JPH06112149A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】少ない工程数と少ないイオン注入ドーズ量でＴ
ｉ−Ｎを有する配線とＮ+ ，Ｐ+ 型拡散層とのコンタク
トを形成する。 【構成】Ｎ+ 型拡散層５−コンタクト孔間のマージンを
小さくしても漏れ電流が流れないようにリンを全面にイ
オン注入し１回のみのリソグラフィ工程を用いてＰ+ 型
拡散層６にこのリンのドーズ量よりも多いドーズ量でボ
ロンを注入しＰ+型拡散層コンタクト孔間のマージンを
小さくしても漏れ電流が流れず、低いコンタクト抵抗を
実現する。
ｉ−Ｎを有する配線とＮ+ ，Ｐ+ 型拡散層とのコンタク
トを形成する。 【構成】Ｎ+ 型拡散層５−コンタクト孔間のマージンを
小さくしても漏れ電流が流れないようにリンを全面にイ
オン注入し１回のみのリソグラフィ工程を用いてＰ+ 型
拡散層６にこのリンのドーズ量よりも多いドーズ量でボ
ロンを注入しＰ+型拡散層コンタクト孔間のマージンを
小さくしても漏れ電流が流れず、低いコンタクト抵抗を
実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、特に拡散層と電極配線とのコンタクト部の形成方
法に関する。
関し、特に拡散層と電極配線とのコンタクト部の形成方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法について図
２（Ａ）〜（Ｄ）、図３を参照して説明する。
２（Ａ）〜（Ｄ）、図３を参照して説明する。
【０００３】まず図２（Ａ）に示すように、Ｐ型シリコ
ン基板に１５０ＫｅＶで１．０×１０13ｃｍ-2程度のボ
ロンをイオン注入する。次に、リソグラフィ工程を利用
してＮウェル形成領域にのみ１５０ＫｅＶで２．０×１
０13ｃｍ-2程度のリンをイオン注入する。次に、熱処理
を加えリン，ボロンを拡散させＮウェル領域３，Ｐウェ
ル領域２を形成する。熱処理が終了後、図２（Ｂ）に示
すように、Ｐ型シリコン基板１の一主面に選択酸化法を
用いてフィールド酸化膜４を形成して素子形成領域を区
画し、図示しないゲート酸化膜やゲート電極を形成する
などの適当な工程の後リソグラフィ工程を用いて、Ｐウ
ェル領域２の表面部にヒ素イオンを５０ＫｅＶで３×１
０15ｃｍ-2程度選択的に注入し、Ｎウェル領域３の表面
部に２フッ化ボロンイオンを７０ＫｅＶで３×１０15ｃ
ｍ-2程度選択的に注入し、約９００度の温度で熱処理し
てＮ+ 型拡散層５およびＰ+ 型拡散層６を形成する。次
に、全面にＣＶＤ法により約３００ｎｍの層間絶縁膜７
を堆積させ、リソグラフィ工程によりＮ+ 型拡散層５お
よびＰ+ 型拡散層６の上部にそれぞれコンタクト孔を開
口する。コンタクト孔を開口後、Ｎ+ 拡散層５−コンタ
クト孔間のマージンを小さくしたときの漏れ電流をなく
すために、図２（ｃ）に示すように、リソグラフィ工程
を用いてレジスト膜８−１をＰ+ 型拡散層６上のコンタ
クト孔部分に残し、Ｎ+ 型拡散層５部のみにリンイオン
を７０ＫｅＶで５×１０15ｃｍ-2程度注入してイオン注
入層９を形成する。その後、Ｐ+ 型拡散層６−コンタク
ト孔間のマージンを小さくしたときの漏れ電流をなく
し、コンタクト抵抗を下げるために、図２（Ｄ）に示す
ように、リソグラフィ工程を用いてレジスト膜８−２を
Ｎ+ 型拡散層部分に設け、Ｐ+ 型拡散層６部のみにボロ
ンイオンを３０ＫｅＶで５×１０15ｃｍ-2程度注入して
イオン注入層１０を形成する。次に図３に示すように、
チタン膜１１（６０ｎｍ），窒化チタン１２（１００ｎ
ｍ）をスパッタにより堆積し、熱処理する。このときイ
オン注入層９，１０はそれぞれＮ+ 型コンタクト層９
ａ，Ｐ+ 型コンタクト層１０ａとなる。熱処理後、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ膜１３を６００ｎｍスパッタにより堆積
し、リソグラフィ工程を用いてエッチングし、電極配線
を形成する。
ン基板に１５０ＫｅＶで１．０×１０13ｃｍ-2程度のボ
ロンをイオン注入する。次に、リソグラフィ工程を利用
してＮウェル形成領域にのみ１５０ＫｅＶで２．０×１
０13ｃｍ-2程度のリンをイオン注入する。次に、熱処理
を加えリン，ボロンを拡散させＮウェル領域３，Ｐウェ
ル領域２を形成する。熱処理が終了後、図２（Ｂ）に示
すように、Ｐ型シリコン基板１の一主面に選択酸化法を
用いてフィールド酸化膜４を形成して素子形成領域を区
画し、図示しないゲート酸化膜やゲート電極を形成する
などの適当な工程の後リソグラフィ工程を用いて、Ｐウ
ェル領域２の表面部にヒ素イオンを５０ＫｅＶで３×１
０15ｃｍ-2程度選択的に注入し、Ｎウェル領域３の表面
部に２フッ化ボロンイオンを７０ＫｅＶで３×１０15ｃ
ｍ-2程度選択的に注入し、約９００度の温度で熱処理し
てＮ+ 型拡散層５およびＰ+ 型拡散層６を形成する。次
に、全面にＣＶＤ法により約３００ｎｍの層間絶縁膜７
を堆積させ、リソグラフィ工程によりＮ+ 型拡散層５お
よびＰ+ 型拡散層６の上部にそれぞれコンタクト孔を開
口する。コンタクト孔を開口後、Ｎ+ 拡散層５−コンタ
クト孔間のマージンを小さくしたときの漏れ電流をなく
すために、図２（ｃ）に示すように、リソグラフィ工程
を用いてレジスト膜８−１をＰ+ 型拡散層６上のコンタ
クト孔部分に残し、Ｎ+ 型拡散層５部のみにリンイオン
を７０ＫｅＶで５×１０15ｃｍ-2程度注入してイオン注
入層９を形成する。その後、Ｐ+ 型拡散層６−コンタク
ト孔間のマージンを小さくしたときの漏れ電流をなく
し、コンタクト抵抗を下げるために、図２（Ｄ）に示す
ように、リソグラフィ工程を用いてレジスト膜８−２を
Ｎ+ 型拡散層部分に設け、Ｐ+ 型拡散層６部のみにボロ
ンイオンを３０ＫｅＶで５×１０15ｃｍ-2程度注入して
イオン注入層１０を形成する。次に図３に示すように、
チタン膜１１（６０ｎｍ），窒化チタン１２（１００ｎ
ｍ）をスパッタにより堆積し、熱処理する。このときイ
オン注入層９，１０はそれぞれＮ+ 型コンタクト層９
ａ，Ｐ+ 型コンタクト層１０ａとなる。熱処理後、Ａｌ
−Ｓｉ−Ｃｕ膜１３を６００ｎｍスパッタにより堆積
し、リソグラフィ工程を用いてエッチングし、電極配線
を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この従来の製造工程で
は、Ｎ+ 型拡散層、Ｐ+ 型拡散層にそれぞれリンイオン
およびボロンイオンを注入していたため、工程が長くな
るという問題があった。また、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜／Ｔ
ｉ−Ｎ膜／Ｔｉ膜とＰ+ 型拡散層のコンタクト抵抗は表
面の不純物濃度に大きく依存するため、コンタクト抵抗
を下げるためには、大量のボロンをイオン注入する必要
があり、チャージアップが起こる，イオン注入工程時間
が増大する、などの問題があった。
は、Ｎ+ 型拡散層、Ｐ+ 型拡散層にそれぞれリンイオン
およびボロンイオンを注入していたため、工程が長くな
るという問題があった。また、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜／Ｔ
ｉ−Ｎ膜／Ｔｉ膜とＰ+ 型拡散層のコンタクト抵抗は表
面の不純物濃度に大きく依存するため、コンタクト抵抗
を下げるためには、大量のボロンをイオン注入する必要
があり、チャージアップが起こる，イオン注入工程時間
が増大する、などの問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体基板の表面部にＰ+ 型拡散層およびＮ
+ 型拡散層をそれぞれ選択的に形成する工程と、層間絶
縁膜を堆積し前記Ｐ+型拡散層および前記Ｎ+ 型拡散層
上部にそれぞれコンタクト孔を形成する工程と、前記両
拡散層に前記コンタクト孔を通してＮ型不純物を注入
し、前記Ｐ+ 型拡散層に前記Ｎ型不純物の注入量と少な
くとも同程度のＰ型不純物を注入した後熱処理を行なう
工程と、バリヤメタル膜を有する配線層を形成する工程
とを含むというものである。
造方法は、半導体基板の表面部にＰ+ 型拡散層およびＮ
+ 型拡散層をそれぞれ選択的に形成する工程と、層間絶
縁膜を堆積し前記Ｐ+型拡散層および前記Ｎ+ 型拡散層
上部にそれぞれコンタクト孔を形成する工程と、前記両
拡散層に前記コンタクト孔を通してＮ型不純物を注入
し、前記Ｐ+ 型拡散層に前記Ｎ型不純物の注入量と少な
くとも同程度のＰ型不純物を注入した後熱処理を行なう
工程と、バリヤメタル膜を有する配線層を形成する工程
とを含むというものである。
【０００６】
【実施例】次に、本発明の一実施例について説明する
と、図２を参照して説明した従来例と同様にしてＮ+ 型
拡散層５，Ｐ+ 型拡散層６を形成し、層間絶縁膜７を堆
積し、コンタクト孔を開口する。
と、図２を参照して説明した従来例と同様にしてＮ+ 型
拡散層５，Ｐ+ 型拡散層６を形成し、層間絶縁膜７を堆
積し、コンタクト孔を開口する。
【０００７】コンタクト孔を開口後、Ｎ+ 型拡散層５−
コンタクト孔間のマージンを小さくした漏れ電流をなく
すために、コンタクト後部にリンイオンを７０ＫｅＶで
２．０×１０14ｃｍ-2程度注入して、図１（Ａ）に示す
ようにイオン注入層９ｂ，リンイオン注入層１４を形成
する。その後、Ｐ+ 型拡散層６−コンタクト孔間のマー
ジンを小さくしたときの漏れ電流をなくし、コンタクト
抵抗を下げるために、リソグラフィ工程を用いて、図１
（Ｂ）に示すように、Ｎ+ 型拡散層コンタクト部分にレ
ジスト膜８−３を設け、Ｐ+ 型拡散層のみにボロンイオ
ンを３０ＫｅＶで２．０×１０15ｃｍ-2程度注入してイ
オン注入層１０ｂを形成する。その後は、従来例と同様
にチタン膜を６０ｎｍ，窒化チタン膜を１００ｎｍ，ス
パッタ法により堆積し熱処理を行なう。このとき、図１
（Ｃ）に示すように、イオン注入層９ｂはＮ+ 型コンタ
クト層９ｃに、イオン注入層１０ｂはＰ+ 型コンタクト
層１０ｃとなる。次に、従来例と同様にＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ膜を堆積し、パターニングを行なって電極配線を形成
してもよいが、ブランケットタングステンＣＶＤ法によ
りタングステン膜を堆積し、エッチバックを行なってコ
ンタクト孔をタングステン膜１４で埋めた後約６００ｎ
ｍのＡｌ−Ｃｕ膜１５を堆積し、パターニングを行なっ
てもよい。そうすると微細なコンタクト孔でも良好なカ
バレッジの配線を実現できる。
コンタクト孔間のマージンを小さくした漏れ電流をなく
すために、コンタクト後部にリンイオンを７０ＫｅＶで
２．０×１０14ｃｍ-2程度注入して、図１（Ａ）に示す
ようにイオン注入層９ｂ，リンイオン注入層１４を形成
する。その後、Ｐ+ 型拡散層６−コンタクト孔間のマー
ジンを小さくしたときの漏れ電流をなくし、コンタクト
抵抗を下げるために、リソグラフィ工程を用いて、図１
（Ｂ）に示すように、Ｎ+ 型拡散層コンタクト部分にレ
ジスト膜８−３を設け、Ｐ+ 型拡散層のみにボロンイオ
ンを３０ＫｅＶで２．０×１０15ｃｍ-2程度注入してイ
オン注入層１０ｂを形成する。その後は、従来例と同様
にチタン膜を６０ｎｍ，窒化チタン膜を１００ｎｍ，ス
パッタ法により堆積し熱処理を行なう。このとき、図１
（Ｃ）に示すように、イオン注入層９ｂはＮ+ 型コンタ
クト層９ｃに、イオン注入層１０ｂはＰ+ 型コンタクト
層１０ｃとなる。次に、従来例と同様にＡｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ膜を堆積し、パターニングを行なって電極配線を形成
してもよいが、ブランケットタングステンＣＶＤ法によ
りタングステン膜を堆積し、エッチバックを行なってコ
ンタクト孔をタングステン膜１４で埋めた後約６００ｎ
ｍのＡｌ−Ｃｕ膜１５を堆積し、パターニングを行なっ
てもよい。そうすると微細なコンタクト孔でも良好なカ
バレッジの配線を実現できる。
【０００８】従来は、コンタクト抵抗を下げ、コンタク
トマージンを小さくしたときの漏れ電流をなくすため
に、Ｎ+ 型拡散層のみにリン，Ｐ+ 型拡散層のみにボロ
ンをそれぞれイオン注入している。
トマージンを小さくしたときの漏れ電流をなくすため
に、Ｎ+ 型拡散層のみにリン，Ｐ+ 型拡散層のみにボロ
ンをそれぞれイオン注入している。
【０００９】本実施例では、Ｎ+ 型拡散層が従来のもの
と同じくリンのみイオン注入される。しかし、もとも
と、コンタクト抵抗は小さく、ここでイオン注入するド
ーズ量はコンタクトマージンを小さくしたときに漏れ電
流を防止する程度のドーズ量で可能である。コンタクト
サイズ０．５５μｍ□のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜／Ｔｉ−Ｎ
膜／Ｔｉ膜−Ｎ+ 型コンタクト層のコンタクト抵抗を測
定した結果を図４に示す。リンのドーズ量２．０×１０
14ｃｍ-2で６０Ω／個程度と、従来例と同じくらいにな
った。Ｐ+ 型拡散層は、リンを全面にイオン注入するこ
とにより、５価のリンと３価のボロンが入る。そのため
に、リンのドーズ量を増すと、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜／Ｔ
ｉ−Ｎ膜／Ｔｉ膜−Ｐ+ 型コンタクト層のコンタクト抵
抗が高くなるものと予想される。実際に測定した結果を
図５に示す。予想と逆の結果になった。すなわち、最初
リンのイオン注入でＰ+ 型拡散層表面がアモルファス化
する。その後ボロンをイオン注入するとき、表面がアモ
ルファス化されているためにボロンのチャネリングがお
さえられる。従って、ボロンの表面濃度が高くなるの
で、コンタクト抵抗が下ったと考えられる。ボロンのド
ーズ量が１．０×１０15ｃｍ-2において、リンのドーズ
量１．０×１０14ｃｍ-2（Ａ）のときと、２．０×１０
14ｃｍ-2（Ｂ）のときのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜／Ｔｉ−Ｎ
膜／Ｔｉ膜−Ｐ+型コンタクト層のコンタクト抵抗はそ
れぞれ１７０Ω／個，１１０Ω／個程度となった。従っ
て、従来と同程度のコンタクト抵抗、すなわち１００Ω
／個程度にするには、図５より、リンのドーズ量２．０
×１０14ｃｍ-2の場合、ボロンのドーズ量を１．５×１
０15〜２．０×１０15ｃｍ-2程度とすればよいことが判
る。従って、ボロンのドーズ量は従来例の半分以下で済
み、チャージアップによるゲート酸化膜の劣化を防止で
きる。また、本実施例では、拡散層−コンタクト孔間の
マージンが０μｍまで漏れ電流の防止が可能であること
が確認できた。
と同じくリンのみイオン注入される。しかし、もとも
と、コンタクト抵抗は小さく、ここでイオン注入するド
ーズ量はコンタクトマージンを小さくしたときに漏れ電
流を防止する程度のドーズ量で可能である。コンタクト
サイズ０．５５μｍ□のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜／Ｔｉ−Ｎ
膜／Ｔｉ膜−Ｎ+ 型コンタクト層のコンタクト抵抗を測
定した結果を図４に示す。リンのドーズ量２．０×１０
14ｃｍ-2で６０Ω／個程度と、従来例と同じくらいにな
った。Ｐ+ 型拡散層は、リンを全面にイオン注入するこ
とにより、５価のリンと３価のボロンが入る。そのため
に、リンのドーズ量を増すと、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜／Ｔ
ｉ−Ｎ膜／Ｔｉ膜−Ｐ+ 型コンタクト層のコンタクト抵
抗が高くなるものと予想される。実際に測定した結果を
図５に示す。予想と逆の結果になった。すなわち、最初
リンのイオン注入でＰ+ 型拡散層表面がアモルファス化
する。その後ボロンをイオン注入するとき、表面がアモ
ルファス化されているためにボロンのチャネリングがお
さえられる。従って、ボロンの表面濃度が高くなるの
で、コンタクト抵抗が下ったと考えられる。ボロンのド
ーズ量が１．０×１０15ｃｍ-2において、リンのドーズ
量１．０×１０14ｃｍ-2（Ａ）のときと、２．０×１０
14ｃｍ-2（Ｂ）のときのＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜／Ｔｉ−Ｎ
膜／Ｔｉ膜−Ｐ+型コンタクト層のコンタクト抵抗はそ
れぞれ１７０Ω／個，１１０Ω／個程度となった。従っ
て、従来と同程度のコンタクト抵抗、すなわち１００Ω
／個程度にするには、図５より、リンのドーズ量２．０
×１０14ｃｍ-2の場合、ボロンのドーズ量を１．５×１
０15〜２．０×１０15ｃｍ-2程度とすればよいことが判
る。従って、ボロンのドーズ量は従来例の半分以下で済
み、チャージアップによるゲート酸化膜の劣化を防止で
きる。また、本実施例では、拡散層−コンタクト孔間の
マージンが０μｍまで漏れ電流の防止が可能であること
が確認できた。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リンのイ
オン注入をＮ+ 型拡散層とＰ+ 型拡散層の双方について
行なった後、Ｐ+ 型拡散層上のコンタクト孔部のみにレ
ジスト膜を形成するという工程が不要となるので、工程
数を減らすことができる。またコンタクトボロン注入を
少ない注入量でコンタクト抵抗を下げることができ、イ
オン注入工程におけるチャージアップや工程時間を短縮
することが出来る。
オン注入をＮ+ 型拡散層とＰ+ 型拡散層の双方について
行なった後、Ｐ+ 型拡散層上のコンタクト孔部のみにレ
ジスト膜を形成するという工程が不要となるので、工程
数を減らすことができる。またコンタクトボロン注入を
少ない注入量でコンタクト抵抗を下げることができ、イ
オン注入工程におけるチャージアップや工程時間を短縮
することが出来る。
【図１】本発明の一実施例の説明のため（Ａ）〜（Ｃ）
に分図して示す工程順断面図である。
に分図して示す工程順断面図である。
【図２】従来の技術の説明のため（Ａ）〜（Ｄ）に分図
して示す工程順断面図である。
して示す工程順断面図である。
【図３】図２（Ｄ）に対応する工程の後の工程の説明に
使用する断面図である。
使用する断面図である。
【図４】本発明の一実施例におけるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜
／Ｔｉ−Ｎ膜／Ｔｉ膜−Ｐ+ 型コンタクト層のコンタク
ト抵抗とリンイオンドーズ量との関係を示すグラフであ
る。
／Ｔｉ−Ｎ膜／Ｔｉ膜−Ｐ+ 型コンタクト層のコンタク
ト抵抗とリンイオンドーズ量との関係を示すグラフであ
る。
【図５】本発明の一実施例におけるＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜
／Ｔｉ−Ｎ膜／Ｔｉ膜−Ｐ+ 型コンタクト層のコンタク
ト抵抗とイオン注入ドーズ量との関係を示すグラフであ
る。
／Ｔｉ−Ｎ膜／Ｔｉ膜−Ｐ+ 型コンタクト層のコンタク
ト抵抗とイオン注入ドーズ量との関係を示すグラフであ
る。
１ Ｐ型シリコン基板 ２ Ｐウェル領域 ３ Ｎウェル領域 ４ フィールド酸化膜 ５ Ｎ+ 型拡散層 ６ Ｐ+ 型拡散層 ７ 層間絶縁膜 ８−１，８−２，８−３ レジスト膜 ９，９ｂ イオン注入層 ９ａ，９ｃ Ｎ+ 型コンタクト層 １０，１０ｂ イオン注入層 １０ａ，１０ｃ Ｐ+ 型コンタクト層 １１ Ｔｉ膜 １２ Ｔｉ−Ｎ膜 １３ Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜 １４ タングステン膜 １５ Ａｌ−Ｃｕ膜
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板の表面部にＰ+ 型拡散層およ
びＮ+ 型拡散層をそれぞれ選択的に形成する工程と、層
間絶縁膜を堆積し前記Ｐ+ 型拡散層および前記Ｎ+ 型拡
散層上部にそれぞれコンタクト孔を形成する工程と、前
記両拡散層に前記コンタクト孔を通してＮ型不純物を注
入し、前記Ｐ+ 型拡散層に前記Ｎ型不純物の注入量と少
なくとも同程度のＰ型不純物を注入した後熱処理を行な
う工程と、バリヤメタル膜を有する配線層を形成する工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 Ｎ型不純物はリンであり、Ｐ型不純物は
ボロンであり、バリヤメタル膜はチタン膜と窒化チタン
膜の２層膜である請求項１記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259196A JPH06112149A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
| KR1019930020541A KR940008137A (ko) | 1992-09-29 | 1993-09-28 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| EP19930115754 EP0590652A3 (en) | 1992-09-29 | 1993-09-29 | Method for the production of contacts between diffusion layers and conductive circuits of semiconductor devices. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4259196A JPH06112149A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112149A true JPH06112149A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17330717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4259196A Pending JPH06112149A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0590652A3 (ja) |
| JP (1) | JPH06112149A (ja) |
| KR (1) | KR940008137A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365483B1 (ko) * | 1999-03-19 | 2002-12-18 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체장치의 제조방법 |
| US8148748B2 (en) | 2007-09-26 | 2012-04-03 | Stmicroelectronics N.V. | Adjustable field effect rectifier |
| US9029921B2 (en) | 2007-09-26 | 2015-05-12 | Stmicroelectronics International N.V. | Self-bootstrapping field effect diode structures and methods |
| US9048308B2 (en) | 2007-09-26 | 2015-06-02 | Stmicroelectronics International N.V. | Regenerative building block and diode bridge rectifier and methods |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010004230A1 (de) | 2009-01-23 | 2010-10-14 | Qimonda Ag | Integrierter Schaltkreis mit Kontaktstrukturen für P- und N-Dotierte Gebiete und Verfahren zu dessen Herstellung |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6211259A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-20 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP0216053A3 (en) * | 1985-09-26 | 1988-01-20 | Motorola, Inc. | Removable sidewall spaces for lightly doped drain formation using one mask level |
| JPH069203B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-02-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置とその製造方法 |
| IT1223571B (it) * | 1987-12-21 | 1990-09-19 | Sgs Thomson Microelectronics | Procedimento per la fabbricazione di dispositivi integrati cmos con lunghezze di porta ridotte |
| IT1225614B (it) * | 1988-08-04 | 1990-11-22 | Sgs Thomson Microelectronics | Processo per la fabbricazione di dispositivi integrati cmos con lunghezze di gate ridotte e drain leggermente drogato |
| US4956311A (en) * | 1989-06-27 | 1990-09-11 | National Semiconductor Corporation | Double-diffused drain CMOS process using a counterdoping technique |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP4259196A patent/JPH06112149A/ja active Pending
-
1993
- 1993-09-28 KR KR1019930020541A patent/KR940008137A/ko not_active Application Discontinuation
- 1993-09-29 EP EP19930115754 patent/EP0590652A3/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100365483B1 (ko) * | 1999-03-19 | 2002-12-18 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체장치의 제조방법 |
| US8148748B2 (en) | 2007-09-26 | 2012-04-03 | Stmicroelectronics N.V. | Adjustable field effect rectifier |
| US9012954B2 (en) | 2007-09-26 | 2015-04-21 | STMicroelectronics International B.V. | Adjustable field effect rectifier |
| US9029921B2 (en) | 2007-09-26 | 2015-05-12 | Stmicroelectronics International N.V. | Self-bootstrapping field effect diode structures and methods |
| US9048308B2 (en) | 2007-09-26 | 2015-06-02 | Stmicroelectronics International N.V. | Regenerative building block and diode bridge rectifier and methods |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0590652A3 (en) | 1994-12-07 |
| EP0590652A2 (en) | 1994-04-06 |
| KR940008137A (ko) | 1994-04-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981110 |