JP3114403B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JP3114403B2 JP3114403B2 JP04340809A JP34080992A JP3114403B2 JP 3114403 B2 JP3114403 B2 JP 3114403B2 JP 04340809 A JP04340809 A JP 04340809A JP 34080992 A JP34080992 A JP 34080992A JP 3114403 B2 JP3114403 B2 JP 3114403B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- resin case
- adhesive
- pedestal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/141—Monolithic housings, e.g. molded or one-piece housings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49175—Parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16151—Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16195—Flat cap [not enclosing an internal cavity]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
途に適用される半導体圧力センサ、特にその組立構造に
関する。
コンチップのダイアフラム部に歪ゲージ抵抗を拡散形成
し、さらにその周辺に演算増幅器,および出力,温度特
性の調整用抵抗などを配置させたワンチップ集積形の半
導体圧力センサ素子を用いて構成したものが開発,製品
化されている。
圧を測定する表面加圧形圧力センサの例)の従来におけ
る組立構造を示すものである。図において、1は半導体
圧力センサ素子、1aは真空圧に保持されたダイアフラ
ム室、2は半導体圧力センサ素子1を搭載して接合した
ガラス台座(熱膨張係数がシリコンに近いパイレックス
ガラスで作られている)、3はモールド成形品として作
られた皿形の樹脂ケース、4は樹脂ケース3と一体モー
ルドしてケース側方に引出して配列したリード端子、5
はリード端子4と半導体圧力センサ素子1のチップ上面
に並ぶ各電極(ボンディングパッド)との間を接続した
ボンディングワイヤ、6は樹脂ケース3の上面に被着し
た蓋、7は半導体圧力センサ素子1,ボンディングワイ
ヤ5などの表面を封止して腐食などから保護するシリコ
ーンゲルである。
中央部分には凹所3aが形成されており、この凹所内に
圧力センサ素子1とガラス台座2との組立体が収容さ
れ、ガラス台座2の底面と樹脂ケース3との間が凹所3
aに充填した接着剤(エポキシ樹脂系)8にて接着,固
定されている。また、樹脂ケース3と蓋5との間は、接
合端面に接着剤(エポキシ樹脂系)9を塗布して両者間
が接合されており、かつ蓋6には大気圧の導圧孔6aが
開口している。さらに、ボンディングワイヤ5は太さが
約50μm程度のアルミ細線であり、通常は超音波ボン
ディング法により圧力センサ素子1のチップに並ぶ各電
極と、この電極に対応するリード端子3のインナーリー
ド部との間に跨がって接続されている。
よび回路調整法(ファンクショントリミングなど)につ
いては、よく知られているところであり、ここでは説明
を省く。
来の組立構造では、半導体圧力センサの組立,回路調
整,実使用時の取扱面などで次記のような問題点があ
る。 (1)図10の構成では、樹脂ケース3に形成した凹部
3aの底面はフラットであり、ここにガラス台座2を固
定する際には、まず凹所3aに適当量の接着剤8を滴下
充填した後、接着剤8の上に圧力センサ素子1と組合わ
せたガラス台座2を載せて上方から適当な押圧力を加
え、接着剤8を硬化させて所定位置に固定するようにし
ている。
剤8の充填量,押圧力が適正に管理されないと、余剰の
接着剤が凹所8から溢れ出て充電部に付着したり、ガラ
ス台座2の底面と凹所3aとの間に介在する接着剤8の
層厚が薄すぎて接合不良になったりするほか、ガラス台
座2が所定位置から水平方向にずれ動いたり,取付け姿
勢が凹所3aのフラット面に対して傾いたりすることが
ある。しかも、このような取付け位置のずれ,姿勢の傾
きが生じると、後の回路調整工程でフアンクショントリ
ミング(レーザトリミング)を行う際の作業に支障を来
す。
み込んだリード端子4は、該ケースの周壁貫通部でのみ
固定されており、ケース内方に突出したインナーリード
部は単に樹脂ケース3の底面上に担持されているにすぎ
ない。このために、圧力センサ素子1とリード端子4と
の間で超音波ボンディング法によりワイヤボンディング
を行うと、リード端子4がボンディングウエッジから加
わる超音波振動に共振する現象が生じてワイヤが適正に
ボンディングされなくなる問題が発生する。なお、この
ような共振現象は、インナーリード部のケース周壁から
の突出し長さ,超音波の振幅,周波数,およびボンディ
ングツールの押圧力などが相互に作用して発生する。
は、ケースまたは蓋のいずれかの端面に接着剤9を塗布
した上でケース上に蓋を被せ、両者間に押圧力を加えな
がら接着剤を硬化させるようにしている。しかして、接
着剤9の塗布量,押圧力の管理が適正でないと、余剰の
接着剤9が樹脂ケース3の内外周面にはみ出して、ケー
ス内に注入したシリコンゲルと混触したり、ボンディン
グワイヤ5に付着したりするほか、ケース外周面側には
み出して外観を損なうといった不具合を引き起こす。
に形成したボンディングパッド(電源電圧印加用の電極
Vcc, 出力電圧引出し用の電極Vo,接地用の電極GND な
ど)の配列順序は決まっているのに対して、樹脂ケース
3から引出した外部導出用のリード端子4の配列順序は
ユーザ側の仕様によって様々に変わる。このために、図
10のように圧力センサ素子の各電極(ボンディングパ
ッド)と1対1に向かい合う配列でリード端子4を樹脂
ケース1から引出した構成では、圧力センサ素子1の電
極配列順序とユーザが指定したリード端子の配列順序と
が異なる場合には、当然のことながら素子の電極とリー
ド端子との間をワイヤボンディングする際にボンディン
グワイヤ同士がループ途中で交差し合うようになる。し
かも、ワイヤループが交差する箇所では、一方のワイヤ
の上を他方のワイヤが跨ぐように個々のワイヤループ高
さを変えなければならいためボンディングツールの移動
制御が厄介であるほか、ワイヤ垂れなどが生じた場合に
異極ワイヤの間で接触事故が生じるおそれがある。
て、DIL(デュアル・イン・ラインタイプ)とSIL
(シングル・イン・ラインタイプ)とがあるが、従来の
構成では双方のタイプの間に互換性がなく、その対応策
が要望されている。 (6)図10の構成で、半導体圧力センサ素子1,ボン
ディングワイヤ5の表面をシリコーンゲルで封止する場
合に、従来では樹脂ケース3の内方にシリコーンゲルを
一杯に注入した後、ケース内に上方から吸引ノズルを挿
入して余分なゲルを吸い取るようにしているが、この吸
出し作業を行う際に吸引ノズルが素子のチップ,ワイヤ
などに当たってチップの傷付き,ワイヤ切断などのトラ
ブルがしばしば発生することから、その対応策が望まれ
ている。
であり、その目的は前記の各課題を解決して品質,信頼
性の向上が図れるようにした半導体圧力センサ、特にそ
の組立構造を提供することにある。
に、本発明は、樹脂ケースと、該樹脂ケースから引出し
たリード端子と、前記樹脂ケース内の収容部に収容して
固定した台座と、該台座上に装着した半導体圧力センサ
素子とを少なくとも備え、該半導体圧力センサ素子と前
記リード端子とを電気的に接続した半導体圧力センサを
対象に次記のように構成するものとする。
座を担持するリング状突起部を形成し、収容部に接着剤
を充填し台座を接着し固定する。
面に対し、樹脂ケース側の端面には周方向に沿ったリブ
状突起を設け、かつ蓋側にはリブ状突起より内周側の端
面に密着し合う突当段部,およびリブ状突起に対向して
蓋側の端面に接着剤溜りとなる溜り部を設ける。
ド端子については、そのインナーリード部の内端を延長
して半導体圧力センサ素子のチップの側縁に沿った延長
部を形成する。 (4)、半導体圧力センサ素子を挟んでその両側にリー
ド端子を配列し、その一方の側のリード端子を半導体圧
力センサ素子のファンクショントリミングの際に外部測
定装置との接続に供する調整用端子とする。
孔を兼ねた余剰ゲル導出孔を穿孔し、樹脂ケース内を封
止材で封止する。 (6)前項(1)〜(5)の構成を併用して構成する。
また、前記各項の構成に対しては、次記の実施態様があ
る。
る接着剤には、硬化後の状態でゴム弾性を有する自己接
着性シリコーン接着剤を用いる。 (8)前項(1)において、リング状突起部の周上の一
部にその内外周域を連通する連通部を形成する。
よび蓋の内外周縁部に対し、少なくとも外周端縁部にテ
ーパ状の面取りを施す。 (10)前項(2)において、リブ状突起の外周面を垂
直に対して外周側にオーバーハングさせる。
ス,蓋に対し、リブ状突起よりも外周寄りの面域に接着
剤と結着し合う突起を設ける。 (12)前項(3)において、延長部に対し、電気的接
続部を除いてリード部上面を樹脂で被覆する。 (13)前項(4)において、調整用端子として用いる
リード端子を、半導体圧力センサをプリント配線板へ実
装する際の支持脚用に残してデュアル・イン・ライン・
パッケージに対応させる。
として用いるリード端子を、半導体圧力センサをプリン
ト配線板へ実装する際に切断してシングル・イン・ライ
ン・パッケージに対応させる。
る。前記(1)および(2),(3)の構成において、
収容部の底面に設けたリング状突起部の高さに合わせて
接着剤を適量充填し、続いて半導体圧力センサ素子と一
体化した台座を収容部に収容し、突起部の上に載置して
上方から押しつければ、台座はその底面が部分的に突起
部の上に重なって水平姿勢に担持され、かつ突起部を除
いた面域で台座の底面と収容部の底面との間に接着剤が
隙間なく充填されるとともに、台座により押し出された
余剰の接着剤は収容部の残余スペースに逃げ込む。した
がって、この状態で接着剤を硬化させれば、台座は位置
ずれ,姿勢の傾きなどを生じることなく、所定位置に接
着,固定される。ここで、接着剤として硬化後もゴム弾
性を有する自己接着性シリコーン接着剤(例えば東芝シ
リコーン(株)の製品、商品名:TSE322)を用い
れば、樹脂ケースと台座との間の熱膨張差による応力が
接着剤自身で吸収されるので、不当な歪が半導体圧力セ
ンサ素子に加わることがない。
1)の構成において、樹脂ケースの端面外周域に接着剤
を塗布し、その上に蓋を被せて蓋側の突当段部が樹脂ケ
ース側の端面に突き当たるまで押圧すると、接着剤は樹
脂ケースと蓋との間に隙間に広がって両者間を接着す
る。この場合に、隙間から内外の方向に押し出された余
剰の接着剤のうち、内周側に押し出された分は蓋側に設
けた接着剤溜りとなる溜り部内に逃げ込むので樹脂ケー
ス内部にはみ出すことがなく、外周側に押し出された分
は外周端縁の面取り部で囲まれた拡大スペース内に収ま
るので、樹脂ケースの周面上にはみ出すことがない。ま
た、リブ状突起の外周面をオーバーハング(オーバーハ
ング角5〜10°)させておくことにより、蓋を嵌め込
む際に接着剤を外周側へ押し出す力が働いて内周側への
広がりを抑えることができる。さらに、樹脂ケース、蓋
の外周側面域に設けた突起は接着剤の中に突出して結着
し、その投錨効果によりケースと蓋との間に高い接着力
を確保するように働く。
よれば、半導体圧力センサ素子のチップ側に並ぶ電極の
配列順序と、各電極に対応するリード端子の配列順序と
が異なる場合でも、チップの側縁に沿ったインナーリー
ド部の延長部を電気的接続部として利用することによ
り、ワイヤ同士を途中で交差させることなく、各ワイヤ
を相互に引き離した位置で半導体圧力センサ素子とリー
ド端子との間にワイヤを接続することができる。この場
合にインナーリード部の延長部に対して電気的接続部以
外の範囲を樹脂で被覆すれば(例えば樹脂ケースのモー
ルドの際に樹脂内に埋め込む)、この部分の上を跨る異
極のワイヤが垂れ下がってもワイヤとリードとが直接接
触するようなトラブルが防げる。
端子を通じて回路調整の際に必要な信号を外部にとり出
すことができる便宜性が得られるほか、回路調整が済ん
だ後も前項(13)のように調整用端子をそのまま残存
しておけば、圧力センサの製品をプリント配線板に搭載
するに当たって、調整用端子を支持脚としたDILパッ
ケージとして製品をプリント配線板に実装することがで
きる。これに対して、回路調整が済んだ後に樹脂ケース
から外方に突き出た調整用端子を前項(14)のように
切断しておけば、SILパッケージとしてプリント配線
板に起立姿勢に実装することができるなど、同じ製品を
DIL,SILのいずれにも対応可能となる。
ケース内にシリコーンゲルを注入した後に、余剰のゲル
が樹脂ケースの下面側に穿孔した導出孔を通じて自然に
流出する。したがって、吸引ノズルなどの治具を用いた
余剰ゲルの吸出し作業が不要になり、半導体圧力センサ
素子のチップ,ワイヤなどの保護が図れる。また、この
余剰ゲル導出孔を大気圧の導圧孔と兼用にすれば、蓋の
上面に開口している導圧孔の省略が可能であり、これに
より実使用時に蓋側の導圧孔を通じて周囲から樹脂ケー
ス内にごみ,塵埃のなどの異物が侵入して半導体圧力セ
ンサ素子などに付着するトラブルを防げる。
る。なお、実施例の各図において、図10と対応する同
一部材には同一符号を付してある。まず、図1,図2は
本発明の請求項1〜3に対応する実施例の構成を示すも
のである。すなわち、図1(a)〜(c)の構成におい
ては、樹脂ケース3の内部中央に形成した凹所3aの底
面に平面パターンがリング状の突起部3bが形成されて
いる。そして、突起部3bの上面が僅かに被る程度に凹
所3に接着剤8を充填した後に、半導体圧力センサ素子
1と結合したガラス台座2を凹所3内に搬入し、突起部
3bの上に載せて上方から押し付ける。なお、この場合
に突起部3bの上面とガラス台座2の底面との間に充填
された接着剤8の層厚aがa≒0.1mmとなるように
押圧力を管理し、この状態で接着剤8を硬化させてガラ
ス台座2を接着,固定する。なお、ガラス台座2を押圧
した際に押し出された余剰の接着剤は凹所3の周壁とガ
ラス台座2の周面との間の残余スペースに逃げ込むので
溢れでることがない。また、前記の接着剤8には、硬化
後にある程度のゴム弾性を有する自己接着性シリコーン
接着剤を採用すれば、実使用時のヒートサイクルでガラ
ス台座2と樹脂ケース3との間に熱膨張差が生じても、
その応力は接着剤8に吸収されるので、ガラス台座2,
半導体圧力センサ素子1に不当な歪を与えるおそれはな
い。
突起部3bの他の実施例を示すものであり、(a)図で
はリング状の突起部3bに対してその周上の一部には切
欠溝3cが形成されている。この切欠溝3cは接着剤8
の充填後にガラス台座2を押しつけた際に押し出される
余剰の接着剤の逃げ溝として機能する。一方、(b)図
は突起部3bが凹部3の底面に分散した複数本の柱で構
成した例を示す。
半導体圧力センサの構造を説明する。すなわち、図示構
成においては、樹脂ケース3の周壁を貫通してケース内
方に突出したリード端子4のインナーリード部4aは、
上面を露呈させるとともに、その周縁を取り囲むように
樹脂層内に埋没して樹脂ケース3と一体にモールドされ
ている。かかる構成により、リード端子4のインナーリ
ード部4aと樹脂ケース3とが強固に結合し合うので、
超音波ボンディング法によりリード端子4とワイヤ5と
をボンディングする際にインナーリード部4aが超音波
振動と共振することがなく、これによりワイヤ5を適正
にボンディングすることができる。
インナーリード部4aの埋没深さbは、リード端子4の
板厚をtとして(1/4)t≦b≦2tの範囲とするこ
とでよいことが実験結果から確認されている。次に、図
4,図5により本発明の請求項4〜7に対応した実施例
の構造を説明する。まず、図4において、樹脂ケース3
と蓋6との間の重なり合い部に対し、樹脂ケースの3の
端面中央には周方向に沿ってリブ状突起3dが起立形成
されている。また、蓋6には前記リブ状突起3dより内
周側でケースの端面に当接し合う突当段部6b、および
リブ状突起3dに対向した部位に接着剤溜り溝6cが形
成されている。さらに、リブ状突起3dよりも外周側に
設定した接着剤9の塗布面域ではケース3と蓋6との間
には間隔cが確保してあり、かつその外周端縁にはテー
パ状に拡大した面取り部3e,6eが形成されている。
端面外周面域(リブ状突起3dの外周側)に接着剤9を
塗布した上で蓋9を被せると、蓋6の突当段部6bがリ
ブ状突起3dの内周側に嵌合してケースの端面に当接す
るとともに、接着剤9の余剰分は蓋6の押し付けにより
内外周に向けて押し出されるようになる。しかして、内
周側に向かって押し出された分は蓋側に設けた接着剤溜
り溝6cの内に逃げ込むので、接着剤9がケース内には
み出すことがない。また、外周側に押し出されれた分は
前記の面取り部3eと6dとの間に囲まれた拡大スペー
ス内に逃げ込み、かつ接着剤の表面張力によりスペース
内に保持されてケースの外周面よりはみ出すことがな
く、この状態で接着剤9を硬化することで樹脂ケース3
と蓋6との間が接着される。
例であり、この構造においては、まず図4で述べた面取
り部3e,6dと同様な面取り部が樹脂ケース3,蓋6
の内周端縁側にも形成されており、万一接着剤9がリブ
状突起3dを乗り越えてケースの内周側に漏出した場合
にもケース内へのはみ出しを防止している。また、リブ
状突起3dは、その外周面が垂直面に対してオーバーハ
ング(オーバーハング角度d=5〜10゜程度)してい
る。これにより、樹脂ケース3に蓋6を被せた際にリブ
状突起3dのオーバーハング外周面が接着剤9を外周側
に向けて押し出すように働くので、内周側への漏出を効
果的に防止できる。さらに、樹脂ケース3,および蓋6
に対して外周側の接合部位に図示のような突起3f,6
eを設けておけば、該突起と接着剤9との間に働く投錨
効果により、ケースと蓋との間の接着力がより一層高ま
る。
8,9に対応した実施例の構造を説明する。まず、図6
(a),(b)において、半導体圧力センサ素子1のチ
ップ側縁には左側から電極Vcc,Vo,GNDの順序で各電
極のボンディングパッドが一列に並んで配列されてい
る。一方、チップに対向して側方に配列した3本のリー
ド端子4のうち、左側端のリード端子については、その
インナーリード部の内部から直角方向に延びた延長部4
bが形成されており、この延長部4bがチップの側縁に
沿って平行に延在している。
側の電極GND は右側端のリード端子にワイヤボンディン
グするものとして、左側端のリード端子の延長部4bを
利用してワイヤボンディングを行うことにより(a),あ
るいは(b)図で示すようリード端子4の信号取出の配
列順序が異なる場合でも、ワイヤ5のループを交差させ
ることなくチップ側の各ボンディングパッドとの間にワ
イヤ5を配線できる。また、この場合にリード延長部4
bの中間部位(斜線を付した部分)の表面を例えば樹脂
ケースと一体モールドする際に樹脂層で覆うなどしてお
くことにより、該延長部4bの上を跨ぐワイヤ5が垂れ
下がっても異極間での接触事故が安全に回避される。
ナーリード部の他の実施例を示すものであり、(a)図
では3本のリード端子4のうち左側に並ぶ2本のリード
端子については、チップ側の電極Vcc,Voの配列をカ
バーするような延長部4bが形成されている。さらに、
(b)図では3本の各リード端子4の全てにチップ側の
電極Vcc,Vo,GNDの配列をカバーするように延長部4
bが形成される。特に(b)図の端子配列によれば、リ
ード端子4からの信号取出しの配列順序を、ボンディン
グワイヤ5を交差させることなく自由に設定できる。図
8(a)〜(c)は本発明の請求項10〜12に対応す
る実施例を示すものである。この実施例においては、半
導体圧力センサ素子1を収容した樹脂ケース3に対し、
その一方側(左側)には半導体圧力センサ素子1のファン
クショントリミングを行う際に外部測定装置との接続に
供するリード端子列4A(端子記号Vpls,RMT,RMD)
を、他方(右側)には実際の圧力測定に用いるリード端
子列4B(端子記号Vcc,Vo,GND)を配列してDIL
パッケージを構成している。
端子4は、それぞれ半導体圧力センサ素子1のチップに
形成した演算増幅器の中間出力,モニタ用薄膜抵抗,モ
ニタ用拡散抵抗にワイヤ5を介して接続された回路調整
端子として使用される。なお、モニタ用の薄膜抵抗,拡
散抵抗を使って行う半導体圧力センサ素子1の回路調整
法(ファンクショントリミング)については同じ出願人
より提案されている特開平3−190271号公報に詳
記されている。
をあらかじめ樹脂ケース3に設けておくことにより、外
部測定装置への信号の取出しが容易に行える。また、完
成した半導体圧力センサの製品をプリント配線板に搭載
する場合に、樹脂ケース3から引出した前記のリード端
子列4Aをそのまま残しておけば、(b)図のようにリ
ード端子列4Aを支持脚としてプリント配線板10に固
定することができるほか、(c)図のようにリード端子
列4Aを根元からX−X線に沿って切断すれば、SIL
パッケージとしての使用にも対応できる。
る実施例の構成を示す。この実施例においては、樹脂ケ
ース3の底面側に導圧孔を兼ねた余剰ゲル導出孔3gが
開口されている。かかる構成により、回路組立後(蓋6
の装着前)に樹脂ケース3の中に封止用のシリコーンゲ
ル7を上方から注入すると、半導体圧力センサ素子1の
チップ,ガラス台座2,ワイヤ5の表面をコートした
後、余剰のゲルは前記の導出孔3gを通じてケースの外
部へ自重式に流出する。したがって、従来のように吸引
ノズルなどの治具を用いて余剰ゲルを吸い取る作業が不
要であり、このノズル吸出し作業に伴うチップの傷付
き,ワイヤ切断などのトラブルを回避できる。また、こ
の余剰ゲル導出孔3gを圧力センサの実使用時に導圧孔
として利用すれば、図10のように蓋6の上面に導圧孔
6aを開口した構造と比べて、ケース内に周囲からご
み,塵埃などが侵入するのを防止する上でも有利であ
る。
の組立構造を各部に分けて説明したが、実際の製品には
これら各構造を組合わせて構成するものとする。
ば次記の効果を奏する。 (1)請求項1〜3の構成によれば、半導体圧力センサ
素子,台座を樹脂ケースの収容部へ組み込む際に、その
取付け姿勢,位置決めを適正に行なうことができる。ま
た、接着剤のゴム弾性を利用することでセンサ素子へ不
要な歪の影響が及ぶのを防止できる。
が樹脂ケースの内外周面側にはみ出すのを巧みに回避し
つつ、樹脂ケースと蓋との間を強固に接合することがで
きる。
圧力センサ素子の各電極とリード端子との間をワイヤで
接続する際に、ボンディングワイヤ同士を交差させるこ
となく、リード端子の多様な配列にも対応させることが
できる。 (4)請求項10〜12の構成により、半導体圧力セン
サの回路調整作業に便宜性を与えるほか、半導体圧力セ
ンサの製品をプリント配線板に搭載する際には、デユア
ル・イン・ライン・パッケージ,あるいはシングル・イ
ン・ライン・パッケージとしての対応が可能である。
ス内に組み込まれた半導体圧力センサ素子,ボンディン
グワイヤなどの表面にシリコーンゲルを塗布して封止す
る作業工程で、吸引ノズルなどの治具を使用せずに樹脂
ケース内に注入したシリコーンゲルの余剰分を樹脂ケー
ス外に排出できるほか、実使用時には外部から樹脂ケー
ス内にゴミ,塵埃などが侵入するのを良好に防げる利点
もある。
を表す図であり、(a)は樹脂ケースの平面図、(b)
は側断面図、(c)はガラス台座の装着状態図
り、(A),(B)はそれぞれ突起部の異なる平面パタ
ーン図
であり、(a)は樹脂ケースの平面図、(b)は側断面
図、(c)はガラス台座の装着状態図
接合構造を表す断面図
間の接合構造を表す断面図
対するリード端子列の配列パターンを表す図であり、
(a),(b)はそれぞれ異なる信号取出しの配列に対応
したボンディングワイヤの配線図
子に対するリード端子の配列パターンを表す図であり、
(A),(B)は異なるパターンに形成したリード端子
の配列図
ド端子の配列を表す図であり、(a)平面図、(b)は
DILに対応したプリント配線板への搭載図、(c)は
SILに対応したプリント配線板への搭載図
明の実施例を表す圧力センサの構成断面図
であり、(a)は断面図、(b)は(a)図の部分平面
図
Claims (14)
- 【請求項1】樹脂ケースと、該樹脂ケースから引出した
リード端子と、前記樹脂ケース内の収容部に収容して固
定した台座と、該台座上に装着した半導体圧力センサ素
子とを少なくとも備え、該半導体圧力センサ素子と前記
リード端子とを電気的に接続した半導体圧力センサにお
いて、前記収容部の底面に前記台座を担持するリング状
突起部を形成し、前記収容部に接着剤を充填し前記台座
を接着し固定したことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項2】請求項1記載の半導体圧力センサにおい
て、前記台座を固定する接着剤が、硬化後の状態でゴム
弾性を有する自己接着性シリコーン接着剤であることを
特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項3】請求項1記載の半導体圧力センサにおい
て、前記リング状突起部の周上の一部にその内外周域を
連通する連通部を形成したことを特徴とする半導体圧力
センサ。 - 【請求項4】樹脂ケースと、前記樹脂ケースから引出し
たリード端子と、前記樹脂ケース内の収容部に収容して
固定した台座と、該台座上に装着した半導体圧力センサ
素子とを少なくとも備え、該半導体圧力センサ素子と前
記リード端子とを電気的に接続した半導体圧力センサに
おいて、前記樹脂ケースと蓋との重なり合い面に対し、
前記樹脂ケース側の端面には周方向に沿ったリブ状突起
を設け、かつ前記蓋側には前記リブ状突起より内周側の
端面に密着し合う突当段部,および前記リブ状突起に対
向して前記蓋側の端面には接着剤溜りとなる溜り部を設
けたことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項5】請求項4記載の半導体圧力センサにおい
て、前記樹脂ケースおよび前記蓋の内外周縁部に対し、
少なくとも外周端縁部にテーパ状の面取りを施したこと
を特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項6】請求項4記載の半導体圧力センサにおい
て、前記リブ状突起の外周面を吸い直面に対して外周側
にオーバーハングさせたことを特徴とする半導体圧力セ
ンサ。 - 【請求項7】請求項4記載の半導体圧力センサにおい
て、前記樹脂ケース,蓋に対し、前記リブ状突起よりも
外周寄りの面域に接着剤と結着し合う突起を設けたこと
を特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項8】樹脂ケースと、前記樹脂ケースから引出し
たリード端子と、前記樹脂ケース内の収容部に収容して
固定した台座と、該台座上に装着した半導体圧力センサ
素子とを少なくとも備え、該半導体圧力センサ素子と前
記リード端子とを電気的に接続した半導体圧力センサに
おいて、前記リード端子の少なくとも一部のリード端子
については、そのインナーリード部の内端を延長して前
記半導体圧力センサ素子のチップの側縁に沿った延長部
を形成したことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項9】請求項8記載の半導体圧力センサにおい
て、前記延長部に対し、電気的接続部を除いてリード部
上面を樹脂で被覆したことを特徴とする半導体圧力セン
サ。 - 【請求項10】樹脂ケースと、前記樹脂ケースから引出
したリード端子と、前記樹脂ケース内の収容部に収容し
て固定した台座と、該台座上に装着した半導体圧力セン
サ素子とを少なくとも備え、該半導体圧力センサ素子と
前記リード端子とを電気的に接続した半導体圧力センサ
において、前記半導体圧力センサ素子を挟んでその両側
に前記リード端子を配列し、その一方の側のリード端子
を前記半導体圧力センサ素子のファンクショントリミン
グの際に外部測定装置との接続に供する調整用端子とし
たことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項11】請求項10記載の半導体圧力センサにお
いて、前記調整用端子として用いる前記リード端子を、
前記半導体圧力センサをプリント配線板へ実装する際の
支持脚用に残してデユアル・イン・ライン・パッケージ
に対応させたことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項12】請求項10記載の半導体圧力センサにお
いて、前記調整用端子として用いる前記リード端子を、
前記半導体圧力センサをプリント配線板へ実装する際に
切断してシングル・イン・ライン・パッケージに対応さ
せたことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項13】樹脂ケースと、前記樹脂ケースから引出
したリード端子と、前記樹脂ケース内の収容部に収容し
て固定した台座と、該台座上に装着した半導体圧力セン
サ素子とを少なくとも備え、該半導体圧力センサ素子と
前記リード端子と を電気的に接続した半導体圧力センサ
において、前記樹脂ケースの下面側に大気圧の導圧孔を
兼ねた余剰ゲル導出孔を穿孔し、前記樹脂ケース内を封
止材で封止したことを特徴とする半導体圧力センサ - 【請求項14】請求項1,4,8,10,13の各項に
記載の構成を併用して構成したことを特徴とする半導体
圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04340809A JP3114403B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04340809A JP3114403B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06186104A JPH06186104A (ja) | 1994-07-08 |
JP3114403B2 true JP3114403B2 (ja) | 2000-12-04 |
Family
ID=18340496
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04340809A Expired - Lifetime JP3114403B2 (ja) | 1992-12-22 | 1992-12-22 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3114403B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018115954A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
JP7043904B2 (ja) | 2018-03-13 | 2022-03-30 | 富士電機株式会社 | センサ装置およびその製造方法 |
JP7052441B2 (ja) | 2018-03-13 | 2022-04-12 | 富士電機株式会社 | センサ装置 |
US11435259B2 (en) * | 2020-03-31 | 2022-09-06 | Denso Corporation | Pressure sensor for evaporated fuel leak detector |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10170367A (ja) * | 1996-12-09 | 1998-06-26 | Denso Corp | 半導体式圧力センサ |
US5986316A (en) * | 1997-11-26 | 1999-11-16 | Denso Corporation | Semiconductor type physical quantity sensor |
JP3452835B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2003-10-06 | 三菱電機株式会社 | 圧力センサ装置 |
US6453749B1 (en) * | 1999-10-28 | 2002-09-24 | Motorola, Inc. | Physical sensor component |
JP2002098709A (ja) * | 2000-09-26 | 2002-04-05 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2003133626A (ja) * | 2001-10-19 | 2003-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子用パッケージ及び発光素子の封止方法 |
JPWO2003062779A1 (ja) | 2002-01-18 | 2005-05-26 | 株式会社日立製作所 | 圧力検出装置,流量計電子部品および、その製造方法 |
JP4544107B2 (ja) * | 2005-06-29 | 2010-09-15 | 株式会社デンソー | センサ装置 |
JP2007199049A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-08-09 | Yamaha Corp | 半導体装置 |
JP4180613B2 (ja) | 2006-04-20 | 2008-11-12 | 三菱電機株式会社 | センサ装置 |
JP4765004B2 (ja) | 2006-09-04 | 2011-09-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4856014B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2012-01-18 | 三菱電機株式会社 | 回路モジュールとその製造方法 |
JP2011169593A (ja) * | 2008-06-10 | 2011-09-01 | Panasonic Corp | アタッチメント部材と、これを用いた慣性センサ装置、自動車、及びカーナビゲーション装置 |
CH703737A1 (de) * | 2010-09-13 | 2012-03-15 | Kistler Holding Ag | Drucksensor mit piezoresistivem sensorchip-element. |
JP2012227217A (ja) * | 2011-04-15 | 2012-11-15 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電子制御装置 |
JP2014228295A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | 株式会社デンソー | 半導体圧力センサ装置 |
FR3012604B1 (fr) * | 2013-10-25 | 2017-03-03 | Auxitrol Sa | Capteur de pression comprenant une structure de controle d'une couche d'adhesif resistante aux variations de temperatures |
US9499393B2 (en) * | 2015-02-06 | 2016-11-22 | Mks Instruments, Inc. | Stress relief MEMS structure and package |
JP6737675B2 (ja) * | 2016-09-27 | 2020-08-12 | 京セラ株式会社 | 圧力検知素子搭載用パッケージ、圧力検知装置および電子モジュール |
JP6984133B2 (ja) * | 2017-02-03 | 2021-12-17 | 日本電産株式会社 | モータ |
JP6698044B2 (ja) * | 2017-03-17 | 2020-05-27 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
KR102449221B1 (ko) * | 2017-04-04 | 2022-09-29 | 주식회사 오토닉스 | 센서 |
JP7056853B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2022-04-19 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | Mems素子の実装構造 |
DE212019000225U1 (de) * | 2018-03-20 | 2020-10-22 | Alps Alpine Co., Ltd. | Drucksensor |
JP2020004870A (ja) * | 2018-06-28 | 2020-01-09 | 株式会社クボタ | 電気部品収容ケースの組付構造 |
EP3961175A4 (en) | 2019-04-26 | 2022-06-22 | Nagano Keiki Co., Ltd. | PRESSURE SENSOR |
US20230254990A1 (en) * | 2020-06-22 | 2023-08-10 | Hitachi Astemo, Ltd. | Electronic Control Device |
JP2023040766A (ja) | 2021-09-10 | 2023-03-23 | 株式会社デンソーウェーブ | センサ素子取付構造 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57108632A (en) * | 1980-12-26 | 1982-07-06 | Hitachi Ltd | Pressure sensor |
JPS57125828A (en) * | 1981-01-29 | 1982-08-05 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor pressure sensor for car |
JPS62203381A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体圧力検出装置 |
JPH0238831A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-08 | Nec Corp | 半導体用ステム |
-
1992
- 1992-12-22 JP JP04340809A patent/JP3114403B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018115954A (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
WO2018135294A1 (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
JP7043904B2 (ja) | 2018-03-13 | 2022-03-30 | 富士電機株式会社 | センサ装置およびその製造方法 |
JP7052441B2 (ja) | 2018-03-13 | 2022-04-12 | 富士電機株式会社 | センサ装置 |
US11435259B2 (en) * | 2020-03-31 | 2022-09-06 | Denso Corporation | Pressure sensor for evaporated fuel leak detector |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06186104A (ja) | 1994-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3114403B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
US5893726A (en) | Semiconductor package with pre-fabricated cover and method of fabrication | |
US6627872B1 (en) | Semiconductor optical sensing apparatus with reliable focusing means and casing structure | |
JP3316714B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPH1197656A (ja) | 半導体光センサデバイス | |
US20090026372A1 (en) | Infrared sensor and method for manufacturing infrared sensor | |
US5266827A (en) | Semiconductor pressure sensor assembly having an improved package structure | |
JPH0373559A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP3406270B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US5539253A (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
US20130320557A1 (en) | Semiconductor package having reliable electrical connection and assembling method | |
KR101166654B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US5874783A (en) | Semiconductor device having the inner end of connector leads displaced onto the surface of semiconductor chip | |
JPH0951067A (ja) | リードフレーム | |
JP2000077602A (ja) | 半導体装置 | |
US6162653A (en) | Lead frame attachment for optoelectronic device | |
JP2505068Y2 (ja) | 半導体装置のパッケ―ジ構造 | |
JPH02278752A (ja) | 半導体装置 | |
JP3149631B2 (ja) | 半導体装置及びその実装装置及びその実装方法 | |
JPH08116179A (ja) | 電子回路容器 | |
JP3831844B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2815984B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN110945645A (zh) | 半导体装置及半导体装置的制造方法 | |
JPH09113393A (ja) | センサチップ保護用キャップの固定構造 | |
JPH03283552A (ja) | 混成集積回路基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070929 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080929 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080929 Year of fee payment: 8 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080929 Year of fee payment: 8 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080929 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929 Year of fee payment: 10 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929 Year of fee payment: 10 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929 Year of fee payment: 11 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929 Year of fee payment: 11 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120929 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120929 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130929 Year of fee payment: 13 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130929 Year of fee payment: 13 |