JP7318927B2 - クリーニング用シート、半導体装置の製造方法およびクリーニング用シートの製造方法 - Google Patents
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Description
また、特許文献2、3に記載の技術には、クリーニング用シートとして紙を用いたもの、あるいは不織布を用いたものが開示されているが、単なる紙や不織布では、発塵性や耐摩耗性に関して問題がある。
クリーニング用シート100は、クリーニング樹脂成型時に樹脂洩れの恐れが無い厚さ約0.40mmのセルロースを主成分とする紙材にフェノール樹脂を含浸させ、このフェノール樹脂を含浸させた紙材を少なくとも200℃から300℃で所定時間加熱する処理を含む加熱処理によりフェノール樹脂を熱硬化させたものであり、不織布のようにクリーニング用樹脂が浸透または通過することはない。
具体的には、クリーニング用シート100は、紙材で構成され、紙材の表面層102から裏面層103に亘って、熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化させている。
但し、クリーニング用シート100本体の反りが微小な場合には、特段、当該開口部105A、105B、105C、105Dを設けなくともよい。
図2から図5を用いて、本実施形態に係るクリーニング用シートの製造方法について説明する。
なお、図3において、「M」は、ロール状紙材の搬送方向に直交する紙材幅方向の右端部を示し、「G」は、ロール状紙材の搬送方向に直交する紙材幅方向の左端部を示す。
また、「VC」は、ボルタリーコンテントの略であって、残存揮発分量を示し、本実験では、希釈液として用いたメタノールの残存量を示す。
一次硬化では、ロール状の紙材の搬送方向に対して、直交方向に設けられた上側ヒータと下側ヒータとによって、含浸工程を経たロール状の紙材に対して、熱硬化処理が行われる。このときの上側ヒータおよび下側ヒータ加熱温度はともに200℃である。
以下、図6から図11を用いて、クリーニング用シート100の物性評価の評価結果について、説明する。
試験試料として、(A)従来品と、(B)発明品とを用いて評価を行った。
ここで、従来品は、原紙名「NSA380(王子マテリア株式会社製)」であり、発明品は、原紙名「NSA380」に対して、上記の処理工程による処理を行ったものである。以下でも、同様に、「従来品」、「発明品」と記載する。
図6において、(A)は、従来品の断面画像はであり、(B)は、発明品の断面画像はである。
そのため、発明品の方が良好な特性を示していると言える。
図7に示すように、試験試料として、従来品と発明品と、を用いて評価を行った。
なお、このときの発明品の加工後厚みは、0.50mm、加工後重量は、412g/m2であった。
従来品のロックウェル硬さは、Rスケールで、5回の測定の結果、21(HRR)、20(HRR)、20(HRR)、23(HRR)、19(HRR)であり、その平均値は、21(HRR)であった。
発明品のロックウェル硬さは、Rスケールで、5回の測定の結果、45(HRR)、39(HRR)、48(HRR)、41(HRR)、41(HRR)であり、その平均値は、43(HRR)であった。
TG試験は、試料の温度を一定のプログラムに従って変化させながら、その試料の質量を温度の関数として測定する方法であり、試料を加熱または冷却した時に、試料の質量変化を連続的に測定する方法である。
この方法によれば、脱水・分解・酸化・還元などの化学変化、昇華・蒸発・吸脱着など質量変化を伴う物理変化が検出され、変化の前後の重量差(減量率)を求めることにより、定量的な測定が可能となる。
一方、DTA試験は、試料を加熱または冷却した際に起こる物理変化や化学変化に伴って試料内で発生する熱変化を基準物質との温度差として検出する手法である。
基準物質との温度差は、試料ホルダー感熱板に溶接された熱電対により検出され、分解、酸化、還元、脱水昇華、蒸発、吸着、脱着、転移、融解、凝固、結晶化硬化、ガラス転移のような挙動が検出できる。
また、当該発熱のピークは、発明品の方が含浸させ熱硬化させたフェノール樹脂の影響で高温域にシフトしている。
さらに、発明品の重量の減衰カーブも、含浸させ熱硬化させたフェノール樹脂の影響で従来品の減衰ポイントが発明品の減衰ポイントよりも速いタイミングでかつ低温域にあり、減衰カーブが急峻になっている。
試験試料として、従来品と、発明品を用いて評価を行った。
試験試料として、従来品と、発明品を用いて評価を行った。
1)クリーンルーム(清浄度;ISOクラス5(クラス100)中に設置したタンブリング式発塵試験機を空運転させ、試験機内が無塵状態であることを確認する工程。
2)試料を試験機のドラム内に投入し、試験機の運転を開始する工程。
3)試験機の運転開始30秒後から、1立方フィート/分の速度で、1分間ずつ計5回連続して測定し、最大値および最小値を除き、残りの測定値の平均値を発塵数とする工程。
の手順で行った。
0.5μm以上1μm未満の粒径の粒子数は、従来品で84.0個/sec(233個/ft3)、発明品で25.3個/sec(70個/ft3)、不織布で118個/sec(328個/ft3)であった。
1μm以上5μm未満の粒径の粒子数は、従来品で107個/sec(297個/ft3)、発明品で44.6個/sec(124個/ft3)、不織布で257個/sec(714個/ft3)であった。
5μm以上10μm未満の粒径の粒子数は、従来品で17.4個/sec(48個/ft3)、発明品で5.4個/sec(15個/ft3)、不織布で17.2個/sec(48個/ft3)であった。
10μm以上25μm未満の粒径の粒子数は、従来品で8.4個/sec(23個/ft3)、発明品で2.2個/sec(6個/ft3)、不織布で1.9個/sec(5個/ft3)であった。
25μm以上の粒径の粒子数は、従来品で0個/sec(0個/ft3)、発明品で0個/sec(0個/ft3)、不織布で0個/sec(0個/ft3)であった。
試験試料として、従来品と、発明品とを用いて評価を行った。
一方、発明品の試験前の重量は、12.5gであり、試験後の重量は、13.0gであって、試験前後の重量差は、0.5gであった。
このことから、従来品の方が発明品よりも吸水性が高く、逆に、発明品の方が従来品よりも撥水性が高いという評価結果を得た。
以下、半導体装置の製造方法について、図12から図22を用いて説明する。
なお、以下では、モールドを行う装置として、トランスファーモールド装置を例示して説明する。
上記モールドを終了した半導体装置であるQFP(Quad Flat Package)19は、アンローダ2に搬出されてここに収容される。
なお、キャビティ6の外側には、キャビティ6のエアーを外部に逃がして樹脂の充填を完全にするためのエアーベント14が形成されている。
ここで、図15、図16を用いて、本発明の半導体装置の製造方法によって製造された半導体装置の構造について説明する。
本実施の形態においては、リードフレームを用いた樹脂モールド形でかつ面実装形の半導体装置の一例として図15に示すQFP(Quad Flat Package)の場合について説明する。
QFPの構造は、半導体集積回路が形成された半導体チップ24を搭載する小タブ構造のタブ200とリードフレーム201(図17参照)から切断して形成されたインナーリード20およびアウターリード23と、半導体チップ24のボンディングパッド203とインナーリード20とを電気的に接続する金線ワイヤ21(金線以外の銅線などであってもよい)と、半導体チップ24および金線ワイヤ21などを樹脂モールドして形成された樹脂モールド部22とからなる。
また、半導体チップ24は銀ペーストなどの接合材202によってタブ200に固定されている。
そして、樹脂モールド部22の4辺から突出した複数のアウターリード23は、ガルウィング状に曲げ成型されている。
前記半導体装置の製造方法の特徴は、図12に示すトランスファーモールド装置を用いた半導体チップ24のモールド(樹脂モールド)工程と、図20に示すクリーニング用シート100を用いた前記トランスファーモールド装置のおけるモールド成型部28の内部のクリーニング工程とを有するものである。
まず、図17(a)に示すように、リードフレーム201を準備する。
図14には、前記リードフレーム201の平面図を示した。
なお、図示と説明の都合上インナーリード20およびアウターリード23は、部分的にしか図示していない。
ダイボンディング工程では、図17(b)に示すようにリードフレーム201のタブ200上に接合材202、例えば、銀含有のエポキシ系接着剤つまり銀ペーストを塗布する。
続いて、接合材202を塗布したタブ200上に図示しないコレットを使って半導体チップ24を搭載する。
その後、図17(d)に示すように、リードフレーム201に搭載された半導体チップ24と金線ワイヤ21などの半導体チップ24の周辺部とを、塵埃や湿度などの外的雰囲気や機械的衝撃から保護するために、樹脂を用いてモールドするモールド工程を行う。
図18に示すプランジャ10の上に、プレヒータによって加熱された固体状のタブレット212(モールド用樹脂)を投入し、その後、半導体チップ24とインナーリード20とがワイヤボンディングされたリードフレーム201を図12に示すローダ1からモールド金型5に搬送する。
その後、図19に示すように、溶融状態となった前記モールド用樹脂をプランジャ10によってカル7へ押し出すと、前記モールド用樹脂はランナー8およびゲート13を通ってキャビティ6内に前記モールド用樹脂が流入する。さらに、キャビティ6に充填された前記モールド用樹脂が、熱とキュアとにより熱硬化し、その後、第2金型4を下降移動すると型開きが行われる。
これにより、エジェクタピン12、16が突出して型開きを完了し、樹脂モールドされた外枠付き214半導体装置213の取り出しを行われる。
つまり、クリーニング用シート100の素材は、紙材であるため、超安価で、従来のダミーフレームと比べて、最大限の経済効果が得ることができる。
つまり、半導体用モールド金型の温度が170℃~180℃であることを考えれば、十分な耐熱性を有し、多種多様なモールド金型に最適なクリーニング用シートと言える。
このクリーニング用シート100は、紙枠シート評価試験において、従来品には認められる断面観察における毛羽立ちが認められないことから、従来の紙材からなるクリーニング用シートで課題であった使用時等の発塵の発生を大幅に抑制することが期待できる。
そのため、従来品よりも金型上での反りを低減することができ、多種多様なモールド金型に最適なクリーニング用シートと言える。
そのため、多種多様なモールド金型に最適なクリーニング用シートと言える。
そのため、従来品よりも金型上での反りを低減することができ、多種多様なモールド金型に最適なクリーニング用シートと言える。
そのため、従来品や不織布を基材とするクリーニング用シートで課題であった使用時等の発塵の発生を大幅に抑制することが期待できる。
つまり、クリーニング用シート100のいずれの加工断面においても、吸水性が低いことが明らかになったことから、在庫管理が極めて容易となる。
この特性に伴って、従来、シートへの水分の侵入を防ぐ目的で使用されていた防水用ろう紙による包装も不要となるため、コストダウンや工数の削減を図ることもできる。
2;アンローダ
3;第1金型
4;第2金型
5;モールド金型
6;キャビティ
7;カル
8;ランナー
9;ポット
10;プランジャ
11;エジェクタプレート
12;エジェクタピン
13;ゲート
14;エアーベント
15;エジェクタプレート
16;エジェクタピン
18;位置決めウェッチ
19;QFP(半導体装置)
20;インナーリード
21;金線ワイヤ
22;モールド部
23;アウターリード
24;半導体チップ
25;クリーニング用樹脂
26;合わせ面
28;モールド成型部
100;クリーニング用シート
101;開口部
102;表面層
103;裏面層
104;プレス抜き断面
105A;開口部
105B;開口部
105C;開口部
105D;開口部
106;把手部
200;タブ
201;リードフレーム
202;接合材
203;ボンディングパッド
213;樹脂モールドされた外枠付き半導体装置
214;外枠
Claims (5)
- 樹脂成形用金型面間に介在させ、クリーニング樹脂により、樹脂成形用金型面をクリーニングするクリーニング用シートであって、
セルロースを主成分とする紙材で構成され、前記紙材の表面層から裏面層に亘って、フェノール樹脂を9.1(プレプレグ比%)含浸して、200℃~230℃で所定時間加熱させることにより硬化させたことを特徴とするクリーニング用シート。 - リードフレームの搭載領域であるキャビティブロックとクリーニング樹脂を投入する複数のポットからなるポットホルダーとを有する一対の第1金型と第2金型とからなるモールド金型の前記第1金型と前記第2金型との間に配置されるクリーニング用シートであって、
前記第1金型と前記第2金型との間に配置された際に少なくとも前記キャビティブロックに対応する開口部を有することを特徴とする請求項1に記載のクリーニング用シート。 - 前記請求項1に記載のクリーニング用シートを用いて、リードフレームの搭載領域であるキャビティブロックと、樹脂を投入する複数のポットからなるポットホルダーと、を有する一対の第1金型と第2金型とからなるモールド金型の合わせ面をクリーニングする工程を含む半導体装置の製造方法であって、
前記第1金型と前記第2金型との間に配置された際に少なくとも前記キャビティブロックに対応する開口部を有する前記クリーニング用シートを準備する工程と、
前記クリーニング用シートを前記モールド金型に設置して前記第1金型と前記第2金型とによってクランプする工程と、
クリーニング用樹脂を前記ポットから供給し、クリーニング用樹脂を前記クリーニング用シートの開口部を通して前記キャビティブロックに充填させる工程と、
前記クリーニング用樹脂を硬化させた後、前記クリーニング用樹脂及び前記クリーニング用シートを前記モールド金型から離型する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置は、少なくとも、DIL-P、QFP、MAP、CSP、BGA、ダイオード、トランジスターを含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- セルロースを主成分とする紙材にフェノール樹脂を9.1(プレプレグ比%)含浸させる工程と、
該フェノール樹脂を含浸させた紙材を少なくとも200℃から230℃で所定時間加熱する処理を含む加熱処理をすることにより前記フェノール樹脂を硬化させる工程と、
を有することを特徴とするクリーニング用シートの製造方法。
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