JPH06104372A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH06104372A
JPH06104372A JP4252476A JP25247692A JPH06104372A JP H06104372 A JPH06104372 A JP H06104372A JP 4252476 A JP4252476 A JP 4252476A JP 25247692 A JP25247692 A JP 25247692A JP H06104372 A JPH06104372 A JP H06104372A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
inner lead
resin
island
spiral
sealed package
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4252476A
Other languages
English (en)
Inventor
Junji Ito
順治 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP4252476A priority Critical patent/JPH06104372A/ja
Publication of JPH06104372A publication Critical patent/JPH06104372A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48153—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48195—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being arranged next to each other, e.g. on a common substrate the item being a discrete passive component
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 樹脂封止パッケージのインナーリード部分な
らびにアイランド部分をスパイラル状に加工することに
よって回路に必要なインダクタを提供する。 【構成】 樹脂封止パッケージのインナーリード部分
１,３、アイランド部分２,４をスパイラル状に加工する
ことにより、回路に必要なインダクタを形成する。これ
によりチップ部分で必要だったインダクタをなくするこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用半導体装置に
関するもので、とりわけ移動帯通信、衛星放送などの民
生用準マイクロ波回路に用いられる樹脂封止半導体のイ
ンナーリード、アイランドの形状に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、準マイクロ波帯（７００ＭＨｚ〜
２ＧＨｚ）のアナログＩＣにおける誘導性受動素子：イ
ンダクタ（以下Ｌと称する）を形成する場合、誘電体基
板上に金属導体をスパイラル状に形成する方法が一般に
使われている。
【０００３】図４は従来のスパイラルＬの構成の一例を
示したものである。図４において、２１はＡｕなどで形
成した１層配線、２２は２層配線である。１層配線２１
をスパイラル状に形成することによってこの素子は誘導
性となり、２２の２層配線によって端子を引き出してい
る。巻き数、配線の太さ、配線間隔を変化させることに
よって所望のインダクタを実現する。このようなＬと容
量性受動素子：キャパシタ（以下Ｃと称する）、ＦＥＴ
を同一基板上に形成したものをモノリシックマイクロウ
ェーブＩＣ：ＭＭＩＣと呼び、準マイクロ波帯（７００
ＭＨｚ〜２ＧＨｚ）のアナログＩＣとして広く用いられ
ている。また上記した従来のインダクタをＦＥＴとは別
に形成してＩＣを構成する方法はハイブリットＩＣ（Ｈ
ＩＣ）と呼ばれ、ＭＭＩＣと同様に広く用いられてい
る。以下このＨＩＣの一例について図を参照して説明す
る。
【０００４】図５は上記のＨＩＣの構成を示すものであ
る。図５において、３１はＦＥＴが形成してあるＧａＡ
ｓ基板、３２はＬ、Ｃが形成してあるセラミック基板、
３３はアウターリード、３４はボンディング線、３５は
セラミックパッケージ、３６はインナーリードである。
ここでセラミック基板３２上には上記したスパイラルＬ
が形成してあり、インピーダンス整合を行う。ＧａＡｓ
基板上にはＦＥＴが形成され、信号が所望の値まで増幅
される。インナーリード３６、セラミック基板３２、Ｇ
ａＡｓ基板３１はそれぞれボンディング線３４によって
接続されることによって、全体の回路が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来用い
られているＭＭＩＣでは、チップ面積の中でＬの占める
割合が非常に大きくなる。例えばこのＬで１５×１０ー9
Ｈを実現するためには導体の幅２０μｍ、導体間の間隔
２０μｍの条件で、約０.８ｍｍ×０.８ｍｍの面積を必
要とする。これはゲート幅４００μｍのＭＥＳＦＥＴの
面積に対して、約５００倍になる。Ｌの占有面積を小さ
くするためには配線の幅、間隔を縮めることが考えられ
るが配線の幅を縮めることによって配線の直列抵抗が大
きくなる為にあまり小さくできない。例えば配線の幅を
半分にすると直列抵抗が２倍になってしまう。結果的に
チップ面積を縮小しようとしてもＬがその妨げになり、
半導体素子の低価格化を妨げる大きな要因になってい
る。
【０００６】図５に示したＨＩＣでは、Ｌ，ＣをGaAsに
比べて安価なセラミックによって形成する事によって低
価格化、生産性の向上を図っている。しかし組立の費
用、高価なセラミックパッケージを使用しているために
樹脂封止パッケージ程度まで低価格化が困難となってい
る。
【０００７】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、樹脂封止パッケージ半導体素子においてチップ面積
を増やさずに良好なスパイラルＬを提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は樹脂封止パッケ
ージのインナ−リードならびにアイランドをスパイラル
状に加工することによって、高周波回路に必要なＬを得
るものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記した構成によって、ＭＭＩＣのよ
うにＧａＡｓ基板上にＬを形成する必要がなくなり、チ
ップ面積を小さくし、低価格を実現することができる。
またＨＩＣと比較すると、安価な樹脂封止パッケージを
そのまま使用し、さらにＬを形成したチップを必要とし
ないために、面積、価格を減少させることができる。
【００１０】
【実施例】以下発明の実施例について図面を参照して説
明する。図３は本発明によって実現した準マイクロ波受
信用アンプの等価回路である。１ａ,１ｂが入力マッチ
ング用のＬ、３ａ、４ａが出力マッチング用のＬであ
る。これらのＬによって８００ＭＨｚでの入出力の整合
をおこなっている。この場合のＬの値は１０ー9〜１０ー8
Ｈ程度となる。
【００１１】図１は図３で示した回路を実現したもので
本発明による樹脂封止パッケージの断面図を示したもの
である。図３において５が半導体チップ、６が接地用ア
イランド、７がボンディング線、８がインナーリード、
９がアウターリード、１０が封止体である。ここで半導
体チップ５はアイランド６上にに設置されており、チッ
プ５とリード９とはボンディング線７によって接続され
ている。
【００１２】図２は図１の樹脂封止体の内部のリード部
分を上部から見た図である。１が入力マッチング用のス
パイラルＬで中心部分と５の半導体チップのパット部分
を７のボンディング線で接続することによって、図３の
１ａのＬを実現したものである。同様に２が２ａ、３が
３ａ、４が４ａを実現したものである。本実施例の構成
のポイントとなるところは、インナ−リード部分にＬを
形成すること、アイランド部分にＬを形成するところで
ある。またこのスパイラルＬ１、２、３、４を形成する
方法としては、従来行われているエッチング方法、なら
びに、金形プレスを用いれば容易に加工可能であること
は言うまでもない。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明によればスパ
イラルＬを樹脂封止パッケージのインナーリードならび
にアイランド部分に形成することから、安価な樹脂封止
パッケージをそのまま使用でき、低コストな半導体素子
を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例における半導体素子の断面図
【図２】同樹脂封止体内部のリード部分の平面図
【図３】同実施例における準マイクロ波帯ＦＥＴアンプ
の回路図
【図４】従来のモノリシックマイクロウェーブＩＣ（Ｍ
ＭＩＣ）に使用されているスパイラルインダクタの構造
を示した図
【図５】従来のマイクロウェーブハイブリットＩＣの構
造を示した図
【符号の説明】
１,２ 入力マッチング用のスパイラルＬ ３,４ 出力マッチング用のスパイラルＬ ５ 半導体チップ ６ 接地用アイランド ７ ボンディング線 ８ インナーリード ９ アウターリード １０ 封止体 １ａ、１ｂ 入力マッチング用のＬ ３ａ、４ａ 出力マッチング用のＬ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】樹脂封止された半導体チップと、アウター
    リードに接続されたインナーリードと、アイランドと、
    前記半導体チップと前記インナーリードとを接続するボ
    ンディング線とを備え、前記インナーリードおよび前記
    アイランドをスパイラル状に加工することを特徴とする
    半導体装置。
JP4252476A 1992-09-22 1992-09-22 半導体装置 Pending JPH06104372A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4252476A JPH06104372A (ja) 1992-09-22 1992-09-22 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4252476A JPH06104372A (ja) 1992-09-22 1992-09-22 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06104372A true JPH06104372A (ja) 1994-04-15

Family

ID=17237917

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4252476A Pending JPH06104372A (ja) 1992-09-22 1992-09-22 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH06104372A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995031008A1 (en) * 1994-05-06 1995-11-16 National Semiconductor Corporation Lead frame including an inductor or other such magnetic component
US5521431A (en) * 1993-12-24 1996-05-28 Nec Corporation Semiconductor device with lead frame of molded container
WO2003073501A3 (en) * 2002-02-25 2004-02-05 Rf Micro Devices Inc Leadframe inductors
JP2006032635A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Denso Corp 半導体装置
WO2006085363A1 (ja) * 2005-02-09 2006-08-17 Renesas Technology Corp. 半導体装置及び電子回路
WO2008099327A2 (en) * 2007-02-14 2008-08-21 Nxp B.V. Embedded inductor and method of producing thereof
DE10334384B4 (de) * 2003-07-28 2014-03-27 Infineon Technologies Ag Chipvorrichtung
WO2023065695A1 (zh) * 2021-10-20 2023-04-27 上海闻泰信息技术有限公司 一种系统级封装结构及其制作方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5521431A (en) * 1993-12-24 1996-05-28 Nec Corporation Semiconductor device with lead frame of molded container
WO1995031008A1 (en) * 1994-05-06 1995-11-16 National Semiconductor Corporation Lead frame including an inductor or other such magnetic component
WO2003073501A3 (en) * 2002-02-25 2004-02-05 Rf Micro Devices Inc Leadframe inductors
US6765284B2 (en) 2002-02-25 2004-07-20 Rf Micro Devices, Inc. Leadframe inductors
US6927481B2 (en) 2002-02-25 2005-08-09 Rf Micro Devices, Inc. Leadframe inductors
DE10334384B4 (de) * 2003-07-28 2014-03-27 Infineon Technologies Ag Chipvorrichtung
JP2006032635A (ja) * 2004-07-15 2006-02-02 Denso Corp 半導体装置
WO2006085363A1 (ja) * 2005-02-09 2006-08-17 Renesas Technology Corp. 半導体装置及び電子回路
WO2008099327A2 (en) * 2007-02-14 2008-08-21 Nxp B.V. Embedded inductor and method of producing thereof
WO2008099327A3 (en) * 2007-02-14 2008-11-06 Nxp Bv Embedded inductor and method of producing thereof
US8133764B2 (en) 2007-02-14 2012-03-13 Npx B.V. Embedded inductor and method of producing thereof
WO2023065695A1 (zh) * 2021-10-20 2023-04-27 上海闻泰信息技术有限公司 一种系统级封装结构及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5446309A (en) Semiconductor device including a first chip having an active element and a second chip having a passive element
US5534727A (en) Semiconductor device
US20100253435A1 (en) Rf power amplifier circuit utilizing bondwires in impedance matching
US7741710B2 (en) Module with multiple power amplifiers and power sensors
US6608390B2 (en) Wirebonded semiconductor package structure and method of manufacture
US5109270A (en) High frequency semiconductor device
US6414387B1 (en) Semiconductor device including a chip having high-frequency circuit blocks
US6661078B2 (en) Inductance element and semiconductor device
JP3220264B2 (ja) 半導体装置
JPH06104372A (ja) 半導体装置
US5532514A (en) High frequency semiconductor device
JP2574510B2 (ja) 高周波半導体装置
JPH05335487A (ja) 伝送回路素子
US8610237B2 (en) Semiconductor apparatus
JPH10150068A (ja) 半導体装置
JP2970626B2 (ja) 半導体集積回路装置用リードフレーム、および半導体集積回路装置
JPH09213868A (ja) マイクロ波半導体集積回路用リ−ドフレ−ム
JPS6056306B2 (ja) マイクロ波ｉｃ装置とその製造方法
JP2725317B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH04261206A (ja) 増幅器
JP2534841B2 (ja) マイクロ波集積回路用外囲器
JPS61104673A (ja) 超高周波用電界効果トランジスタ装置
JP2023006531A (ja) 半導体装置およびパッケージ
JPS60223145A (ja) 半導体装置
GB2300068A (en) Semiconductor device