JPH058585Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本考案はマトリクス状の表示セグメントを有す
る表示装置に関する。

(ロ) 従来技術 マトリクス状の表示セグメントを有する表示装
置としては、日経エレクトロニクス1984年１月２
日号の記事「文書と画像表示をねらうフラツト・
パネル・デイスプレイ」に開示されている様に液
晶表示器を用いたもの、エレクトロ・ルミネツセ
ンス表示器を用いたもの、等各種の表示装置が存
在するが、現在は低消費電力大容量化が可能であ
る点で液晶表示器の将来性が高く評価されてい
る。

斯様な従来の液晶表示装置の要部の平面図を第
１図ａに示し、同図ｂにそのＸ−Ｘ線断面図を示
す。これ等の図に於いて、１０は第１のガラス基
板、１１は第１のガラス基板１０上に窒化シリコ
ンからなる絶縁膜１２を介して行列配置され、マ
トリクスセグメントを構成するITOからなる透明
電極、１３……は上記透明電極１１，１１……間
隙を縦方向に複数本並列配置したアモルフアスシ
リコン膜であり、絶縁膜１２上に設けられてい
る。１４……は各アモルフアスシリコン膜１３…
…の左側辺上に絶縁膜１２を介して一部重畳した
状態で縦方向に複数本並列配置されたアルミニウ
ム膜からなるドレインラインである。１５，１５
……は各アモルフアスシリコン膜１３……の右側
辺上に絶縁膜１２を介して一部重畳した状態で各
透明電極１１，１１……に対応配置されたアルミ
ニウム膜からなるソース電極であり、その右側辺
は各透明電極１１，１１……の左下端部と接続さ
れている。１６……は上記透明電極１１，１１…
…間隙位置を横方向に複数本並列配置されて上記
第１のガラス基板１０と絶縁膜１２との間に形成
された金とクロムの２層膜からなるゲートライン
であり、該ライン１６……には上記各ソース電極
１５……とドレインライン１４……との間隙位置
のアモルフアスシリコン膜１３……下のゲート電
極１７……が一体に形成されている。即ち、図中
Ｄで示すドレインライン１４……箇所のドレイン
電極と、Ｓで示すソース電極１５……と、Ｇで示
すゲート電極１７……と、これ等電極Ｄ，Ｓ，Ｇ
に結合しているアモルフアスシリコン膜１３……
箇所とに依つて薄膜FETからなるスイツチング
トランジスタが構成されており、各透明電極１
１，１１……は夫々に対応したこのスイツチング
トランジスタを介してドレインライン１４……に
接続されるのである。１８は上記各透明電極１
１，１１……及びドレインライン１４……を一面
に被覆した配向膜である。

一方、２０は第２のガラス基板であり、その下
面、即ち第１のガラス基板１０と対向する面には
一面に共通電極２１、配向膜２８が順次形成され
ている。

３は上記両基板１０，２０間に封入された液晶
物質であり、各マトリクスセグメント毎に上記ス
イツチングトランジスタがONする事に依つて電
圧が印加される第１のガラス基板１０の透明電極
１１箇所の液晶物質５が電気光学効果を引き起こ
す事となる。

しかしながら、上述の如き表示装置は５万個も
の多数の表示セグメントが設けられるので、この
セグメント寸法が120μm×120μm程度、各電極配
線１４，１６，……の線巾が30μm程度となる微
細構造をもつものであるので、その製造プロセス
中にゴミの付着、あるいはマスクの欠陥、又はレ
ジスト内の気泡等に起因して各電極配線１４，１
６，……に断線事故が生じやすいという欠点があ
つた。

詳しくは、この断線事故は平坦なガラス基板１
０上に形成できるゲートライン１６……に比べて
凹凸のある多層構造上に形成されるドレインライ
ン１４……の方に集中して発生する事がわかつて
いる。

(ハ) 考案の目的 本考案はドレイン電極配線に対して断線事故対
策を構じた表示装置を提供するものである。

(ニ) 考案の構成 本考案の表示装置は、層間絶縁膜を介在せしめ
た２層の金属層によつてゲートラインとドレイン
ラインとを構成しながら、第２の金属層からなる
ドレインラインに沿つて潜在したバイパスライン
をゲートラインと同じ第１の金属層にて構成した
ので、これら両金属層と異なる層への金属層の追
加無しに装備した上記バイパスラインにて、ドレ
インラインの断線箇所を電気的に接続できる。

(ホ) 実施例 第２図ａに本考案の一実施例としての液晶表示
装置の平面図、同図ｂにそのX′−X′線断面図、
を夫々示し、さらに第３図に第２図ａの部分平面
図を示す。これ等の図に於いて、第１図ａ，ｂの
従来装置と同一部分には同一図番を付しており、
第１のガラス基板１０上面には、第１の金属層
（例えば金とクロムの２層膜）で構成したゲート
ライン１６……、絶縁膜１２、アモルフアスシリ
コン膜１３……、第２の金属（例えばアルミニウ
ム単層）で構成したドレインライン１４……とソ
ース電極１５、透明な第３の金属層（例えば
ITO）で構成した透明電極１１、配向膜１８が順
次積層形成され、第２図ｂに示す如く従来装置と
同様の薄膜トランジスタが表示セグメントに対応
してマトリクス状に構成されている。一方、第２
のガラス基板２０下面には共通電極２１、配向膜
２８が順次積層構成されており、これ等両基板１
０，２０間に液晶物質３を封入しているのであ
る。

斯る本考案実施例装置が従来装置と異なる所
は、第３図に示す如く、ガラス基板１０上にゲー
トライン１６……を形成すると同時にこのゲート
ライン１６……とは独立した状態で複数本の短冊
状をなし、例えば金とクロムの２層構成の第１の
金属膜からなるバイパスライン１９……を形成し
た点にあり、このバイパスライン１９……の形成
位置はドレインライン１４の直下であつてこのド
レインライン１４に沿つて潜在する箇所となつて
いる。

斯るバイパスライン１９は、ゲートライン１
６，１６に夫々近接した両端部に於いて、その上
面の絶縁膜１２にエツチングに依つてコンタクト
ホールを設けておき、この上にドレインライン１
４を延在被着せしめる事に依り、この絶縁膜１２
のコンタクトホールを介してドレインライン１４
にコンタクトＣされている。従つて、各ドレイン
ライン１４……はゲートライン１６……を跨ぐ箇
所以外はバイパスライン１９にて全てシヨートバ
イパスされており、第２図ａに示す如き断線箇所
Ｏがあつたとしてもその直下のバイパスライン１
９にて電気的な接続は維持されるのである。

上述の実施例においては、ドレインライン１４
の断線箇所Ｏ以外の全てのバイパスライン１９を
ドレインライン１４に結合しているが、断線箇所
Ｏを検出した後、この箇所Ｏがある所のみのバイ
パスライン１９をドレインライン１４に結合する
事としてもよい。

(ヘ) 考案の効果 本考案の表示装置はゲートラインと同層箇所
に、このゲートラインとは独立した状態でドレイ
ンラインに沿つて潜在した短冊状のバイパスライ
ンを備えたものであるので、ドレインラインの断
線箇所をこのバイパスラインで電気的に接続する
事ができる。従つてドレインラインの断線に依る
表示機能の欠損は皆無となり、この種表示装置に
とつて実用的効果大なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ，ｂは従来の表示装置の部分平面図、
及び断面図、第２図ａ，ｂは本考案の表示装置の
一実施例の部分平面図、及び断面図、第３図は第
２図ａの要部平面図である。 １１……透明電極、１３……アモルフアスシリ
コン膜１３、１４……ドレインライン、１５……
ソース電極、１６……ゲートライン、１７……ゲ
ート電極、１９……バイパスライン。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 絶縁基板上に並列配置された第１の金属層から
   なる複数本のゲートラインと、該ゲートライン上
   に層間絶縁膜を介して並列配置された第２の金属
   層からなる複数本のドレインラインとが交差し、
   このマトリクス状の各交差点にてFETからなる
   スイツチングトランジスタを構成してなり、該各
   トランジスタのソース側に表示セグメント電極を
   結合した表示装置に於いて、上記ドレインライン
   直下のゲートラインと同層箇所に、このゲートラ
   インとは独立した状態で上記ドレインラインに沿
   つて潜在した第１の金属層からなる短冊状のバイ
   パスラインを備え、上記ドレインラインが断線し
   た場合にこの断線箇所を跨ぐ２箇所を夫々層間絶
   縁膜を介して上記バイパスラインに結合する事を
   特徴とした表示装置。