JP3165009B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
- B29C45/1468—Plants therefor
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- Mechanical Engineering (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子が載置され
たリードフレーム等を樹脂封止する半導体装置の製造方
法と半導体製造装置に関するものである。
たリードフレーム等を樹脂封止する半導体装置の製造方
法と半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】リードフレームに搭載した半導体素子の
外囲を封止するための樹脂封止工程における従来の半導
体製造装置において、成形金型は上下金型共に半導体製
造装置のプレス部（樹脂封止ユニット内）に固定され、
そして成形金型はプレスの開閉と同時に型締め、型開き
が行なわれるものであった。
外囲を封止するための樹脂封止工程における従来の半導
体製造装置において、成形金型は上下金型共に半導体製
造装置のプレス部（樹脂封止ユニット内）に固定され、
そして成形金型はプレスの開閉と同時に型締め、型開き
が行なわれるものであった。
【０００３】その動作としては、まず樹脂封止される半
導体素子を搭載したリードフレームは、プレスを開け
て、金型が開いた状態で封止用樹脂ペレットと共に下金
型に装着され、プレスを閉じ、金型を締めつけると同時
に樹脂封止の際に樹脂が金型から漏れ出ないだけの加圧
力をプレスにより金型に加えられるものであった。そし
てプランジャーにより、樹脂を加圧し、金型に形成され
た半導体装置製品の外観形状の溝に樹脂が注入され、樹
脂封止後、樹脂材料の熱硬化の特性のため、プレス内で
停止して、一定時間金型を閉じておくものであった。そ
して樹脂硬化後は、プレスを開けて、金型を開き、下金
型より樹脂成形された半導体装置（半導体素子が樹脂封
止されたリードフレーム）を取り出す、という一連の樹
脂封止工程であった。
導体素子を搭載したリードフレームは、プレスを開け
て、金型が開いた状態で封止用樹脂ペレットと共に下金
型に装着され、プレスを閉じ、金型を締めつけると同時
に樹脂封止の際に樹脂が金型から漏れ出ないだけの加圧
力をプレスにより金型に加えられるものであった。そし
てプランジャーにより、樹脂を加圧し、金型に形成され
た半導体装置製品の外観形状の溝に樹脂が注入され、樹
脂封止後、樹脂材料の熱硬化の特性のため、プレス内で
停止して、一定時間金型を閉じておくものであった。そ
して樹脂硬化後は、プレスを開けて、金型を開き、下金
型より樹脂成形された半導体装置（半導体素子が樹脂封
止されたリードフレーム）を取り出す、という一連の樹
脂封止工程であった。
【０００４】また、樹脂封止（成形）に用いる金型は、
使用される樹脂が金型表面に触れるため、樹脂封止を繰
り返す間に封止樹脂の汚れがその金型表面に蓄積されて
しまい、洗浄が必要であった。そのため従来は、金型表
面に密着性のよいメラミン樹脂（クリーニング樹脂）を
用い、樹脂封止と同様にプレス部で樹脂封止動作を行な
うことにより、メラミン樹脂で汚れを吸収し、金型表面
の樹脂汚れを洗浄していた。
使用される樹脂が金型表面に触れるため、樹脂封止を繰
り返す間に封止樹脂の汚れがその金型表面に蓄積されて
しまい、洗浄が必要であった。そのため従来は、金型表
面に密着性のよいメラミン樹脂（クリーニング樹脂）を
用い、樹脂封止と同様にプレス部で樹脂封止動作を行な
うことにより、メラミン樹脂で汚れを吸収し、金型表面
の樹脂汚れを洗浄していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の構成では、樹脂封止される半導体リードフレーム
は、金型内に樹脂封止が終了した後も、樹脂の熱硬化が
完了するまで樹脂封止ユニット内に待機され、プレスに
より加圧され続けている。つまり、樹脂封止後、金型で
高温保持するだけの時間、半導体製造装置、すなわち樹
脂封止装置の動作は停止した状態で、設備の有効な稼動
が行なえず、生産能力上の問題となっていた。また成形
金型の洗浄は、樹脂封止装置の樹脂封止ユニットを使用
して行なうため、金型洗浄の間も樹脂封止装置は製品製
造に寄与することなく、生産性低下の原因となってい
た。
来の構成では、樹脂封止される半導体リードフレーム
は、金型内に樹脂封止が終了した後も、樹脂の熱硬化が
完了するまで樹脂封止ユニット内に待機され、プレスに
より加圧され続けている。つまり、樹脂封止後、金型で
高温保持するだけの時間、半導体製造装置、すなわち樹
脂封止装置の動作は停止した状態で、設備の有効な稼動
が行なえず、生産能力上の問題となっていた。また成形
金型の洗浄は、樹脂封止装置の樹脂封止ユニットを使用
して行なうため、金型洗浄の間も樹脂封止装置は製品製
造に寄与することなく、生産性低下の原因となってい
た。
【０００６】本発明は、このような課題を解決するもの
で、樹脂封止後の金型高温保持を行ないながら、プレス
を停止させることなく、連続で次の半導体素子の樹脂成
形ができる半導体装置の製造方法と半導体製造装置を提
供することを目的としている。また樹脂封止装置自体を
使用せずに金型のクリーニングを行なうことができる半
導体製造装置を提供するものである。
で、樹脂封止後の金型高温保持を行ないながら、プレス
を停止させることなく、連続で次の半導体素子の樹脂成
形ができる半導体装置の製造方法と半導体製造装置を提
供することを目的としている。また樹脂封止装置自体を
使用せずに金型のクリーニングを行なうことができる半
導体製造装置を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明の半導体装置の製造方法は、初期エリアにて
下金型に半導体素子が搭載されたリードフレームと封止
用樹脂を装着し、上金型で閉じて金型体を形成する第１
工程と、前記金型体を前記初期エリアからプレスユニッ
ト内に搬送し、加熱・加圧して樹脂封止する第２工程
と、前記樹脂封止後の金型体を前記プレスユニットより
外部の待機エリアに搬出する第３工程と、前記搬出後の
金型体を前記待機エリアで一定時間待機させる第４工程
と、前記一定時間待機後の金型体を開けて、樹脂封止し
た半導体リードフレームを取り出す第５工程と、前記金
型体を前記待機エリアから前記初期エリアに搬送する第
６工程とを有し、前記第１工程〜第６工程を複数の金型
体を用いて繰り返すものであり、また樹脂封止のための
プレスユニットの外部では、金型を洗浄する紫外線照射
とブラシ洗浄する工程をも有しているものである。
に、本発明の半導体装置の製造方法は、初期エリアにて
下金型に半導体素子が搭載されたリードフレームと封止
用樹脂を装着し、上金型で閉じて金型体を形成する第１
工程と、前記金型体を前記初期エリアからプレスユニッ
ト内に搬送し、加熱・加圧して樹脂封止する第２工程
と、前記樹脂封止後の金型体を前記プレスユニットより
外部の待機エリアに搬出する第３工程と、前記搬出後の
金型体を前記待機エリアで一定時間待機させる第４工程
と、前記一定時間待機後の金型体を開けて、樹脂封止し
た半導体リードフレームを取り出す第５工程と、前記金
型体を前記待機エリアから前記初期エリアに搬送する第
６工程とを有し、前記第１工程〜第６工程を複数の金型
体を用いて繰り返すものであり、また樹脂封止のための
プレスユニットの外部では、金型を洗浄する紫外線照射
とブラシ洗浄する工程をも有しているものである。
【０００８】
【０００９】
【作用】本発明は搬送可能な複数個の金型を用い、さら
に金型自体がその内部にプランジャーを備えたものを用
い、またその金型は固定されているものではなく、搬送
機構により搬送可能であるので、この金型を用いて半導
体素子が搭載されたリードフレームに対して樹脂封止を
行なうことにより、樹脂封止装置である半導体製造装置
のプレス部（樹脂封止ユニット）内に、樹脂の熱硬化の
ために金型を待機停止させておく必要がなく、装置のプ
レス部の外部で熱硬化時間を経過させることができ、そ
の待機中に別の金型を用いて樹脂封止することができ
る。また金型の樹脂汚れも別に設けた紫外線照射ユニッ
ト、クリーニングユニットにより、別個に金型洗浄がで
きるため、金型をプレス部（樹脂封止ユニット）内に停
止させる必要がなくなる。また金型自体（上下金型）
は、熱硬化樹脂を溶融させるのに充分な熱量を供給する
ヒーターブロックを有した金型ホルダーに装填されて、
搬送を行なうので、樹脂の溶融、熱硬化処理等には支障
はない。
に金型自体がその内部にプランジャーを備えたものを用
い、またその金型は固定されているものではなく、搬送
機構により搬送可能であるので、この金型を用いて半導
体素子が搭載されたリードフレームに対して樹脂封止を
行なうことにより、樹脂封止装置である半導体製造装置
のプレス部（樹脂封止ユニット）内に、樹脂の熱硬化の
ために金型を待機停止させておく必要がなく、装置のプ
レス部の外部で熱硬化時間を経過させることができ、そ
の待機中に別の金型を用いて樹脂封止することができ
る。また金型の樹脂汚れも別に設けた紫外線照射ユニッ
ト、クリーニングユニットにより、別個に金型洗浄がで
きるため、金型をプレス部（樹脂封止ユニット）内に停
止させる必要がなくなる。また金型自体（上下金型）
は、熱硬化樹脂を溶融させるのに充分な熱量を供給する
ヒーターブロックを有した金型ホルダーに装填されて、
搬送を行なうので、樹脂の溶融、熱硬化処理等には支障
はない。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１１】図１は本発明の一実施例における半導体製
造装置の構成を示した図である。図２は本発明の一実施
例における半導体製造装置の金型を示す構成図である。
図３は本発明の一実施例における半導体製造装置の動作
とともに半導体装置の製造方法を示す図である。
造装置の構成を示した図である。図２は本発明の一実施
例における半導体製造装置の金型を示す構成図である。
図３は本発明の一実施例における半導体製造装置の動作
とともに半導体装置の製造方法を示す図である。
【００１２】図１，図２を参照しながら本実施例の半導
体製造装置について説明する。本実施例の半導体製造装
置は、図１に示すように上金型１と下金型２とで構成し
た金型体３を搬送させて、複数動作させることができる
もので、前記金型体３を目的の箇所から目的の箇所まで
自動制御搬送する搬送レールもしくは搬送ガイド等の搬
送機構４と、前記搬送機構４により搬送された金型体３
を上プラテン５と下プラテン６とのプレス部７で加圧す
るための加圧装置８と、下プラテン６に設けられ、下金
型２内に設けられたプランジャーを押し上げるプランジ
ャーユニット９とを有している。この上プラテン５、下
プラテン６、加圧装置８、プランジャーユニット９によ
り樹脂封止プレスユニットを構成している。また本実施
例の半導体製造装置は、樹脂封止のためのプレス部７の
他に金型の洗浄を行なう紫外線照射ユニット１０と、洗
浄ブラシ１１を有したクリーニングユニット１２も備え
ている。前記紫外線照射ユニット１０において、水銀ラ
ンプからのＵＶ（紫外線）照射により、金型に付着した
汚れ（薄膜の樹脂残渣等）を二酸化炭素（ＣＯ2）、水
（Ｈ2Ｏ）、窒素（Ｎ2）等に分解して除去できる。な
お、図２に示すように、本実施例の半導体製造装置の金
型体３は、その下金型２において、金型内部のポット部
１３にプランジャー１４を備え、また金型を加熱し、樹
脂を溶融するための熱を供給するヒーターブロック１５
を有した金型ホルダー１６が設けられている。そしてヒ
ーターブロック１５を有した金型ホルダー１６は、下金
型２だけでなく、上金型１にも設けられているものであ
る。なお、図１に示す下金型２には、ポット部１３、プ
ランジャー１４を省略している。
体製造装置について説明する。本実施例の半導体製造装
置は、図１に示すように上金型１と下金型２とで構成し
た金型体３を搬送させて、複数動作させることができる
もので、前記金型体３を目的の箇所から目的の箇所まで
自動制御搬送する搬送レールもしくは搬送ガイド等の搬
送機構４と、前記搬送機構４により搬送された金型体３
を上プラテン５と下プラテン６とのプレス部７で加圧す
るための加圧装置８と、下プラテン６に設けられ、下金
型２内に設けられたプランジャーを押し上げるプランジ
ャーユニット９とを有している。この上プラテン５、下
プラテン６、加圧装置８、プランジャーユニット９によ
り樹脂封止プレスユニットを構成している。また本実施
例の半導体製造装置は、樹脂封止のためのプレス部７の
他に金型の洗浄を行なう紫外線照射ユニット１０と、洗
浄ブラシ１１を有したクリーニングユニット１２も備え
ている。前記紫外線照射ユニット１０において、水銀ラ
ンプからのＵＶ（紫外線）照射により、金型に付着した
汚れ（薄膜の樹脂残渣等）を二酸化炭素（ＣＯ2）、水
（Ｈ2Ｏ）、窒素（Ｎ2）等に分解して除去できる。な
お、図２に示すように、本実施例の半導体製造装置の金
型体３は、その下金型２において、金型内部のポット部
１３にプランジャー１４を備え、また金型を加熱し、樹
脂を溶融するための熱を供給するヒーターブロック１５
を有した金型ホルダー１６が設けられている。そしてヒ
ーターブロック１５を有した金型ホルダー１６は、下金
型２だけでなく、上金型１にも設けられているものであ
る。なお、図１に示す下金型２には、ポット部１３、プ
ランジャー１４を省略している。
【００１３】以上のように構成された半導体製造装置に
ついて、以下、図２，図３を参照しながら、その動作と
ともに半導体装置の製造方法を説明する。図３中、Ａ〜
Ｏは、半導体製造装置の工程動作を示している。
ついて、以下、図２，図３を参照しながら、その動作と
ともに半導体装置の製造方法を説明する。図３中、Ａ〜
Ｏは、半導体製造装置の工程動作を示している。
【００１４】まず、動作Ａとして、樹脂封止処理開始の
初期エリアにて、下金型２の定位置に成形しようとする
半導体素子を搭載したリードフレーム１７と、樹脂ペレ
ット１８を装着する。樹脂ペレット１８は下金型２のポ
ット部１３に装着する。なお、この状態では、上金型
１、下金型２は、ヒーターブロック１５を有した金型ホ
ルダー１６に装填されており、封止樹脂の溶融に必要な
温度に加熱されている。また樹脂ペレット１８は、半導
体素子を封止するための熱硬化型樹脂のペレットであ
る。
初期エリアにて、下金型２の定位置に成形しようとする
半導体素子を搭載したリードフレーム１７と、樹脂ペレ
ット１８を装着する。樹脂ペレット１８は下金型２のポ
ット部１３に装着する。なお、この状態では、上金型
１、下金型２は、ヒーターブロック１５を有した金型ホ
ルダー１６に装填されており、封止樹脂の溶融に必要な
温度に加熱されている。また樹脂ペレット１８は、半導
体素子を封止するための熱硬化型樹脂のペレットであ
る。
【００１５】次に動作Ｂとして、上金型１を下降させ、
下金型２の上にセットする。次に動作Ｃとして、上金型
１と下金型２とを重ね、金型体３を構成した状態で、搬
送機構によりプレス部７の下プラテン６上に搬送し、設
置する。
下金型２の上にセットする。次に動作Ｃとして、上金型
１と下金型２とを重ね、金型体３を構成した状態で、搬
送機構によりプレス部７の下プラテン６上に搬送し、設
置する。
【００１６】次に動作Ｄとして、加圧装置８により、上
プラテン５を下降させ、金型体３に対して、樹脂封止圧
に見合った型締力を押下する。この時点で、下金型１の
ポット部１３に装填した樹脂ペレット１８は加熱・加圧
により溶融している。
プラテン５を下降させ、金型体３に対して、樹脂封止圧
に見合った型締力を押下する。この時点で、下金型１の
ポット部１３に装填した樹脂ペレット１８は加熱・加圧
により溶融している。
【００１７】次に動作Ｅとして、下プラテン６のプラン
ジャーユニット１１を上昇させ、下金型２に内蔵された
プランジャー１４を押し上げ、金型体３内に加熱・加圧
により溶融した樹脂を封止する。
ジャーユニット１１を上昇させ、下金型２に内蔵された
プランジャー１４を押し上げ、金型体３内に加熱・加圧
により溶融した樹脂を封止する。
【００１８】次に動作Ｆとして、樹脂封止後、プランジ
ャーユニット１１を下降させる。この時、下金型２に内
蔵したプランジャー１４は、プランジャーユニット１１
の下降動作に追随せず、封止完了時の位置にある。
ャーユニット１１を下降させる。この時、下金型２に内
蔵したプランジャー１４は、プランジャーユニット１１
の下降動作に追随せず、封止完了時の位置にある。
【００１９】次に動作Ｇとして、封止した樹脂の熱硬化
時間に到達する前に、上プラテン５を上昇させ、加圧装
置８による加圧を停止し、金型体３への加圧力を解除す
る。
時間に到達する前に、上プラテン５を上昇させ、加圧装
置８による加圧を停止し、金型体３への加圧力を解除す
る。
【００２０】次に動作Ｈとして、上金型１と下金型２と
を重ね合わせた金型体３をプレス部７の外部への待機エ
リアに搬送機構により搬出し、樹脂の熱硬化時間に達す
るまで待機させる。この待機中は、上金型１の自重によ
り、樹脂封止された半導体リードフレームは加圧保持さ
れ、樹脂は熱硬化反応しているものである。またこの待
機中に、次の半導体素子を搭載したリードフレームを他
の金型体３に装着し、前記Ａ〜Ｆと同様の動作を行な
う。
を重ね合わせた金型体３をプレス部７の外部への待機エ
リアに搬送機構により搬出し、樹脂の熱硬化時間に達す
るまで待機させる。この待機中は、上金型１の自重によ
り、樹脂封止された半導体リードフレームは加圧保持さ
れ、樹脂は熱硬化反応しているものである。またこの待
機中に、次の半導体素子を搭載したリードフレームを他
の金型体３に装着し、前記Ａ〜Ｆと同様の動作を行な
う。
【００２１】次に動作Ｉとして、樹脂の熱硬化時間に達
したならば、上金型１を上昇させ、金型体３を開く。
したならば、上金型１を上昇させ、金型体３を開く。
【００２２】次に動作Ｊとして、下金型２上の樹脂成形
されたリードフレーム１７（半導体リードフレーム装
置）を取り出す。
されたリードフレーム１７（半導体リードフレーム装
置）を取り出す。
【００２３】次に動作Ｋとして、搬送機構により、開い
た上金型１と、下金型２とを搬送し、紫外線照射ユニッ
ト１０にセットする。そして上下金型１，２の内側領域
に紫外線を照射する。この紫外線（ＵＶ）の照射によ
り、金型に付着した汚れ（薄膜の樹脂残渣等）を二酸化
炭素（ＣＯ2）、水（Ｈ2Ｏ）、窒素（Ｎ2）等に分解し
て除去できる。この紫外線の照射時間は、一定間隔毎に
定期的に行なう場合は２０分程度であるが、各樹脂封止
後に常に実施する場合は、２０〜３０秒でよい。
た上金型１と、下金型２とを搬送し、紫外線照射ユニッ
ト１０にセットする。そして上下金型１，２の内側領域
に紫外線を照射する。この紫外線（ＵＶ）の照射によ
り、金型に付着した汚れ（薄膜の樹脂残渣等）を二酸化
炭素（ＣＯ2）、水（Ｈ2Ｏ）、窒素（Ｎ2）等に分解し
て除去できる。この紫外線の照射時間は、一定間隔毎に
定期的に行なう場合は２０分程度であるが、各樹脂封止
後に常に実施する場合は、２０〜３０秒でよい。
【００２４】次に動作Ｌとして、搬送機構により、紫外
線照射後の上下金型１，２を洗浄ブラシ１１を有したク
リーニングユニット１２に搬送し、上下金型１，２の内
側領域をブラシ洗浄し、樹脂分解残渣等を除去・洗浄す
る。
線照射後の上下金型１，２を洗浄ブラシ１１を有したク
リーニングユニット１２に搬送し、上下金型１，２の内
側領域をブラシ洗浄し、樹脂分解残渣等を除去・洗浄す
る。
【００２５】次に動作Ｍとして、ブラシ洗浄後の上下金
型１，２をクリーニングユニット１２から外部の待機エ
リアに搬出する。
型１，２をクリーニングユニット１２から外部の待機エ
リアに搬出する。
【００２６】次に動作Ｎとして、ブラシ洗浄後の下金型
２に対して、内蔵のプランジャー１４をポット部１３に
押し下げ、プランジャー１４を樹脂封止前の状態に戻
す。
２に対して、内蔵のプランジャー１４をポット部１３に
押し下げ、プランジャー１４を樹脂封止前の状態に戻
す。
【００２７】そして動作Ｏとして、搬送機構により、上
下金型１，２を前記動作Ａの時の処理開始の初期エリア
に搬送する。
下金型１，２を前記動作Ａの時の処理開始の初期エリア
に搬送する。
【００２８】以上のような、動作Ａ〜Ｏのサイクルを複
数の上金型と下金型との金型体を用いて順次繰り返すこ
とにより、樹脂の熱硬化のために金型体３を樹脂封止ユ
ニット内（プレス部７内）に停止させ、待機させること
がなく、また金型の洗浄のための装置の停止等をなく
し、連続で樹脂成形できるものである。すなわち、樹脂
封止した金型をプレス部７内に待機停止させることがな
く、封止した樹脂の熱硬化時間には、その金型自体をプ
レス部７の外部で待機させつつ、別の金型体で別の半導
体素子を搭載したリードフレームに対して樹脂封止を行
なうことができ、また金型の洗浄作業中も別の金型体で
別のリードフレームの樹脂封止を行なうことができるも
のである。
数の上金型と下金型との金型体を用いて順次繰り返すこ
とにより、樹脂の熱硬化のために金型体３を樹脂封止ユ
ニット内（プレス部７内）に停止させ、待機させること
がなく、また金型の洗浄のための装置の停止等をなく
し、連続で樹脂成形できるものである。すなわち、樹脂
封止した金型をプレス部７内に待機停止させることがな
く、封止した樹脂の熱硬化時間には、その金型自体をプ
レス部７の外部で待機させつつ、別の金型体で別の半導
体素子を搭載したリードフレームに対して樹脂封止を行
なうことができ、また金型の洗浄作業中も別の金型体で
別のリードフレームの樹脂封止を行なうことができるも
のである。
【００２９】なお、樹脂封止後の待機時間、すなわち熱
硬化に要する時間として、キュアタイム５０秒とし、リ
ードフレームを下金型へセットし、樹脂封止、待機、リ
ードフレームの取り出しの一連の工程を行なった場合、
本実施例ではサイクルタイムが４３秒であった。対して
従来の工程では、サイクルタイムが７３秒であった。ま
た装置の稼動効率としては、本実施例は９６％となり、
従来の９１％より５％程度向上できた。
硬化に要する時間として、キュアタイム５０秒とし、リ
ードフレームを下金型へセットし、樹脂封止、待機、リ
ードフレームの取り出しの一連の工程を行なった場合、
本実施例ではサイクルタイムが４３秒であった。対して
従来の工程では、サイクルタイムが７３秒であった。ま
た装置の稼動効率としては、本実施例は９６％となり、
従来の９１％より５％程度向上できた。
【００３０】以上、本実施例では、搬送可能な複数個の
金型を用い、さらに金型自体がその内部にプランジャー
を備えたものを用いて、半導体素子が搭載されたリード
フレームに対して樹脂封止を行なうことにより、樹脂封
止装置である半導体製造装置のプレス部（樹脂封止ユニ
ット）内に、樹脂の熱硬化のために金型を待機停止させ
ておく必要がなく、装置のプレス部の外部で熱硬化時間
を経過させることができ、その待機中に別の金型を用い
て樹脂封止することができ、生産効率を向上できる。ま
た金型の樹脂汚れも別に設けた紫外線照射ユニット、ク
リーニングユニットにより、別個に金型洗浄ができるた
め、金型をプレス部（樹脂封止ユニット）内に停止させ
る必要がなくなる。また金型自体（上下金型）は、熱硬
化樹脂を溶融させるのに充分な熱量を供給するヒーター
ブロックを有した金型ホルダーに装填されて、搬送を行
なうので、樹脂の溶融、熱硬化処理等には支障はない。
金型を用い、さらに金型自体がその内部にプランジャー
を備えたものを用いて、半導体素子が搭載されたリード
フレームに対して樹脂封止を行なうことにより、樹脂封
止装置である半導体製造装置のプレス部（樹脂封止ユニ
ット）内に、樹脂の熱硬化のために金型を待機停止させ
ておく必要がなく、装置のプレス部の外部で熱硬化時間
を経過させることができ、その待機中に別の金型を用い
て樹脂封止することができ、生産効率を向上できる。ま
た金型の樹脂汚れも別に設けた紫外線照射ユニット、ク
リーニングユニットにより、別個に金型洗浄ができるた
め、金型をプレス部（樹脂封止ユニット）内に停止させ
る必要がなくなる。また金型自体（上下金型）は、熱硬
化樹脂を溶融させるのに充分な熱量を供給するヒーター
ブロックを有した金型ホルダーに装填されて、搬送を行
なうので、樹脂の溶融、熱硬化処理等には支障はない。
【００３１】
【発明の効果】本発明は、搬送可能な複数個の金型を用
い、さらに金型自体が加熱機構と、その内部にプランジ
ャーを備えたものを用い、またその金型は固定されてい
るものではなく、搬送機構により搬送可能であるので、
この金型を用いて半導体素子が搭載されたリードフレー
ムに対して樹脂封止を行なうことにより、樹脂封止装置
である半導体製造装置のプレス部（樹脂封止ユニット）
内に、樹脂の熱硬化のために金型を待機停止させておく
必要がなく、装置のプレス部の外部の待機エリアで熱硬
化時間を経過させることができ、その待機中に別の金型
を用いて樹脂封止することができ、生産効率が向上す
る。また金型の樹脂汚れも別に設けた紫外線照射ユニッ
ト、クリーニングユニットにより、別個に金型洗浄がで
きるため、金型をプレス部（樹脂封止ユニット）内に停
止させる必要がなくなり、金型洗浄のための装置停止が
なくなり、生産効率が向上する。
い、さらに金型自体が加熱機構と、その内部にプランジ
ャーを備えたものを用い、またその金型は固定されてい
るものではなく、搬送機構により搬送可能であるので、
この金型を用いて半導体素子が搭載されたリードフレー
ムに対して樹脂封止を行なうことにより、樹脂封止装置
である半導体製造装置のプレス部（樹脂封止ユニット）
内に、樹脂の熱硬化のために金型を待機停止させておく
必要がなく、装置のプレス部の外部の待機エリアで熱硬
化時間を経過させることができ、その待機中に別の金型
を用いて樹脂封止することができ、生産効率が向上す
る。また金型の樹脂汚れも別に設けた紫外線照射ユニッ
ト、クリーニングユニットにより、別個に金型洗浄がで
きるため、金型をプレス部（樹脂封止ユニット）内に停
止させる必要がなくなり、金型洗浄のための装置停止が
なくなり、生産効率が向上する。
【図１】本発明の一実施例における半導体製造装置の構
成を示す図
成を示す図
【図２】本発明の一実施例における半導体製造装置の金
型を示す図
型を示す図
【図３】本発明の一実施例における半導体製造装置の動
作とともに半導体装置の製造方法を示す図
作とともに半導体装置の製造方法を示す図
１ 上金型 ２ 下金型 ３ 金型体 ４ 搬送機構 ５ 上プラテン ６ 下プラテン ７ プレス部 ８ 加圧装置 ９ プランジャーユニット １０ 紫外線照射ユニット １１ 洗浄ブラシ １２ クリーニングユニット １３ ポット部 １４ プランジャー １５ ヒーターブロック １６ 金型ホルダー １７ リードフレーム １８ 樹脂ペレット
Claims (2)
- 【請求項１】 初期エリアにおいて、加熱機構とプラン
ジャーとを有した金型ホルダーに装填された下金型に半
導体素子が搭載されたリードフレームと封止用樹脂を装
着し、加熱機構を有した金型ホルダーに装填された上金
型で閉じて金型体を形成する第１工程と、前記金型体を
前記金型ホルダーに装填された状態で前記初期エリアか
らプレスユニット内に搬送し、加熱・加圧して樹脂封止
する第２工程と、前記樹脂封止後の金型体を前記金型ホ
ルダーに装填された状態で前記プレスユニットより外部
の待機エリアに搬出する第３工程と、前記搬出後の金型
体を前記金型ホルダーに装填された状態で前記待機エリ
アで一定時間待機させる第４工程と、前記一定時間待機
後の金型体を開けて、樹脂封止した半導体リードフレー
ムを取り出す第５工程と、前記金型体を前記待機エリア
から前記初期エリアに搬送する第６工程とを有し、前記
第１工程〜第６工程を複数の金型体を用いて繰り返すこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 第５工程の後に、金型体を待機エリアか
ら紫外線照射ユニットに搬送し、金型体を構成している
上金型と下金型とに紫外線を照射する工程と、前記紫外
線照射後の上金型と下金型との金型体を紫外線照射ユニ
ットからクリーニングユニットに搬送し、前記上金型と
下金型とをブラシ洗浄して樹脂汚れを洗浄する工程とを
有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19737195A JP3165009B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19737195A JP3165009B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945714A JPH0945714A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3165009B2 true JP3165009B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=16373394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19737195A Expired - Fee Related JP3165009B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3165009B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09123206A (ja) * | 1995-10-30 | 1997-05-13 | Towa Kk | 電子部品の樹脂封止成形装置 |
| JP5314876B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2013-10-16 | アピックヤマダ株式会社 | 樹脂モールド装置および樹脂モールド方法 |
-
1995
- 1995-08-02 JP JP19737195A patent/JP3165009B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0945714A (ja) | 1997-02-14 |
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