JPH06168988A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH06168988A
JPH06168988A JP4321853A JP32185392A JPH06168988A JP H06168988 A JPH06168988 A JP H06168988A JP 4321853 A JP4321853 A JP 4321853A JP 32185392 A JP32185392 A JP 32185392A JP H06168988 A JPH06168988 A JP H06168988A
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    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、高周波特性を改善した半導体装
置を提供することにある。 【構成】 この発明は、樹脂により封止されたチップ１
のソース端子４面が外部の接地電位面の近傍に配置さ
れ、チップ１のソース端子４が接続される部位の近傍に
おけるインナーリード５の一部が、インナーリード５の
終端に至る以前に樹脂封止体３から露出されて接地電位
に接続され、露出部分からインナーリード５が樹脂封止
体３内に延伸されて構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体チップが樹脂
で封止されてなる半導体装置に関し、特に高周波特性を
改善した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】高周波数、特に１２ＧＨｚ以上の超高周
波数で使用される半導体装置にあっては、半導体チップ
と外部とを接続するボンディングワイヤ、インナーリー
ド、アウターリード等の電流線路が有するインダクタン
ス（Ｌ）やキャパシタンス（Ｃ）が特性に影響を与える
ことになる。特に、半導体チップのソースに寄生するソ
ースインダクタンスは、雑音指数（ＮＦ）や付随利得
（Ｇａ）といった特性に大きく影響する。このため、高
周波で使用される半導体チップの外囲器では、上記の点
を考慮した構造が採用されている。
【０００３】図３は高周波数で使用される半導体チップ
をセラミックで封止した外囲器の一従来例を示す上面図
（同図（ａ））及び同図（ａ）のＥ−Ｅ断面を示す断面
図（同図（ｂ））である。
【０００４】図３において、半導体チップ５０として例
えば単体の電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、封止材
のセラミック上に２〜３μｍ程度の厚さに形成された薄
いメタル層５１上にマウントされて封止されている。こ
のように封止された半導体チップ５０は、ソース端子、
ドレイン端子、ゲート端子がソース、ドレイン、ゲート
のそれぞれのアウターリード５２，５３，５４までメタ
ル層５１により引き出されて接続されている。
【０００５】このような構造において、メタル層５１は
それぞれのアウターリード５２，５３，５４に比べて、
厚みが１桁程度薄く断面積が小さいため、インダクタン
スが大きくなる。このため、メタル層５１の基板素材で
セラミック（アルミナ）の誘電損失により、信号伝送
（トランスミッション）ロスが生じ、雑音指数（ＮＦ）
や付随利得（Ｇａ）が悪くなっていた。
【０００６】また、セラミックの外囲器は、その製造工
程が複雑になるとともに高価であり、大量生産には不向
きであった。
【０００７】図４は高周波数で使用される半導体チップ
を樹脂で封止した外囲器の一従来例を示す上面図（同図
（ａ））及び同図（ａ）のＦ−Ｆ断面を示す断面図（同
図（ｂ））である。
【０００８】図４に示す構造において、樹脂封止体５５
で封止された半導体チップ５６がマウントされているイ
ンナーリード５７は、リードフレームの保持力を確保す
るために、インナーリード５７下の樹脂の厚さが一定値
以上必要であった。このため、インナーリード５７の
面、すなわち半導体チップ５６における例えば接地電位
に接続されるソース端子面と、アウターリード５８と接
地電位が接続される接地電位面５９との垂直間距離が大
きくなり、インナーリード５７のインダクタンスが大き
くなっていた。
【０００９】さらに、アウターリード５８と接地電位と
の接続部分と半導体チップ５６のソース端子との距離が
離れているとともに、インナーリード５７はアルミナに
比べて１桁程度大きな誘電損失を有する樹脂によって周
囲が囲まれているため、インダクタンスはセラミック外
囲器に比べてかなり大きくなっていた。したがって、雑
音指数や付随利得の悪化量もより大きなものになってい
た。
【００１０】一方、インナーリード５７下の樹脂の厚さ
を薄くして、インダクタンスを低下させるためには、樹
脂厚を０．１ｍｍ以下に設定しなければならず、図４に
示す構造にあっては、構造保持ならびに製造が極めて困
難になる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
高周波数で使用される半導体チップを収納するセラミッ
ク又は樹脂による従来の外囲器にあっては、半導体チッ
プと外部とを接続するインナーリードのインダクタンス
が大きくなり、雑音指数（ＮＦ）や付随利得（Ｇａ）の
高周波特性が悪化するという不具合を招いていた。
【００１２】そこで、この発明は、上記に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、安価で高周波
特性を向上させた半導体装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、樹脂により封止されたチッ
プのソース端子面が外部の接地電位面の近傍に配置さ
れ、チップのソース端子が接続される部位の近傍におけ
るインナーリードの一部が、インナーリードの終端に至
る以前に樹脂封止体から露出されて、露出部分からイン
ナーリードが樹脂封止体内に延伸されてなる。
【００１４】請求項２記載の発明は、前記チップは、そ
のゲート端子又はドレイン端子あるいは双方が、それぞ
れ対応して接続される外部電位に対して、前記ソース端
子と同様に構成されてなる。
【００１５】請求項３記載の発明は、前記インナーリー
ドは、その一部が樹脂封止体に形成された凹部窓を介し
て又は封止体の周面から凸状にあるいは周面と同一面で
露出されてなる。
【００１６】
【作用】上記構成において、請求項１記載の発明は、ソ
ース端子面と接地電位面との垂直距離、ならびにソース
端子と接地電位との距離のいずれも短縮するようにして
いる。
【００１７】請求項２記載の発明は、ドレイン端子又は
ゲート端子あるいは双方を、ソース端子と同様にしてい
る。
【００１８】請求項３記載の発明は、インナーリードと
外部との接続面を、樹脂封止体の内部又は外部あるいは
樹脂封止体の周面上としている。
【００１９】
【実施例】以下、図面を用いてこの発明の実施例を説明
する。
【００２０】図１は請求項１記載の発明の一実施例に係
わる半導体装置を示す図であり、同図（ａ）は上面図、
同図（ｂ）は下面図、同図（ｃ）は同図（ａ）のＡ−Ａ
線に沿う断面図、同図（ｄ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線に
沿う断面図である。
【００２１】図１において、高周波数で使用される例え
ば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の半導体チップ１
は、リードフレームのベッド部分２に載置されて、樹脂
封止体３によってモールドされている。半導体チップ１
は、ソース端子４がソース用のインナーリード５に接続
され、ドレイン端子及びゲート端子がそれぞれ対応する
ドレイン用のインナーリード６1 、ゲート用のインナー
リード７1 に接続され、それぞれ対応するアウターリー
ド６2 ，７2 を介して外部に接続されている。
【００２２】この実施例は、この発明の特徴的な構造を
高周波の特性に大きな影響を与えるソースの部分に適用
したものである。
【００２３】その特徴的なソース用のインナーリード４
は、半導体チップ１が載置されるベッド部分２下の樹脂
の厚さを、例えば０．０５ｍｍ程度と薄く形成してい
る。また、半導体チップ１のソース端子４がインナーリ
ード５に接続される部位の近傍のインナーリード５の一
部が、樹脂封止体３の底部に設けられた接続窓８を介し
て外部に露出されている。露出されたインナーリード５
は、実装基板に形成された例えばバンプ状の半田に接続
されて、接地電位に接続される。この時、インナーリー
ド５の露出部分は、樹脂封止体３の周面の内側となって
いるため、半田材の横方向への流れが抑えられ、接続を
確実に行うことができる。
【００２４】また、インナーリード５は、露出部分から
終端に至るまで樹脂封止体３の内部へ延伸されて、樹脂
封止体３の側面と同一面で終端されている。このような
構造にあっては、インナーリード５が樹脂封止体３の内
部に延伸されているため、ベッド部２下の樹脂厚が薄い
場合であっても、インナーリード５の保持力が確保さ
れ、構造保持の観点から不具合を招くことはなくなる。
【００２５】このような構成にあっては、ベッド部２下
の樹脂の厚さを従来に比べて薄くするとともに、ソース
端子が接続される接地電位面を樹脂封止体３の底部とし
ているので、ソース端子面と接地電位面との垂直距離が
従来に比べて短縮することが可能となる。さらに、イン
ナーリード５が終端に至る以前に樹脂封止体３から露出
されて接地電位に接続されるようにしているので、ソー
ス端子４と接地電位との距離を従来に比べて短縮するこ
とが可能となる。
【００２６】これらのことから、上記実施例と前述した
従来例との高周波数に係わる特性は、表１に示すような
測定結果が得られ、表１から明らかなように、上記実施
例の構成にあっては、従来例に比べてインナーリードの
インダクタンスが縮小されることによりトランスミッシ
ョンロスが低減され、高周波数における雑音指数（Ｎ
Ｆ）や付随利得（Ｇａ）が向上されている。
【００２７】
【表１】 一方、上記実施例にあっては、特徴的なインナーリード
５はプレス加工等により容易に整形することが可能にな
るとともに、高価なセラミック外囲器を必要としないの
で、既存の組立て技術ならびに装置を使用して容易に製
造することができるようになり、コストを大幅に低減す
ることが可能となる。
【００２８】図２は請求項２記載の発明の一実施例に係
わる半導体装置を示す図であり、同図（ａ）は上面図、
同図（ｂ）は下面図、同図（ｃ）は同図（ａ）のＣ−Ｃ
線に沿う断面図、同図（ｄ）は同図（ａ）のＤ−Ｄ線に
沿う断面図である。なお、図２において、図１と同符号
のものは同一機能を有するものである。
【００２９】図２に示す実施例の特徴とするところは、
図１に示す構成に加えて、ソース用のインナーリードに
実施したと同様のことをドレイン用及びゲート用のイン
ナーリード６1 ，７1 ，に実施したことにある。このよ
うな実施例にあっても、前述した実施例と同様の効果を
達成することができる。上記実施例では、この発明の特
徴的な構造をドレイン用及びゲート用の双方のインナー
リード６1 , ７1 に実施しているが、いずれか一方のイ
ンナーリードだけに実施するようにしてもよい。
【００３０】なお、この発明は、上記実施例に限ること
はなく、例えばインナーリードは、樹脂封止体３の周面
と同一面又は周面の外側において露出させるようにして
もよい。また、半導体チップとインナーリードとはワイ
ヤレス・フリップチップボンディング方法により接続す
るようにしてもよい。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ソース端子面を接地電位面の近傍に配置し、ソース
端子が接続される部位の近傍のインナーリードを樹脂封
止体から露出させて接地電位に接続するようにしたの
で、ソース端子面と接地電位面との垂直距離ならびにソ
ース端子と接地電位との接続距離を短縮することが可能
となる。これにより、ソース端子に寄生するインダクタ
ンスが低減されて、高周波特性を向上させることができ
る。
【００３２】また、インナーリードは、その露出部分か
ら樹脂封止体内に延伸されているので、半導体チップを
樹脂封止体の周面近傍に配置した場合であっても、イン
ナーリードの保持力が確保され、構造上の強度を満足さ
せることができる。
【００３３】さらに、半導体チップを樹脂で封止すると
ともに、リードフレームを容易に製造することが可能と
なるので、この発明の半導体装置を安価に提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】請求項１記載の発明の一実施例に係わる半導体
装置の構成を示す図である。
【図２】請求項２記載の発明の一実施例に係わる半導体
装置の構成を示す図である。
【図３】従来のセラミック外囲器に収納された半導体装
置の構成を示す図である。
【図４】従来の樹脂封止外囲器に収納された半導体装置
の構成を示す図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ ベッド部 ３ 樹脂封止体 ４ ソース端子 ５ ソース用のインナーリード ６1 ，６2 ドレイン用のリード ７1 ，７2 ゲート用のリード ８ 接続窓

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 樹脂により封止されたチップのソース端
    子面が外部の接地電位面の近傍に配置され、チップのソ
    ース端子が接続される部位の近傍におけるインナーリー
    ドの一部が、インナーリードの終端に至る以前に樹脂封
    止体から露出されて、露出部分からインナーリードが樹
    脂封止体内に延伸されてなることを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項２】 前記チップは、そのゲート端子又はドレ
    イン端子あるいは双方が、それぞれ対応して接続される
    外部電位に対して、前記ソース端子と同様に構成されて
    なることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記インナーリードは、その一部が樹脂
    封止体に形成された凹部窓を介して又は封止体の周面か
    ら凸状にあるいは周面と同一面で露出されてなることを
    特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
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