JPH02303055A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH02303055A JPH02303055A JP12333689A JP12333689A JPH02303055A JP H02303055 A JPH02303055 A JP H02303055A JP 12333689 A JP12333689 A JP 12333689A JP 12333689 A JP12333689 A JP 12333689A JP H02303055 A JPH02303055 A JP H02303055A
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- Japan
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- bonding
- lead frame
- semiconductor element
- die
- lead
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体圧力センサー等の中空パフケージ型半導
体装置を製造する際に使用するリードフレームに関する
ものである。
体装置を製造する際に使用するリードフレームに関する
ものである。
従来のこの種のリードフレームを第4図(a) 、 (
b)ないし第6図(a) 、 (b)によ、って説明す
る。
b)ないし第6図(a) 、 (b)によ、って説明す
る。
第4図(a) 、 (b)は半導体圧力センサーを製造
する際に使用する従来のリードフレームを示す図で、同
図(a)は平面図、同図(b)は(a)図中IV−IV
線断面図である。第5図(a) 、 (b)は従来のリ
ードフレーム上に半導体素子を搭載させた状態を示す図
で、同図(a)は半導体素子がリードフレーム上にダイ
ボンドされた状態を示す断面図、同図(b)は金線がワ
イヤボンドされた状態を示す断面図である。第6図(a
) 、 (b)は従来のリードフレームを使用して組立
てられた圧力センサーを示す図で、同図(a)は縦断面
図、同図(b)は半導体素子搭載部分を拡大して示す断
面図である。これらの図において、1はリードフレーム
で、このリードフレーム1はフレーム枠部1aと、この
フレーム枠部1aにアウターリードlb、タイバー1c
等を介して一連に設けられ、後述するワイヤボンディン
グ材が接続されるインナーリード1dと、前記フレーム
枠部1aに連結片1eを介して連結され、後述する半導
体素子がダイボンドされるグイパッドIfとを備え、板
材をエツチングすることによって一体に形成されている
。2は半導体素子、3はこの半導体素子2を前記リード
フレームlのグイパッドlf上に接合するためのシリコ
ン樹脂等からなるダイボンド材、4は前記半導体素子2
とインナーリードldとを接続するための金線等からな
るワイヤボンディング材である。5および6は中空パン
ケージを構成する圧力センサーのベースとキャンプで、
このベース5およびキャンプ6はリードフレーム収納用
凹部がそれぞれ対接部側に設けられており、このリード
フレーム収納用凹部内にリードフレーム1を装着させて
リードフレームlを挟んだ状態でエポキシ樹脂等からな
る接着剤7によって互いに接着されている。
する際に使用する従来のリードフレームを示す図で、同
図(a)は平面図、同図(b)は(a)図中IV−IV
線断面図である。第5図(a) 、 (b)は従来のリ
ードフレーム上に半導体素子を搭載させた状態を示す図
で、同図(a)は半導体素子がリードフレーム上にダイ
ボンドされた状態を示す断面図、同図(b)は金線がワ
イヤボンドされた状態を示す断面図である。第6図(a
) 、 (b)は従来のリードフレームを使用して組立
てられた圧力センサーを示す図で、同図(a)は縦断面
図、同図(b)は半導体素子搭載部分を拡大して示す断
面図である。これらの図において、1はリードフレーム
で、このリードフレーム1はフレーム枠部1aと、この
フレーム枠部1aにアウターリードlb、タイバー1c
等を介して一連に設けられ、後述するワイヤボンディン
グ材が接続されるインナーリード1dと、前記フレーム
枠部1aに連結片1eを介して連結され、後述する半導
体素子がダイボンドされるグイパッドIfとを備え、板
材をエツチングすることによって一体に形成されている
。2は半導体素子、3はこの半導体素子2を前記リード
フレームlのグイパッドlf上に接合するためのシリコ
ン樹脂等からなるダイボンド材、4は前記半導体素子2
とインナーリードldとを接続するための金線等からな
るワイヤボンディング材である。5および6は中空パン
ケージを構成する圧力センサーのベースとキャンプで、
このベース5およびキャンプ6はリードフレーム収納用
凹部がそれぞれ対接部側に設けられており、このリード
フレーム収納用凹部内にリードフレーム1を装着させて
リードフレームlを挟んだ状態でエポキシ樹脂等からな
る接着剤7によって互いに接着されている。
次に、上述した従来のリードフレーム1を使用して圧力
センサーを組立てる手順を、第7図に示すフローチャー
トに従って説明する0組立てにあたっては、先ず、第5
図(a)に示すようにリードフレーム1のグイパッドl
f上にダイボンド材3を介して半導体素子2をダイボン
ドする。次いで、第5図(b)に示すようにり、−ドフ
レーム1上の半導体素子2とインナーリード1dとをワ
イヤボンディング材4によって接続する。しかる後、上
述したように半導体素子2が搭載されたリードフレーム
lを、第6図(a)に示すように、圧力センサーのベー
ス5とキャップ6との間に装着させ、ベース5にキャッ
プ6を接着剤7によって接着し、両者とリードフレーム
lとを固定させる。この際、前記接着剤7によってベー
ス5とキャップ6との間がシールされることになり、こ
れによって半導体素子2がパッケージ内に封止されるこ
ととなる。
センサーを組立てる手順を、第7図に示すフローチャー
トに従って説明する0組立てにあたっては、先ず、第5
図(a)に示すようにリードフレーム1のグイパッドl
f上にダイボンド材3を介して半導体素子2をダイボン
ドする。次いで、第5図(b)に示すようにり、−ドフ
レーム1上の半導体素子2とインナーリード1dとをワ
イヤボンディング材4によって接続する。しかる後、上
述したように半導体素子2が搭載されたリードフレーム
lを、第6図(a)に示すように、圧力センサーのベー
ス5とキャップ6との間に装着させ、ベース5にキャッ
プ6を接着剤7によって接着し、両者とリードフレーム
lとを固定させる。この際、前記接着剤7によってベー
ス5とキャップ6との間がシールされることになり、こ
れによって半導体素子2がパッケージ内に封止されるこ
ととなる。
このようにしてベース5とキャップ6とを接着させた後
、リードフレームlのアウターリードtb。
、リードフレームlのアウターリードtb。
タイバ−1c+連結片1e等を切断し、フレーム枠部l
aからアウターリードlbおよびグイパッドifを分断
させると共に、各アウターリードlb間のタイバーlc
を切断することによって各アウターリード1bを互いに
分離させる。そして、第6図(b)に示すようにインナ
ーリード1bに曲げ加工を施して圧力センサーが完成さ
れることになる。
aからアウターリードlbおよびグイパッドifを分断
させると共に、各アウターリードlb間のタイバーlc
を切断することによって各アウターリード1bを互いに
分離させる。そして、第6図(b)に示すようにインナ
ーリード1bに曲げ加工を施して圧力センサーが完成さ
れることになる。
しかるに、このように構成された従来のリードフレーム
1においては、均一な厚みをもって形成されているため
、インナーリード1dおよびグイパッド1f等のボンデ
ィング面が同じ高さに配置されることになり、第8図お
よび第9図に示すように、ダイボンド材3、またはベー
ス5とキャンプ6とを接着する接着剤7がワイヤボンド
エリアに流れ出してしまいステフチ部のボンディング性
が低下されることがあった。第8図はダイボンド材3が
インナーリード1d上に滲み出した状態を示す断面図、
第9図は接着材7が滲み出した状態を示す断面図である
。また、従来のリードフレーム1に半導体素子2を搭載
すると、半導体素子2とインナーリードldのポンディ
ングパッド部とでは高低差が太き(なるため、ワイヤボ
ンディング材4が半導体素子2のエツジ部分に接触し易
く、しかも、ワイヤボンディング材4が長く必要となり
耐ヒートサイクル性が低くなるという問題もあった。
1においては、均一な厚みをもって形成されているため
、インナーリード1dおよびグイパッド1f等のボンデ
ィング面が同じ高さに配置されることになり、第8図お
よび第9図に示すように、ダイボンド材3、またはベー
ス5とキャンプ6とを接着する接着剤7がワイヤボンド
エリアに流れ出してしまいステフチ部のボンディング性
が低下されることがあった。第8図はダイボンド材3が
インナーリード1d上に滲み出した状態を示す断面図、
第9図は接着材7が滲み出した状態を示す断面図である
。また、従来のリードフレーム1に半導体素子2を搭載
すると、半導体素子2とインナーリードldのポンディ
ングパッド部とでは高低差が太き(なるため、ワイヤボ
ンディング材4が半導体素子2のエツジ部分に接触し易
く、しかも、ワイヤボンディング材4が長く必要となり
耐ヒートサイクル性が低くなるという問題もあった。
本発明に係るリードフレ、−ムは、グイパッドにおける
パッケージ接着部と半導体素子接合部との間に半導体素
子接合面側へ突出する突条を設けると共に、前記インナ
ーリードにおけるボンディング面を他の部位に較べて高
く形成したものである。
パッケージ接着部と半導体素子接合部との間に半導体素
子接合面側へ突出する突条を設けると共に、前記インナ
ーリードにおけるボンディング面を他の部位に較べて高
く形成したものである。
グイパッドに設けた突条によって、半導体素子接合部へ
接着材が流れ込むのを防ぐことができ、また、インナー
リードのボンディング面を高く形成したことによって、
このボンディング面へダイボンド材、接着材等が流れ込
むのを防ぐことができると共に、インナーリードのボン
ディング面と半導体素子との高低差を小さくすることが
できる。
接着材が流れ込むのを防ぐことができ、また、インナー
リードのボンディング面を高く形成したことによって、
このボンディング面へダイボンド材、接着材等が流れ込
むのを防ぐことができると共に、インナーリードのボン
ディング面と半導体素子との高低差を小さくすることが
できる。
以下、本発明の一実施例を第1図(a) 、 (b)お
よび第2図によって詳細に説明する。
よび第2図によって詳細に説明する。
第1図(a) 、 (b)は本発明に係るリードフレー
ムを示し、同図(a)は平面図、同図(b)は(a)図
中1−1線断面図である。第2図は本発明のリードフレ
ームを圧力センサーに装着させた状態を示す断面図であ
る。これらの図において前記第4図ないし第9図で説明
したものと同一もしくは同等部材については同一符号を
付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。第1図およ
び第2図において、11はインナーリードldに形成さ
れた突起、12はダイパッドifに形成された突起で、
これらの両突起11.12は、リードフレームlの上面
における突起となる部位以外の部分にエツチングを施す
ことによって形成されている。前記突起11は各インナ
ーリードldの先端部(ポンディングパッド部)に形成
されており、また、突起12はグイパッドlfにおける
キャップ6との接着部と半導体素子接合部との間であっ
て、半導体素子接合部を囲むように横長に形成されてい
る。なお、第1図(a)中耕線部は突起11.12を形
成するためのエツチング部分を示す。
ムを示し、同図(a)は平面図、同図(b)は(a)図
中1−1線断面図である。第2図は本発明のリードフレ
ームを圧力センサーに装着させた状態を示す断面図であ
る。これらの図において前記第4図ないし第9図で説明
したものと同一もしくは同等部材については同一符号を
付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。第1図およ
び第2図において、11はインナーリードldに形成さ
れた突起、12はダイパッドifに形成された突起で、
これらの両突起11.12は、リードフレームlの上面
における突起となる部位以外の部分にエツチングを施す
ことによって形成されている。前記突起11は各インナ
ーリードldの先端部(ポンディングパッド部)に形成
されており、また、突起12はグイパッドlfにおける
キャップ6との接着部と半導体素子接合部との間であっ
て、半導体素子接合部を囲むように横長に形成されてい
る。なお、第1図(a)中耕線部は突起11.12を形
成するためのエツチング部分を示す。
このように突起11.12が形成された本発明のリード
フレーム1においては、半導体素子2のダイボンドは従
来のものと同様にしてダイボンド材3をダイパッド1f
と半導体素子2との間に介在させて行われる。この際、
グイ、ボンド材3がインナーリードld側へ流れたとし
ても、インナーリードldのポンディングパッド部は突
起11によって他の部位より高い位置に配置されている
ため、このダイボンド材3はインナーリード1dのポン
ディングパッド部に流れ込むようなことはない。そして
、上述したように半導体素子2がダイボンドされた後、
従来と同様にしてワイヤボンディング材4によってイン
ナーリードldと半導体素子2とがワイヤポンディング
される。このワイヤポンディングは突起11と半導体素
子2とを接続して行われる。このようにして半導体素子
2が搭載されたリードフレーム1を使用して圧力センサ
ーを組立てるには、このリードフレーム1を圧力センサ
ーのベース5とキャップ6との間に接着剤7を介して装
着させ、この接着剤7でベース5とキャップ6との間を
シールして行われる。この接着時には、接着剤7がリー
ドフレーム1のインナーリード1dおよびダイボンドl
f上を伝ってそれぞれのボンディング部分に流れ込もう
とするが、上述したようにワイヤボンディング材4とイ
ンナーリード1dとの接続は突起ll上で、換言すれば
、他の部分(キャップ6に接着される部分)より高い位
置で行われており、しかも、ダイパッド1fにはキャッ
プ6に接着される部分とダイボンド部分とを画成する突
起12が形成されているため、接着剤7はそれぞれのボ
ンディング部分に流れ込むことはできなくなる。したが
って、本発明に係るリードフレームlによれば、突起1
1.12によって、ダイボンド材3.接着剤7等による
ワイヤボンディングエリアの汚染を防止することができ
る。
フレーム1においては、半導体素子2のダイボンドは従
来のものと同様にしてダイボンド材3をダイパッド1f
と半導体素子2との間に介在させて行われる。この際、
グイ、ボンド材3がインナーリードld側へ流れたとし
ても、インナーリードldのポンディングパッド部は突
起11によって他の部位より高い位置に配置されている
ため、このダイボンド材3はインナーリード1dのポン
ディングパッド部に流れ込むようなことはない。そして
、上述したように半導体素子2がダイボンドされた後、
従来と同様にしてワイヤボンディング材4によってイン
ナーリードldと半導体素子2とがワイヤポンディング
される。このワイヤポンディングは突起11と半導体素
子2とを接続して行われる。このようにして半導体素子
2が搭載されたリードフレーム1を使用して圧力センサ
ーを組立てるには、このリードフレーム1を圧力センサ
ーのベース5とキャップ6との間に接着剤7を介して装
着させ、この接着剤7でベース5とキャップ6との間を
シールして行われる。この接着時には、接着剤7がリー
ドフレーム1のインナーリード1dおよびダイボンドl
f上を伝ってそれぞれのボンディング部分に流れ込もう
とするが、上述したようにワイヤボンディング材4とイ
ンナーリード1dとの接続は突起ll上で、換言すれば
、他の部分(キャップ6に接着される部分)より高い位
置で行われており、しかも、ダイパッド1fにはキャッ
プ6に接着される部分とダイボンド部分とを画成する突
起12が形成されているため、接着剤7はそれぞれのボ
ンディング部分に流れ込むことはできなくなる。したが
って、本発明に係るリードフレームlによれば、突起1
1.12によって、ダイボンド材3.接着剤7等による
ワイヤボンディングエリアの汚染を防止することができ
る。
なお、本実施例ではリードフレーム1にエツチングを施
すことによって突起11.12を形成した例を示したが
、本発明はこのような限定にとられれることなく、例え
ば第3図に示すように構成してもよい。第3図は他の実
施例を示す断面図で、同図において前記第1図および第
2図で説明したものと同等部材については同一符号を付
し、詳細な説明は省略する。第3図において、21はイ
ンナーリード1dに形成された突起、22はダイパッド
trに形成された突起で、これらの突起21.22はイ
ンナーリード1dおよびダイパッドIfを金型成形法に
よって加圧成形して形成されており、リードフレーム1
の上面側に突出させて形成されている。また、これらの
突起21.22の形成位置は、前記実施例で示した突起
11.12の形成位置と略等しい位置に配設されている
。このように金型成形によって突起21.22を形成し
ても、ワイヤポンディング部分を高く形成することがで
き、ダイパッド1fにおけるキャップ6に接着される部
分とダイボンド部分とを画成することができるから、前
記実施例と同様の効果が得られる。
すことによって突起11.12を形成した例を示したが
、本発明はこのような限定にとられれることなく、例え
ば第3図に示すように構成してもよい。第3図は他の実
施例を示す断面図で、同図において前記第1図および第
2図で説明したものと同等部材については同一符号を付
し、詳細な説明は省略する。第3図において、21はイ
ンナーリード1dに形成された突起、22はダイパッド
trに形成された突起で、これらの突起21.22はイ
ンナーリード1dおよびダイパッドIfを金型成形法に
よって加圧成形して形成されており、リードフレーム1
の上面側に突出させて形成されている。また、これらの
突起21.22の形成位置は、前記実施例で示した突起
11.12の形成位置と略等しい位置に配設されている
。このように金型成形によって突起21.22を形成し
ても、ワイヤポンディング部分を高く形成することがで
き、ダイパッド1fにおけるキャップ6に接着される部
分とダイボンド部分とを画成することができるから、前
記実施例と同様の効果が得られる。
さらにまた、上記二つの実施例では、本発明に係るリー
ドフレームを圧力センサーに使用した例を示したが、本
発明はこのような限定にとられれることなく、中空パッ
ケージ型半導体装置であればどのようなものにでも適用
することができる。
ドフレームを圧力センサーに使用した例を示したが、本
発明はこのような限定にとられれることなく、中空パッ
ケージ型半導体装置であればどのようなものにでも適用
することができる。
以上説明したように本発明によれば、グイパソドにおけ
るパフケージ接着部と半導体素子接合部との間に半導体
素子接合面側へ突出する突条を設けると共に、前記イン
ナーリードにおけるボンディング面を他の部位に較べて
高く形成したため、ダイパッドに設けた突条によって、
半導体素子接合部へ接着材が流れ込むのを防ぐことがで
き、また、インナーリードのボンディング面を高く形成
したことによって、このボンディング面へダイボンド材
、接着材等が流れ込むのを防ぐことができる。したがっ
て、ダイボンド材および接着剤によってボンディング部
分が汚染されるのを確実に防ぐことができ、ワイヤボン
ディング性を向上させることができる。また、インナー
リードのボンディング面と半導体素子との高低差を小さ
くすることができるから、ワイヤボンディング材が半導
体素子のエツジ部分に接触しにくくなり、かつワイヤボ
ンディング材の長さを短縮することができる。
るパフケージ接着部と半導体素子接合部との間に半導体
素子接合面側へ突出する突条を設けると共に、前記イン
ナーリードにおけるボンディング面を他の部位に較べて
高く形成したため、ダイパッドに設けた突条によって、
半導体素子接合部へ接着材が流れ込むのを防ぐことがで
き、また、インナーリードのボンディング面を高く形成
したことによって、このボンディング面へダイボンド材
、接着材等が流れ込むのを防ぐことができる。したがっ
て、ダイボンド材および接着剤によってボンディング部
分が汚染されるのを確実に防ぐことができ、ワイヤボン
ディング性を向上させることができる。また、インナー
リードのボンディング面と半導体素子との高低差を小さ
くすることができるから、ワイヤボンディング材が半導
体素子のエツジ部分に接触しにくくなり、かつワイヤボ
ンディング材の長さを短縮することができる。
このため、本発明に係るリードフレームを使用すると、
耐ヒートサイクル性が向上された信頼性の高い半導体装
置が得られる。
耐ヒートサイクル性が向上された信頼性の高い半導体装
置が得られる。
第1図(a) 、 (b)は本発明2に係るリードフレ
ームを示し、同図(a)は平面図、同図(b)は(a)
図中1i線断面図である。第2図は本発明のリードフレ
ームを圧力センサーに装着させた状態を示す断面図、第
3図は他の実施例を示す断面図、第4図(a) 、 (
b)は半導体圧力センサーを製造する際に使用する従来
のリードフレームを示す図で、同図(a)は平面図、同
図(b)は(a)図中IV−IV線断面図である。第5
図(a) 、 (b)は従来のリードフレーム上に半導
体素子を搭載させた状態を示す図で、同図(a)は半導
体素子がリードフレーム上にダイボンドされた状態を示
す断面図、同図(b)は金線がワイヤボンドされた状態
を示す断面図である。 第6図(a) 、 (b)は従来のリードフレームを使
用して組立てられた圧力センサーを示す図で、同図(a
)は縦断面図、同図(b)は半導体素子搭載部分を拡大
して示す断面図である。第7図は圧力センサーの組立て
手順を示すフローチャート、第8図は従来のリードフレ
ームに半導体素子をダイボンドした際にダイボンド材が
インナーリード上に滲み出した状態を示す断面図、第9
図は同じ〈従来のリードフレームを圧力センサー内に装
着させた際に接着材が滲み出した状態を示す断面図であ
る。 1・・・・リードフレーム、ld・・・・インナーリー
ド、1f・・・・ダイパッド、2・・・・半導体素子、
3・・・・ダイボンド材、4・・・・ワイヤボンディン
グ材、5・・・・ベース、6・・・・キャップ、7・・
・・接着剤、11゜12、21.22・・・・突起。
ームを示し、同図(a)は平面図、同図(b)は(a)
図中1i線断面図である。第2図は本発明のリードフレ
ームを圧力センサーに装着させた状態を示す断面図、第
3図は他の実施例を示す断面図、第4図(a) 、 (
b)は半導体圧力センサーを製造する際に使用する従来
のリードフレームを示す図で、同図(a)は平面図、同
図(b)は(a)図中IV−IV線断面図である。第5
図(a) 、 (b)は従来のリードフレーム上に半導
体素子を搭載させた状態を示す図で、同図(a)は半導
体素子がリードフレーム上にダイボンドされた状態を示
す断面図、同図(b)は金線がワイヤボンドされた状態
を示す断面図である。 第6図(a) 、 (b)は従来のリードフレームを使
用して組立てられた圧力センサーを示す図で、同図(a
)は縦断面図、同図(b)は半導体素子搭載部分を拡大
して示す断面図である。第7図は圧力センサーの組立て
手順を示すフローチャート、第8図は従来のリードフレ
ームに半導体素子をダイボンドした際にダイボンド材が
インナーリード上に滲み出した状態を示す断面図、第9
図は同じ〈従来のリードフレームを圧力センサー内に装
着させた際に接着材が滲み出した状態を示す断面図であ
る。 1・・・・リードフレーム、ld・・・・インナーリー
ド、1f・・・・ダイパッド、2・・・・半導体素子、
3・・・・ダイボンド材、4・・・・ワイヤボンディン
グ材、5・・・・ベース、6・・・・キャップ、7・・
・・接着剤、11゜12、21.22・・・・突起。
Claims (1)
- 半導体素子がダイボンド材を介して接合されるダイパッ
ドと、前記半導体素子にワイヤボンディングされるイン
ナーリードとを有し、表裏両面に接着剤を介してパッケ
ージが接着されて封止されるリードフレームにおいて、
前記ダイパッドにおけるパッケージ接着部と半導体素子
接合部との間に半導体素子接合面側へ突出する突条を設
けると共に、前記インナーリードにおけるボンディング
面を他の部位に較べて高く形成したことを特徴とするリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12333689A JPH02303055A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12333689A JPH02303055A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | リードフレーム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02303055A true JPH02303055A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14858041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12333689A Pending JPH02303055A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02303055A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0546435A2 (en) * | 1991-12-12 | 1993-06-16 | STMicroelectronics S.r.l. | Protection device for integrated circuit associated with relative supports |
JPH0961271A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体式センサ及びその製造方法 |
KR100726039B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2007-06-08 | 엘에스전선 주식회사 | 복층 리드프레임 및 이를 위한 제조방법 |
CN1323289C (zh) * | 2004-01-21 | 2007-06-27 | 株式会社电装 | 容纳在壳体中的压力传感器 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP12333689A patent/JPH02303055A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0546435A2 (en) * | 1991-12-12 | 1993-06-16 | STMicroelectronics S.r.l. | Protection device for integrated circuit associated with relative supports |
EP0546435A3 (ja) * | 1991-12-12 | 1994-03-16 | Sgs Thomson Microelectronics | |
JPH0961271A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体式センサ及びその製造方法 |
CN1323289C (zh) * | 2004-01-21 | 2007-06-27 | 株式会社电装 | 容纳在壳体中的压力传感器 |
KR100726039B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2007-06-08 | 엘에스전선 주식회사 | 복층 리드프레임 및 이를 위한 제조방법 |
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