JPS6211259A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS6211259A
JPS6211259A JP60150425A JP15042585A JPS6211259A JP S6211259 A JPS6211259 A JP S6211259A JP 60150425 A JP60150425 A JP 60150425A JP 15042585 A JP15042585 A JP 15042585A JP S6211259 A JPS6211259 A JP S6211259A
Authority
JP
Japan
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transistor
type
channel
diffusion
type layers
Prior art date
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Pending
Application number
JP60150425A
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English (en)
Inventor
Kazuyoshi Kobayashi
和好 小林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPS6211259A publication Critical patent/JPS6211259A/ja
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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置、特に相補型MO8(C−MOS
)トランジスタの製造方法に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、相補型MO8)ランジスタの製造方法におい
て、PチャンネルMO8)ランジスタとNチャンネルM
O8)ランジスタとを形成する工程と、この相補型MO
8)ランジスタのそれぞれの電極取出部の全面に第1導
電型(例えばP型)不純物を導入する工程と、第2導電
型トランジスタ(例えばNチャンネルMO8)ランジス
タ)の電極取出部のみに第2導電型(例えばN型)不純
物を上記第1導電型不純物濃度より高濃度に導入する工
程を有することにより、型造工程数の減少を図ることが
できるようにしたものである。
〔従来の技術〕
第2図に示すように、従来の半導体装置(本例はNチャ
ンネルMO8)ランジスタ)(1)において、2.0〜
1.5μル一ル位まではLOCO8法によるフィールド
酸化膜(2)と電極取出部(5)との距離りば1.0μ
以上設けるようにして設計されている。同図において、
(3)はソース、(4)はドレイン、(6)はダート酸
化膜、(7ンは多結晶siのダート、(8)はP型S1
基板、αQは電極である。
半導体装置の高速化及び大容量化を達成するためには、
高集積化及び超微細化を図る必要があるが、これを妨げ
る原因の1つとしてこのフィールド酸化膜(2)と電極
取出部(5)との距離りがある。この距゛離りを単純に
狭めようとし念場合には、ストレスの多いフィールド0
酸化膜(2)のバーズビーク端部において基板(8)と
酸化膜(2)との界面が不安定のため、電極αQと基板
(8)との間でリークが発生したシ、またマスク合せ精
度の悪さにより基板(8)表面が露出してリークが発生
するという問題点が生じる。そこで、このような問題点
を解決するために、第3図に示すように、フィールド酸
化膜(2)と電極取出部(5)との距離りを1μ以下に
すると共に、従来のソース(3)及びドレイン(4)よ
り深い拡散領域(3a) 、 (4m)を形成して(所
謂補償拡散) Atス/4’イク及び接合リークを防止
することにより微細化を図ることが提案されている。こ
のA/、スノクイクは、集積度が上シ、拡散面積の縮小
化と共に拡散深さが浅くなるに従って、よル顕著になる
。このような補償拡散は、相補型MO8) 7ンジスタ
についても、安定な歩留りを得るために行う必要がある
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の相補型MO8)ランジスタの製造方法によれば、
補償拡散を行う念めに、両MO8)ランジスタの電極取
出部の窓開けを同時に行った後、先ず(i) Pチャン
ネルMO8)ランジスタを除くNチャンネルMO8)ラ
ンジスタ上へのホトレジストの形成、次に(ii) P
チャンネルMO8)ランジスタの電極取出部を通しての
P型イオンの注入、次に(iiD NチャンネルMO8
)ランジスタを除くPチャンネルMO8)2ンジスタ上
へのホトレジストの形成、(iv)NチャンネルMOS
トランジスタの電極取出部を通してのN型イオンの注入
という4つの工程を必要としていた。
本発明は、相補型MO8) ?ンジスタにおける補償拡
散工程を減少させることができる半導体装置の製造方法
を提供するものである。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は、半導体基板(1)にPチャンネルMOB )
2ンジスタ(ハ)とNチャンネルMO8)ランジスタ0
1から成る相補型MO8)ランジスタ(2)を形成する
半導体装置の輿遣方法において、半導体基板(1)にP
チャンネルMO8)ランジスタ(ハ)のソースシカとド
レイン(2)となるP型不純物領域及びNチーヤンネル
MO8)ランジスタ0ηのソース勾とドレイン(ハ)と
なるN型不純物領域を形成する工程と、両MO8)ラン
ジスタの4つの電極取出部(35m) 、 (35b)
 。
(35c) 、 (35d)の窓開けを同時に行った後
、とれらの4つの電極取出部(35m) 、 (35b
) 、 (35c)、(35d)の全面にP型不純物を
導入する工程と、PチャンネルMO8) ?ンジスタ(
ハ)上にホトレジストαつを形成し、NチャンネルMO
8)ランジスタ0めの電極取出部(35c) 、 (3
5d)のみにN型不純物を上記P型不純物濃度より高濃
度に導入する工程より成る。
〔作用〕
本発明によれば、相補型MO8)ランジスタにおけるP
チャンネルMO8)ランジスタとNチャンネルMO8)
 7ンジスタのソース及びドレインに補償拡散を行うた
めの工程ば、ホトレジストによるiスク工程が1回で済
むため、従来の4工穆と比べて3工程に減少する。
〔実施例〕
第1図A−Dを参照して本発明の詳細な説明する。
先ず第1図Aに示すように、N型St基板(1)の一方
にP型ソースeカとドレイン(財)、ダート酸化膜り及
び多結晶Siのf−)(ハ)より成るPチャンネルMO
8)ランジスタ(ハ)及び他方にP型分離層翰中にN型
ソース(ロ)とドレイン(ハ)、ダート酸化膜−及び多
結晶S1のダート(支)より成るNチャンネルMO8)
ランジスタ0ηをそれぞれ形成した後、両MO8)ラン
ジスタw 、 ollの電極取出部(35m) −(3
5b) 。
(35c) 、 (35d)の窓開けを同時に行う。同
図中、(至)はフィールド酸化膜、(ロ)は830□で
ある。
次に第1図Bに示すように、全面にP型不純物であるホ
ウ素B(又はBF2)をイオン注入し、それぞれの電極
取出部m [(35m) 、 (35b) 、 (35
c)。
(35d):+を通して補償拡散を行う。このイオン注
入のドーズ量は、少くとも81基板クヤのN型不純物の
濃度より高くする。また、イオン注入のエネルギは、注
入イオンが電極取出部(ト)に対応する部分のみならず
、少くともバーズビーク(ハ)の先端からフィールド酸
化膜(至)方向に入ることができるエネルギ、例えば5
0keV以上とする。このイオン注入により、Pチャン
ネルMO8)ランジスタ(ハ)における電極取出部(3
5m) 、(35b)に対応するソース?めとドレイン
(イ)より深い部分にそれぞれP型の拡散領域0″/)
、(至)が形成される。また同時に、NチャンネルMO
8)ランジスタG心における電極取出部(35G)。
(35d)に対応するソース(財)とドレイン(至)よ
り深い部分にそれぞれP+型の拡散領域(ト)、顛が形
成される。
次に第1図Cに示すように、PチャンネルMOSトラン
ジスタ(ハ)部分のみホトレジスト01)で覆つ九後、
NチャンネルMO8)ランジスタG力の電極取出部(3
5c) 、 (35d)を西してN型不純物、例えばリ
ンPをイオン注入する。このイオン注入のドーズ量は、
上記のBのイオン注入のドーズ量より多く、例えば1桁
以上多くするのがよい。また、イオン注入のエネルギは
、上記第1図Bの場合と同様、注入イオンが電極取出部
(ト)に対応する部分のみならず、少くともバーズビー
ク(ト)の先端からフィールド酸化膜(至)方向に入る
ことかで酋るエネルギ、例えば100〜150keVと
するのが望ましい。このイオン注入により、Nチャンネ
ルMO8)ランジスタ09における電極取出部(35c
) 、(35d)に対応するソース(イ)とドレイン(
至)より深い部分にそれぞれ形成され&P+型の拡散領
域(ト)、00は、N+型の拡散領域(イ)、03に変
わる。
以上のように、電極取出部(35a) 、(35b)、
(35c)。
(35d)の全面に対するホウ素Bのイオン注入、Pチ
ャンネルMO8)ランジスタ(至)上へのホトレジスト
α力の形成及びNチャンネルMOSトランジスタ01)
の電極取出部(35c) = (35d)へのリンPの
イオン注入の3工程で第1図りに示すように、Pチャン
ネルMO8)ランジスタ(ハ)とNチャンネルMO8)
ランジスタ0])のそれぞれに補償拡散がなされた目的
の相補型MO8)ランジスタe3■を得る。
なお、上記実施例におけるPチャンネルMO8)ランジ
スタ(ハ)と、NチャンネルMO8)ランジスタ01)
の導電型を逆にしても良く、この場合には、P型分離層
(ハ)ではなくN型分離層を形成する。
〔発明の効果〕
本発明によれば、高集積化及び微細化を図るために電極
取出部とフィールド酸化膜との距離を縮小した相補型ト
ランジスタに対して、接合−リーク電流を減少させ、歩
留りを向上させるために行う補償拡散工程を従来の4工
程から3工穆に減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図A−Dは本半導体装置の製造方法を示す工程図、
第2図及び第3図は従来例の断面図である。 翰はN型St基板、?■、@はソース、(イ)、(ハ)
はドレイン、(ハ)はPチャンネルMO8)ランジスタ
、0力はNチャンネルMO8)ランジスタ、0りは相補
型MO8) 、i’ンジスタ、be 、[(35m) 
、 (35b) 、 (35e)。 (35d ) :)は電極取出部、(ロ)、(至)、(
ト)、00.(6)、(至)は拡散領域、@→けホトレ
ジストである。 −・:

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 半導体基板に第1及び第2導電型トランジスタから成る
    相補型トランジスタを形成する半導体装置の製造方法に
    おいて、 上記相補型トランジスタを構成する相異なる導電型不純
    物領域を上記半導体基板に形成する工程と、 上記相補型トランジスタのそれぞれの電極取出部の全面
    に第1導電型不純物を導入する工程と、第2導電型トラ
    ンジスタの上記電極取出部のみに第2導電型不純物を上
    記第1導電型不純物濃度より高濃度に導入する工程を有
    する半導体装置の製造方法。
JP60150425A 1985-07-09 1985-07-09 半導体装置の製造方法 Pending JPS6211259A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0590652A2 (en) * 1992-09-29 1994-04-06 Nec Corporation Method of forming contact between diffused layer and wiring conductor semiconductor device

Citations (2)

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JPS5726463A (en) * 1980-07-24 1982-02-12 Mitsubishi Electric Corp Manufacture of complementary mos integrated circuit
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