JPH0581051B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0581051B2 JPH0581051B2 JP61135353A JP13535386A JPH0581051B2 JP H0581051 B2 JPH0581051 B2 JP H0581051B2 JP 61135353 A JP61135353 A JP 61135353A JP 13535386 A JP13535386 A JP 13535386A JP H0581051 B2 JPH0581051 B2 JP H0581051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- electrode
- region
- polycrystalline silicon
- oxide film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61135353A JPS62291176A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61135353A JPS62291176A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291176A JPS62291176A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH0581051B2 true JPH0581051B2 (forum.php) | 1993-11-11 |
Family
ID=15149769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61135353A Granted JPS62291176A (ja) | 1986-06-11 | 1986-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291176A (forum.php) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2528926B2 (ja) * | 1988-02-24 | 1996-08-28 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH0541517A (ja) * | 1991-01-21 | 1993-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | Mos型電界効果トランジスタを含む半導体装置およびその製造方法 |
| KR950008257B1 (ko) * | 1992-12-02 | 1995-07-26 | 현대전자산업주식회사 | 모스(mos) 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JPH06333944A (ja) * | 1993-05-25 | 1994-12-02 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置 |
| EP0847080A1 (en) * | 1996-12-09 | 1998-06-10 | Texas Instruments Incorporated | Improvements in or relating to semiconductor devices |
| KR100332106B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-04-10 | 박종섭 | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 |
| JP2011254060A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Sharp Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59139678A (ja) * | 1984-01-17 | 1984-08-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6113668A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-06-11 JP JP61135353A patent/JPS62291176A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62291176A (ja) | 1987-12-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2605008B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0628266B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR910006700B1 (ko) | Mos형 반도체장치의 제조방법 | |
| JP2587444B2 (ja) | Cmos技術を用いたバイポーラ・トランジスタとその製造方法 | |
| JPH0786579A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0581051B2 (forum.php) | ||
| JP3129867B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH1131665A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| KR0170436B1 (ko) | 모스트랜지스터 제조방법 | |
| JP2931243B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPH07263690A (ja) | サリサイド構造を有する半導体装置とその製造方法 | |
| JPH0127589B2 (forum.php) | ||
| JPH065696B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10284438A (ja) | 半導体集積回路及びその製造方法 | |
| JP3055781B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0785494B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPH07115195A (ja) | Mosトランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2870757B2 (ja) | Mis型トランジスタの製造方法 | |
| JP3848782B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2709714B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3408299B2 (ja) | 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
| JPH0629310A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH07273197A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3108927B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2745946B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 |