元するオゾン回収装置に接続されたオゾン回
    収パイプであることを特徴とする請求項１に記載の半導
    体製造装置。
  4. 【請求項４】 前記オゾン供給手段には、加熱装置を取
    付けたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
    かに記載の半導体製造装置。
  5. 【請求項５】 モールド金型を加熱する工程と、 半導体チップを搭載したリードフレームをモールド金型
    の下金型に載置し、このモールド金型の上金型と前記下
    金型とを型締めする工程と、 前記モールド金型に溶融したモールド樹脂を注入する工
    程と、 前記注入したモールド樹脂を硬化する工程と、 前記リードフレームを前記モールド金型から取出す工程
    と、 前記下金型及び前記上金型との間にクリーナーを挿入
    し、このクリーナの紫外線供給手段、オゾン供給手段、
    オゾン回収手段及びブラシを用いて金型表面の汚れを紫
    外線照射とオゾンにより分解し、前記ブラシにより除去
    する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  6. 【請求項６】 モールド金型を加熱する工程と、 半導体チップを搭載したリードフレームをモールド金型
    の下金型に載置し、このモールド金型の上金型及び下金
    型を型締めする工程と、 前記モールド金型に溶融したモールド樹脂を注入する工
    程と、 前記注入したモールド樹脂を硬化する工程と、 前記リードフレームを前記モールド金型から取出す工程
    と、 前記下金型及び前記上金型との間にクリーナーを挿入
    し、このクリーナーの紫外線供給手段、オゾン供給手
    段、オゾン回収手段及びブラシを用いて金型表面の汚れ
    を紫外線照射とオゾンにより分解し、前記ブラシにより
    除去する工程と、 前記リードフレームをオーブンに挿入する工程と、 オゾン供給手段及び紫外線供給手段とを前記オーブンに
    挿入し、前記リードフレームに形成された樹脂バリを紫
    外線とオゾンの選択的な照射により除去する工程と、 前記オーブンの中で前記リードフレームのモールド樹脂
    を加熱してポストキュアする工程とを備えていることを
    特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09123206A (ja) * 1995-10-30 1997-05-13 Towa Kk 電子部品の樹脂封止成形装置
KR100408457B1 (ko) * 2001-05-10 2003-12-06 삼성전자주식회사 반도체 칩 패키지 몰딩 장치용 클리닝 장치
KR100446111B1 (ko) * 1997-10-27 2004-10-14 삼성전자주식회사 반도체 패키지 몰딩 프레스 장치 및 이의 반도체 패키지몰딩 프레스 방법
KR100506010B1 (ko) * 2003-01-28 2005-08-03 백명열 반도체 제조용 금형 클리닝 장치
KR100561548B1 (ko) * 1999-10-01 2006-03-17 삼성전자주식회사 몰딩 설비
US7569168B2 (en) 2004-01-23 2009-08-04 Fuji Xerox Co., Ltd. Method of producing polymer optical waveguide
US7582234B2 (en) 2003-06-04 2009-09-01 Fuji Xerox Co., Ltd. Producing method of polymer optical waveguide

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6098637A (en) * 1998-03-03 2000-08-08 Applied Materials, Inc. In situ cleaning of the surface inside a vacuum processing chamber
DE10115394B4 (de) * 2001-03-29 2005-03-24 Christof Diener Maschinenbauteil und/oder verfahrenstechnische Anlage mit einem Hohlraum und Reinigungsverfahren hierfür
NL1026670C2 (nl) 2004-07-16 2006-01-17 Fico Bv Werkwijze en inrichting voor het met een conditioneringsgas omhullen van elektronische componenten.
JP7304768B2 (ja) * 2019-08-16 2023-07-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 熱処理装置および熱処理装置の洗浄方法
JP7318927B2 (ja) * 2019-11-15 2023-08-01 東北物流株式会社 クリーニング用シート、半導体装置の製造方法およびクリーニング用シートの製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59114832A (ja) * 1982-12-22 1984-07-03 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPS60250915A (ja) * 1984-05-28 1985-12-11 Polyplastics Co 成形用金型付着物の除去法
JPH04206855A (ja) * 1990-11-30 1992-07-28 Sony Corp 半導体装置
JPH05218276A (ja) * 1991-11-12 1993-08-27 Motorola Inc 割れにくい半導体装置およびその作製方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09123206A (ja) * 1995-10-30 1997-05-13 Towa Kk 電子部品の樹脂封止成形装置
KR100446111B1 (ko) * 1997-10-27 2004-10-14 삼성전자주식회사 반도체 패키지 몰딩 프레스 장치 및 이의 반도체 패키지몰딩 프레스 방법
KR100561548B1 (ko) * 1999-10-01 2006-03-17 삼성전자주식회사 몰딩 설비
KR100408457B1 (ko) * 2001-05-10 2003-12-06 삼성전자주식회사 반도체 칩 패키지 몰딩 장치용 클리닝 장치
KR100506010B1 (ko) * 2003-01-28 2005-08-03 백명열 반도체 제조용 금형 클리닝 장치
US7582234B2 (en) 2003-06-04 2009-09-01 Fuji Xerox Co., Ltd. Producing method of polymer optical waveguide
US7569168B2 (en) 2004-01-23 2009-08-04 Fuji Xerox Co., Ltd. Method of producing polymer optical waveguide

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