JPH06164262A - 飽和防止回路 - Google Patents

飽和防止回路

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JPH06164262A
JPH06164262A JP43A JP31449692A JPH06164262A JP H06164262 A JPH06164262 A JP H06164262A JP 43 A JP43 A JP 43A JP 31449692 A JP31449692 A JP 31449692A JP H06164262 A JPH06164262 A JP H06164262A
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JP
Japan
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transistor
terminal
base
collector
emitter
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Withdrawn
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JP43A
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English (en)
Inventor
Narihiro Kubo
成博 久保
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NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
Original Assignee
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】飽和防止回路において、ダイナミックレンジを
大きくすること。 【構成】飽和するトランジスタQ4において、PNPト
ランジスタQ6のエミッタとNPNトランジスタQ7の
ベースを共通接続して、定電流源22を介して電源の一
端子10に接続し、トランジスタQ6のコレクタ電源の
他端子11に接続し、トランジスタQ6のベースはトラ
ンジスタQ4のベース電圧を抵抗R1,R2により抵抗
分割される分圧点に接続し、トランジスタQ7のコレク
タは電源の一端子10に接続し、トランジスタQ7のエ
ミッタはトランジスタQ4のコレクタに接続される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は飽和防止回路に関し、特
にトランジスタからなる飽和防止回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の飽和防止回路を使用したコンパレ
ータ回路の一例を図3に示す。図3において、従来のコ
ンパレータ回路では、トランジスタQ1のベースを反転
入力I1とし、かつトランジスタQ2のベースを非反転
入力I2とするこれらトランジスタQ1及びトランジス
タQ2とで構成される差動増幅器と、トランジスタQ3
及びトランジスタQ4とで構成されるカレントミラー
と、トランジスタQ4のコレクタ・ベース間に接続され
るダイオードD1及びダイオードD2からなる第1の飽
和防止回路と、トランジスタQ5のコレクタ・ベース間
に接続されるダイオードD3及びダイオードD4からな
る第1の飽和防止回路と、差動増幅器に電流を供給する
定電流源21及びトランジスタQ5に電流を供給する定
電流源22とにより、構成され、トランジスタQ5のコ
レクタを出力OUTとする。
【0003】次に動作について説明する。トランジスタ
Q1の反転入力I1が低(L)レベルで、かつトランジ
スタQ2の非反転入力I2が高(H)レベルとすると、
トランジスタQ1が導通し、トランジスタQ2が遮断と
なり、ダイオードD1,D2がない場合にはトランジス
タQ2のコレクタの電圧は下がり、トランジスタQ4が
飽和する。しかしダイオードD1,D2がある場合、ト
ランジスタQ4のコレクタ電圧VCQ4は、次の式
(1)となる。
【0004】 VCQ4=VBEQ4+VFD2−VFD1≒VBEQ4 …(1) 但し、トランジスタQ4のベース・エミッタ間順方向電
圧をVBEQ4,ダイオードD1及びD2の順方向電圧
をそれぞれVFD1,VFD2とする。よって、トラン
ジスタQ4のコレクタはほぼトランジスタのベース・エ
ミッタ間順方向電圧となり、トランジスタQ4の飽和が
一応防止できる。
【0005】また、トランジスタQ1が遮断し、トラン
ジスタQ2が導通となるとき、ダイオードD3,D4が
ない場合には、トランジスタQ5のコレクタ電圧は下が
り、トランジスタQ5が飽和する。しかし、ダイオード
D3,D4により、トランジスタQ5が導通時のトラン
ジスタQ5のコレクタ電圧VCQ5は、次の(2)式と
なる。
【0006】 VCQ5=VBEQ5+VFD4−VFD3≒VBEQ5 …(2) 但し、トランジスタQ5のベース・エミッタ間順方向電
圧をVBEQ5,ダイオードD3及びD4の順方向電圧
をそれぞれVFD3,VFD4とする。よって、トラン
ジスタQ5のコレクタはほぼトランジスタのベース・エ
ミッタ間順方向電圧となり、トランジスタQ5の飽和が
一応防止できる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図3の従来の飽和防止
回路を次に説明する。トランジスタQ1が導通し、トラ
ンジスタQ2が遮断した時、トランジスタQ1のベース
電圧をVBQ1とすると、次の(3)式が得られる。
【0008】 VBQ1=VBEQ4+VFD2+VCEQ1−VBEQ1≒(VFD2+V CEQ1) …(3) 但し、トランジスタQ1及びQ4のベース・エミッタ間
順方向電圧をそれぞれVBEQ1,VBEQ4,トラン
ジスタQ1のコレクタ・エミッタ間電圧をVCEQ1,
ダイオードD2の順方向電圧をVFD2とする。
【0009】また、トランジスタQ1が遮断し、トラン
ジスタQ2が導通した時、トランジスタQ2のベース電
圧をVBQ2とすると、次の(4)式が得られる。
【0010】 VBQ2=VBEQ5+VFD4+VCEQ2−VBEQ2≒(VFD4+V CEQ2) …(4) 但し、トランジスタQ2及びQ5のベース・エミッタ間
順方向電圧をそれぞれVBEQ2,VBEQ5、トラン
ジスタQ2のコレクタ・エミッタ間電圧をVCEQ2,
ダイオードD4の順方向電圧をVFD4とする。
【0011】次に、図3の回路図において、ダイオード
D1,D2,D3,D4がない場合、トランジスタQ1
が導通し、トランジスタQ2が遮断した時、トランジス
タQ1のベース電圧VBQ1は、次の(5)式となる。
【0012】 VBQ1=VBEQ4+VCEQ1−VBEQ1≒VCEQ1 …(5) 但し、トランジスタQ1及びQ4のベース・エミッタ間
順方向電圧をそれぞれVBEQ1,VBEQ4、トラン
ジスタQ1のコレクタ・エミッタ間電圧をVCEQ1と
する。
【0013】また、トランジスタQ1が遮断し、トラン
ジスタQ2が導通した時、トランジスタQ2のベース電
圧VBQ2は、次の(6)式となる。
【0014】 VBQ2=VBEQ5+VCEQ2−VBEQ2≒VCEQ2 …(6) 但し、トランジスタQ1及びQ5のベース・エミッタ間
順方向電圧をそれぞれVBEQ2,VBEQ5、トラン
ジスタQ2のコレクタ・エミッタ間電圧をVCEQ2と
する。
【0015】前記(3),(5)式及び前記(4),
(6)式の比較により従来の第1,第2の飽和防止回路
1,2を使用したコンパレータ回路は、反転入力I1の
電圧、非反転入力I2の電圧とも、ダイオード順方向電
圧分だけ高くなり、ダイナミックレンジが狭くなるとい
う問題点があった。また、飽和するトランジスタのコレ
クタ・ベース間にダイオード順方向電圧の小さいショッ
トキーバリアダイオードを挿入する方法があるが、ショ
ットキーバリアダイオードはコストが高く、また半導体
集積回路で構成しても製造工程が増えてしまい、やはり
コストが高くなるという問題点があった。
【0016】本発明の目的は、前記問題点が解決され、
ダイナミックレンジが狭くなることなく、かつあまりコ
ストアップにもならないようにし、もって飽和が完全に
防止できるようにした飽和防止回路を提供することにあ
る。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明の飽和防止回路の
第1の構成は、コレクタが電源の一端子に、エミッタが
第1の端子にそれぞれ接続された第1のトランジスタ
と、前記第1のトランジスタのベースと前記一端子との
間に接続された定電流源と、第1,第2の抵抗の直列体
と、前記直列体の共通接続点をベースに、前記第1のト
ランジスタのベースをエミッタに、電源の他端子をコレ
クタにそれぞれ接続した第2のトランジスタとを備え、
前記第1の抵抗の一端を第2の端子に接続し、前記第2
の抵抗の他端を前記他端子に接続し、前記第1,第2の
トランジスタは互いに逆の導電型となっており、前記第
1の端子は、電子回路を構成する第3のトランジスタの
コレクタに、前記第2の端子は前記第3のトランジスタ
のベースにそれぞれ配線されることを特徴とする。
【0018】本発明の飽和防止回路の第2の構成は、エ
ミッタが第1の端子に、ベースが定電流源を介して電源
の一端子に、コレクタが第1,第2の抵抗の直列体の一
端と第2の端子とにそれぞれ接続された第1のトランジ
スタと、前記直列体の共通接続点をベースに、前記第1
のトランジスタのベースをエミッタに、電源の他端子を
コレクタにそれぞれ接続した第2のトランジスタとを備
え、前記直列体の他端を前記他端子に接続し、前記第
1,第2のトランジスタは互いに逆の導電型となってお
り、前記第1の端子は電子回路を構成する第3のトラン
ジスタのコレクタに、前記第2の端子は前記第3のトラ
ンジスタのベースにそれぞれ配線されることを特徴とす
る。
【0019】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図1は本発明の第1の実施例の飽和防止回路をコン
パレータ回路に応用した回路図である。
【0020】図1において、本コンパレータ回路は、ト
ランジスタQ1のベースを反転入力I1とし、かつトラ
ンジスタQ2のベースを非反転入力I2とするこれらト
ランジスタQ1及びQ2で構成される差動増幅器と、ト
ランジスタQ3及びトランジスタQ4で構成されるカレ
ントミラーと、コレクタを出力VOUTとするトランジ
スタQ5と、トランジスタQ6,Q7と抵抗R1,R2
と、定電流源22とから成る第1の飽和防止回路1と、
トランジスタQ8,Q9と、抵抗R3,R4と、定電流
源24とから成る第2の飽和防止回路2とを含み、構成
される。
【0021】さらに、差動増幅器を構成するトランジス
タQ1,Q2のエミッタを共通接続し、定電流源21を
介して電源の一端子10に接続し、またトランジスタQ
2のコレクタにトランジスタQ5のベースが接続され、
トランジスタQ5のコレクタを出力VOUTとする。こ
こで、トランジスタQ1,Q2,Q6,Q9はPNP型
で、トランジスタQ3,Q4,Q5,Q7,Q8,Q9
はNPN型である。
【0022】第1の飽和防止回路1は、トランジスタQ
7のコレクタが電源の一端子10に接続され、トランジ
スタQ7のエミッタは差動増幅器の出力即ちトランジス
タQ2のコレクタに接続され、トランジスタQ7のベー
スとトランジスタQ6のエミッタとは共通接続して、定
電流源22を介して電源の一端子10に接続し、トラン
ジスタQ6のコレクタは電源の他端子11に接続し、ト
ランジスタQ6のベースはカレントミラーのベース電圧
を抵抗R1,R2によって抵抗分割される分圧点に接続
する。ここで、トランジスタQ7はトランジスタQ4と
同極性,トランジスタQ6はトランジスタQ4と逆極性
とする。
【0023】また第2の飽和防止回路2は、トランジス
タQ8のコレクタが電源の一端子10に接続し、トラン
ジスタQ8のエミッタは出力トランジスタQ5のコレク
タに接続し、トランジスタQ8のベースとトランジスタ
Q9のエミッタとは共通接続して、定電流源24を介し
て電源の一端子10に接続し、トランジスタQ9のコレ
クタは電源の他端子11に接続し、トランジスタQ9の
ベースは出力トランジスタQ5のベース電圧を抵抗R
3,R4によって抵抗分割される分圧点に接続する。
尚、トランジスタQ8はトランジスタQ5と同極性,ト
ランジスタQ9はトランジスタQ5と逆極性とする。
【0024】次に動作について説明する。トランジスタ
Q1が導通、トランジスタQ2が遮断した場合、第1の
飽和防止回路1により、トランジスタQ4のコレクタ電
圧VCQ4は、次の(7)式となる。
【0025】 VCQ4=R2・VBEQ4/(R1+R2)+VBEQ6−VBEQ7 ≒R2・VBEQ4/(R1+R2) …(7) 但し、トランジスタQ4,Q6及びQ7のベース・エミ
ッタ間順方向電圧をそれぞれVBEQ4,VBEQ6及
びVBEQ7とする。
【0026】逆にトランジスタQ1が遮断し、トランジ
スタQ2が導通した時、第2の飽和防止回路2により、
トランジスタQ5のコレクタ電圧VCQ5は、次の
(8)式となる。
【0027】 VCQ5=R4・VBEQ5/(R3+R4)+VBEQ9−VBEQ8 ≒R4・VBEQ5/(R3+R4) …(8) 但し、トランジスタQ5,Q8及びQ9のベース・エミ
ッタ間順方向電圧をそれぞれVBEQ5,VBEQ8及
びVBEQ9とする。
【0028】よって、トランジスタQ4,Q5のコレク
タ電圧を前記(7),(8)式より、抵抗R1,R2及
びR3,R4を適切な値に設定することにより、飽和を
防止することが可能となる。
【0029】また、トランジスタQ1の反転入力I1が
Lレベル,トランジスタQ2の非反転入力I2がHレベ
ルとすると、トランジスタQ1が導通し、トランジスタ
Q2が遮断となり、トランジスタQ1のベース電圧即ち
反転入力I1の電圧VBQ1は、次の(9)式となる。
【0030】 VBQ1=VBEQ4+VCEQ1−VBEQ1≒VCEQ1 …(9) 但し、トランジスタQ1及びQ4のベース・エミッタ間
順方向電圧をそれぞれVBEQ1,VBEQ4、トラン
ジスタQ1のコレクタ・エミッタ間電圧をVCEQ1と
する。
【0031】逆にトランジスタQ1が遮断し、トランジ
スタQ2が導通した時、トランジスタQ2のベース電圧
即ち非反転入力I2の電圧VBQ2は、次の(10)式
となる。
【0032】 VBQ2=VBEQ5+VCEQ2−VBEQ2≒VCEQ2 …(10) 但し、トランジスタQ2及びQ5のベース・エミッタ間
順方向電圧をそれぞれVBEQ2,VBEQ5、トラン
ジスタQ2のコレクタ・エミッタ間電圧をVCEQ2と
する。
【0033】前記(9),(10)式、及び従来例の
(3),(4)式より、本実施例は反転入力電圧,非反
転入力電圧共、ダイオード順方向電圧1個分低くでき、
このため入力のダイナミックレンジを広く設定できる。
【0034】図2は本発明の第2の実施例の飽和防止回
路をコンパレータ回路に応用した回路図である。図2に
おいて、本実施例の飽和防止回路の構成は、図1の実施
例のトランジスタを逆極性とし、コンパレータ回路は、
図1と同様な差動増幅器とカレントミラーと第1の飽和
防止回路1及び第2の飽和防止回路2により構成され
る。
【0035】図2中の第1の飽和防止回路1は、抵抗R
5,R6,NPN型トランジスタQ15,PNP型トラ
ンジスタQ16,定電流源26を有する。第2の飽和防
止回路2は、抵抗R7,R8,NPN型トランジスタQ
18,PNP型トランジスタQ17,定電流源28を有
する。差動増幅器を構成するトランジスタQ10,Q1
1はNPN型であり、カレントミラーを構成するトラン
ジスタQ12,Q13はPNP型である。出力トランジ
スタQ14はPNP型となっている。いずれのトランジ
スタも図1とは逆極性の関係にある。
【0036】尚、前記抵抗R1,R2,抵抗R5,R6
で、それぞれ抵抗分圧により、トランジスタのベースに
印加しているが、これに限らず適宜分圧できる手段な
ら、なんでも利用できる。
【0037】以上説明したように、本発明によれば、エ
ミッタ接地型またはベース接地型の飽和する第1のトラ
ンジスタにおいて、この第1のトランジスタと逆極性の
第2のトランジスタのエミッタと、前記第1のトランジ
スタと同極性の第3のトランジスタのベースとを共通接
続しかつ該接続点を定電流源を介して電源の一端子に接
続し、前記第2のトランジスタのコレクタを前記電源の
他端子に接続し、第2のトランジスタのベースに電圧供
給手段により任意の電圧を印加し、前記第3のトランジ
スタのコレクタを前記電源の一端子または前記第1のト
ランジスタのベースに接続し、第3のトランジスタのエ
ミッタを前記第1のトランジスタのコレクタに接続した
回路が得られる。
【0038】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、従来の
飽和防止回路を応用したコンパレータ回路よりも、ダイ
オード順方向電圧分だけ(シリコン・ダイオードの場合
は0.7V)、双方の入力電圧を低くすることができ、
ダイナミックレンジを大きくとれ、また半導体集積回路
で構成しても、通常のプロセスでも実現可能であり、製
造工程が増えず、経済的な回路を提供できるという効果
を有する。特に、電源電圧の低い回路に対しては、ダイ
ナミック・レンジを大きくとれるという効果が著しい。
【0039】本第1,第2の実施例の飽和防止回路は、
コンパレータに限らず、他の電子回路に応用でき、要す
るに大振幅動作を行う際に飽和してしまうトランジスタ
のベース・コレクタ間に広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の飽和防止回路をコンパ
レータに応用した回路図である。
【図2】本発明の第2の実施例の飽和防止回路をコンパ
レータに応用した回路図である。
【図3】従来の飽和防止回路を差動増幅器に応用した回
路図である。
【符号の説明】
10 電源の一端子 11 電源の他端子 21,22,…,28 定電流源 I1 反転入力端子 I2 非反転入力端子 VOUT コンパレータ回路の出力端子 R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8
抵抗 D1,D2,D3,D4 ダイオード Q1,Q2,Q6,Q9,Q12,Q13,Q14,Q
16,Q17, PNP型トランジスタ Q3,Q4,Q5,Q7,Q8,Q10,Q11,Q1
5,Q18 NPN型トランジスタ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コレクタが電源の一端子に、エミッタが
    第1の端子にそれぞれ接続された第1のトランジスタ
    と、前記第1のトランジスタのベースと前記一端子との
    間に接続された定電流源と、第1,第2の抵抗の直列体
    と、前記直列体の共通接続点をベースに、前記第1のト
    ランジスタのベースをエミッタに、電源の他端子をコレ
    クタにそれぞれ接続した第2のトランジスタとを備え、
    前記第1の抵抗の一端を第2の端子に接続し、前記第2
    の抵抗の他端を前記他端子に接続し、前記第1,第2の
    トランジスタは互いに逆の導電型となっており、前記第
    1の端子は、電子回路を構成する第3のトランジスタの
    コレクタに、前記第2の端子は前記第3のトランジスタ
    のベースにそれぞれ配線されることを特徴とする飽和防
    止回路。
  2. 【請求項2】 第3のトランジスタが、カレントミラー
    回路を構成する一対のトランジスタのうち一方のトラン
    ジスタである請求項1に記載の飽和防止回路。
  3. 【請求項3】 エミッタが第1の端子に、ベースが定電
    流源を介して電源の一端子に、コレクタが第1,第2の
    抵抗の直列体の一端と第2の端子とにそれぞれ接続され
    た第1のトランジスタと、前記直列体の共通接続点をベ
    ースに、前記第1のトランジスタのベースをエミッタ
    に、電源の他端子をコレクタにそれぞれ接続した第2の
    トランジスタとを備え、前記直列体の他端を前記他端子
    に接続し、前記第1,第2のトランジスタは互いに逆の
    導電型となっており、前記第1の端子は電子回路を構成
    する第3のトランジスタのコレクタに、前記第2の端子
    は前記第3のトランジスタのベースにそれぞれ配線され
    ることを特徴とする飽和防止回路。
  4. 【請求項4】 第3のトランジスタが、差動増幅器の出
    力を増幅するトランジスタである請求項3に記載の飽和
    防止回路。
JP43A 1992-11-25 1992-11-25 飽和防止回路 Withdrawn JPH06164262A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09105763A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Nec Corp コンパレータ回路
JP2002141782A (ja) * 2000-11-02 2002-05-17 Denso Corp 台形波出力回路
JP2002344248A (ja) * 2001-05-14 2002-11-29 Mitsumi Electric Co Ltd 増幅回路

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