JPH02303055A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH02303055A JPH02303055A JP12333689A JP12333689A JPH02303055A JP H02303055 A JPH02303055 A JP H02303055A JP 12333689 A JP12333689 A JP 12333689A JP 12333689 A JP12333689 A JP 12333689A JP H02303055 A JPH02303055 A JP H02303055A
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- Japan
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- bonding
- lead frame
- semiconductor element
- die
- lead
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体圧力センサー等の中空パフケージ型半導
体装置を製造する際に使用するリードフレームに関する
ものである。
体装置を製造する際に使用するリードフレームに関する
ものである。
従来のこの種のリードフレームを第４図（ａ） 、 （
ｂ）ないし第６図（ａ） 、 （ｂ）によ、って説明す
る。
ｂ）ないし第６図（ａ） 、 （ｂ）によ、って説明す
る。
第４図（ａ） 、 （ｂ）は半導体圧力センサーを製造
する際に使用する従来のリードフレームを示す図で、同
図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図中ＩＶ−ＩＶ
線断面図である。第５図（ａ） 、 （ｂ）は従来のリ
ードフレーム上に半導体素子を搭載させた状態を示す図
で、同図（ａ）は半導体素子がリードフレーム上にダイ
ボンドされた状態を示す断面図、同図（ｂ）は金線がワ
イヤボンドされた状態を示す断面図である。第６図（ａ
） 、 （ｂ）は従来のリードフレームを使用して組立
てられた圧力センサーを示す図で、同図（ａ）は縦断面
図、同図（ｂ）は半導体素子搭載部分を拡大して示す断
面図である。これらの図において、１はリードフレーム
で、このリードフレーム１はフレーム枠部１ａと、この
フレーム枠部１ａにアウターリードｌｂ、タイバー１ｃ
等を介して一連に設けられ、後述するワイヤボンディン
グ材が接続されるインナーリード１ｄと、前記フレーム
枠部１ａに連結片１ｅを介して連結され、後述する半導
体素子がダイボンドされるグイパッドＩｆとを備え、板
材をエツチングすることによって一体に形成されている
。２は半導体素子、３はこの半導体素子２を前記リード
フレームｌのグイパッドｌｆ上に接合するためのシリコ
ン樹脂等からなるダイボンド材、４は前記半導体素子２
とインナーリードｌｄとを接続するための金線等からな
るワイヤボンディング材である。５および６は中空パン
ケージを構成する圧力センサーのベースとキャンプで、
このベース５およびキャンプ６はリードフレーム収納用
凹部がそれぞれ対接部側に設けられており、このリード
フレーム収納用凹部内にリードフレーム１を装着させて
リードフレームｌを挟んだ状態でエポキシ樹脂等からな
る接着剤７によって互いに接着されている。
する際に使用する従来のリードフレームを示す図で、同
図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図中ＩＶ−ＩＶ
線断面図である。第５図（ａ） 、 （ｂ）は従来のリ
ードフレーム上に半導体素子を搭載させた状態を示す図
で、同図（ａ）は半導体素子がリードフレーム上にダイ
ボンドされた状態を示す断面図、同図（ｂ）は金線がワ
イヤボンドされた状態を示す断面図である。第６図（ａ
） 、 （ｂ）は従来のリードフレームを使用して組立
てられた圧力センサーを示す図で、同図（ａ）は縦断面
図、同図（ｂ）は半導体素子搭載部分を拡大して示す断
面図である。これらの図において、１はリードフレーム
で、このリードフレーム１はフレーム枠部１ａと、この
フレーム枠部１ａにアウターリードｌｂ、タイバー１ｃ
等を介して一連に設けられ、後述するワイヤボンディン
グ材が接続されるインナーリード１ｄと、前記フレーム
枠部１ａに連結片１ｅを介して連結され、後述する半導
体素子がダイボンドされるグイパッドＩｆとを備え、板
材をエツチングすることによって一体に形成されている
。２は半導体素子、３はこの半導体素子２を前記リード
フレームｌのグイパッドｌｆ上に接合するためのシリコ
ン樹脂等からなるダイボンド材、４は前記半導体素子２
とインナーリードｌｄとを接続するための金線等からな
るワイヤボンディング材である。５および６は中空パン
ケージを構成する圧力センサーのベースとキャンプで、
このベース５およびキャンプ６はリードフレーム収納用
凹部がそれぞれ対接部側に設けられており、このリード
フレーム収納用凹部内にリードフレーム１を装着させて
リードフレームｌを挟んだ状態でエポキシ樹脂等からな
る接着剤７によって互いに接着されている。
次に、上述した従来のリードフレーム１を使用して圧力
センサーを組立てる手順を、第７図に示すフローチャー
トに従って説明する０組立てにあたっては、先ず、第５
図（ａ）に示すようにリードフレーム１のグイパッドｌ
ｆ上にダイボンド材３を介して半導体素子２をダイボン
ドする。次いで、第５図（ｂ）に示すようにり、−ドフ
レーム１上の半導体素子２とインナーリード１ｄとをワ
イヤボンディング材４によって接続する。しかる後、上
述したように半導体素子２が搭載されたリードフレーム
ｌを、第６図（ａ）に示すように、圧力センサーのベー
ス５とキャップ６との間に装着させ、ベース５にキャッ
プ６を接着剤７によって接着し、両者とリードフレーム
ｌとを固定させる。この際、前記接着剤７によってベー
ス５とキャップ６との間がシールされることになり、こ
れによって半導体素子２がパッケージ内に封止されるこ
ととなる。
センサーを組立てる手順を、第７図に示すフローチャー
トに従って説明する０組立てにあたっては、先ず、第５
図（ａ）に示すようにリードフレーム１のグイパッドｌ
ｆ上にダイボンド材３を介して半導体素子２をダイボン
ドする。次いで、第５図（ｂ）に示すようにり、−ドフ
レーム１上の半導体素子２とインナーリード１ｄとをワ
イヤボンディング材４によって接続する。しかる後、上
述したように半導体素子２が搭載されたリードフレーム
ｌを、第６図（ａ）に示すように、圧力センサーのベー
ス５とキャップ６との間に装着させ、ベース５にキャッ
プ６を接着剤７によって接着し、両者とリードフレーム
ｌとを固定させる。この際、前記接着剤７によってベー
ス５とキャップ６との間がシールされることになり、こ
れによって半導体素子２がパッケージ内に封止されるこ
ととなる。
このようにしてベース５とキャップ６とを接着させた後
、リードフレームｌのアウターリードｔｂ。
、リードフレームｌのアウターリードｔｂ。
タイバ−１ｃ＋連結片１ｅ等を切断し、フレーム枠部ｌ
ａからアウターリードｌｂおよびグイパッドｉｆを分断
させると共に、各アウターリードｌｂ間のタイバーｌｃ
を切断することによって各アウターリード１ｂを互いに
分離させる。そして、第６図（ｂ）に示すようにインナ
ーリード１ｂに曲げ加工を施して圧力センサーが完成さ
れることになる。
ａからアウターリードｌｂおよびグイパッドｉｆを分断
させると共に、各アウターリードｌｂ間のタイバーｌｃ
を切断することによって各アウターリード１ｂを互いに
分離させる。そして、第６図（ｂ）に示すようにインナ
ーリード１ｂに曲げ加工を施して圧力センサーが完成さ
れることになる。
しかるに、このように構成された従来のリードフレーム
１においては、均一な厚みをもって形成されているため
、インナーリード１ｄおよびグイパッド１ｆ等のボンデ
ィング面が同じ高さに配置されることになり、第８図お
よび第９図に示すように、ダイボンド材３、またはベー
ス５とキャンプ６とを接着する接着剤７がワイヤボンド
エリアに流れ出してしまいステフチ部のボンディング性
が低下されることがあった。第８図はダイボンド材３が
インナーリード１ｄ上に滲み出した状態を示す断面図、
第９図は接着材７が滲み出した状態を示す断面図である
。また、従来のリードフレーム１に半導体素子２を搭載
すると、半導体素子２とインナーリードｌｄのポンディ
ングパッド部とでは高低差が太き（なるため、ワイヤボ
ンディング材４が半導体素子２のエツジ部分に接触し易
く、しかも、ワイヤボンディング材４が長く必要となり
耐ヒートサイクル性が低くなるという問題もあった。
１においては、均一な厚みをもって形成されているため
、インナーリード１ｄおよびグイパッド１ｆ等のボンデ
ィング面が同じ高さに配置されることになり、第８図お
よび第９図に示すように、ダイボンド材３、またはベー
ス５とキャンプ６とを接着する接着剤７がワイヤボンド
エリアに流れ出してしまいステフチ部のボンディング性
が低下されることがあった。第８図はダイボンド材３が
インナーリード１ｄ上に滲み出した状態を示す断面図、
第９図は接着材７が滲み出した状態を示す断面図である
。また、従来のリードフレーム１に半導体素子２を搭載
すると、半導体素子２とインナーリードｌｄのポンディ
ングパッド部とでは高低差が太き（なるため、ワイヤボ
ンディング材４が半導体素子２のエツジ部分に接触し易
く、しかも、ワイヤボンディング材４が長く必要となり
耐ヒートサイクル性が低くなるという問題もあった。
本発明に係るリードフレ、−ムは、グイパッドにおける
パッケージ接着部と半導体素子接合部との間に半導体素
子接合面側へ突出する突条を設けると共に、前記インナ
ーリードにおけるボンディング面を他の部位に較べて高
く形成したものである。
パッケージ接着部と半導体素子接合部との間に半導体素
子接合面側へ突出する突条を設けると共に、前記インナ
ーリードにおけるボンディング面を他の部位に較べて高
く形成したものである。
グイパッドに設けた突条によって、半導体素子接合部へ
接着材が流れ込むのを防ぐことができ、また、インナー
リードのボンディング面を高く形成したことによって、
このボンディング面へダイボンド材、接着材等が流れ込
むのを防ぐことができると共に、インナーリードのボン
ディング面と半導体素子との高低差を小さくすることが
できる。
接着材が流れ込むのを防ぐことができ、また、インナー
リードのボンディング面を高く形成したことによって、
このボンディング面へダイボンド材、接着材等が流れ込
むのを防ぐことができると共に、インナーリードのボン
ディング面と半導体素子との高低差を小さくすることが
できる。
以下、本発明の一実施例を第１図（ａ） 、 （ｂ）お
よび第２図によって詳細に説明する。
よび第２図によって詳細に説明する。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明に係るリードフレー
ムを示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図
中１−１線断面図である。第２図は本発明のリードフレ
ームを圧力センサーに装着させた状態を示す断面図であ
る。これらの図において前記第４図ないし第９図で説明
したものと同一もしくは同等部材については同一符号を
付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。第１図およ
び第２図において、１１はインナーリードｌｄに形成さ
れた突起、１２はダイパッドｉｆに形成された突起で、
これらの両突起１１．１２は、リードフレームｌの上面
における突起となる部位以外の部分にエツチングを施す
ことによって形成されている。前記突起１１は各インナ
ーリードｌｄの先端部（ポンディングパッド部）に形成
されており、また、突起１２はグイパッドｌｆにおける
キャップ６との接着部と半導体素子接合部との間であっ
て、半導体素子接合部を囲むように横長に形成されてい
る。なお、第１図（ａ）中耕線部は突起１１．１２を形
成するためのエツチング部分を示す。
ムを示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）図
中１−１線断面図である。第２図は本発明のリードフレ
ームを圧力センサーに装着させた状態を示す断面図であ
る。これらの図において前記第４図ないし第９図で説明
したものと同一もしくは同等部材については同一符号を
付し、ここにおいて詳細な説明は省略する。第１図およ
び第２図において、１１はインナーリードｌｄに形成さ
れた突起、１２はダイパッドｉｆに形成された突起で、
これらの両突起１１．１２は、リードフレームｌの上面
における突起となる部位以外の部分にエツチングを施す
ことによって形成されている。前記突起１１は各インナ
ーリードｌｄの先端部（ポンディングパッド部）に形成
されており、また、突起１２はグイパッドｌｆにおける
キャップ６との接着部と半導体素子接合部との間であっ
て、半導体素子接合部を囲むように横長に形成されてい
る。なお、第１図（ａ）中耕線部は突起１１．１２を形
成するためのエツチング部分を示す。
このように突起１１．１２が形成された本発明のリード
フレーム１においては、半導体素子２のダイボンドは従
来のものと同様にしてダイボンド材３をダイパッド１ｆ
と半導体素子２との間に介在させて行われる。この際、
グイ、ボンド材３がインナーリードｌｄ側へ流れたとし
ても、インナーリードｌｄのポンディングパッド部は突
起１１によって他の部位より高い位置に配置されている
ため、このダイボンド材３はインナーリード１ｄのポン
ディングパッド部に流れ込むようなことはない。そして
、上述したように半導体素子２がダイボンドされた後、
従来と同様にしてワイヤボンディング材４によってイン
ナーリードｌｄと半導体素子２とがワイヤポンディング
される。このワイヤポンディングは突起１１と半導体素
子２とを接続して行われる。このようにして半導体素子
２が搭載されたリードフレーム１を使用して圧力センサ
ーを組立てるには、このリードフレーム１を圧力センサ
ーのベース５とキャップ６との間に接着剤７を介して装
着させ、この接着剤７でベース５とキャップ６との間を
シールして行われる。この接着時には、接着剤７がリー
ドフレーム１のインナーリード１ｄおよびダイボンドｌ
ｆ上を伝ってそれぞれのボンディング部分に流れ込もう
とするが、上述したようにワイヤボンディング材４とイ
ンナーリード１ｄとの接続は突起ｌｌ上で、換言すれば
、他の部分（キャップ６に接着される部分）より高い位
置で行われており、しかも、ダイパッド１ｆにはキャッ
プ６に接着される部分とダイボンド部分とを画成する突
起１２が形成されているため、接着剤７はそれぞれのボ
ンディング部分に流れ込むことはできなくなる。したが
って、本発明に係るリードフレームｌによれば、突起１
１．１２によって、ダイボンド材３．接着剤７等による
ワイヤボンディングエリアの汚染を防止することができ
る。
フレーム１においては、半導体素子２のダイボンドは従
来のものと同様にしてダイボンド材３をダイパッド１ｆ
と半導体素子２との間に介在させて行われる。この際、
グイ、ボンド材３がインナーリードｌｄ側へ流れたとし
ても、インナーリードｌｄのポンディングパッド部は突
起１１によって他の部位より高い位置に配置されている
ため、このダイボンド材３はインナーリード１ｄのポン
ディングパッド部に流れ込むようなことはない。そして
、上述したように半導体素子２がダイボンドされた後、
従来と同様にしてワイヤボンディング材４によってイン
ナーリードｌｄと半導体素子２とがワイヤポンディング
される。このワイヤポンディングは突起１１と半導体素
子２とを接続して行われる。このようにして半導体素子
２が搭載されたリードフレーム１を使用して圧力センサ
ーを組立てるには、このリードフレーム１を圧力センサ
ーのベース５とキャップ６との間に接着剤７を介して装
着させ、この接着剤７でベース５とキャップ６との間を
シールして行われる。この接着時には、接着剤７がリー
ドフレーム１のインナーリード１ｄおよびダイボンドｌ
ｆ上を伝ってそれぞれのボンディング部分に流れ込もう
とするが、上述したようにワイヤボンディング材４とイ
ンナーリード１ｄとの接続は突起ｌｌ上で、換言すれば
、他の部分（キャップ６に接着される部分）より高い位
置で行われており、しかも、ダイパッド１ｆにはキャッ
プ６に接着される部分とダイボンド部分とを画成する突
起１２が形成されているため、接着剤７はそれぞれのボ
ンディング部分に流れ込むことはできなくなる。したが
って、本発明に係るリードフレームｌによれば、突起１
１．１２によって、ダイボンド材３．接着剤７等による
ワイヤボンディングエリアの汚染を防止することができ
る。
なお、本実施例ではリードフレーム１にエツチングを施
すことによって突起１１．１２を形成した例を示したが
、本発明はこのような限定にとられれることなく、例え
ば第３図に示すように構成してもよい。第３図は他の実
施例を示す断面図で、同図において前記第１図および第
２図で説明したものと同等部材については同一符号を付
し、詳細な説明は省略する。第３図において、２１はイ
ンナーリード１ｄに形成された突起、２２はダイパッド
ｔｒに形成された突起で、これらの突起２１．２２はイ
ンナーリード１ｄおよびダイパッドＩｆを金型成形法に
よって加圧成形して形成されており、リードフレーム１
の上面側に突出させて形成されている。また、これらの
突起２１．２２の形成位置は、前記実施例で示した突起
１１．１２の形成位置と略等しい位置に配設されている
。このように金型成形によって突起２１．２２を形成し
ても、ワイヤポンディング部分を高く形成することがで
き、ダイパッド１ｆにおけるキャップ６に接着される部
分とダイボンド部分とを画成することができるから、前
記実施例と同様の効果が得られる。
すことによって突起１１．１２を形成した例を示したが
、本発明はこのような限定にとられれることなく、例え
ば第３図に示すように構成してもよい。第３図は他の実
施例を示す断面図で、同図において前記第１図および第
２図で説明したものと同等部材については同一符号を付
し、詳細な説明は省略する。第３図において、２１はイ
ンナーリード１ｄに形成された突起、２２はダイパッド
ｔｒに形成された突起で、これらの突起２１．２２はイ
ンナーリード１ｄおよびダイパッドＩｆを金型成形法に
よって加圧成形して形成されており、リードフレーム１
の上面側に突出させて形成されている。また、これらの
突起２１．２２の形成位置は、前記実施例で示した突起
１１．１２の形成位置と略等しい位置に配設されている
。このように金型成形によって突起２１．２２を形成し
ても、ワイヤポンディング部分を高く形成することがで
き、ダイパッド１ｆにおけるキャップ６に接着される部
分とダイボンド部分とを画成することができるから、前
記実施例と同様の効果が得られる。
さらにまた、上記二つの実施例では、本発明に係るリー
ドフレームを圧力センサーに使用した例を示したが、本
発明はこのような限定にとられれることなく、中空パッ
ケージ型半導体装置であればどのようなものにでも適用
することができる。
ドフレームを圧力センサーに使用した例を示したが、本
発明はこのような限定にとられれることなく、中空パッ
ケージ型半導体装置であればどのようなものにでも適用
することができる。
以上説明したように本発明によれば、グイパソドにおけ
るパフケージ接着部と半導体素子接合部との間に半導体
素子接合面側へ突出する突条を設けると共に、前記イン
ナーリードにおけるボンディング面を他の部位に較べて
高く形成したため、ダイパッドに設けた突条によって、
半導体素子接合部へ接着材が流れ込むのを防ぐことがで
き、また、インナーリードのボンディング面を高く形成
したことによって、このボンディング面へダイボンド材
、接着材等が流れ込むのを防ぐことができる。したがっ
て、ダイボンド材および接着剤によってボンディング部
分が汚染されるのを確実に防ぐことができ、ワイヤボン
ディング性を向上させることができる。また、インナー
リードのボンディング面と半導体素子との高低差を小さ
くすることができるから、ワイヤボンディング材が半導
体素子のエツジ部分に接触しにくくなり、かつワイヤボ
ンディング材の長さを短縮することができる。
るパフケージ接着部と半導体素子接合部との間に半導体
素子接合面側へ突出する突条を設けると共に、前記イン
ナーリードにおけるボンディング面を他の部位に較べて
高く形成したため、ダイパッドに設けた突条によって、
半導体素子接合部へ接着材が流れ込むのを防ぐことがで
き、また、インナーリードのボンディング面を高く形成
したことによって、このボンディング面へダイボンド材
、接着材等が流れ込むのを防ぐことができる。したがっ
て、ダイボンド材および接着剤によってボンディング部
分が汚染されるのを確実に防ぐことができ、ワイヤボン
ディング性を向上させることができる。また、インナー
リードのボンディング面と半導体素子との高低差を小さ
くすることができるから、ワイヤボンディング材が半導
体素子のエツジ部分に接触しにくくなり、かつワイヤボ
ンディング材の長さを短縮することができる。
このため、本発明に係るリードフレームを使用すると、
耐ヒートサイクル性が向上された信頼性の高い半導体装
置が得られる。
耐ヒートサイクル性が向上された信頼性の高い半導体装
置が得られる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は本発明２に係るリードフレ
ームを示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）
図中１ｉ線断面図である。第２図は本発明のリードフレ
ームを圧力センサーに装着させた状態を示す断面図、第
３図は他の実施例を示す断面図、第４図（ａ） 、 （
ｂ）は半導体圧力センサーを製造する際に使用する従来
のリードフレームを示す図で、同図（ａ）は平面図、同
図（ｂ）は（ａ）図中ＩＶ−ＩＶ線断面図である。第５
図（ａ） 、 （ｂ）は従来のリードフレーム上に半導
体素子を搭載させた状態を示す図で、同図（ａ）は半導
体素子がリードフレーム上にダイボンドされた状態を示
す断面図、同図（ｂ）は金線がワイヤボンドされた状態
を示す断面図である。 第６図（ａ） 、 （ｂ）は従来のリードフレームを使
用して組立てられた圧力センサーを示す図で、同図（ａ
）は縦断面図、同図（ｂ）は半導体素子搭載部分を拡大
して示す断面図である。第７図は圧力センサーの組立て
手順を示すフローチャート、第８図は従来のリードフレ
ームに半導体素子をダイボンドした際にダイボンド材が
インナーリード上に滲み出した状態を示す断面図、第９
図は同じ〈従来のリードフレームを圧力センサー内に装
着させた際に接着材が滲み出した状態を示す断面図であ
る。 １・・・・リードフレーム、ｌｄ・・・・インナーリー
ド、１ｆ・・・・ダイパッド、２・・・・半導体素子、
３・・・・ダイボンド材、４・・・・ワイヤボンディン
グ材、５・・・・ベース、６・・・・キャップ、７・・
・・接着剤、１１゜１２、２１．２２・・・・突起。
ームを示し、同図（ａ）は平面図、同図（ｂ）は（ａ）
図中１ｉ線断面図である。第２図は本発明のリードフレ
ームを圧力センサーに装着させた状態を示す断面図、第
３図は他の実施例を示す断面図、第４図（ａ） 、 （
ｂ）は半導体圧力センサーを製造する際に使用する従来
のリードフレームを示す図で、同図（ａ）は平面図、同
図（ｂ）は（ａ）図中ＩＶ−ＩＶ線断面図である。第５
図（ａ） 、 （ｂ）は従来のリードフレーム上に半導
体素子を搭載させた状態を示す図で、同図（ａ）は半導
体素子がリードフレーム上にダイボンドされた状態を示
す断面図、同図（ｂ）は金線がワイヤボンドされた状態
を示す断面図である。 第６図（ａ） 、 （ｂ）は従来のリードフレームを使
用して組立てられた圧力センサーを示す図で、同図（ａ
）は縦断面図、同図（ｂ）は半導体素子搭載部分を拡大
して示す断面図である。第７図は圧力センサーの組立て
手順を示すフローチャート、第８図は従来のリードフレ
ームに半導体素子をダイボンドした際にダイボンド材が
インナーリード上に滲み出した状態を示す断面図、第９
図は同じ〈従来のリードフレームを圧力センサー内に装
着させた際に接着材が滲み出した状態を示す断面図であ
る。 １・・・・リードフレーム、ｌｄ・・・・インナーリー
ド、１ｆ・・・・ダイパッド、２・・・・半導体素子、
３・・・・ダイボンド材、４・・・・ワイヤボンディン
グ材、５・・・・ベース、６・・・・キャップ、７・・
・・接着剤、１１゜１２、２１．２２・・・・突起。
Claims (1)
- 半導体素子がダイボンド材を介して接合されるダイパッ
ドと、前記半導体素子にワイヤボンディングされるイン
ナーリードとを有し、表裏両面に接着剤を介してパッケ
ージが接着されて封止されるリードフレームにおいて、
前記ダイパッドにおけるパッケージ接着部と半導体素子
接合部との間に半導体素子接合面側へ突出する突条を設
けると共に、前記インナーリードにおけるボンディング
面を他の部位に較べて高く形成したことを特徴とするリ
ードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12333689A JPH02303055A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12333689A JPH02303055A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02303055A true JPH02303055A (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=14858041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12333689A Pending JPH02303055A (ja) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02303055A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0546435A2 (en) * | 1991-12-12 | 1993-06-16 | STMicroelectronics S.r.l. | Protection device for integrated circuit associated with relative supports |
| JPH0961271A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体式センサ及びその製造方法 |
| KR100726039B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2007-06-08 | 엘에스전선 주식회사 | 복층 리드프레임 및 이를 위한 제조방법 |
| CN1323289C (zh) * | 2004-01-21 | 2007-06-27 | 株式会社电装 | 容纳在壳体中的压力传感器 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP12333689A patent/JPH02303055A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0546435A2 (en) * | 1991-12-12 | 1993-06-16 | STMicroelectronics S.r.l. | Protection device for integrated circuit associated with relative supports |
| EP0546435A3 (ja) * | 1991-12-12 | 1994-03-16 | Sgs Thomson Microelectronics | |
| JPH0961271A (ja) * | 1995-08-29 | 1997-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体式センサ及びその製造方法 |
| CN1323289C (zh) * | 2004-01-21 | 2007-06-27 | 株式会社电装 | 容纳在壳体中的压力传感器 |
| KR100726039B1 (ko) * | 2005-11-17 | 2007-06-08 | 엘에스전선 주식회사 | 복층 리드프레임 및 이를 위한 제조방법 |
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