JPH06186104A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂ケース内に組み込んだ半導体圧力センサ素
子の取付け姿勢，位置決めを適正化して品質の向上を図
るよううにした圧力センサの組立構造を提供する。 【構成】樹脂ケース３と、該ケースの上面に被着した蓋
６と、樹脂ケースに一体モールドしたリード端子列４
と、ケース内の底部側凹所３ａに収容して固定したガラ
ス台座２と、該台座上に装着した半導体圧力センサ素子
１と、該圧力センサ素子と前記リード端子列との間を接
続したボンディングワイヤ５を主要部として組立構成し
た半導体圧力センサにおいて、樹脂ケースの凹所内の底
面にガラス台座を担持する突起部３ｂを形成し、該突起
部を基準レベルに凹所内に接着剤８（硬化後の状態でゴ
ム弾性を有する自己接着性シリコーン接着剤）を充填し
てガラス台座を定位置に接着，固定する。
子の取付け姿勢，位置決めを適正化して品質の向上を図
るよううにした圧力センサの組立構造を提供する。 【構成】樹脂ケース３と、該ケースの上面に被着した蓋
６と、樹脂ケースに一体モールドしたリード端子列４
と、ケース内の底部側凹所３ａに収容して固定したガラ
ス台座２と、該台座上に装着した半導体圧力センサ素子
１と、該圧力センサ素子と前記リード端子列との間を接
続したボンディングワイヤ５を主要部として組立構成し
た半導体圧力センサにおいて、樹脂ケースの凹所内の底
面にガラス台座を担持する突起部３ｂを形成し、該突起
部を基準レベルに凹所内に接着剤８（硬化後の状態でゴ
ム弾性を有する自己接着性シリコーン接着剤）を充填し
てガラス台座を定位置に接着，固定する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、自動車搭載用などの用
途に適用される半導体圧力センサ、特にその組立構造に
関する。
途に適用される半導体圧力センサ、特にその組立構造に
関する。
【０００２】
【従来の技術】頭記した半導体圧力センサとして、シリ
コンチップのダイアフラム部に歪ゲージ抵抗を拡散形成
し、さらにその周辺に演算増幅器，および出力，温度特
性の調整用抵抗などを配置させたワンチップ集積形の半
導体圧力センサ素子を用いて構成したものが開発，製品
化されている。
コンチップのダイアフラム部に歪ゲージ抵抗を拡散形成
し、さらにその周辺に演算増幅器，および出力，温度特
性の調整用抵抗などを配置させたワンチップ集積形の半
導体圧力センサ素子を用いて構成したものが開発，製品
化されている。
【０００３】図１０はかかる半導体圧力センサ（大気圧
を測定する表面加圧形圧力センサの例）の従来における
組立構造を示すものである。図において、１は半導体圧
力センサ素子、１ａは真空圧に保持されたダイアフラム
室、２は圧力センサ素子１を搭載して接合したガラス台
座（熱膨張係数がシリコンに近いパイレックスガラスで
作られている）、３はモールド成形品として作られた皿
形の樹脂ケース、４は樹脂ケース３と一体モールドして
ケース側方に引出して配列したリード端子、５はリード
端子５と半導体圧力センサ素子１のチップ上面に並ぶ各
電極（ボンディングパッド）との間を接続したボンディ
ングワイヤ、６は樹脂ケース１の上面に被着した蓋、７
は半導体圧力センサ素子１，ボンディングワイヤ５など
の表面を封止して腐蝕などから保護するシリコーンゲル
である。
を測定する表面加圧形圧力センサの例）の従来における
組立構造を示すものである。図において、１は半導体圧
力センサ素子、１ａは真空圧に保持されたダイアフラム
室、２は圧力センサ素子１を搭載して接合したガラス台
座（熱膨張係数がシリコンに近いパイレックスガラスで
作られている）、３はモールド成形品として作られた皿
形の樹脂ケース、４は樹脂ケース３と一体モールドして
ケース側方に引出して配列したリード端子、５はリード
端子５と半導体圧力センサ素子１のチップ上面に並ぶ各
電極（ボンディングパッド）との間を接続したボンディ
ングワイヤ、６は樹脂ケース１の上面に被着した蓋、７
は半導体圧力センサ素子１，ボンディングワイヤ５など
の表面を封止して腐蝕などから保護するシリコーンゲル
である。
【０００４】ここで、前記構成における樹脂ケース３の
中央部分には凹所３ａが形成されており、この凹所内に
圧力センサ素子１とガラス台座２との組立体が収容さ
れ、ガラス台座２の底面と樹脂ケース３との間が凹所３
ａに充填した接着剤（エポキシ樹脂系）８にて接着，固
定されている。また、樹脂ケース３と蓋５との間は、接
合端面に接着剤（エポキシ樹脂系）９を塗布して両者間
が接合されており、かつ蓋６には大気圧の導圧孔６ａが
開口している。さらに、ボンディングワイヤ５は太さが
約５０μｍ程度のアルミ細線であり、通常は超音波ボン
ディング法により圧力センサ素子１のチップに並ぶ各電
極と、この電極に対応するリード端子３のインナーリー
ド部との間に跨がって接続されている。
中央部分には凹所３ａが形成されており、この凹所内に
圧力センサ素子１とガラス台座２との組立体が収容さ
れ、ガラス台座２の底面と樹脂ケース３との間が凹所３
ａに充填した接着剤（エポキシ樹脂系）８にて接着，固
定されている。また、樹脂ケース３と蓋５との間は、接
合端面に接着剤（エポキシ樹脂系）９を塗布して両者間
が接合されており、かつ蓋６には大気圧の導圧孔６ａが
開口している。さらに、ボンディングワイヤ５は太さが
約５０μｍ程度のアルミ細線であり、通常は超音波ボン
ディング法により圧力センサ素子１のチップに並ぶ各電
極と、この電極に対応するリード端子３のインナーリー
ド部との間に跨がって接続されている。
【０００５】なお、かかる半導体圧力センサの動作，お
よび回路調整法（ファンクショントリミングなど）につ
いては、よく知られているところであり、ここでは説明
を省く。
よび回路調整法（ファンクショントリミングなど）につ
いては、よく知られているところであり、ここでは説明
を省く。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した従
来の組立構造では、半導体圧力センサの組立，回路調
整，実使用時の取扱面などで次記のような問題点があ
る。 （１）図１０の構成では、樹脂ケース３に形成した凹部
３ａの底面はフラットであり、ここにガラス台座２を固
定する際には、まず凹所３ａに適当量の接着剤８を滴下
充填した後、接着剤８の上に圧力センサ素子１と組合わ
せたガラス台座２を載せて上方から適当な押圧力を加
え、接着剤８を硬化させて所定位置に固定するようにし
ている。
来の組立構造では、半導体圧力センサの組立，回路調
整，実使用時の取扱面などで次記のような問題点があ
る。 （１）図１０の構成では、樹脂ケース３に形成した凹部
３ａの底面はフラットであり、ここにガラス台座２を固
定する際には、まず凹所３ａに適当量の接着剤８を滴下
充填した後、接着剤８の上に圧力センサ素子１と組合わ
せたガラス台座２を載せて上方から適当な押圧力を加
え、接着剤８を硬化させて所定位置に固定するようにし
ている。
【０００７】しかしながら、前記の固定方法では、接着
剤８の充填量，押圧力が適正に管理されないと、余剰の
接着剤が凹所８から溢れ出て充電部に付着したり、ガラ
ス台座２の底面と凹所３ａとの間に介在する接着剤８の
層厚が薄すぎて接合不良になったりするほか、ガラス台
座２が所定位置から水平方向にずれ動いたり，取付け姿
勢が凹所３ａのフラット面に対して傾いたりすることが
ある。しかも、このような取付け位置のずれ，姿勢の傾
きが生じると、後の回路調整工程でフアンクショントリ
ミング（レーザトリミング）を行う際の作業に支障を来
す。
剤８の充填量，押圧力が適正に管理されないと、余剰の
接着剤が凹所８から溢れ出て充電部に付着したり、ガラ
ス台座２の底面と凹所３ａとの間に介在する接着剤８の
層厚が薄すぎて接合不良になったりするほか、ガラス台
座２が所定位置から水平方向にずれ動いたり，取付け姿
勢が凹所３ａのフラット面に対して傾いたりすることが
ある。しかも、このような取付け位置のずれ，姿勢の傾
きが生じると、後の回路調整工程でフアンクショントリ
ミング（レーザトリミング）を行う際の作業に支障を来
す。
【０００８】（２）樹脂ケース３に一体モールドして組
み込んだリード端子４は、該ケースの周壁貫通部でのみ
固定されており、ケース内方に突出したインナーリード
部は単に樹脂ケース３の底面上に担持されているにすぎ
ない。このために、圧力センサ素子１とリード端子４と
の間で超音波ボンディング法によりワイヤボンディング
を行うと、リード端子４がボンディングウエッジから加
わる超音波振動に共振する現象が生じてワイヤが適正に
ボンディングされなくなる問題が発生する。なお、この
ような共振現象は、インナーリード部のケース周壁から
の突出し長さ，超音波の振幅，周波数，およびボンディ
ングツールの押圧力などが相互に作用して発生する。
み込んだリード端子４は、該ケースの周壁貫通部でのみ
固定されており、ケース内方に突出したインナーリード
部は単に樹脂ケース３の底面上に担持されているにすぎ
ない。このために、圧力センサ素子１とリード端子４と
の間で超音波ボンディング法によりワイヤボンディング
を行うと、リード端子４がボンディングウエッジから加
わる超音波振動に共振する現象が生じてワイヤが適正に
ボンディングされなくなる問題が発生する。なお、この
ような共振現象は、インナーリード部のケース周壁から
の突出し長さ，超音波の振幅，周波数，およびボンディ
ングツールの押圧力などが相互に作用して発生する。
【０００９】（３）樹脂ケース３と蓋６との間の接着
は、ケースまたは蓋のいずれかの端面に接着剤９を塗布
した上でケース上に蓋を被せ、両者間に押圧力を加えな
がら接着剤を硬化させるようにしている。しかして、接
着剤９の塗布量，押圧力の管理が適正でないと、余剰の
接着剤９が樹脂ケース３の内外周面にはみ出して、ケー
ス内に注入したシリコンゲルと混触したり、ボンディン
グワイヤ５に付着したりするほか、ケース外周面側には
み出して外観を損なうといった不具合を引き起こす。
は、ケースまたは蓋のいずれかの端面に接着剤９を塗布
した上でケース上に蓋を被せ、両者間に押圧力を加えな
がら接着剤を硬化させるようにしている。しかして、接
着剤９の塗布量，押圧力の管理が適正でないと、余剰の
接着剤９が樹脂ケース３の内外周面にはみ出して、ケー
ス内に注入したシリコンゲルと混触したり、ボンディン
グワイヤ５に付着したりするほか、ケース外周面側には
み出して外観を損なうといった不具合を引き起こす。
【００１０】（４）半導体圧力センサ素子１のチップ上
に形成したボンディングパッド（電源電圧印加用の電極
Ｖcc, 出力電圧引出し用の電極Ｖo,接地用の電極GND な
ど)の配列順序は決まっているのに対して、樹脂ケース
３から引出した外部導出用のリード端子４の配列順序は
ユーザ側の仕様によって様々に変わる。このために、図
１０のように圧力センサ素子の各電極（ボンディングパ
ッド）と１対１に向かい合う配列でリード端子４を樹脂
ケース１から引出した構成では、圧力センサ素子１の電
極配列順序とユーザが指定したリード端子の配列順序と
が異なる場合には、当然のことながら素子の電極とリー
ド端子との間をワイヤボンディングする際にボンディン
グワイヤ同士がループ途中で交差し合うようになる。し
かも、ワイヤループが交差する箇所では、一方のワイヤ
の上を他方のワイヤが跨ぐように個々のワイヤループ高
さを変えなければならいためボンディングツールの移動
制御が厄介であるほか、ワイヤ垂れなどが生じた場合に
異極ワイヤの間で接触事故が生じるおそれがある。
に形成したボンディングパッド（電源電圧印加用の電極
Ｖcc, 出力電圧引出し用の電極Ｖo,接地用の電極GND な
ど)の配列順序は決まっているのに対して、樹脂ケース
３から引出した外部導出用のリード端子４の配列順序は
ユーザ側の仕様によって様々に変わる。このために、図
１０のように圧力センサ素子の各電極（ボンディングパ
ッド）と１対１に向かい合う配列でリード端子４を樹脂
ケース１から引出した構成では、圧力センサ素子１の電
極配列順序とユーザが指定したリード端子の配列順序と
が異なる場合には、当然のことながら素子の電極とリー
ド端子との間をワイヤボンディングする際にボンディン
グワイヤ同士がループ途中で交差し合うようになる。し
かも、ワイヤループが交差する箇所では、一方のワイヤ
の上を他方のワイヤが跨ぐように個々のワイヤループ高
さを変えなければならいためボンディングツールの移動
制御が厄介であるほか、ワイヤ垂れなどが生じた場合に
異極ワイヤの間で接触事故が生じるおそれがある。
【００１１】（５）圧力センサのパッケージタイプとし
て、ＤＩＬ（デュアル・イン・ラインタイプ）とＳＩＬ
（シングル・イン・ラインタイプ）とがあるが、従来の
構成では双方のタイプの間に互換性がなく、その対応策
が要望されている。 （６）図１０の構成で、半導体圧力センサ素子１，ボン
ディングワイヤ５の表面をシリコーンゲルで封止する場
合に、従来では樹脂ケース３の内方にシリコーンゲルを
一杯に注入した後、ケース内に上方から吸引ノズルを挿
入して余分なゲルを吸い取るようにしているが、この吸
出し作業を行う際に吸引ノズルが素子のチップ，ワイヤ
などに当たってチップの傷付き，ワイヤ切断などのトラ
ブルがしばしば発生することから、その対応策が望まれ
ている。
て、ＤＩＬ（デュアル・イン・ラインタイプ）とＳＩＬ
（シングル・イン・ラインタイプ）とがあるが、従来の
構成では双方のタイプの間に互換性がなく、その対応策
が要望されている。 （６）図１０の構成で、半導体圧力センサ素子１，ボン
ディングワイヤ５の表面をシリコーンゲルで封止する場
合に、従来では樹脂ケース３の内方にシリコーンゲルを
一杯に注入した後、ケース内に上方から吸引ノズルを挿
入して余分なゲルを吸い取るようにしているが、この吸
出し作業を行う際に吸引ノズルが素子のチップ，ワイヤ
などに当たってチップの傷付き，ワイヤ切断などのトラ
ブルがしばしば発生することから、その対応策が望まれ
ている。
【００１２】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、その目的は前記の各課題を解決して品質，信頼
性の向上が図れるようにした半導体圧力センサ、特にそ
の組立構造を提供することにある。
であり、その目的は前記の各課題を解決して品質，信頼
性の向上が図れるようにした半導体圧力センサ、特にそ
の組立構造を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は皿形の樹脂ケースと、該ケースの上面に被
着した蓋と、樹脂ケースに一体モールドしてケース側方
に引出したリード端子列と、ケース内の底部側に形成し
た凹所に収容して固定したガラス台座と、該台座上に装
着したワンチップ形の半導体圧力センサ素子と、該圧力
センサ素子の各電極と前記リード端子列との間を接続し
たボンディングワイヤとを主要部として組立てた半導体
圧力センサを対象に次記のように構成するものとする。
に、本発明は皿形の樹脂ケースと、該ケースの上面に被
着した蓋と、樹脂ケースに一体モールドしてケース側方
に引出したリード端子列と、ケース内の底部側に形成し
た凹所に収容して固定したガラス台座と、該台座上に装
着したワンチップ形の半導体圧力センサ素子と、該圧力
センサ素子の各電極と前記リード端子列との間を接続し
たボンディングワイヤとを主要部として組立てた半導体
圧力センサを対象に次記のように構成するものとする。
【００１４】（１）前記構成における凹所内の底面にガ
ラス台座を担持する突起部を形成し、該突起部を基準レ
ベルに凹所内に接着剤を充填してガラス台座を接着，固
定する。 （２）少なくともワイヤとのボンディング面を除いて、
リード端子のインナーリード部の周縁を樹脂ケースの樹
脂層内に埋没させて一体モールドする。
ラス台座を担持する突起部を形成し、該突起部を基準レ
ベルに凹所内に接着剤を充填してガラス台座を接着，固
定する。 （２）少なくともワイヤとのボンディング面を除いて、
リード端子のインナーリード部の周縁を樹脂ケースの樹
脂層内に埋没させて一体モールドする。
【００１５】（３）樹脂ケースと蓋との間の重なり合い
面に対し、ケース側の端面には周方向に沿ったリブ状突
起を設け、かつ蓋側にはリブ状突起より内周側の端面に
密着し合う突当段部，およびリブ状突起に対向して蓋側
の端面に接着剤溜りとなる周溝を設け、前記リブ状突起
よりも外周側の面域に接着剤を塗布して樹脂ケースと蓋
との間を接合する。
面に対し、ケース側の端面には周方向に沿ったリブ状突
起を設け、かつ蓋側にはリブ状突起より内周側の端面に
密着し合う突当段部，およびリブ状突起に対向して蓋側
の端面に接着剤溜りとなる周溝を設け、前記リブ状突起
よりも外周側の面域に接着剤を塗布して樹脂ケースと蓋
との間を接合する。
【００１６】（４）リード端子列の少なくとも一部のリ
ード端子については、そのインナーリード部の内端を直
角方向に延長して圧力センサ素子のチップの側縁と平行
な延長部を形成する。 （５）圧力センサ素子を中央に挟んでその左右両側にリ
ード端子を配列し、かつその一方の側のリード端子列を
半導体圧力センサ素子のファンクショントリミングの際
に外部測定装置との接続に供する調整用端子として、こ
れに対応する半導体圧力センサ素子側の電極との間をボ
ンディングワイヤで接続する。
ード端子については、そのインナーリード部の内端を直
角方向に延長して圧力センサ素子のチップの側縁と平行
な延長部を形成する。 （５）圧力センサ素子を中央に挟んでその左右両側にリ
ード端子を配列し、かつその一方の側のリード端子列を
半導体圧力センサ素子のファンクショントリミングの際
に外部測定装置との接続に供する調整用端子として、こ
れに対応する半導体圧力センサ素子側の電極との間をボ
ンディングワイヤで接続する。
【００１７】（６）樹脂ケース内にシリコーンゲルを注
入して半導体圧力センサ素子のチップ表面を封止した表
面加圧形の半導体圧力センサに対し、樹脂ケースの下面
側に大気圧の導圧孔を兼ねた余剰ゲル導出孔を穿孔す
る。 （７）前項（１）〜（６）の構造を併用して組立構成す
る。また、前記各項の構成に対しては、次記のような実
施態様がある。
入して半導体圧力センサ素子のチップ表面を封止した表
面加圧形の半導体圧力センサに対し、樹脂ケースの下面
側に大気圧の導圧孔を兼ねた余剰ゲル導出孔を穿孔す
る。 （７）前項（１）〜（６）の構造を併用して組立構成す
る。また、前記各項の構成に対しては、次記のような実
施態様がある。
【００１８】（８）前（１）において、ガラス台座を固
定する接着剤には、硬化後の状態でゴム弾性を有する自
己接着性シリコーン接着剤を用いる。 （９）前項（１）において、突起部の平面パターンをリ
ング形とする。 （１０）前項（９）において、リング状突起部の周上一
部にその内外周域を連通する切欠溝を形成する。
定する接着剤には、硬化後の状態でゴム弾性を有する自
己接着性シリコーン接着剤を用いる。 （９）前項（１）において、突起部の平面パターンをリ
ング形とする。 （１０）前項（９）において、リング状突起部の周上一
部にその内外周域を連通する切欠溝を形成する。
【００１９】（１１）前項（２）において、インナーリ
ード部の樹脂層への埋没深さを、リード板厚の1/4 〜２
倍の範囲に設定する。 （１２）前項（３）において、樹脂ケース，および蓋の
内外周縁部に対し、少なくとも外周端縁部にテーパ状の
面取りを施す。 （１３）前項（３）において、リブ状突起の外周面を垂
直面に対して外周側にオーバーハングさせる。
ード部の樹脂層への埋没深さを、リード板厚の1/4 〜２
倍の範囲に設定する。 （１２）前項（３）において、樹脂ケース，および蓋の
内外周縁部に対し、少なくとも外周端縁部にテーパ状の
面取りを施す。 （１３）前項（３）において、リブ状突起の外周面を垂
直面に対して外周側にオーバーハングさせる。
【００２０】（１４）前項（３）において、樹脂ケー
ス，蓋に対し、リブ状突起よりも外周寄りの面域に接着
剤と結着し合う突起を設ける。 （１５）前項（４）において、延長部に対し、そのワイ
ヤボンディング部を除いてリード上面を樹脂で被覆す
る。 （１６）前項（５）において、調整用端子として用いる
リード端子列を、圧力センサをプリント配線板へ実装す
る際の支持脚用に残してデュアル・イン・ライン・パッ
ケージに対応させる。
ス，蓋に対し、リブ状突起よりも外周寄りの面域に接着
剤と結着し合う突起を設ける。 （１５）前項（４）において、延長部に対し、そのワイ
ヤボンディング部を除いてリード上面を樹脂で被覆す
る。 （１６）前項（５）において、調整用端子として用いる
リード端子列を、圧力センサをプリント配線板へ実装す
る際の支持脚用に残してデュアル・イン・ライン・パッ
ケージに対応させる。
【００２１】（１７）前項（５）において、調整用端子
として用いるリード端子列を、圧力センサをプリント配
線板へ実装する際に切断してシングル・イン・ライン・
パッケージに対応させる。
として用いるリード端子列を、圧力センサをプリント配
線板へ実装する際に切断してシングル・イン・ライン・
パッケージに対応させる。
【００２２】
【作用】前記構成による作用を以下項目別に分けて述べ
る。前項（１）および（８）〜（１０）の構成におい
て、凹所内の底部に設けた突起部の高さに合わせて接着
剤を適量充填し、続いて半導体圧力センサ素子と一体化
したガラス台座を凹所内に挿入し、突起部の上に載置し
て上方から押しつければ、ガラス台座はその底面が部分
的に突起部の上に重なって水平姿勢に担持され、かつ突
起部を除いた面域でガラス台座の底面と凹所の底面との
間に接着剤が隙間なく充填されるとともに、ガラス台に
より押し出された余剰の接着剤は凹所内の残余スペース
内に逃げ込む。したがって、この状態で接着剤を硬化さ
せれば、ガラス台座は位置ずれ，姿勢の傾きなどを生じ
ることなく、所定位置に接着，固定される。ここで、接
着剤として硬化後もゴム弾性を有する自己接着性シリコ
ーン接着剤（例えば東芝シリコーン（株）の製品、商品
名：ＴＳＥ３２２）を用いれば、樹脂ケースとガラス台
座との間の熱膨張差による応力が接着剤自身で吸収され
るので、不当な歪が半導体圧力センサ素子に加わること
がない。
る。前項（１）および（８）〜（１０）の構成におい
て、凹所内の底部に設けた突起部の高さに合わせて接着
剤を適量充填し、続いて半導体圧力センサ素子と一体化
したガラス台座を凹所内に挿入し、突起部の上に載置し
て上方から押しつければ、ガラス台座はその底面が部分
的に突起部の上に重なって水平姿勢に担持され、かつ突
起部を除いた面域でガラス台座の底面と凹所の底面との
間に接着剤が隙間なく充填されるとともに、ガラス台に
より押し出された余剰の接着剤は凹所内の残余スペース
内に逃げ込む。したがって、この状態で接着剤を硬化さ
せれば、ガラス台座は位置ずれ，姿勢の傾きなどを生じ
ることなく、所定位置に接着，固定される。ここで、接
着剤として硬化後もゴム弾性を有する自己接着性シリコ
ーン接着剤（例えば東芝シリコーン（株）の製品、商品
名：ＴＳＥ３２２）を用いれば、樹脂ケースとガラス台
座との間の熱膨張差による応力が接着剤自身で吸収され
るので、不当な歪が半導体圧力センサ素子に加わること
がない。
【００２３】次に、前項（２）および（１１）の構成に
よれば、樹脂ケースの内方に突出したリード端子のイン
ナーリード部周縁が樹脂層が取り囲まれる形で埋設保持
される。したがって、超音波ボンディングの際に加わる
超音波振動でインナーリード部が共振することが回避さ
れ、ワイヤを適正にボンディングすることができる。な
お、インナーリード部の樹脂層への埋没深さを、リード
板厚の1/4 〜２倍の範囲に設定することで顕著な効果の
得られることが実験結果から確認されている。
よれば、樹脂ケースの内方に突出したリード端子のイン
ナーリード部周縁が樹脂層が取り囲まれる形で埋設保持
される。したがって、超音波ボンディングの際に加わる
超音波振動でインナーリード部が共振することが回避さ
れ、ワイヤを適正にボンディングすることができる。な
お、インナーリード部の樹脂層への埋没深さを、リード
板厚の1/4 〜２倍の範囲に設定することで顕著な効果の
得られることが実験結果から確認されている。
【００２４】また、前項（３）および（１２）〜（１
４）の構成において、樹脂ケースの端面外周域に接着剤
を塗布し、その上に蓋を被せて蓋側の突当段部がケース
側の端面に突き当たるまで押圧すると、接着剤はケース
と蓋の間の隙間に広がって両者間を接着する。この場合
に、隙間から内外の方向に押し出された余剰の接着剤の
うち、内周側に押し出された分は蓋側に設けた接着剤溜
り溝内に逃げ込むのでケース内部にはみ出すことがな
く、外周側に押し出された分は外周端縁の面取り部で囲
まれた拡大スペース内に収まるので、ケースの周面上に
はみ出すことがない。また、リブ状突起の外周面をオー
バーハング（オーバーハング角５〜１０゜）させておく
ことにより、蓋を嵌め込む際に接着剤を外周側へ押し出
す力が働いて内周側への広がりを抑えることができる。
さらに、ケース，蓋の外周側面域に設けた突起は接着剤
の中に突出して結着し、その投錨効果によりケースと蓋
との間に高い接着力を確保するように働く。
４）の構成において、樹脂ケースの端面外周域に接着剤
を塗布し、その上に蓋を被せて蓋側の突当段部がケース
側の端面に突き当たるまで押圧すると、接着剤はケース
と蓋の間の隙間に広がって両者間を接着する。この場合
に、隙間から内外の方向に押し出された余剰の接着剤の
うち、内周側に押し出された分は蓋側に設けた接着剤溜
り溝内に逃げ込むのでケース内部にはみ出すことがな
く、外周側に押し出された分は外周端縁の面取り部で囲
まれた拡大スペース内に収まるので、ケースの周面上に
はみ出すことがない。また、リブ状突起の外周面をオー
バーハング（オーバーハング角５〜１０゜）させておく
ことにより、蓋を嵌め込む際に接着剤を外周側へ押し出
す力が働いて内周側への広がりを抑えることができる。
さらに、ケース，蓋の外周側面域に設けた突起は接着剤
の中に突出して結着し、その投錨効果によりケースと蓋
との間に高い接着力を確保するように働く。
【００２５】また、前項（４）および（１５）の構成に
よれば、半導体圧力センサ素子のチップ側に並ぶ電極の
配列順序と、各電極に対応するリード端子の配列順序と
が異なる場合でも、チップの側縁と平行に沿ったインナ
ーリード部の延長部をワイヤボンディング部として利用
することにより、ワイヤ同士のループを途中で交差させ
ることなく、各ワイヤを相互に引き離した位置でセンサ
素子とリード端子との間にワイヤを張ることができる。
この場合にインナーリード部の延長部に対してボンディ
ング部以外の範囲を樹脂で被覆すれば（例えば樹脂ケー
スのモールドの際に樹脂内に埋め込む）、この部分の上
を跨る異極のワイヤが垂れ下がってもワイヤとリードと
が直接接触するようなトラブルが防げる。
よれば、半導体圧力センサ素子のチップ側に並ぶ電極の
配列順序と、各電極に対応するリード端子の配列順序と
が異なる場合でも、チップの側縁と平行に沿ったインナ
ーリード部の延長部をワイヤボンディング部として利用
することにより、ワイヤ同士のループを途中で交差させ
ることなく、各ワイヤを相互に引き離した位置でセンサ
素子とリード端子との間にワイヤを張ることができる。
この場合にインナーリード部の延長部に対してボンディ
ング部以外の範囲を樹脂で被覆すれば（例えば樹脂ケー
スのモールドの際に樹脂内に埋め込む）、この部分の上
を跨る異極のワイヤが垂れ下がってもワイヤとリードと
が直接接触するようなトラブルが防げる。
【００２６】また、前項（５）の構成によれば、調整用
端子列を通じて回路調整の際に必要な信号を外部に取り
出すことができる便宜性が得られるほか、回路調整が済
んだ後も前項（１６）のように調整用端子列をそのまま
残存しておけば、圧力センサの製品をプリント配線板に
搭載するに当たって、調整用端子列を支持脚としたＤＩ
Ｌパッケージとして製品をプリント配線板に実装するこ
とができる。これに対して、回路調整が済んだ後に樹脂
ケースから外方に突き出た調整用端子列を前項（１７）
のように切断しておけば、ＳＩＬパッケージとしてプリ
ント配線板に起立姿勢に実装することができるなど、同
じ製品をＤＩＬ，ＳＩＬのいずれにも対応可能となる。
端子列を通じて回路調整の際に必要な信号を外部に取り
出すことができる便宜性が得られるほか、回路調整が済
んだ後も前項（１６）のように調整用端子列をそのまま
残存しておけば、圧力センサの製品をプリント配線板に
搭載するに当たって、調整用端子列を支持脚としたＤＩ
Ｌパッケージとして製品をプリント配線板に実装するこ
とができる。これに対して、回路調整が済んだ後に樹脂
ケースから外方に突き出た調整用端子列を前項（１７）
のように切断しておけば、ＳＩＬパッケージとしてプリ
ント配線板に起立姿勢に実装することができるなど、同
じ製品をＤＩＬ，ＳＩＬのいずれにも対応可能となる。
【００２７】さらに、前項（６）の構成によれば、樹脂
ケース内にシリコーンゲルを注入した後に、余剰のゲル
が樹脂ケースの下面側に穿孔した導出孔を通じて自然に
流出する。したがって、吸引ノズルなどの治具を用いた
余剰ゲルの吸出し作業が不要となり、圧力センサ素子の
チップ，ワイヤの保護が図れる。また、この余剰ゲル導
出孔を大気圧の導圧孔と兼用にすれば、ケース蓋の上面
に開口している導圧孔の省略が可能であり、これにより
実使用時に蓋側の導圧孔を通じて周囲からケース内にご
み，塵埃などの異物が侵入して圧力センサ素子などに付
着するトラブルが防げる。
ケース内にシリコーンゲルを注入した後に、余剰のゲル
が樹脂ケースの下面側に穿孔した導出孔を通じて自然に
流出する。したがって、吸引ノズルなどの治具を用いた
余剰ゲルの吸出し作業が不要となり、圧力センサ素子の
チップ，ワイヤの保護が図れる。また、この余剰ゲル導
出孔を大気圧の導圧孔と兼用にすれば、ケース蓋の上面
に開口している導圧孔の省略が可能であり、これにより
実使用時に蓋側の導圧孔を通じて周囲からケース内にご
み，塵埃などの異物が侵入して圧力センサ素子などに付
着するトラブルが防げる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。なお、実施例の各図において、図１０と対応する
同一部材には同じ符号が付してある。まず、図１，図２
は本発明の請求項１〜４に対応する実施例の構成を示す
ものである。すなわち、図１（ａ）〜（ｃ）の構成にお
いては、樹脂ケース３の内部中央に形成した凹所３ａの
底面に平面パターンがリング状の突起部３ｂが形成され
ている。そして、突起部３ｂの上面が僅かに被る程度に
凹所３内に接着剤８を充填した後に、半導体圧力センサ
素子１と結合したガラス台座２を凹所３内に搬入し、前
記突起部３ｂの上に載せて上方から押し付ける。なお、
この場合に突起部３ｂの上面とガラス台座２の底面との
間に充填された接着剤８の層厚ａがａ≒0.１mmとなるよ
うに押圧力を管理し、この状態で接着剤８を硬化させて
ガラス台座２を接着，固定する。なお、ガラス台座２を
押圧した際に押し出された余剰の接着剤は凹所３の周壁
とガラス台座２の周面との間の残余スペースに逃げ込む
ので充電部側に溢れでることかない。また、前記の接着
剤８に硬化後のある程度のゴム弾性を有する自己接着性
シリコーン接着剤を採用すれば、実使用時のヒートサイ
クルでガラス台座２と樹脂ケース３との間に熱膨張差が
生じても、その応力は接着剤８に吸収されるので、ガラ
ス台座２，圧力センサ素子１に不当な歪を与えるおそれ
はない。
する。なお、実施例の各図において、図１０と対応する
同一部材には同じ符号が付してある。まず、図１，図２
は本発明の請求項１〜４に対応する実施例の構成を示す
ものである。すなわち、図１（ａ）〜（ｃ）の構成にお
いては、樹脂ケース３の内部中央に形成した凹所３ａの
底面に平面パターンがリング状の突起部３ｂが形成され
ている。そして、突起部３ｂの上面が僅かに被る程度に
凹所３内に接着剤８を充填した後に、半導体圧力センサ
素子１と結合したガラス台座２を凹所３内に搬入し、前
記突起部３ｂの上に載せて上方から押し付ける。なお、
この場合に突起部３ｂの上面とガラス台座２の底面との
間に充填された接着剤８の層厚ａがａ≒0.１mmとなるよ
うに押圧力を管理し、この状態で接着剤８を硬化させて
ガラス台座２を接着，固定する。なお、ガラス台座２を
押圧した際に押し出された余剰の接着剤は凹所３の周壁
とガラス台座２の周面との間の残余スペースに逃げ込む
ので充電部側に溢れでることかない。また、前記の接着
剤８に硬化後のある程度のゴム弾性を有する自己接着性
シリコーン接着剤を採用すれば、実使用時のヒートサイ
クルでガラス台座２と樹脂ケース３との間に熱膨張差が
生じても、その応力は接着剤８に吸収されるので、ガラ
ス台座２，圧力センサ素子１に不当な歪を与えるおそれ
はない。
【００２９】また、図２（ａ),（ｂ）は図１における突
起部３ｂの応用実施例を示すものであり、（ａ）図では
リング状の突起３ｂに対してその周上一部には切欠溝３
ｃが形成されている。この切欠溝３ｃは接着剤８の充填
後にガラス台座２を押しつけた際に押し出される余剰の
接着剤の逃げ溝として機能する。一方、（ｂ）図は突起
部３ｂが凹部３の底面に分散した複数本の柱で構成した
例を示す。
起部３ｂの応用実施例を示すものであり、（ａ）図では
リング状の突起３ｂに対してその周上一部には切欠溝３
ｃが形成されている。この切欠溝３ｃは接着剤８の充填
後にガラス台座２を押しつけた際に押し出される余剰の
接着剤の逃げ溝として機能する。一方、（ｂ）図は突起
部３ｂが凹部３の底面に分散した複数本の柱で構成した
例を示す。
【００３０】次に、図３（ａ）〜（ｄ）により本発明の
請求項５，６に対応した構造を説明する。すなわち、図
示構成においては、樹脂ケース３の周壁を貫通してケー
ス内方に突出したリード端子４のインナーリード部４ａ
は、上面を露呈させるととにも、その周縁を取り囲むよ
うに樹脂層内に埋没して樹脂ケース３と一体にモールド
されている。かかる構成により、リード端子４のインナ
ーリード４ａと樹脂ケース３とが強固に結合し合うの
で、超音波ボンディング法によりリード端子４とワイヤ
５とをボンディングする際にインナーリード部４ａが超
音波振動と共振することがなく、これによりワイヤ５が
適正にボンディングすることができる。
請求項５，６に対応した構造を説明する。すなわち、図
示構成においては、樹脂ケース３の周壁を貫通してケー
ス内方に突出したリード端子４のインナーリード部４ａ
は、上面を露呈させるととにも、その周縁を取り囲むよ
うに樹脂層内に埋没して樹脂ケース３と一体にモールド
されている。かかる構成により、リード端子４のインナ
ーリード４ａと樹脂ケース３とが強固に結合し合うの
で、超音波ボンディング法によりリード端子４とワイヤ
５とをボンディングする際にインナーリード部４ａが超
音波振動と共振することがなく、これによりワイヤ５が
適正にボンディングすることができる。
【００３１】なお、前記の構成で、樹脂層内に没入した
インナーリード部４ａの埋没深さｂは、リード端子４の
板厚をｔとして1/4t≦ｂ≦2tの範囲とすることで顕著な
効果の得られることが実験結果から確認されている。次
に、図４，図５により本発明の請求項７〜１０に対応し
た実施例の構造を説明する。まず、図４において、樹脂
ケース３と蓋６との間の重なり合い部に対し、樹脂ケー
ス３の端面中央には周方向に沿ってリブ状突起３ｄが起
立形成されている。また、蓋６には前記リブ状温気３ｄ
より内周側でケースの端面に当接し合う突当段部６ｂ、
およびリブ状突起３ｄに対向した部位に接着剤溜り溝６
ｃが形成されている。さらに、リブ状突起３ｄよりも外
周側に設定した接着剤９の塗布面域ではケース３と蓋６
との間には間隔ｃが確保してあり、かつその外周端縁に
はテーパ状に拡大した面取り部３ｅ，６ｅが形成されて
いる。
インナーリード部４ａの埋没深さｂは、リード端子４の
板厚をｔとして1/4t≦ｂ≦2tの範囲とすることで顕著な
効果の得られることが実験結果から確認されている。次
に、図４，図５により本発明の請求項７〜１０に対応し
た実施例の構造を説明する。まず、図４において、樹脂
ケース３と蓋６との間の重なり合い部に対し、樹脂ケー
ス３の端面中央には周方向に沿ってリブ状突起３ｄが起
立形成されている。また、蓋６には前記リブ状温気３ｄ
より内周側でケースの端面に当接し合う突当段部６ｂ、
およびリブ状突起３ｄに対向した部位に接着剤溜り溝６
ｃが形成されている。さらに、リブ状突起３ｄよりも外
周側に設定した接着剤９の塗布面域ではケース３と蓋６
との間には間隔ｃが確保してあり、かつその外周端縁に
はテーパ状に拡大した面取り部３ｅ，６ｅが形成されて
いる。
【００３２】かかる構成で、あらかじめ樹脂ケース３の
端面外周面域（リブ状突起３ｄの外周側）に接着剤９を
塗布した上で蓋９を被せると、蓋６の突当段部６ｂがリ
ブ状突起３ｄの内周側に嵌合してケースの端面に当接す
るとともに、接着剤９の余剰分は蓋６の押し付けにより
内外周に向けて押し出されるようになる。しかして、内
周側に向かって押し出された分は蓋側に設けた接着剤溜
り溝６ｃの内に逃げ込むので、接着剤９がケース内には
み出すことがない。また、外周側に押し出されれた分は
前記の面取り部３ｅと６ｄとの間に囲まれた拡大スペー
ス内に逃げ込み、かつ接着剤の表面張力によりスペース
内に保持されてケースの外周面よりはみ出すことがな
く、この状態で接着剤９を硬化することで樹脂ケース３
と蓋６との間が接着される。
端面外周面域（リブ状突起３ｄの外周側）に接着剤９を
塗布した上で蓋９を被せると、蓋６の突当段部６ｂがリ
ブ状突起３ｄの内周側に嵌合してケースの端面に当接す
るとともに、接着剤９の余剰分は蓋６の押し付けにより
内外周に向けて押し出されるようになる。しかして、内
周側に向かって押し出された分は蓋側に設けた接着剤溜
り溝６ｃの内に逃げ込むので、接着剤９がケース内には
み出すことがない。また、外周側に押し出されれた分は
前記の面取り部３ｅと６ｄとの間に囲まれた拡大スペー
ス内に逃げ込み、かつ接着剤の表面張力によりスペース
内に保持されてケースの外周面よりはみ出すことがな
く、この状態で接着剤９を硬化することで樹脂ケース３
と蓋６との間が接着される。
【００３３】また、図５は図４をさらに発展させた実施
例であり、この構造においては、まず図４で述べた面取
り部３ｅ，６ｄと同様な面取り部が樹脂ケース３，蓋６
の内周端縁側にも形成されており、万一接着剤９がリブ
状突起３ｄを乗り越えてケースの内周側に漏出した場合
にもケース内へのはみ出しを防止している。また、リブ
状突起３ｄは、その外周面が垂直面に対してオーバーハ
ング（オーバーハング角度ｄ＝５〜１０゜程度）してい
る。これにより、樹脂ケース３に蓋６を被せた際にリブ
状突起３ｄのオーバーハング外周面が接着剤９を外周側
に向けて押し出すように働くので、内周側への漏出を効
果的に防止できる。さらに、樹脂ケース３，および蓋６
に対して外周側の接合部位に図示のような突起３ｆ，６
ｅを設けておけば、該突起と接着剤９との間に働く投錨
効果により、ケースと蓋との間の接着力がより一層高ま
る。
例であり、この構造においては、まず図４で述べた面取
り部３ｅ，６ｄと同様な面取り部が樹脂ケース３，蓋６
の内周端縁側にも形成されており、万一接着剤９がリブ
状突起３ｄを乗り越えてケースの内周側に漏出した場合
にもケース内へのはみ出しを防止している。また、リブ
状突起３ｄは、その外周面が垂直面に対してオーバーハ
ング（オーバーハング角度ｄ＝５〜１０゜程度）してい
る。これにより、樹脂ケース３に蓋６を被せた際にリブ
状突起３ｄのオーバーハング外周面が接着剤９を外周側
に向けて押し出すように働くので、内周側への漏出を効
果的に防止できる。さらに、樹脂ケース３，および蓋６
に対して外周側の接合部位に図示のような突起３ｆ，６
ｅを設けておけば、該突起と接着剤９との間に働く投錨
効果により、ケースと蓋との間の接着力がより一層高ま
る。
【００３４】次に、図６，図７により本発明の請求項１
１，１２に対応した実施例の構造を説明する。まず、図
６（ａ),（ｂ）において、半導体圧力センサ素子１のチ
ップ側縁には左側から電極Ｖcc，Ｖo, GNDの順序で各電
極のボンディングパッドが一列に並んで配列している。
一方、チップに対向して側方に配列した３本のリード端
子４のうち、左側端のリード端子については、そのイン
ナーリード部の内端から直角方向に伸びた延長部４ｂが
形成されており、この延長部４ｂがチップの側縁に沿っ
て平行に延在している。
１，１２に対応した実施例の構造を説明する。まず、図
６（ａ),（ｂ）において、半導体圧力センサ素子１のチ
ップ側縁には左側から電極Ｖcc，Ｖo, GNDの順序で各電
極のボンディングパッドが一列に並んで配列している。
一方、チップに対向して側方に配列した３本のリード端
子４のうち、左側端のリード端子については、そのイン
ナーリード部の内端から直角方向に伸びた延長部４ｂが
形成されており、この延長部４ｂがチップの側縁に沿っ
て平行に延在している。
【００３５】かかるリード端子４の配列により、チップ
側の電極GND は右側端のリード端子にワイヤボンディン
グするものとして、左側端のリード端子の延長部４ｂを
利用してワイヤボンディングを行うことにより（ａ),あ
るいは（ｂ）図で示すようリード端子４の信号取出の配
列順序が異なる場合でも、ワイヤ５のループを交差させ
ることなくチップ側の各ボンディングパッドとの間にワ
イヤ５を配線できる。また、この場合にリード延長部４
ｂの中間部位（斜線を付した部分）の表面を例えば樹脂
ケースと一体モールドする際に樹脂層で覆うなどしてお
くことにより、該延長部４ｂの上を跨ぐワイヤ５が垂れ
下がっても異極間での接触事故が安全に回避される。
側の電極GND は右側端のリード端子にワイヤボンディン
グするものとして、左側端のリード端子の延長部４ｂを
利用してワイヤボンディングを行うことにより（ａ),あ
るいは（ｂ）図で示すようリード端子４の信号取出の配
列順序が異なる場合でも、ワイヤ５のループを交差させ
ることなくチップ側の各ボンディングパッドとの間にワ
イヤ５を配線できる。また、この場合にリード延長部４
ｂの中間部位（斜線を付した部分）の表面を例えば樹脂
ケースと一体モールドする際に樹脂層で覆うなどしてお
くことにより、該延長部４ｂの上を跨ぐワイヤ５が垂れ
下がっても異極間での接触事故が安全に回避される。
【００３６】また、図７（ａ),（ｂ）は図６の応用実施
例を示すものであり、（ａ）図では３本のリード端子４
のうち左側に並ぶ２本のリード端子については、チップ
側の電極Ｖcc，Ｖo の配列をカバーするような延長部４
ｂが形成されている。さらに、（ｂ）図では３本の各リ
ード端子４の全てにチップ側の電極Ｖcc，Ｖo, GNDの配
列ををカバーするように延長部４ｂが形成されている。
特に（ｂ）図の端子配列によれば、リード端子４からの
信号取出しの配列順序を、ボンディングワイヤ５をルー
プ途中で交差させることなく自由に設定できる図８
（ａ）〜（ｃ）は本発明の請求項１３〜１５に対応する
実施例を示すものである。この実施例においては、圧力
センサ素子１を収容した樹脂ケース３に対し、その一方
側 (左側) にはセンサ素子１のファンクショントリミン
グを行う際に外部測定装置との接続に供するリード端子
列４Ａ（端子記号Ｖpls, RMT,RMD)を、他方（右側）に
は実際の圧力測定に用いるリード端子列４Ｂ (端子記号
Ｖcc，Ｖo, GND) を配列してＤＩＬパッケージを構成し
ている。
例を示すものであり、（ａ）図では３本のリード端子４
のうち左側に並ぶ２本のリード端子については、チップ
側の電極Ｖcc，Ｖo の配列をカバーするような延長部４
ｂが形成されている。さらに、（ｂ）図では３本の各リ
ード端子４の全てにチップ側の電極Ｖcc，Ｖo, GNDの配
列ををカバーするように延長部４ｂが形成されている。
特に（ｂ）図の端子配列によれば、リード端子４からの
信号取出しの配列順序を、ボンディングワイヤ５をルー
プ途中で交差させることなく自由に設定できる図８
（ａ）〜（ｃ）は本発明の請求項１３〜１５に対応する
実施例を示すものである。この実施例においては、圧力
センサ素子１を収容した樹脂ケース３に対し、その一方
側 (左側) にはセンサ素子１のファンクショントリミン
グを行う際に外部測定装置との接続に供するリード端子
列４Ａ（端子記号Ｖpls, RMT,RMD)を、他方（右側）に
は実際の圧力測定に用いるリード端子列４Ｂ (端子記号
Ｖcc，Ｖo, GND) を配列してＤＩＬパッケージを構成し
ている。
【００３７】ここで、端子記号Ｖpls,RMT,RMD のリード
端子４は、それぞれ半導体圧力センサ素子１のチップに
形成した演算増幅器の中間出力，モニタ用薄膜抵抗，モ
ニタ用拡散抵抗にワイヤ５を介して接続された回路調整
端子として使用される。なお、モニタ用の薄膜抵抗，拡
散抵抗を使って行う半導体圧力センサ素子１の回路調整
法（ファンクショントリミング）については同じ出願人
より提案されている特開平３−１９０２７１号公報に詳
記されている。
端子４は、それぞれ半導体圧力センサ素子１のチップに
形成した演算増幅器の中間出力，モニタ用薄膜抵抗，モ
ニタ用拡散抵抗にワイヤ５を介して接続された回路調整
端子として使用される。なお、モニタ用の薄膜抵抗，拡
散抵抗を使って行う半導体圧力センサ素子１の回路調整
法（ファンクショントリミング）については同じ出願人
より提案されている特開平３−１９０２７１号公報に詳
記されている。
【００３８】このように回路調整端子用のリード端子列
をあらかじめ樹脂ケース３に設けておくことにより、外
部測定装置への信号の取出しが容易に行える。また、完
成した半導体圧力センサの製品をプリント配線板に搭載
する場合に、樹脂ケース３から引出した前記のリード端
子列４Ａをそのまま残しておけば、（ｂ）図のようにリ
ード端子列４Ａを支持脚としてプリント配線板１０に固
定することができるほか、（ｃ）図のようにリード端子
列４Ａを根元からＸ−Ｘ線に沿って切断すれば、ＳＩＬ
パッケージとしての使用にも対応できる。
をあらかじめ樹脂ケース３に設けておくことにより、外
部測定装置への信号の取出しが容易に行える。また、完
成した半導体圧力センサの製品をプリント配線板に搭載
する場合に、樹脂ケース３から引出した前記のリード端
子列４Ａをそのまま残しておけば、（ｂ）図のようにリ
ード端子列４Ａを支持脚としてプリント配線板１０に固
定することができるほか、（ｃ）図のようにリード端子
列４Ａを根元からＸ−Ｘ線に沿って切断すれば、ＳＩＬ
パッケージとしての使用にも対応できる。
【００３９】次に、図９に本発明の請求項１６に対応す
る実施例の構成を示す。この実施例においては、樹脂ケ
ース３の底面側に導圧孔を兼ねた余剰ゲル導出孔３ｇが
開口している。かかる構成により、回路組立後（蓋６の
装着前）に樹脂ケース３の中に封止用のシリコーンゲル
７を上方から注入すると、半導体圧力センサ素子１のチ
ップ，ガラス台座２，ワイヤ５の表面をコートした後、
余剰のゲルは前記の導出孔３ｇを通じてケースの外部へ
自重式に流出する。したがって、従来のように吸引ノズ
ルなどの治具を用いて余剰ゲルを吸い取る作業が不要で
あり、このノズル吸出し作業に伴うチップの傷付き，ワ
イヤ切断などのトラブルを回避できる。また、この余剰
ゲル導出孔３ｇを圧力センサの実使用時に導圧孔として
利用すれば、図１０のように蓋６の上面に導圧孔６ａを
開口した構造と比べて、ケース内に周囲からゴミ，塵埃
などが侵入するのを防止する上でも有利である。
る実施例の構成を示す。この実施例においては、樹脂ケ
ース３の底面側に導圧孔を兼ねた余剰ゲル導出孔３ｇが
開口している。かかる構成により、回路組立後（蓋６の
装着前）に樹脂ケース３の中に封止用のシリコーンゲル
７を上方から注入すると、半導体圧力センサ素子１のチ
ップ，ガラス台座２，ワイヤ５の表面をコートした後、
余剰のゲルは前記の導出孔３ｇを通じてケースの外部へ
自重式に流出する。したがって、従来のように吸引ノズ
ルなどの治具を用いて余剰ゲルを吸い取る作業が不要で
あり、このノズル吸出し作業に伴うチップの傷付き，ワ
イヤ切断などのトラブルを回避できる。また、この余剰
ゲル導出孔３ｇを圧力センサの実使用時に導圧孔として
利用すれば、図１０のように蓋６の上面に導圧孔６ａを
開口した構造と比べて、ケース内に周囲からゴミ，塵埃
などが侵入するのを防止する上でも有利である。
【００４０】なお、前記実施例の説明では、圧力センサ
の組立構造を各部に分けて説明したが、実際の製品には
これら各構造を組合わせて構成するものとする。
の組立構造を各部に分けて説明したが、実際の製品には
これら各構造を組合わせて構成するものとする。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたように本発明の構成によれば
次記の効果を奏する。 （１）請求項１〜４の構成によれば、半導体圧力センサ
素子，ガラス台座を樹脂ケースへ組み込む際に、その取
付け姿勢，位置決めを適正に行うことがてきるほか、接
着剤のゴム弾性を利用することでセンサ素子へ不要な歪
の影響が及ぶのを防止できる。
次記の効果を奏する。 （１）請求項１〜４の構成によれば、半導体圧力センサ
素子，ガラス台座を樹脂ケースへ組み込む際に、その取
付け姿勢，位置決めを適正に行うことがてきるほか、接
着剤のゴム弾性を利用することでセンサ素子へ不要な歪
の影響が及ぶのを防止できる。
【００４２】（２）請求項５，６の構成により、超音波
ボンディング法を採用してリード端子にワイヤをボンデ
ィングする際に、不要なリードの共振を抑えてワイヤボ
ンディングを適正に行うことができる。 （３）請求項７〜１０の構成によれば、接着剤がケース
の内外周面側にへはみ出すのを巧みに回避しつつ、樹脂
ケースと蓋との間を強固に接合することかできる。
ボンディング法を採用してリード端子にワイヤをボンデ
ィングする際に、不要なリードの共振を抑えてワイヤボ
ンディングを適正に行うことができる。 （３）請求項７〜１０の構成によれば、接着剤がケース
の内外周面側にへはみ出すのを巧みに回避しつつ、樹脂
ケースと蓋との間を強固に接合することかできる。
【００４３】（４）請求項１１〜１２の構成を採用する
ことにより、半導体圧力センサ素子の各電極とリード端
子列との間をワイヤで接続する際に、ボンディングワイ
ヤ同士の間でループを交差させることなく、リード端子
の多様な配列にも対応させることができる。 （５）請求項１３〜１５の構成によれば、半導体圧力セ
ンサ素子の回路調整作業に便宜性を与えるほか、圧力セ
ンサの製品をプリント配線板に搭載する際には、デュア
ル・イン・ライン・パッケージ，あるいはシングル・イ
ン・ライン・パッケージとしての対応が可能となる。
ことにより、半導体圧力センサ素子の各電極とリード端
子列との間をワイヤで接続する際に、ボンディングワイ
ヤ同士の間でループを交差させることなく、リード端子
の多様な配列にも対応させることができる。 （５）請求項１３〜１５の構成によれば、半導体圧力セ
ンサ素子の回路調整作業に便宜性を与えるほか、圧力セ
ンサの製品をプリント配線板に搭載する際には、デュア
ル・イン・ライン・パッケージ，あるいはシングル・イ
ン・ライン・パッケージとしての対応が可能となる。
【００４４】（６）請求項１６の構成によれば、ケース
内に組み込まれた圧力センサ素子，ボンディングワイヤ
などの表面にシリコーンゲルを塗布して封止する作業工
程で、吸引ノズルなどの治具を使用せずにケース内に注
入したシリコーンゲルの余剰分をケース外に排出できる
ほか、実使用時には外部からケース内にゴミ，塵埃など
が侵入するのを良好に防げる利点も得られる。
内に組み込まれた圧力センサ素子，ボンディングワイヤ
などの表面にシリコーンゲルを塗布して封止する作業工
程で、吸引ノズルなどの治具を使用せずにケース内に注
入したシリコーンゲルの余剰分をケース外に排出できる
ほか、実使用時には外部からケース内にゴミ，塵埃など
が侵入するのを良好に防げる利点も得られる。
【図１】本発明の実施例による樹脂ケース内の底部構造
を表す図であり、（ａ）は樹脂ケースの平面図、（ｂ）
は側断面図、（ｃ）はガラス台座の装着状態図
を表す図であり、（ａ）は樹脂ケースの平面図、（ｂ）
は側断面図、（ｃ）はガラス台座の装着状態図
【図２】図１の応用実施例を表す図であり、（ａ),
（ｂ）はそれぞれ突起部の異なる平面パターン図
（ｂ）はそれぞれ突起部の異なる平面パターン図
【図３】本発明の実施例による樹脂ケースへのリード端
子の組み込み構造を表す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）図の側断面図、（ｃ),（ｄ）はそれぞれ
樹脂層への埋没深さが異なる例のリード端子の断面図
子の組み込み構造を表す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）図の側断面図、（ｃ),（ｄ）はそれぞれ
樹脂層への埋没深さが異なる例のリード端子の断面図
【図４】本発明の実施例による樹脂ケースと蓋との間の
接合構造を表す断面図
接合構造を表す断面図
【図５】図４の応用実施例を表す接合構造の断面図
【図６】本発明の実施例による半導体圧力センサ素子に
対するリード端子列の配列パターンを表す図であり、
（ａ),（ｂ）はそれぞれ異なる信号取出しの配列に対応
したボンディングワイヤの配線図
対するリード端子列の配列パターンを表す図であり、
（ａ),（ｂ）はそれぞれ異なる信号取出しの配列に対応
したボンディングワイヤの配線図
【図７】図６の応用実施例によるリード端子列の配列パ
ターンを表す図であり、（ａ),（ｂ）は異なるパターン
に形成したリード端子の配列図
ターンを表す図であり、（ａ),（ｂ）は異なるパターン
に形成したリード端子の配列図
【図８】本発明の実施例によるＤＩＬパッケージのリー
ド端子の配列を表す図であり、（ａ）平面図、（ｂ）は
ＤＩＬに対応したプリント配線板への搭載図、（ｃ）は
ＳＩＬに対応したプリント配線板への搭載図
ド端子の配列を表す図であり、（ａ）平面図、（ｂ）は
ＤＩＬに対応したプリント配線板への搭載図、（ｃ）は
ＳＩＬに対応したプリント配線板への搭載図
【図９】樹脂ケース側に余剰ゲル導出孔を穿孔した本発
明の実施例を表す圧力センサの構成断面図
明の実施例を表す圧力センサの構成断面図
【図１０】従来における半導体圧力センサの組立構成図
であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）図の部分平面
図
であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）図の部分平面
図
１ 半導体圧力センサ素子 ２ ガラス台座 ３ 樹脂ケース ３ａ 凹所 ３ｂ 突起部 ３ｃ 切欠溝 ３ｄ リブ状突起 ３ｅ 面取り部 ３ｆ 突起 ３ｇ 余剰ゲル導出孔 ４ リード端子 ４ａ インナーリード部 ４ｂ 延長部 ４Ａ 調整用端子用のリード端子列 ５ ボンディングワイヤ ６ 蓋 ６ｂ 突当段部 ６ｃ 接着剤溜り溝 ６ｄ 面取り部 ６ｅ 突起 ７ シリコーンゲル ８ 接着剤 ９ 接着剤 ｔ リード端子の板厚 ｂ インナーリード部の樹脂層への埋没深さ ｄ゜ リブ状突起のオーバーハング角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 克己 神奈川県川崎市川崎区田辺新田１番１号 富士電機株式会社内
Claims (17)
- 【請求項１】皿形の樹脂ケースと、該ケースの上面に被
着した蓋と、樹脂ケースに一体モールドしてケース側方
に引出したリード端子列と、ケース内の底部側に形成し
た凹所に収容して固定したガラス台座と、該台座上に装
着したワンチップ形の半導体圧力センサ素子と、該圧力
センサ素子の各電極と前記リード端子列との間を接続し
たボンディングワイヤを主要部として組立構成した半導
体圧力センサにおいて、前記凹所内の底面にガラス台座
を担持する突起部を形成し、該突起部を基準レベルに凹
所内に接着剤を充填してガラス台座を接着，固定したこ
とを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体圧力センサにおい
て、ガラス台座を固定する接着剤が、硬化後の状態でゴ
ム弾性を有する自己接着性シリコーン接着剤であること
を特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項３】請求項１記載の半導体圧力センサにおい
て、突起部の平面パターンがリング形であることを特徴
とする半導体圧力センサ - 【請求項４】請求項３記載の半導体圧力センサにおい
て、リング状突起部の周上一部にその内外周域を連通す
る切欠溝を形成したことを特徴とする半導体圧力セン
サ。 - 【請求項５】皿形の樹脂ケースと、該ケースの上面に被
着した蓋と、樹脂ケースに一体モールドしてケース側方
に引出したリード端子列と、ケース内の底部側に形成し
た凹所に収容して固定したガラス台座と、該台座上に装
着したワンチップ形の半導体圧力センサ素子と、該圧力
センサ素子の各電極と前記リード端子列との間を接続し
たボンディングワイヤを主要部として組立構成した半導
体圧力センサにおいて、少なくともワイヤとのボンディ
ング面を除いて、リード端子のインナーリード部の周縁
を樹脂ケースの樹脂層内に埋没させて一体モールドした
ことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項６】請求項５記載の半導体圧力センサにおい
て、インナーリード部の樹脂層への埋没深さを、リード
板厚の1/4 〜２倍の範囲に設定したことを特徴とする半
導体圧力センサ。 - 【請求項７】皿形の樹脂ケースと、該ケースの上面に被
着した蓋と、樹脂ケースに一体モールドしてケース側方
に引出したリード端子列と、ケース内の底部側に形成し
た凹所に収容して固定したガラス台座と、該台座上に装
着したワンチップ形の半導体圧力センサ素子と、該圧力
センサ素子の各電極と前記リード端子列との間を接続し
たボンディングワイヤを主要部として組立構成した半導
体圧力センサにおいて、樹脂ケースと蓋との間の重なり
合い面に対し、ケース側の端面には周方向に沿ったリブ
状突起を設け、かつ蓋側にはリブ状突起より内周側の端
面に密着し合う突当段部，およびリブ状突起に対向して
蓋側の端面に接着剤溜りとなる周溝を設け、前記リブ状
突起よりも外周側の面域に接着剤を塗布して樹脂ケース
と蓋との間を接合したことを特徴とする半導体圧力セン
サ。 - 【請求項８】請求項７記載の半導体圧力センサにおい
て、樹脂ケース，および蓋の内外周縁部に対し、少なく
とも外周端縁部にテーパ状の面取りを施したことを特徴
とする半導体圧力センサ。 - 【請求項９】請求項７記載の半導体圧力センサにおい
て、リブ状突起の外周面を垂直面に対して外周側にオー
バーハングさせたことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項１０】請求項７記載の半導体圧力センサにおい
て、樹脂ケース，蓋に対し、リブ状突起よりも外周寄り
の面域に接着剤と結着し合う突起を設けたことを特徴と
する半導体圧力センサ。 - 【請求項１１】皿形の樹脂ケースと、該ケースの上面に
被着した蓋と、樹脂ケースに一体モールドしてケース側
方に引出したリード端子列と、ケース内の底部側に形成
した凹所に収容して固定したガラス台座と、該台座上に
装着したワンチップ形の半導体圧力センサ素子と、該圧
力センサ素子の各電極と前記リード端子列との間を接続
したボンディングワイヤを主要部として組立構成した半
導体圧力センサにおいて、リード端子列の少なくとも一
部のリード端子については、そのインナーリード部の内
端を直角方向に延長して圧力センサ素子のチップの側縁
と平行な延長部を形成したことを特徴とする半導体圧力
センサ。 - 【請求項１２】請求項１１記載の半導体圧力センサにお
いて、延長部に対し、そのワイヤボンディング部を除い
てリード上面を樹脂で被覆したことを特徴とする半導体
圧力センサ。 - 【請求項１３】皿形の樹脂ケースと、該ケースの上面に
被着した蓋と、樹脂ケースに一体モールドしてケース側
方に引出したリード端子列と、ケース内の底部側に形成
した凹所に収容して固定したガラス台座と、該台座上に
装着したワンチップ形の半導体圧力センサ素子と、該圧
力センサ素子の各電極と前記リード端子列との間を接続
したボンディングワイヤを主要部として組立構成した半
導体圧力センサにおいて、圧力センサ素子を中央に挟ん
でその左右両側にリード端子を配列し、かつその一方の
側のリード端子列を半導体圧力センサ素子のファンクシ
ョントリミングの際に外部測定装置との接続に供する調
整用端子として、これに対応する半導体圧力センサ素子
側の電極との間をボンディングワイヤで接続したことを
特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項１４】請求項１３記載の半導体圧力センサにお
いて、調整用端子として用いるリード端子列を、圧力セ
ンサをプリント配線板へ実装する際の支持脚用に残して
デュアル・イン・ライン・パッケージに対応させたこと
を特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項１５】請求項１３記載の半導体圧力センサにお
いて、調整用端子として用いるリード端子列を、圧力セ
ンサをプリント配線板へ実装する際に切断してシングル
・イン・ライン・パッケージに対応させたことを特徴と
する半導体圧力センサ。 - 【請求項１６】皿形の樹脂ケースと、該ケースの上面に
被着した蓋と、樹脂ケースに一体モールドしてケース側
方に引出したリード端子列と、ケース内の底部側に形成
した凹所に収容して固定したガラス台座と、該台座上に
装着したワンチップ形の半導体圧力センサ素子と、該圧
力センサ素子の各電極と前記リード端子列との間を接続
したボンディングワイヤを主要部として組立構成し、さ
らに樹脂ケース内にシリコーンゲルを注入して半導体圧
力センサ素子，ボンディングワイヤなどの表面を封止し
た表面加圧形の半導体圧力センサにおいて、樹脂ケース
の下面側に大気圧の導圧孔を兼ねた余剰ゲル導出孔を穿
孔したことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項１７】請求項１，５，７，１１，１３，１６の
各項に記載の構造を併用して組立構成したことを特徴と
する半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04340809A JP3114403B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04340809A JP3114403B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06186104A true JPH06186104A (ja) | 1994-07-08 |
| JP3114403B2 JP3114403B2 (ja) | 2000-12-04 |
Family
ID=18340496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04340809A Expired - Lifetime JP3114403B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3114403B2 (ja) |
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10170367A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-26 | Denso Corp | 半導体式圧力センサ |
| US5986316A (en) * | 1997-11-26 | 1999-11-16 | Denso Corporation | Semiconductor type physical quantity sensor |
| JP2000337987A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力センサ装置 |
| JP2001165799A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-06-22 | Motorola Inc | 物理センサの構成装置 |
| JP2002098709A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
| JP2003133626A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子用パッケージ及び発光素子の封止方法 |
| JP2007040950A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-02-15 | Denso Corp | センサ装置 |
| JP2007199049A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
| US7260992B2 (en) | 2002-01-18 | 2007-08-28 | Hitachi, Ltd. | Pressure sensor, flowmeter electronic component, and method for manufacturing the same |
| JP2009010170A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Mitsubishi Electric Corp | 回路モジュールとその製造方法 |
| WO2009150796A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | パナソニック株式会社 | アタッチメント部材と、これを用いた慣性センサ装置、自動車、及びカーナビゲーション装置 |
| US7686651B2 (en) | 2006-04-20 | 2010-03-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Sensor apparatus |
| US7772658B2 (en) | 2006-09-04 | 2010-08-10 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| JP2012227217A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電子制御装置 |
| JP2013537967A (ja) * | 2010-09-01 | 2013-10-07 | キストラー ホールディング アクチエンゲゼルシャフト | ピエゾ抵抗センサ・チップ素子を有する圧力センサ |
| JP2014228295A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ装置 |
| WO2015059301A1 (fr) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | Auxitrol S.A. | Capteur de pression comprenant une structure de contrôle d'une couche d'adhésif résistante aux variations de températures |
| JP2018505064A (ja) * | 2015-02-06 | 2018-02-22 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッドＭｋｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 応力軽減ｍｅｍｓ構造及びパッケージ |
| JP2018155621A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
| KR20180112624A (ko) * | 2017-04-04 | 2018-10-12 | 주식회사 오토닉스 | 센서 |
| JP2019155566A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 新日本無線株式会社 | Ｍｅｍｓ素子およびその実装構造 |
| WO2019181410A1 (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | アルプスアルパイン株式会社 | 圧力センサ |
| CN110573852A (zh) * | 2017-01-18 | 2019-12-13 | 株式会社鹭宫制作所 | 压力传感器 |
| JP2020004870A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 株式会社クボタ | 電気部品収容ケースの組付構造 |
| US10928263B2 (en) | 2018-03-13 | 2021-02-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Sensor device having adhesive between sensor portion and casing portion |
| US10962434B2 (en) | 2018-03-13 | 2021-03-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Sensor device utilizing adhesives and manufacturing method thereof |
| US11088586B2 (en) * | 2017-02-03 | 2021-08-10 | Nidec Corporation | Motor |
| WO2021260992A1 (ja) * | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
| DE102022118847A1 (de) | 2021-09-10 | 2023-03-16 | Denso Wave Incorporated | Anbringungsstruktur für eine Sensorvorrichtung |
| US11940347B2 (en) | 2019-04-26 | 2024-03-26 | Denso Corporation | Pressure sensor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7251510B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-04-04 | 株式会社デンソー | 蒸発燃料漏れ検査装置の圧力センサ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57108632A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-06 | Hitachi Ltd | Pressure sensor |
| JPS57125828A (en) * | 1981-01-29 | 1982-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor pressure sensor for car |
| JPS62203381A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力検出装置 |
| JPH0238831A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Nec Corp | 半導体用ステム |
-
1992
- 1992-12-22 JP JP04340809A patent/JP3114403B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57108632A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-06 | Hitachi Ltd | Pressure sensor |
| JPS57125828A (en) * | 1981-01-29 | 1982-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor pressure sensor for car |
| JPS62203381A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力検出装置 |
| JPH0238831A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Nec Corp | 半導体用ステム |
Cited By (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10170367A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-26 | Denso Corp | 半導体式圧力センサ |
| US5986316A (en) * | 1997-11-26 | 1999-11-16 | Denso Corporation | Semiconductor type physical quantity sensor |
| JP2000337987A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | 圧力センサ装置 |
| JP2001165799A (ja) * | 1999-10-28 | 2001-06-22 | Motorola Inc | 物理センサの構成装置 |
| JP2002098709A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
| JP2003133626A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子用パッケージ及び発光素子の封止方法 |
| US7260992B2 (en) | 2002-01-18 | 2007-08-28 | Hitachi, Ltd. | Pressure sensor, flowmeter electronic component, and method for manufacturing the same |
| DE10392224T5 (de) | 2002-01-18 | 2011-06-16 | Hitachi, Ltd. | Drucksensor, Elektroikkomponente für Durchflussmesser und Verfahren zum Herstellen derselben |
| JP2007040950A (ja) * | 2005-06-29 | 2007-02-15 | Denso Corp | センサ装置 |
| JP2007199049A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
| US7686651B2 (en) | 2006-04-20 | 2010-03-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Sensor apparatus |
| US7772658B2 (en) | 2006-09-04 | 2010-08-10 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
| JP2009010170A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Mitsubishi Electric Corp | 回路モジュールとその製造方法 |
| WO2009150796A1 (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-17 | パナソニック株式会社 | アタッチメント部材と、これを用いた慣性センサ装置、自動車、及びカーナビゲーション装置 |
| JP2013537967A (ja) * | 2010-09-01 | 2013-10-07 | キストラー ホールディング アクチエンゲゼルシャフト | ピエゾ抵抗センサ・チップ素子を有する圧力センサ |
| JP2012227217A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電子制御装置 |
| JP2014228295A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ装置 |
| FR3012604A1 (fr) * | 2013-10-25 | 2015-05-01 | Auxitrol Sa | Capteur de pression comprenant une structure de controle d'une couche d'adhesif resistante aux variations de temperatures |
| JP2016535846A (ja) * | 2013-10-25 | 2016-11-17 | オキシトロル エス．アー． | 温度変化に対して耐性を示す接着剤層を制御するための構造を含む圧力センサ |
| US10006825B2 (en) | 2013-10-25 | 2018-06-26 | Auxitrol S.A. | Pressure sensor including a structure for controlling an adhesive layer resistant to temperature variations |
| WO2015059301A1 (fr) * | 2013-10-25 | 2015-04-30 | Auxitrol S.A. | Capteur de pression comprenant une structure de contrôle d'une couche d'adhésif résistante aux variations de températures |
| JP2018505064A (ja) * | 2015-02-06 | 2018-02-22 | エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッドＭｋｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 応力軽減ｍｅｍｓ構造及びパッケージ |
| CN110573852B (zh) * | 2017-01-18 | 2021-07-20 | 株式会社鹭宫制作所 | 压力传感器以及压力传感器的制造方法 |
| CN110573852A (zh) * | 2017-01-18 | 2019-12-13 | 株式会社鹭宫制作所 | 压力传感器 |
| US11088586B2 (en) * | 2017-02-03 | 2021-08-10 | Nidec Corporation | Motor |
| CN110402379B (zh) * | 2017-03-17 | 2021-05-11 | 株式会社鹭宫制作所 | 压力传感器 |
| JP2018155621A (ja) * | 2017-03-17 | 2018-10-04 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
| CN110402379A (zh) * | 2017-03-17 | 2019-11-01 | 株式会社鹭宫制作所 | 压力传感器 |
| KR20180112624A (ko) * | 2017-04-04 | 2018-10-12 | 주식회사 오토닉스 | 센서 |
| US10928263B2 (en) | 2018-03-13 | 2021-02-23 | Fuji Electric Co., Ltd. | Sensor device having adhesive between sensor portion and casing portion |
| US10962434B2 (en) | 2018-03-13 | 2021-03-30 | Fuji Electric Co., Ltd. | Sensor device utilizing adhesives and manufacturing method thereof |
| JP2019155566A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 新日本無線株式会社 | Ｍｅｍｓ素子およびその実装構造 |
| WO2019181410A1 (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | アルプスアルパイン株式会社 | 圧力センサ |
| US11346738B2 (en) | 2018-03-20 | 2022-05-31 | Alps Alpine Co., Ltd. | Pressure sensor having a cap being attached to the substrate surface with an adhesive |
| JP2020004870A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 株式会社クボタ | 電気部品収容ケースの組付構造 |
| US11940347B2 (en) | 2019-04-26 | 2024-03-26 | Denso Corporation | Pressure sensor |
| WO2021260992A1 (ja) * | 2020-06-22 | 2021-12-30 | 日立Astemo株式会社 | 電子制御装置 |
| DE102022118847A1 (de) | 2021-09-10 | 2023-03-16 | Denso Wave Incorporated | Anbringungsstruktur für eine Sensorvorrichtung |
| US11740110B2 (en) | 2021-09-10 | 2023-08-29 | Denso Wave Incorporated | Sensor-device attachment structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3114403B2 (ja) | 2000-12-04 |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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