JP2959123B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2959123B2 JP2959123B2 JP32643690A JP32643690A JP2959123B2 JP 2959123 B2 JP2959123 B2 JP 2959123B2 JP 32643690 A JP32643690 A JP 32643690A JP 32643690 A JP32643690 A JP 32643690A JP 2959123 B2 JP2959123 B2 JP 2959123B2
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- crystal display
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は液晶表示装置に係わり、特にアクティブマト
リクス型の装置に関する。
リクス型の装置に関する。
（従来の技術） 従来のアクティブマトリクス型の液晶表示装置とし
て、「日経エレクトロニクス1984年９月10日号、p.211
−240」に掲載されたものがあり、その回路の概略構成
を第５図に示す。画素電極２がマトリクス状に配置さ
れ、各画素電極２に薄膜トランジスタ（以下、TFTと称
す）１のドレインが接続されている。また各TFT1のゲー
トは、横方向に配線され図示されていない走査ドライバ
により駆動される走査線Y1,Y2,Y3,…に接続されてお
り、ソースは縦方向に配線され図示されていない信号ド
ライバにより駆動される信号線X1,X2,X3,…に接続され
ている。
て、「日経エレクトロニクス1984年９月10日号、p.211
−240」に掲載されたものがあり、その回路の概略構成
を第５図に示す。画素電極２がマトリクス状に配置さ
れ、各画素電極２に薄膜トランジスタ（以下、TFTと称
す）１のドレインが接続されている。また各TFT1のゲー
トは、横方向に配線され図示されていない走査ドライバ
により駆動される走査線Y1,Y2,Y3,…に接続されてお
り、ソースは縦方向に配線され図示されていない信号ド
ライバにより駆動される信号線X1,X2,X3,…に接続され
ている。
このような回路構成を有する装置の縦断面構造を第６
図に示す。TFT基板100と対向電極115とが対向してお
り、その間に液晶111が挟持されている。TFT基板100の
表面に半導体薄膜によりTFT部１が形成されており、ソ
ース101、チャネル102、ドレイン103、及びゲート絶縁
膜104上のゲート電極105を備えている。
図に示す。TFT基板100と対向電極115とが対向してお
り、その間に液晶111が挟持されている。TFT基板100の
表面に半導体薄膜によりTFT部１が形成されており、ソ
ース101、チャネル102、ドレイン103、及びゲート絶縁
膜104上のゲート電極105を備えている。
そしてその表面に層間絶縁膜106、画素電極２及び信
号線Ｘが順に形成されており、画素電極２とソース10
1、信号線Ｘとドレイン103とがコンタクトホールにおい
て接続されている。さらに表面上にパッシベーション膜
109と、液晶111に方向性を与える配向膜110が順に形成
されている。
号線Ｘが順に形成されており、画素電極２とソース10
1、信号線Ｘとドレイン103とがコンタクトホールにおい
て接続されている。さらに表面上にパッシベーション膜
109と、液晶111に方向性を与える配向膜110が順に形成
されている。
対向電極115の表面には、開孔部116の領域が除去され
た遮光膜114が形成され、その表面に対向電極113及び配
向膜112が順に形成されている。
た遮光膜114が形成され、その表面に対向電極113及び配
向膜112が順に形成されている。
このような構成により、走査線Ｙにより走査されたTF
T1のソースに信号線Ｘからの映像信号が入力され、ドレ
インから出力された電圧が画素電極２に印加されて、液
晶111に保持される。
T1のソースに信号線Ｘからの映像信号が入力され、ドレ
インから出力された電圧が画素電極２に印加されて、液
晶111に保持される。
（発明が解決しようとする課題） しかし、液晶111に印加される電圧はドレインからの
出力だけでなく、走査線Ｙ及び信号線Ｘと対向電極115
との間に生じる電界がもたらす直流電圧も印加される。
走査線Ｙ及び信号線Ｘと液晶111との間には、パッシベ
ーション膜109が介在してはいるが、このような電界の
影響を十分に除去することはできず、液晶111が周辺部
分より徐々に劣化していくという問題があった。
出力だけでなく、走査線Ｙ及び信号線Ｘと対向電極115
との間に生じる電界がもたらす直流電圧も印加される。
走査線Ｙ及び信号線Ｘと液晶111との間には、パッシベ
ーション膜109が介在してはいるが、このような電界の
影響を十分に除去することはできず、液晶111が周辺部
分より徐々に劣化していくという問題があった。
本発明は上記事情に鑑み、液晶の劣化を防止し得る液
晶表示装置を提供することを目的とする。
晶表示装置を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段） 本発明は、一対の基板間には液晶が挟持されてなり、
前記一対の基板の一方の基板には、複数の走査線と、前
記複数の走査線に交差するように配置された信号線と、
前記走査線と前記信号線とに接続されたトランジスタ
と、前記トランジスタに接続されてマトリクス状に配置
された画素電極とを有する液晶装表示装置において、前
記一方の基板の前記マトリクス状に配置された画素電極
の周辺に配置された周辺電極と、前記一対の基板の他方
の基板に配置された対向電極とを有し、前記周辺電極の
電位は前記対向電極の電位に等しいことを特徴とする。
前記一対の基板の一方の基板には、複数の走査線と、前
記複数の走査線に交差するように配置された信号線と、
前記走査線と前記信号線とに接続されたトランジスタ
と、前記トランジスタに接続されてマトリクス状に配置
された画素電極とを有する液晶装表示装置において、前
記一方の基板の前記マトリクス状に配置された画素電極
の周辺に配置された周辺電極と、前記一対の基板の他方
の基板に配置された対向電極とを有し、前記周辺電極の
電位は前記対向電極の電位に等しいことを特徴とする。
あるいは、本発明は第１基板上に複数の走査線が配置
され、前記走査線に接続された薄膜非線形素子を介して
前記走査線により走査される画素電極がマトリクス状に
配置されており、前記第１基板に対向して設けられた第
２基板上には信号電極が配置されてなり、前記第１基板
と前記第２基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置
において、前記第１基板上の前記マトリクス状に配置さ
れた画素電極の周辺に周辺電極を備えてなり、前記周辺
電極の電位は、前記信号電極の平均電位に等しいことを
特徴とする。
され、前記走査線に接続された薄膜非線形素子を介して
前記走査線により走査される画素電極がマトリクス状に
配置されており、前記第１基板に対向して設けられた第
２基板上には信号電極が配置されてなり、前記第１基板
と前記第２基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置
において、前記第１基板上の前記マトリクス状に配置さ
れた画素電極の周辺に周辺電極を備えてなり、前記周辺
電極の電位は、前記信号電極の平均電位に等しいことを
特徴とする。
（作 用） マトリクス状に配置された画素電極の周辺に、対向電
極の電位に等しい電位を有する周辺電極を備えること
で、走査線や信号線と対向電極との間の電界が遮断され
て、直流電圧が液晶に印加されるのが防止される。
極の電位に等しい電位を有する周辺電極を備えること
で、走査線や信号線と対向電極との間の電界が遮断され
て、直流電圧が液晶に印加されるのが防止される。
このことは、トランジスタあるいは薄膜非線形素子の
いずれを用いた装置においても同様である。
いずれを用いた装置においても同様である。
（実施例） 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第１図に、TFTを用いた第１の実施例による液晶
表示装置の構成を示す。第５図に示された従来の装置と
比較し、画素電極２の周囲に周辺電極３を備えている点
が異なっている。
する。第１図に、TFTを用いた第１の実施例による液晶
表示装置の構成を示す。第５図に示された従来の装置と
比較し、画素電極２の周囲に周辺電極３を備えている点
が異なっている。
この場合も縦断面構造を第２図に示す。層間絶縁膜10
6上左側の領域に、周辺電極３が形成されている。この
周辺電極３の形成は、画素電極２や信号線Ｘ、走査線Ｙ
に用いる材料のように、導電性を有する薄膜であればい
ずれを用いてもよい。この場合に、同じ層に位置する信
号線Ｘと短絡しないように距離をあけるか、いずれか一
方を絶縁膜を介して他の層に形成する必要がある。
6上左側の領域に、周辺電極３が形成されている。この
周辺電極３の形成は、画素電極２や信号線Ｘ、走査線Ｙ
に用いる材料のように、導電性を有する薄膜であればい
ずれを用いてもよい。この場合に、同じ層に位置する信
号線Ｘと短絡しないように距離をあけるか、いずれか一
方を絶縁膜を介して他の層に形成する必要がある。
この周辺電極３には対向電極113に等しい電位が与え
られており、信号線Ｘ及び走査線Ｙと対向電極との間の
電界が遮断されて液晶111に直流電圧が印加されず、劣
化が防止されて長寿命化が達成される。また液晶111に
直流電圧が印加されるのが防止されると高温での信頼性
が高まり、航空機や車両に搭載して用いることが可能と
なるなど応用範囲が拡がる。さらにシールド効果も生じ
るためノイズの影響も受け難くなり、装置としての信頼
性が向上する。
られており、信号線Ｘ及び走査線Ｙと対向電極との間の
電界が遮断されて液晶111に直流電圧が印加されず、劣
化が防止されて長寿命化が達成される。また液晶111に
直流電圧が印加されるのが防止されると高温での信頼性
が高まり、航空機や車両に搭載して用いることが可能と
なるなど応用範囲が拡がる。さらにシールド効果も生じ
るためノイズの影響も受け難くなり、装置としての信頼
性が向上する。
周辺電極３の幅Ｗは、平面方向の電界が液晶111に与
える影響が、垂直方向の電界が与える影響に比べて十分
に無視し得る程度であればよい。具体的には、例えば液
晶111の厚みの数百倍から数千倍に相当する数百μｍか
ら1mmで形成すると効果的である。
える影響が、垂直方向の電界が与える影響に比べて十分
に無視し得る程度であればよい。具体的には、例えば液
晶111の厚みの数百倍から数千倍に相当する数百μｍか
ら1mmで形成すると効果的である。
また走査線Ｙ及び信号線Ｘと、周辺電極３とが交差す
る領域では、信号線Ｘ及び走査線Ｙが形成されている層
に絶縁膜を介して上方に位置するように周辺電極３を形
成すると、液晶115への電界の影響がより確実に遮断さ
れる。
る領域では、信号線Ｘ及び走査線Ｙが形成されている層
に絶縁膜を介して上方に位置するように周辺電極３を形
成すると、液晶115への電界の影響がより確実に遮断さ
れる。
次に、TFTの代りに薄膜非線形素子を用いた第２の実
施例について、その構成を第３図に示す。画素電極12が
マトリクス状に配置され、各画素電極12には薄膜非線形
素子11の一端が接続され、他端は横方向に配線された走
査線Y1,Y2,Y3,…に接続されている。また縦方向には信
号電極X1,X2,…が配置され、図示されていない液晶を画
素電極12との間に挟持した形となっている。走査線Ｙか
ら送られてきた選択パルスにより薄膜非線形素子11が導
通し、接続されている画素電極12とその上方に位置した
信号電極Ｘとにより、液晶に映像信号が印加される。
施例について、その構成を第３図に示す。画素電極12が
マトリクス状に配置され、各画素電極12には薄膜非線形
素子11の一端が接続され、他端は横方向に配線された走
査線Y1,Y2,Y3,…に接続されている。また縦方向には信
号電極X1,X2,…が配置され、図示されていない液晶を画
素電極12との間に挟持した形となっている。走査線Ｙか
ら送られてきた選択パルスにより薄膜非線形素子11が導
通し、接続されている画素電極12とその上方に位置した
信号電極Ｘとにより、液晶に映像信号が印加される。
この実施例においても同様に、画素電極12に隣接した
領域に周辺電極13を形成している。この場合の周辺電極
13は、信号電極Ｘの平均電位と等電位にすることで、信
号電極Ｘと走査線Ｙとの間の電界を遮断し、液晶の劣化
を防ぐことができる。
領域に周辺電極13を形成している。この場合の周辺電極
13は、信号電極Ｘの平均電位と等電位にすることで、信
号電極Ｘと走査線Ｙとの間の電界を遮断し、液晶の劣化
を防ぐことができる。
第４図に示された第３の実施例は、第１の実施例同様
にTFTを用いているが、周辺電極と信号線Ｘ又は走査線
Ｙとの間で断線があり短絡した場合にも救済できるよ
う、冗長性を持たせた点に特徴がある。
にTFTを用いているが、周辺電極と信号線Ｘ又は走査線
Ｙとの間で断線があり短絡した場合にも救済できるよ
う、冗長性を持たせた点に特徴がある。
具体的には、周辺電極を13a、13b及び13cに三分割す
る。そして、このうち周辺電極13aと走査線Y1とが短絡
しているとすると、周辺電極13a上の短絡箇所を切断し
て非導通状態にし、他の周辺電極13b及び13cを用いる。
これにより、万一短絡が生じたとしても救済が可能で、
歩留まりの向上に寄与することができる。
る。そして、このうち周辺電極13aと走査線Y1とが短絡
しているとすると、周辺電極13a上の短絡箇所を切断し
て非導通状態にし、他の周辺電極13b及び13cを用いる。
これにより、万一短絡が生じたとしても救済が可能で、
歩留まりの向上に寄与することができる。
上述した実施例はいずれも一例であり、本発明を限定
するものではない。例えば、第２図に示された第１の実
施例では多結晶シリコンによるTFTが用いられている
が、非晶質シリコンやカドミウム・セレン（Cd Se）等
によるTFTを用いた装置に対しても適用が可能であり、
同様の効果を奏する。
するものではない。例えば、第２図に示された第１の実
施例では多結晶シリコンによるTFTが用いられている
が、非晶質シリコンやカドミウム・セレン（Cd Se）等
によるTFTを用いた装置に対しても適用が可能であり、
同様の効果を奏する。
以上説明したように本発明の液晶表示装置によれば、
画素電極に隣接した領域に形成された周辺電極により、
走査線及び信号線と対向電極との間の電界が遮断されて
直流電圧が液晶に印加されるのが防止されるため、液晶
が劣化せず長寿命化が達成される。
画素電極に隣接した領域に形成された周辺電極により、
走査線及び信号線と対向電極との間の電界が遮断されて
直流電圧が液晶に印加されるのが防止されるため、液晶
が劣化せず長寿命化が達成される。
第１図は本発明の第１の実施例による液晶表示装置の構
成を示した平面図、第２図は同装置の縦断面構造を示し
た縦断面図、第３図は本発明の第２の実施例による液晶
表示装置の構成を示した平面図、第４図は本発明の第３
の実施例による液晶表示装置の構成を示した平面図、第
５図は従来の液晶表示装置の構成を示した平面図、第６
図は同装置の縦断面構造を示した縦断面図である。 １……TFT部、2,12……画素電極、3,13,13a,13b,13c…
…周辺電極、11……薄膜非線形素子、100……TFT基板、
101……ソース、102……チャネル、103……ドレイン、1
04……ゲート絶縁膜、105……ゲート電極、109……パッ
シベーション膜、110,112……配向膜、111……液晶、11
3……対向電極、114……遮光膜、115……対向電極、116
……開孔部、X1,X2,X3……信号線、Y1,Y2,Y3……走査
線。
成を示した平面図、第２図は同装置の縦断面構造を示し
た縦断面図、第３図は本発明の第２の実施例による液晶
表示装置の構成を示した平面図、第４図は本発明の第３
の実施例による液晶表示装置の構成を示した平面図、第
５図は従来の液晶表示装置の構成を示した平面図、第６
図は同装置の縦断面構造を示した縦断面図である。 １……TFT部、2,12……画素電極、3,13,13a,13b,13c…
…周辺電極、11……薄膜非線形素子、100……TFT基板、
101……ソース、102……チャネル、103……ドレイン、1
04……ゲート絶縁膜、105……ゲート電極、109……パッ
シベーション膜、110,112……配向膜、111……液晶、11
3……対向電極、114……遮光膜、115……対向電極、116
……開孔部、X1,X2,X3……信号線、Y1,Y2,Y3……走査
線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/136 G02F 1/1345 G02F 1/1343
Claims (2)
- 【請求項１】一対の基板間に液晶が挟持されてなり、前
記一対の基板の一方の基板には、複数の走査線と、前記
複数の走査線に交差するように配置された信号線と、前
記走査線と前記信号線とに接続されたトランジスタと、
前記トランジスタに接続されてマトリクス状に配置され
た画素電極とを有する液晶装表示装置において、 前記一方の基板の前記マトリクス状に配置された画素電
極の周辺に配置された周辺電極と、前記一対の基板の他
方の基板に配置された対向電極とを有し、前記周辺電極
の電位は前記対向電極の電位に等しいことを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項２】第１基板上に複数の走査線が配置され、前
記走査線に接続された薄膜非線形素子を介して前記走査
線により走査される画素電極がマトリクス状に配置され
ており、前記第１基板に対向して設けられた第２基板上
には信号電極が配置されてなり、前記第１基板と前記第
２基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置におい
て、 前記第１基板上の前記マトリクス状に配置された画素電
極の周辺に周辺電極を備えてなり、前記周辺電極の電位
は、前記信号電極の平均電位に等しいことを特徴とする
液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32643690A JP2959123B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32643690A JP2959123B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6850799A Division JP3047906B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0450923A JPH0450923A (ja) | 1992-02-19 |
| JP2959123B2 true JP2959123B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=18187789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32643690A Expired - Lifetime JP2959123B2 (ja) | 1990-11-28 | 1990-11-28 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2959123B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5373378A (en) * | 1993-04-28 | 1994-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co. Ltd. | Active matrix type liquid crystal display device with peripheral pixel electrodes attached directly to signal lines |
| JP4283456B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2009-06-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置用基板及びその製造方法 |
| KR100957574B1 (ko) * | 2003-09-17 | 2010-05-11 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 |
| JP4972344B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2012-07-11 | シチズンファインテックミヨタ株式会社 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法及びそれを用いたプロジェクション装置 |
| JP4884846B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2012-02-29 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| WO2020017658A1 (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 株式会社Ｘ－Ｂｒａｉｎ | プラスティック材料の気化装置、ならびにプラスティック材料から炭化水素化合物を取り出す装置および方法 |
-
1990
- 1990-11-28 JP JP32643690A patent/JP2959123B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0450923A (ja) | 1992-02-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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