JPS60120322A - 画像表示装置 - Google Patents
画像表示装置Info
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- JPS60120322A JPS60120322A JP58228709A JP22870983A JPS60120322A JP S60120322 A JPS60120322 A JP S60120322A JP 58228709 A JP58228709 A JP 58228709A JP 22870983 A JP22870983 A JP 22870983A JP S60120322 A JPS60120322 A JP S60120322A
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- Japan
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- thin film
- image
- display device
- conductor
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、画像表示装置に液晶等を用いた画像表示装置
、例えば非線形素子を有するアクティブマトリックスア
レイにより駆動されるような液晶表示装置に関するもの
である。
、例えば非線形素子を有するアクティブマトリックスア
レイにより駆動されるような液晶表示装置に関するもの
である。
従来例の構成とその問題点
以下、非線形素子として薄線電界効果トランジスタを用
いて駆動される液晶表示装置を代表例として説明する。
いて駆動される液晶表示装置を代表例として説明する。
第１図は液晶表示装置の駆動アレイ部の模式図である。
絵素を構成するのは薄膜電界効果トランジスタ１と透明
電極等で形成される画像表示電極２である。液晶駆動用
の画像表示電極２は、トランジスタ１のドレイン電極６
と電気的接触を保っている。更に、絵素を相互に接続し
て駆動マトリックスアレイを構成するた゛めのゲートバ
ス３′＆ソースバス４が必要である。
電極等で形成される画像表示電極２である。液晶駆動用
の画像表示電極２は、トランジスタ１のドレイン電極６
と電気的接触を保っている。更に、絵素を相互に接続し
て駆動マトリックスアレイを構成するた゛めのゲートバ
ス３′＆ソースバス４が必要である。
第２図は絵素部分の平面図、第３図は第２図のｘ−ｘに
おける断面図である。トランジスタのゲート電極及びゲ
ートバス３と画像表示電極２の土部にはゲート絶縁膜８
が全面に形成されており、ゲート絶縁膜８を介してトラ
ンジスタのチャンネル領域となる半導体層６が島状に形
成され、ソース電極及びソースバス４とドレイン電極６
が形成されている。画像表示電極２はドレイン電極６と
コンタクトホール７によって電気的に接触している。９
は基板である。
おける断面図である。トランジスタのゲート電極及びゲ
ートバス３と画像表示電極２の土部にはゲート絶縁膜８
が全面に形成されており、ゲート絶縁膜８を介してトラ
ンジスタのチャンネル領域となる半導体層６が島状に形
成され、ソース電極及びソースバス４とドレイン電極６
が形成されている。画像表示電極２はドレイン電極６と
コンタクトホール７によって電気的に接触している。９
は基板である。
第３図には表示板の画像観察者側りがらあ入射光Ａによ
る反射光Ｂの様子を示している。ゲート電極及びゲート
バス３．ソース電極及びソースバ □ス４．ドレイン電
極６はアルミ、クロム、ニッケル、モリブデンその他の
金属及び合金、あるいは、透明電極等の導体から成る配
線又は薄膜である。
る反射光Ｂの様子を示している。ゲート電極及びゲート
バス３．ソース電極及びソースバ □ス４．ドレイン電
極６はアルミ、クロム、ニッケル、モリブデンその他の
金属及び合金、あるいは、透明電極等の導体から成る配
線又は薄膜である。
以下、反射型の液晶表示装置を中心に話を進める。
画像表示に際して例えば全面黒の表示がなされた場合は
、これら導体配線及び導体薄膜からの反射光Ｂが画像表
示面での光のバックグラウンドとなるため、コントラス
ト比ＩＯＮ／■ＯＦＦ （ダイナミックレンジ）が阻害
されるという欠点がある。但し、ＩｏＮは白の表示光、
■ＯＦＦは黒の表示光を示す。実際、単位絵素における
画像表示光は次のように近似することができる。
、これら導体配線及び導体薄膜からの反射光Ｂが画像表
示面での光のバックグラウンドとなるため、コントラス
ト比ＩＯＮ／■ＯＦＦ （ダイナミックレンジ）が阻害
されるという欠点がある。但し、ＩｏＮは白の表示光、
■ＯＦＦは黒の表示光を示す。実際、単位絵素における
画像表示光は次のように近似することができる。
但し、■。は画像表示面への入射光の強度、Ｓは第２図
の単位絵素の面積、Ｓｍは単位絵素内の画像表示電極以
外の導体表面の面積、Ｒｔｎは単位絵素内の画像表示電
極以外の導体表面の反射率、ＲＬＣＯＦＦ及びＲＬｃＯ
Ｎはそれぞれ液晶がＯＦＦ及びＯＮ時の液晶によるコン
トロールされる画像表示部の反射率［（１）、（２）式
では導体部分以外の反射率とした〕である。（１）、（
２）式において第１項は導体表面からの、第２項は液晶
がＯＦＦ及びＯＮ時の画像表示部からの反射板の寄与で
ある。また（１）。
の単位絵素の面積、Ｓｍは単位絵素内の画像表示電極以
外の導体表面の面積、Ｒｔｎは単位絵素内の画像表示電
極以外の導体表面の反射率、ＲＬＣＯＦＦ及びＲＬｃＯ
Ｎはそれぞれ液晶がＯＦＦ及びＯＮ時の液晶によるコン
トロールされる画像表示部の反射率［（１）、（２）式
では導体部分以外の反射率とした〕である。（１）、（
２）式において第１項は導体表面からの、第２項は液晶
がＯＦＦ及びＯＮ時の画像表示部からの反射板の寄与で
ある。また（１）。
（２）式よりコントラスト化工。Ｎ／’ＯＦＦは次のよ
うになる。
うになる。
第４図にコントラスト比と導体表面の反射率との関係を
図示する。但し単位絵素中に占める導体の面積比Ｓｍ／
Ｓ−０，２とし、導体表面からの反射がない理想的な場
合つまり一一〇の場合のコントラフト化工ＯＮ／１ＯＦ
Ｆ””ＬＣＯＮ／ＲＬＣＯＦＦ”” １６とした。
図示する。但し単位絵素中に占める導体の面積比Ｓｍ／
Ｓ−０，２とし、導体表面からの反射がない理想的な場
合つまり一一〇の場合のコントラフト化工ＯＮ／１ＯＦ
Ｆ””ＬＣＯＮ／ＲＬＣＯＦＦ”” １６とした。
第４図からもわかるように導体表面の反射率が大きいと
コントラスト比ＩＯＮ／■ＯＦＦは極度に低減する。例
えば、導体にアルミを用い、アルミ表面が液晶に露呈し
ている構造に於いてはＲｒｎは０．８堤であり、一方通
常のＲＬｃｏＮは０．６程度であるので、コントラスト
比は、２．３と非常に６ページ 小さくなってしまう。したがって、導体表面の反射率を
低減させ画像表示のコントラスト化工○Ｎ／工ＯＦＦを
向上させることが必要である。
コントラスト比ＩＯＮ／■ＯＦＦは極度に低減する。例
えば、導体にアルミを用い、アルミ表面が液晶に露呈し
ている構造に於いてはＲｒｎは０．８堤であり、一方通
常のＲＬｃｏＮは０．６程度であるので、コントラスト
比は、２．３と非常に６ページ 小さくなってしまう。したがって、導体表面の反射率を
低減させ画像表示のコントラスト化工○Ｎ／工ＯＦＦを
向上させることが必要である。
第６図は、金属膜１１を遮光のために絶縁膜１゜を介し
て設置した従来の例である。これは半導体層６０光電導
率が大きく、半導体層６への直接照射や迷光による光電
導のためにトランジスタのＯＦＦ状態でのリーク電流が
増大し液晶セルの書き込み状態が次の書き込み時まで保
持できないと言う欠点を改善するため行なわれる従来の
通常の方法である。この場合にも設置された金属膜１１
による反射光Ｂが考えられ、画像表示コントラスト比を
阻害するという欠点があった。
て設置した従来の例である。これは半導体層６０光電導
率が大きく、半導体層６への直接照射や迷光による光電
導のためにトランジスタのＯＦＦ状態でのリーク電流が
増大し液晶セルの書き込み状態が次の書き込み時まで保
持できないと言う欠点を改善するため行なわれる従来の
通常の方法である。この場合にも設置された金属膜１１
による反射光Ｂが考えられ、画像表示コントラスト比を
阻害するという欠点があった。
このように、画像表示電極、半導体素子を有する絵素が
規則的に配列され、導体配線や導体薄膜を有する画像表
示素子において、導体配線や導体薄膜からの反射が極め
て大きい悪影響を及ぼすことが明らかとなった。
規則的に配列され、導体配線や導体薄膜を有する画像表
示素子において、導体配線や導体薄膜からの反射が極め
て大きい悪影響を及ぼすことが明らかとなった。
またソースバス４は、そのまま外部信号を印加するため
の外部取り出し端子を形成するが、複雑７ページ なプロセスを通るうちに表面が酸化され、コンタクト不
良をおこしてしまう欠点があった。
の外部取り出し端子を形成するが、複雑７ページ なプロセスを通るうちに表面が酸化され、コンタクト不
良をおこしてしまう欠点があった。
発明の目的
従って、本発明は上記従来の欠点を改善するためになさ
れたものである。つまり、本発明は画像表示電極以外の
金属等の導体配線又は導体薄膜からの反射光を防止し、
画像表示の暗表示におけるダークレベルを下げて大きな
コントラスト比を得て良好な画像を得ることを目的とす
る。また導体配線又は導体薄膜が外部信号を印加すると
きの外部取９出し端子の電気的コンタクトを安定させる
ことを目的とする。
れたものである。つまり、本発明は画像表示電極以外の
金属等の導体配線又は導体薄膜からの反射光を防止し、
画像表示の暗表示におけるダークレベルを下げて大きな
コントラスト比を得て良好な画像を得ることを目的とす
る。また導体配線又は導体薄膜が外部信号を印加すると
きの外部取９出し端子の電気的コンタクトを安定させる
ことを目的とする。
発明の構成
上記目的を達成するために本発明は、基板上に液晶を駆
動させるだめの画像表示電極とスイッチ素子としての半
導体素子が各絵素ごとに形成されており、半導体素子か
らは各絵素がマトリックスを構成するように導体配線が
存在する。もちろん半導体素子そのものも電極として導
体配線又は導体薄膜が形成されている。このような画像
表示製特開昭ＧＯ−１２０３２２（３） 置において、本発明は上記導体配線や導体薄膜の画像観
察側に反射光低減用に透明電導薄膜を設置するものであ
り、透明電導薄膜は導体配線や導体薄膜の画像観察者側
に直接又は絶縁物を介して設置される。また本発明は、
導体配線や導体薄膜上に形成された透明電導薄膜が、導
体配線や導体薄膜が外部信号を印加するときの外部取り
出し端子上まで連続的あるいは部分的に設置される。
動させるだめの画像表示電極とスイッチ素子としての半
導体素子が各絵素ごとに形成されており、半導体素子か
らは各絵素がマトリックスを構成するように導体配線が
存在する。もちろん半導体素子そのものも電極として導
体配線又は導体薄膜が形成されている。このような画像
表示製特開昭ＧＯ−１２０３２２（３） 置において、本発明は上記導体配線や導体薄膜の画像観
察側に反射光低減用に透明電導薄膜を設置するものであ
り、透明電導薄膜は導体配線や導体薄膜の画像観察者側
に直接又は絶縁物を介して設置される。また本発明は、
導体配線や導体薄膜上に形成された透明電導薄膜が、導
体配線や導体薄膜が外部信号を印加するときの外部取り
出し端子上まで連続的あるいは部分的に設置される。
実施例の説明
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例１
第６図は、本発明における第１の実施例の液晶画像素子
装置の一方の基板側の断面図である。本発明における透
明薄膜１２はソース電極及びソースバス４とドレイン電
極６の画像観察者側りの側に直接設置されている。その
他の図中の番号と名称は第３図と同一である。
装置の一方の基板側の断面図である。本発明における透
明薄膜１２はソース電極及びソースバス４とドレイン電
極６の画像観察者側りの側に直接設置されている。その
他の図中の番号と名称は第３図と同一である。
ソース電極及びソースバス４とドレイン電極６にアルミ
、クロム等を直接又は他の導体の上に設置した導体配線
を用いる。次に前記導体配線の七９ページ 上に透明薄膜１２を画像観察者側りに形成する。
、クロム等を直接又は他の導体の上に設置した導体配線
を用いる。次に前記導体配線の七９ページ 上に透明薄膜１２を画像観察者側りに形成する。
第７図はクロム上に酸化インジウム、酸化スズ等の透明
薄膜１２を形成した時の反射率と波長の関係を示す。第
７図の曲線■はクロムのみの場合、曲線■、■はそれぞ
れクロムの上に透明薄膜１２を５００人、８００人形成
した場合である。特に曲線■において、人間の視感度の
最も高い５６０ｎｍ付近の反射率が４６チから６チ程度
となり、コントラスト比は第４図で明らか々様に４から
１１と大きく向上した。また曲線３のように透明薄膜の
膜厚を変化させることにより特定の波長の反射率を低減
できる。
薄膜１２を形成した時の反射率と波長の関係を示す。第
７図の曲線■はクロムのみの場合、曲線■、■はそれぞ
れクロムの上に透明薄膜１２を５００人、８００人形成
した場合である。特に曲線■において、人間の視感度の
最も高い５６０ｎｍ付近の反射率が４６チから６チ程度
となり、コントラスト比は第４図で明らか々様に４から
１１と大きく向上した。また曲線３のように透明薄膜の
膜厚を変化させることにより特定の波長の反射率を低減
できる。
第８図はアルミ上に前記の透明薄膜１２を形成した時の
反射率と波長の関係を示す。曲線■のアルミのみの場合
に比較して、曲線■のアルミ上に透明薄膜を形成した場
合に反射率が低下している。
反射率と波長の関係を示す。曲線■のアルミのみの場合
に比較して、曲線■のアルミ上に透明薄膜を形成した場
合に反射率が低下している。
この場合もクロム同様に第４図からコントラスト比は３
．６から４．６と増加している。こうした効果は透明薄
膜が電導性でない場合も観測された。
．６から４．６と増加している。こうした効果は透明薄
膜が電導性でない場合も観測された。
ソースバス表面が金属である場合、酸化膜の形１０ペー
ジ 成によるコンタクト不良が問題となったが、本発明はソ
ースバス表面を外部取り出し端子まで一種の導電酸化膜
でおおうことになり、コンタクトは安定となる。また、
酸化インジウム、酸化スズによる外部駆動回路とのコン
タクト方法としては、ヒートシール法や導電ゴムを使用
する方法が確立されている。
ジ 成によるコンタクト不良が問題となったが、本発明はソ
ースバス表面を外部取り出し端子まで一種の導電酸化膜
でおおうことになり、コンタクトは安定となる。また、
酸化インジウム、酸化スズによる外部駆動回路とのコン
タクト方法としては、ヒートシール法や導電ゴムを使用
する方法が確立されている。
実施例２
本発明のさらに別の実施例を述べる。第９図は第７図の
クロムの上に光の透過率が８０〜３０％程度の比較的悪
いものを形成したときの反射率と波長の関係を示す。第
７図に比較し、特に反射率の波長依存性が少なくなって
おり、肉眼で見ると第７図の曲線■のサンプルよりも第
７図のサンプルの方がかなり暗く見える。
クロムの上に光の透過率が８０〜３０％程度の比較的悪
いものを形成したときの反射率と波長の関係を示す。第
７図に比較し、特に反射率の波長依存性が少なくなって
おり、肉眼で見ると第７図の曲線■のサンプルよりも第
７図のサンプルの方がかなり暗く見える。
実施例３
第１０図は本発明のさらに別の実施例である。
この実施例は、第６図の金属膜１１の上に直接透明薄膜
１２を形成した場合である。これにより、ソース電極及
びソースバス４とドレイン電極６が１１ページ らの光反射のみ々らず、ゲートバス３からの光反射も低
減することができる。さらに金属膜１１によりトランジ
スタのチャンネル部を形成する半導体層５への光入射に
よるトランジスタのＯＦＦ時の光電流によるリーク電流
をなくす役割もはだし、光じゃへい膜としても有効であ
る。
１２を形成した場合である。これにより、ソース電極及
びソースバス４とドレイン電極６が１１ページ らの光反射のみ々らず、ゲートバス３からの光反射も低
減することができる。さらに金属膜１１によりトランジ
スタのチャンネル部を形成する半導体層５への光入射に
よるトランジスタのＯＦＦ時の光電流によるリーク電流
をなくす役割もはだし、光じゃへい膜としても有効であ
る。
発明の効果
以上のように、本発明は表示用の電極以外の導体配線又
は薄膜からの反射光を防止し、良好な画像を得る上で格
別の効果を発揮するものである。
は薄膜からの反射光を防止し、良好な画像を得る上で格
別の効果を発揮するものである。
以上、薄膜電界効果トランジスタ（ＴＰＴ）を半導体素
子として用いて液晶を駆動させる画像表示装置を中心に
本発明を説明してきたが、本発明はこれに限るものでは
なく、ＴＰＴ以外の非線形素子を用い画像表示電極以外
で反射率の大きな導体配線や導体薄膜を有する画像表示
装置に対して、これが画像表示の際のコントラスト比を
阻害するような場合にはすべて有効である。更に、液晶
表示基板と外部駆動回路との接続においても、広く現在
開発されている透明電導膜との接続方法が利用出来るよ
うになる。
子として用いて液晶を駆動させる画像表示装置を中心に
本発明を説明してきたが、本発明はこれに限るものでは
なく、ＴＰＴ以外の非線形素子を用い画像表示電極以外
で反射率の大きな導体配線や導体薄膜を有する画像表示
装置に対して、これが画像表示の際のコントラスト比を
阻害するような場合にはすべて有効である。更に、液晶
表示基板と外部駆動回路との接続においても、広く現在
開発されている透明電導膜との接続方法が利用出来るよ
うになる。
第１図は画像表示装置の模式平面図、第２図は画像表示
装置を構成する単位絵素の概略平面図、第３図は第２図
のＸ−ＸＺ線すなわち単位絵素の断面図、第４図はコン
トラスト比と反射率の関係る。 １・・・・・薄膜電界トランジスタ等の半導体素子、２
・・・・・・画像表示電極、３・・・・・・ゲート電極
及びゲートバス、４・・・・・・ソース電極及びソース
バス、６・・・・・・半導体層、６・・・・・・ドレイ
ン電極、９・・・・・・基板、１２・・・・・・透明薄
膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名城 す 派 ■ マ附（ 第 ７（！ｌ シ皮 −１ｒ−（ｎηり 第８図 波 表（４ｍ） 第 ９ 図 液 表（ｎ創 第１０図
装置を構成する単位絵素の概略平面図、第３図は第２図
のＸ−ＸＺ線すなわち単位絵素の断面図、第４図はコン
トラスト比と反射率の関係る。 １・・・・・薄膜電界トランジスタ等の半導体素子、２
・・・・・・画像表示電極、３・・・・・・ゲート電極
及びゲートバス、４・・・・・・ソース電極及びソース
バス、６・・・・・・半導体層、６・・・・・・ドレイ
ン電極、９・・・・・・基板、１２・・・・・・透明薄
膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名城 す 派 ■ マ附（ 第 ７（！ｌ シ皮 −１ｒ−（ｎηり 第８図 波 表（４ｍ） 第 ９ 図 液 表（ｎ創 第１０図
Claims (6)
- （１）基板の一主面上に、画像表示電極、非線形素子を
有する絵素が規則的に配列され、前記非線形素子を相互
に接続する前記基板の一主面上に形成された導体配線と
、前記非線形素子と画像表示電極を接続する導体薄膜と
、前記導体配線と導体薄膜の一部又は全部の画像観察者
側に形成された透明薄膜を有することを特徴とする画像
表示装置。 - （２）導°体配線がクロム、ニクロム、モリブデン等光
反射率の低い金属の層を有する特許請求の範囲第１項に
記載の画像表示装置。 - （３）透明薄膜が酸化インジウム、酸化スズ等の電導薄
膜である特許請求の範囲第１項に記載の画像表示装置。 - （４）導体配線が表面酸化されたものである特許請求の
範囲第１項に記載の画像表示装置。 - （５）導体配線がアルミ等の低抵抗金属である特許２、
特許 請求の範囲第１項に記載の画像表示装置。 - （６）非線形素子を相互に接続すると共に外部信号を印
加するだめの外部取り出し端子を形成する導体薄膜には
少なくともその表面の一部に透明電導性薄膜を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の画像表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58228709A JPS60120322A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58228709A JPS60120322A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60120322A true JPS60120322A (ja) | 1985-06-27 |
Family
ID=16880574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58228709A Pending JPS60120322A (ja) | 1983-12-02 | 1983-12-02 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60120322A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182U (ja) * | 1984-06-05 | 1986-01-06 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| US5132821A (en) * | 1989-08-16 | 1992-07-21 | U.S. Philips Corporation | Color lcd including transistors having layer thicknesses selected for small photocurrents |
| JP2008026131A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Nidec Sankyo Corp | 流量センサ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627114A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Liquid crystal display cell |
| JPS5683782A (en) * | 1979-12-11 | 1981-07-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Liquid crystal matrix device |
| JPS5745501A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-15 | Olympus Optical Co Ltd | Reflection preventing film of metal |
| JPS58116771A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタアクテイブマトリクス基板の製造方法 |
-
1983
- 1983-12-02 JP JP58228709A patent/JPS60120322A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627114A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Liquid crystal display cell |
| JPS5683782A (en) * | 1979-12-11 | 1981-07-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Liquid crystal matrix device |
| JPS5745501A (en) * | 1980-09-02 | 1982-03-15 | Olympus Optical Co Ltd | Reflection preventing film of metal |
| JPS58116771A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタアクテイブマトリクス基板の製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61182U (ja) * | 1984-06-05 | 1986-01-06 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| JPH058586Y2 (ja) * | 1984-06-05 | 1993-03-03 | ||
| US5132821A (en) * | 1989-08-16 | 1992-07-21 | U.S. Philips Corporation | Color lcd including transistors having layer thicknesses selected for small photocurrents |
| JP2008026131A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Nidec Sankyo Corp | 流量センサ |
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