JPH058586Y2 - - Google Patents
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- JPH058586Y2 JPH058586Y2 JP1984083128U JP8312884U JPH058586Y2 JP H058586 Y2 JPH058586 Y2 JP H058586Y2 JP 1984083128 U JP1984083128 U JP 1984083128U JP 8312884 U JP8312884 U JP 8312884U JP H058586 Y2 JPH058586 Y2 JP H058586Y2
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案はマトリクス状の表示セグメントを有す
る表示装置に関する。
る表示装置に関する。
(ロ) 従来技術
マトリクス状の表示セグメントを有する表示装
置としては、日経エレクトロニクス1984年１月２
日号の記事「文書と画像表示をねらうフラツト・
パネル・デイスプレイ」に開示されている様に液
晶表示器を用いたもの、エレクトロ・ルミネツセ
ンス表示器を用いたもの、等各種の表示装置が存
在するが、現在は低消費電力大容量化が可能であ
る点で液晶表示器の将来性が高く評価されてい
る。
置としては、日経エレクトロニクス1984年１月２
日号の記事「文書と画像表示をねらうフラツト・
パネル・デイスプレイ」に開示されている様に液
晶表示器を用いたもの、エレクトロ・ルミネツセ
ンス表示器を用いたもの、等各種の表示装置が存
在するが、現在は低消費電力大容量化が可能であ
る点で液晶表示器の将来性が高く評価されてい
る。
斯様な従来の液晶表示装置の要部の平面図を第
１図ａに示し、同図ｂにそのＸ−Ｘ線断面図を示
す。これ等の図に於いて、１０は第１のガラス基
板、１１は第１のガラス基板１０上に窒化シリコ
ンからなる絶縁膜１２を介して行列配置され、マ
トリクスセグメントを構成するITOからなる透明
電極、１３……は上記透明電極１１，１１……間
隙を縦方向に複数本並列配置したアモルフアスシ
リコン膜であり、絶縁膜１２上に設けられてい
る。１４……は各アモルフアスシリコン膜１３…
…の左側辺上に絶縁膜１２を介して一部重畳した
状態で縦方向に複数本並列配置されたアルミニウ
ム膜からなるドレインラインである。１５，１５
……は各アモルフアスシリコン膜１３……の右側
辺上に絶縁膜１２を介して一部重畳した状態で各
透明電極１１，１１……に対応配置されたアルミ
ニウム膜からなるソース電極であり、その右側辺
は各透明電極１１，１１……の左下端部と接続さ
れている。１６……は上記透明電極１１，１１…
…間隙位置を横方向に複数本並列配置されて上記
第１のガラス基板１０と絶縁膜１２との間に形成
された金とクロムの２層膜からなるゲートライン
であり、該ライン１６……には上記各ソース電極
１５……とドレインライン１４……との間隙位置
のアモルフアスシリコン膜１３……下のゲート電
極１７……が一体に形成されている。即ち、図中
Ｄで示すドレインライン１４……箇所のドレイン
電極と、Ｓで示すソース電極１５……と、Ｇで示
すゲート電極１７……と、これ等電極Ｄ，Ｓ，Ｇ
に結合しているアモルフアスシリコン膜１３……
箇所とに依つて薄膜FETからなるスイツチング
トランジスタが構成されており、各透明電極１
１，１１……は夫々に対応したこのスイツチング
トランジスタを介してドレインライン１４……に
接続されるのである。１８は上記各透明電極１
１，１１……及びドレインライン１４……を一面
に被覆した配向膜である。
１図ａに示し、同図ｂにそのＸ−Ｘ線断面図を示
す。これ等の図に於いて、１０は第１のガラス基
板、１１は第１のガラス基板１０上に窒化シリコ
ンからなる絶縁膜１２を介して行列配置され、マ
トリクスセグメントを構成するITOからなる透明
電極、１３……は上記透明電極１１，１１……間
隙を縦方向に複数本並列配置したアモルフアスシ
リコン膜であり、絶縁膜１２上に設けられてい
る。１４……は各アモルフアスシリコン膜１３…
…の左側辺上に絶縁膜１２を介して一部重畳した
状態で縦方向に複数本並列配置されたアルミニウ
ム膜からなるドレインラインである。１５，１５
……は各アモルフアスシリコン膜１３……の右側
辺上に絶縁膜１２を介して一部重畳した状態で各
透明電極１１，１１……に対応配置されたアルミ
ニウム膜からなるソース電極であり、その右側辺
は各透明電極１１，１１……の左下端部と接続さ
れている。１６……は上記透明電極１１，１１…
…間隙位置を横方向に複数本並列配置されて上記
第１のガラス基板１０と絶縁膜１２との間に形成
された金とクロムの２層膜からなるゲートライン
であり、該ライン１６……には上記各ソース電極
１５……とドレインライン１４……との間隙位置
のアモルフアスシリコン膜１３……下のゲート電
極１７……が一体に形成されている。即ち、図中
Ｄで示すドレインライン１４……箇所のドレイン
電極と、Ｓで示すソース電極１５……と、Ｇで示
すゲート電極１７……と、これ等電極Ｄ，Ｓ，Ｇ
に結合しているアモルフアスシリコン膜１３……
箇所とに依つて薄膜FETからなるスイツチング
トランジスタが構成されており、各透明電極１
１，１１……は夫々に対応したこのスイツチング
トランジスタを介してドレインライン１４……に
接続されるのである。１８は上記各透明電極１
１，１１……及びドレインライン１４……を一面
に被覆した配向膜である。
一方、２０は第２のガラス基板であり、その下
面、即ち第１のガラス基板１０と対向する面には
一面に共通電極２１、配向膜２８が順次形成され
ている。
面、即ち第１のガラス基板１０と対向する面には
一面に共通電極２１、配向膜２８が順次形成され
ている。
３は上記両基板１０，２０間に封入された液晶
物質であり、各マトリクスセグメント毎に上記ス
イツチングトランジスタがONする事に依つて電
圧が印加される第１のガラス基板１０の透明電極
１１箇所の液晶物質５が電気光学効果を引き起こ
す事となる。
物質であり、各マトリクスセグメント毎に上記ス
イツチングトランジスタがONする事に依つて電
圧が印加される第１のガラス基板１０の透明電極
１１箇所の液晶物質５が電気光学効果を引き起こ
す事となる。
しかしながら、上述の如き表示装置は５万個も
の多数の表示セグメントが設けられるので、この
セグメント寸法が120μm×120μm程度、各電極配
線１４，１６，……の線巾が30μm程度となる微
細構造をもつものであるので、その製造プロセス
中にゴミの付着、あるいはマスクの欠陥、又はレ
ジスト内の気泡等に起因して各電極配線１４，１
６，……に断線事故が生じやすいという欠点があ
つた。
の多数の表示セグメントが設けられるので、この
セグメント寸法が120μm×120μm程度、各電極配
線１４，１６，……の線巾が30μm程度となる微
細構造をもつものであるので、その製造プロセス
中にゴミの付着、あるいはマスクの欠陥、又はレ
ジスト内の気泡等に起因して各電極配線１４，１
６，……に断線事故が生じやすいという欠点があ
つた。
詳しくは、この断線事故は平坦なガラス基板１
０上に形成できるゲートライン１６……に比べて
凹凸のある多層構造上に形成されるドレインライ
ン１４……の方に集中して発生する事がわかつて
いる。
０上に形成できるゲートライン１６……に比べて
凹凸のある多層構造上に形成されるドレインライ
ン１４……の方に集中して発生する事がわかつて
いる。
(ハ) 考案の目的
本考案はドレイン電極配線に対して断線事故対
策を講じた表示装置を提供するものである。
策を講じた表示装置を提供するものである。
(ニ) 考案の構成
並列配置された複数本のゲートラインと、該ゲ
ートライン上に層間絶縁膜を介して並列配置され
た複数本のドレインラインとが交差し、このマト
リクス状の各交差点にてFETからなるスイツチ
ングトランジスタを構成してなり、該各トランジ
スタのソース側に表示セグメント電極を結合した
表示装置に於いて、上記ドレインライン上には上
記表示セグメント電極と同一の導電性材料からな
る補助導電層を被着しており、上記ソース上に表
示セグメント電極を重畳しているものである。
ートライン上に層間絶縁膜を介して並列配置され
た複数本のドレインラインとが交差し、このマト
リクス状の各交差点にてFETからなるスイツチ
ングトランジスタを構成してなり、該各トランジ
スタのソース側に表示セグメント電極を結合した
表示装置に於いて、上記ドレインライン上には上
記表示セグメント電極と同一の導電性材料からな
る補助導電層を被着しており、上記ソース上に表
示セグメント電極を重畳しているものである。
(ホ) 実施例
第２図ａに本考案の一実施例としての液晶表示
装置の平面図、同図ｂにそのX′−X′線断面図、
並びに同図ｃにそのX″−X″線断面図を夫々示す。
これ等の図に於いて、第１図ａ，ｂの従来装置と
同一部分には同一図番を付しており、第１のガラ
ス基板１０上面には、ゲートライン１６……、絶
縁膜１２、アモルフアスシリコン膜１３……、ド
レインライン１４……及びソース電極１５、透明
電極１１、配向膜１８が順次積層形成され、第２
図ｂに示す如く従来装置と同様の薄膜トランジス
タが表示セグメントに対応してマトリクス状に構
成されている。一方、第２のガラス基板２０下面
には共通電極２１、配向膜２８が順次積層構成さ
れており、これ等両基板１０，２０間に液晶物質
３を封入しているのである。
装置の平面図、同図ｂにそのX′−X′線断面図、
並びに同図ｃにそのX″−X″線断面図を夫々示す。
これ等の図に於いて、第１図ａ，ｂの従来装置と
同一部分には同一図番を付しており、第１のガラ
ス基板１０上面には、ゲートライン１６……、絶
縁膜１２、アモルフアスシリコン膜１３……、ド
レインライン１４……及びソース電極１５、透明
電極１１、配向膜１８が順次積層形成され、第２
図ｂに示す如く従来装置と同様の薄膜トランジス
タが表示セグメントに対応してマトリクス状に構
成されている。一方、第２のガラス基板２０下面
には共通電極２１、配向膜２８が順次積層構成さ
れており、これ等両基板１０，２０間に液晶物質
３を封入しているのである。
斯る本考案実施例装置が従来装置と異なる所
は、第１のガラス基板１０のドレインライン１４
……上に透明電極１１，１１……と同一の導電性
材料、この場合はITOかるなる補助導電層１９…
…を被着積層した点にある。即ち、第１のガラス
基板１０上に金とクロムの２層膜からなるゲート
ライン１６……とゲート電極１７……、窒化シリ
コンからなる絶縁膜１２、アモルフアスシリコン
膜１３，１３……、アルミニウム膜からなるドレ
インライン１４……とソース電極１５，１５……
とを順次積層形成した後、ITO材料にて透明電極
１１，１１……を形成するのと同一の工程で上記
ドレインライン１４……上にこのドレインライン
１４……と同一形状の補助導電層１９……を形成
するのである。具体的には、ITO膜を全面に被着
した後に、これを透明電極１１，１１……箇所及
びドレインライン１４……上の補助導電層１９…
…箇所を残存せしめて他の不要箇所のITO膜をエ
ツチング除去する事に依つて、新たな製造工程を
必要とせずに、補助導電層１９……が得られる事
となる。
は、第１のガラス基板１０のドレインライン１４
……上に透明電極１１，１１……と同一の導電性
材料、この場合はITOかるなる補助導電層１９…
…を被着積層した点にある。即ち、第１のガラス
基板１０上に金とクロムの２層膜からなるゲート
ライン１６……とゲート電極１７……、窒化シリ
コンからなる絶縁膜１２、アモルフアスシリコン
膜１３，１３……、アルミニウム膜からなるドレ
インライン１４……とソース電極１５，１５……
とを順次積層形成した後、ITO材料にて透明電極
１１，１１……を形成するのと同一の工程で上記
ドレインライン１４……上にこのドレインライン
１４……と同一形状の補助導電層１９……を形成
するのである。具体的には、ITO膜を全面に被着
した後に、これを透明電極１１，１１……箇所及
びドレインライン１４……上の補助導電層１９…
…箇所を残存せしめて他の不要箇所のITO膜をエ
ツチング除去する事に依つて、新たな製造工程を
必要とせずに、補助導電層１９……が得られる事
となる。
この様に各ドレインライン１４……は全て補助
導電層１９……との２層構造となつているので、
第２図ａのハツチング箇所Ｏ及び、この箇所の
X″−X″線断面を示した同図ｃに示す如く、ドレ
インライン１４……の成形工程中に、又はその直
後にドレインライン１４が断線したとしても、こ
の断線箇所にはITOからなる補助導電層が存在す
る事となるので、このドレインライン１４の電気
的な接続は維持されるのである。
導電層１９……との２層構造となつているので、
第２図ａのハツチング箇所Ｏ及び、この箇所の
X″−X″線断面を示した同図ｃに示す如く、ドレ
インライン１４……の成形工程中に、又はその直
後にドレインライン１４が断線したとしても、こ
の断線箇所にはITOからなる補助導電層が存在す
る事となるので、このドレインライン１４の電気
的な接続は維持されるのである。
(ヘ) 考案の効果
本考案の表示装置は、以上の説明から明らかな
如くドレインライン上に表示セグメント電極と同
一の導電性材料からなる補助導電層を積層したも
のであるので、ドレインラインの形成工程中に又
はその直後にドレインラインの断線事故が生じて
も、この断線箇所の補助導電層に依つてドレイン
ラインの電気的な接続を維持する事が可能とな
る。従つてドレインラインの断線に依る表示機能
の欠損を大巾に低減できる。
如くドレインライン上に表示セグメント電極と同
一の導電性材料からなる補助導電層を積層したも
のであるので、ドレインラインの形成工程中に又
はその直後にドレインラインの断線事故が生じて
も、この断線箇所の補助導電層に依つてドレイン
ラインの電気的な接続を維持する事が可能とな
る。従つてドレインラインの断線に依る表示機能
の欠損を大巾に低減できる。
第１図ａ，ｂは従来の表示装置の部分平面図、
及び断面図、第２図ａ，ｂ，ｃは本考案の表示装
置の一実施例の部分平面図、及び異なる２箇所の
断面図である。 １１……透明電極、１３……アモルフアスシリ
コン膜、１４……ドレインライン、１５……ソー
ス電極、１６……ゲートライン、１７……ゲート
電極、１９……補助導電層。
及び断面図、第２図ａ，ｂ，ｃは本考案の表示装
置の一実施例の部分平面図、及び異なる２箇所の
断面図である。 １１……透明電極、１３……アモルフアスシリ
コン膜、１４……ドレインライン、１５……ソー
ス電極、１６……ゲートライン、１７……ゲート
電極、１９……補助導電層。
Claims (1)
- 並列配置された複数本のゲートラインと、該ゲ
ートライン上に層間絶縁膜を介して並列配置され
た複数本のドレインラインとが交差し、このマト
リクス状の各交差点にてFETからなるスイツチ
ングトランジスタを構成してなり、該各トランジ
スタのソース電極側に表示セグメント電極を結合
した表示装置に於いて、上記ドレインライン上に
は上記表示セグメント電極と同一の導電性材料か
らなる補助導電層を被着しており、上記ソース電
極上に表示セグメント電極が重畳している事を特
徴とする表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8312884U JPS61182U (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8312884U JPS61182U (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61182U JPS61182U (ja) | 1986-01-06 |
| JPH058586Y2 true JPH058586Y2 (ja) | 1993-03-03 |
Family
ID=30631471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8312884U Granted JPS61182U (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61182U (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0610349Y2 (ja) * | 1984-12-30 | 1994-03-16 | ホシデン株式会社 | 液晶表示素子 |
| JPH0740103B2 (ja) * | 1986-09-02 | 1995-05-01 | ホシデン株式会社 | 液晶表示素子 |
| JPH0691252B2 (ja) * | 1986-11-27 | 1994-11-14 | 日本電気株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
| JP2527175B2 (ja) * | 1987-03-05 | 1996-08-21 | 三菱電機株式会社 | 表示装置 |
| JPH0814668B2 (ja) * | 1988-02-16 | 1996-02-14 | シャープ株式会社 | マトリックス型液晶表示パネル |
| JPH0812358B2 (ja) * | 1988-07-08 | 1996-02-07 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683782A (en) * | 1979-12-11 | 1981-07-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Liquid crystal matrix device |
| JPS60120322A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置 |
-
1984
- 1984-06-05 JP JP8312884U patent/JPS61182U/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5683782A (en) * | 1979-12-11 | 1981-07-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Liquid crystal matrix device |
| JPS60120322A (ja) * | 1983-12-02 | 1985-06-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 画像表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61182U (ja) | 1986-01-06 |
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