JPH0785494B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
半導体デバイスの製造方法Info
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- JPH0785494B2 JPH0785494B2 JP2152874A JP15287490A JPH0785494B2 JP H0785494 B2 JPH0785494 B2 JP H0785494B2 JP 2152874 A JP2152874 A JP 2152874A JP 15287490 A JP15287490 A JP 15287490A JP H0785494 B2 JPH0785494 B2 JP H0785494B2
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Classifications
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66272—Silicon vertical transistors
-
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8248—Combination of bipolar and field-effect technology
- H01L21/8249—Bipolar and MOS technology
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、バイポーラトランジスタと絶縁ゲート電界効
果トランジスタ（以下IGFETという）を有する半導体デ
バイスの製造方法、特に、これに限られるものではない
が、バイポーラトランジスタと相補形IGFETすなわち所
謂BiCMOSデバイスの製造方法に関するものである。
果トランジスタ（以下IGFETという）を有する半導体デ
バイスの製造方法、特に、これに限られるものではない
が、バイポーラトランジスタと相補形IGFETすなわち所
謂BiCMOSデバイスの製造方法に関するものである。
（従来の技術） 米国特許公開公報第4752589号にはバイポーラトランジ
スタとIGFETを有する半導体デバイスの製造方法が記載
されており、この方法は、１つの主表面に隣接して第１
デバイス領域に一方の導電形のコレクタ領域と第２デバ
イス領域に一方の導電形の第１井戸領域を有する半導体
本体を設け、第２デバイス領域上に絶縁ゲートを形成
し、第１井戸領域内に反対導電形のソースおよびドレー
ン領域を形成するための不純物を導入し、外部ベース領
域の形成のために第１デバイス領域上に反対導電形の不
純物でドープされた層を設け、ドープされた層を被覆す
るために絶縁層を設け、第１デバイス領域の表面領域を
露出するために絶縁層とドープされた層を通して開口部
を形成し、反対導電形の真性ベース領域と一方の導電形
のエミッタ領域を該真性ベース領域内に形成するために
前記の開口部を通して不純物を導入することより成る。
スタとIGFETを有する半導体デバイスの製造方法が記載
されており、この方法は、１つの主表面に隣接して第１
デバイス領域に一方の導電形のコレクタ領域と第２デバ
イス領域に一方の導電形の第１井戸領域を有する半導体
本体を設け、第２デバイス領域上に絶縁ゲートを形成
し、第１井戸領域内に反対導電形のソースおよびドレー
ン領域を形成するための不純物を導入し、外部ベース領
域の形成のために第１デバイス領域上に反対導電形の不
純物でドープされた層を設け、ドープされた層を被覆す
るために絶縁層を設け、第１デバイス領域の表面領域を
露出するために絶縁層とドープされた層を通して開口部
を形成し、反対導電形の真性ベース領域と一方の導電形
のエミッタ領域を該真性ベース領域内に形成するために
前記の開口部を通して不純物を導入することより成る。
前記の公開公報に記載された方法は、また、所謂BiCMOS
デバイスを形成するために一つの導電形のIGFETの第３
デバイス領域に、相補的な、すなわち夫々の相補的な導
電形の井戸領域内にｎ−チャネルおよびｐ−チャネルIG
FETまたはMOSTを得させる製造も可能にする。
デバイスを形成するために一つの導電形のIGFETの第３
デバイス領域に、相補的な、すなわち夫々の相補的な導
電形の井戸領域内にｎ−チャネルおよびｐ−チャネルIG
FETまたはMOSTを得させる製造も可能にする。
前記の公開公報に記載された特定の実施例では、一方の
導電形のコレクタ領域と井戸領域を反対導電形のエピタ
キシャル層内に形成して埋込領域技術が用いられ、夫々
は下方にある反対導電形基板の表面に形成された一方の
導電形の各高濃度ドープ埋込領域と接触する。
導電形のコレクタ領域と井戸領域を反対導電形のエピタ
キシャル層内に形成して埋込領域技術が用いられ、夫々
は下方にある反対導電形基板の表面に形成された一方の
導電形の各高濃度ドープ埋込領域と接触する。
デバイス領域の形成とコレクタおよび井戸領域の形成の
後、外部ベース領域を与えるためのドープ層と被覆絶縁
層が設けられる。次いで絶縁およびドープ層を通して第
１の窓を形成することにより開口部が形成され、真性ベ
ース領域を形成するための不純物が打込まれる。続い
て、ドープされた絶縁層を非等方性にエッチングするこ
とにより、エミッタを形成する不純物を導入する小さな
第２の窓を形成するためにドープ層の縁に絶縁領域が設
けられる。このエミッタを形成する不純物の導入後、導
入された不純物は拡散されて真性および外部ベース領域
とエミッタ領域を形成する。
後、外部ベース領域を与えるためのドープ層と被覆絶縁
層が設けられる。次いで絶縁およびドープ層を通して第
１の窓を形成することにより開口部が形成され、真性ベ
ース領域を形成するための不純物が打込まれる。続い
て、ドープされた絶縁層を非等方性にエッチングするこ
とにより、エミッタを形成する不純物を導入する小さな
第２の窓を形成するためにドープ層の縁に絶縁領域が設
けられる。このエミッタを形成する不純物の導入後、導
入された不純物は拡散されて真性および外部ベース領域
とエミッタ領域を形成する。
前記の公開公報に記載された方法のほかに、相補形IGFE
Tの形成はバイポーラトランジスタの形成の間に生じ
る。特に、真性ベース領域を形成するための不純物の導
入後および絶縁領域の形成後、相補形IGFETに対するゲ
ート酸化物を与えるために熱酸化が行われる。この熱酸
化は、浅いベースプロファイルを得ることを困難にする
不純物の酸化増速拡散（oxidation enhanced diffusio
n）を生じる。加えて、前の非等方性、例えばプラズ
マ、エッチングがゲート酸化物の質に悪影響を及ぼす。
相補形IGFETに対する絶縁ゲートの形成後、バイポーラ
トランジスタのエミッタおよびコレクタ領域は露出さ
れ、更に、説明された例では、多結晶質珪素層が、絶縁
ゲートを完成し且つコレクタおよびエミッタ電極を形成
するために堆積され、パターン付けされる。ｎ−チャネ
ルIGFETの低濃度ドープドレーン延長部を形成するため
に一方の導電形の不純物、説明された例では燐イオンが
最初に打込まれた後、一方の導電形の別の不純物、説明
された例では砒素イオンが、ｎ−チャネルIGFETのソー
スおよびドレーン領域を形成し不純物を与えるために打
込まれ、この不純物は、拡散またはドライブイン（driv
e−in）処理の後、エミッタ領域とコレクタ接点を形成
するので、ｎ−チャネルソースおよびドレーン領域とエ
ミッタ領域とに対し同じ打込量とエネルギが用いられ
る。その上、言う迄もなくバイポーラトランジスタの必
要条件と相補形IGFETの必要条件間にやはり妥協が得ら
れるように、打込まれた不純物は同じドライブイン処理
を受ける。
Tの形成はバイポーラトランジスタの形成の間に生じ
る。特に、真性ベース領域を形成するための不純物の導
入後および絶縁領域の形成後、相補形IGFETに対するゲ
ート酸化物を与えるために熱酸化が行われる。この熱酸
化は、浅いベースプロファイルを得ることを困難にする
不純物の酸化増速拡散（oxidation enhanced diffusio
n）を生じる。加えて、前の非等方性、例えばプラズ
マ、エッチングがゲート酸化物の質に悪影響を及ぼす。
相補形IGFETに対する絶縁ゲートの形成後、バイポーラ
トランジスタのエミッタおよびコレクタ領域は露出さ
れ、更に、説明された例では、多結晶質珪素層が、絶縁
ゲートを完成し且つコレクタおよびエミッタ電極を形成
するために堆積され、パターン付けされる。ｎ−チャネ
ルIGFETの低濃度ドープドレーン延長部を形成するため
に一方の導電形の不純物、説明された例では燐イオンが
最初に打込まれた後、一方の導電形の別の不純物、説明
された例では砒素イオンが、ｎ−チャネルIGFETのソー
スおよびドレーン領域を形成し不純物を与えるために打
込まれ、この不純物は、拡散またはドライブイン（driv
e−in）処理の後、エミッタ領域とコレクタ接点を形成
するので、ｎ−チャネルソースおよびドレーン領域とエ
ミッタ領域とに対し同じ打込量とエネルギが用いられ
る。その上、言う迄もなくバイポーラトランジスタの必
要条件と相補形IGFETの必要条件間にやはり妥協が得ら
れるように、打込まれた不純物は同じドライブイン処理
を受ける。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、前述した欠点および問題を克服または少なく
とも軽減することを目的とするものである。
とも軽減することを目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 上記の目的を達成するために、本発明は、１つの主表面
に隣接して第１デバイス領域に一方の導電形のコレクタ
領域と第２デバイス領域に一方の導電形の第１井戸領域
を有する半導体本体を設け、第２デバイス領域上に絶縁
ゲートを形成し、第１井戸領域内に反対導電形のソース
およびドレーン領域を形成するための不純物を導入し、
不純物ベース領域の形成のために第１デバイス領域上に
反対導電形の不純物でドープされた層を設け、ドープさ
れた層を被覆するために絶縁層を設け、第１デバイス領
域の表面領域を露出するために絶縁層とドープされた層
とを通して開口部を形成し、反対導電形の真性ベース領
域と一方の導電形のエミッタ領域を該真性ベース領域内
に形成するために前記の開口部を通して不純物を導入す
ることにより成る、バイポーラトランジスタとIGFETと
を有する半導体デバイスの製造方法において、ドープ可
能層を第１デバイス領域上に設け、次いで、絶縁層を設
ける前にソースおよびドレーン領域を形成するために反
対導電形の不純物を導入し、これにより反対導電形の不
純物でドープ可能層をドープすることによってドープさ
れた層を形成し、絶縁層が真性ベースおよびエミッタ領
域を形成するための不純物より第２デバイスをマスクす
るように第１および第２デバイス領域を被覆するために
絶縁層を設けることを特徴とするものである。
に隣接して第１デバイス領域に一方の導電形のコレクタ
領域と第２デバイス領域に一方の導電形の第１井戸領域
を有する半導体本体を設け、第２デバイス領域上に絶縁
ゲートを形成し、第１井戸領域内に反対導電形のソース
およびドレーン領域を形成するための不純物を導入し、
不純物ベース領域の形成のために第１デバイス領域上に
反対導電形の不純物でドープされた層を設け、ドープさ
れた層を被覆するために絶縁層を設け、第１デバイス領
域の表面領域を露出するために絶縁層とドープされた層
とを通して開口部を形成し、反対導電形の真性ベース領
域と一方の導電形のエミッタ領域を該真性ベース領域内
に形成するために前記の開口部を通して不純物を導入す
ることにより成る、バイポーラトランジスタとIGFETと
を有する半導体デバイスの製造方法において、ドープ可
能層を第１デバイス領域上に設け、次いで、絶縁層を設
ける前にソースおよびドレーン領域を形成するために反
対導電形の不純物を導入し、これにより反対導電形の不
純物でドープ可能層をドープすることによってドープさ
れた層を形成し、絶縁層が真性ベースおよびエミッタ領
域を形成するための不純物より第２デバイスをマスクす
るように第１および第２デバイス領域を被覆するために
絶縁層を設けることを特徴とするものである。
ここに用いられてい「真性ベース領域」という言葉は、
コネクタ領域とエミッタ領域の間に活性ベースを形成す
るバイポーラトランジスタの部分をさし、一方「外部
（extrinsic）ベース領域という言葉は、ベース領域へ
の電気接触を容易にするために「真性ベース領域」と接
触するバイポーラトランジスタの部分をさすものと理解
され度い。
コネクタ領域とエミッタ領域の間に活性ベースを形成す
るバイポーラトランジスタの部分をさし、一方「外部
（extrinsic）ベース領域という言葉は、ベース領域へ
の電気接触を容易にするために「真性ベース領域」と接
触するバイポーラトランジスタの部分をさすものと理解
され度い。
本発明の方法では、真性ベース領域とエミッタ領域を形
成するための不純物を導入する開口部はIGFETの形成後
迄開かれず、IGFETに対する良質なゲートの形成を可能
にし更にまた酸化増速拡散の問題を回避して浅いベース
プロファイルを与える。更に、絶縁層は、何等余分のマ
スクを必要とせずに、真性ベース領域とエミッタ領域か
らIGFETをマスクするのに役立つ。その上、真性ベース
領域とエミッタ領域の形成は、IGFETと無関係に最適化
することができる。
成するための不純物を導入する開口部はIGFETの形成後
迄開かれず、IGFETに対する良質なゲートの形成を可能
にし更にまた酸化増速拡散の問題を回避して浅いベース
プロファイルを与える。更に、絶縁層は、何等余分のマ
スクを必要とせずに、真性ベース領域とエミッタ領域か
らIGFETをマスクするのに役立つ。その上、真性ベース
領域とエミッタ領域の形成は、IGFETと無関係に最適化
することができる。
相補形IGFETは、１つの表面領域に隣接する第３デバイ
ス領域に反対導電形の第２井戸領域を設け、第２および
第３デバイス領域上に絶縁ゲートを形成し、絶縁層を設
ける前に第２井戸領域に一方の導電形のソースおよびド
レーン領域を形成するために第１および第２領域をマス
クして不純物を導入し、第３デバイス領域を真性ベース
およびエミッタ領域を形成するための不純物からマスク
するように第３デバイス領域を被覆するために絶縁層を
設けることによって相補形導電形の絶縁ゲート電界効果
トランジスタを形成することによってBiCMOSデバイスを
供するように形成することができる。
ス領域に反対導電形の第２井戸領域を設け、第２および
第３デバイス領域上に絶縁ゲートを形成し、絶縁層を設
ける前に第２井戸領域に一方の導電形のソースおよびド
レーン領域を形成するために第１および第２領域をマス
クして不純物を導入し、第３デバイス領域を真性ベース
およびエミッタ領域を形成するための不純物からマスク
するように第３デバイス領域を被覆するために絶縁層を
設けることによって相補形導電形の絶縁ゲート電界効果
トランジスタを形成することによってBiCMOSデバイスを
供するように形成することができる。
好ましくは、方法は更に、ドープ可能相をゲート絶縁層
上にも設け、IGFETの導電性ゲート層を形成するため
に、第１デバイス領域上のドープ可能層の部分をマスク
して、一方の導電形の不純物を層に導入することを含
む。
上にも設け、IGFETの導電性ゲート層を形成するため
に、第１デバイス領域上のドープ可能層の部分をマスク
して、一方の導電形の不純物を層に導入することを含
む。
一般的に、開口部は、絶縁およびドープされた層を通っ
て第１の窓を形成することにより形成され、ドープされ
た層の縁に絶縁領域を設けて第２の窓を形成し、エミッ
タを形成するために第２の窓を経て不純物を導入し、こ
れにより真性ベース領域よりのエミッタ領域の良好な分
離が可能にされる。一般的には、外部ベース領域と真性
ベース領域間の良好な接続を容易にするために、真性ベ
ース領域を形成するための不純物が第１の窓を経て導入
される。けれども、真性ベース領域を形成するための不
純物は第２の窓を経て導入することもできるが、もっと
もこれには、「アイ・イー・イー・トランザクションズ
・オン・エレクトロン・デバイセス（IEEE Transaction
s on Electron Devices）」1988年８月、Vol.35,No.8の
1247−1255頁に記載されているように、絶縁領域の形成
前にベース結合打込み（coupling base implant）を用
いる必要があろう。
て第１の窓を形成することにより形成され、ドープされ
た層の縁に絶縁領域を設けて第２の窓を形成し、エミッ
タを形成するために第２の窓を経て不純物を導入し、こ
れにより真性ベース領域よりのエミッタ領域の良好な分
離が可能にされる。一般的には、外部ベース領域と真性
ベース領域間の良好な接続を容易にするために、真性ベ
ース領域を形成するための不純物が第１の窓を経て導入
される。けれども、真性ベース領域を形成するための不
純物は第２の窓を経て導入することもできるが、もっと
もこれには、「アイ・イー・イー・トランザクションズ
・オン・エレクトロン・デバイセス（IEEE Transaction
s on Electron Devices）」1988年８月、Vol.35,No.8の
1247−1255頁に記載されているように、絶縁領域の形成
前にベース結合打込み（coupling base implant）を用
いる必要があろう。
本発明の方法は更に、真性ベース領域を形成するための
反射導電形の不純物を導入する前に、第１の窓によって
露出された表面領域とドープされた層の縁を被覆する比
較的薄い絶縁層を形成し、エミッタ領域を形成するため
の不純物を導入する前に不純物ベース領域を形成するた
めに、ドープされた層内の不純物を半導体本体内に拡散
させることを含むことができる。絶縁層は、酸化物層例
えばテトラ−エチル−オルト−シリケート（tetra−eth
yl−ortho−silicate;TEOS）層および流動可能絶縁層例
えばボロフォスホシリケート（borophospho−silicat
e）ガラス層として設けることができる。比較的薄い絶
縁層は、流動可能絶縁層を僅かな酸化ふん囲気内で流動
させて薄い絶縁層を形成し、これに加えて流動可能絶縁
層よりのあらゆる不純物またはドーパントがエミッタ領
域内に入るのを妨げることによって形成することができ
る。
反射導電形の不純物を導入する前に、第１の窓によって
露出された表面領域とドープされた層の縁を被覆する比
較的薄い絶縁層を形成し、エミッタ領域を形成するため
の不純物を導入する前に不純物ベース領域を形成するた
めに、ドープされた層内の不純物を半導体本体内に拡散
させることを含むことができる。絶縁層は、酸化物層例
えばテトラ−エチル−オルト−シリケート（tetra−eth
yl−ortho−silicate;TEOS）層および流動可能絶縁層例
えばボロフォスホシリケート（borophospho−silicat
e）ガラス層として設けることができる。比較的薄い絶
縁層は、流動可能絶縁層を僅かな酸化ふん囲気内で流動
させて薄い絶縁層を形成し、これに加えて流動可能絶縁
層よりのあらゆる不純物またはドーパントがエミッタ領
域内に入るのを妨げることによって形成することができ
る。
ドープ可能層は、その中にドーパントが導入されること
ができまた導入されたドーパントがそこから下方の半導
体本体内に拡散させられることができる任意の適当な材
料で形成することができる。例えば、ドープ可能層は多
結晶質または非晶質の珪素を有することができる。ドー
プ可能層はまたIGFETの導電性ゲートを形成するのに用
いられることもでき、通常導電性ゲート層は燐でドープ
され、一方ドープされた層は、npnトランジスタに対し
て、硼素でドープされる。けれども、第１デバイス領域
上のドープ可能層部分を導電性ゲート層を形成する不純
物よりマスクするために要するアライメント裕度は臨界
的であるべきでない。
ができまた導入されたドーパントがそこから下方の半導
体本体内に拡散させられることができる任意の適当な材
料で形成することができる。例えば、ドープ可能層は多
結晶質または非晶質の珪素を有することができる。ドー
プ可能層はまたIGFETの導電性ゲートを形成するのに用
いられることもでき、通常導電性ゲート層は燐でドープ
され、一方ドープされた層は、npnトランジスタに対し
て、硼素でドープされる。けれども、第１デバイス領域
上のドープ可能層部分を導電性ゲート層を形成する不純
物よりマスクするために要するアライメント裕度は臨界
的であるべきでない。
エミッタ領域は、不純物の打込みと次いでのドライブイ
ンによって形成することができる。代わりに、このエミ
ッタ領域を、別のドープされた層例えばドープされた多
結晶質珪素層を堆積し、次いで不純物を開口部を経て半
導体内に拡散させることにより形成することもできる。
この例では、トランジスタの電極に対する接点孔をこの
場合別のドープされた層と絶縁層を通して開け、電極を
形成するための導電材料の堆積およびパターン付けの
後、別のドープされた層の露出部分とトランジスタの電
極をマスクとして用いて簡単に除去することができ、し
たがって別個のマスクを必要としない。
ンによって形成することができる。代わりに、このエミ
ッタ領域を、別のドープされた層例えばドープされた多
結晶質珪素層を堆積し、次いで不純物を開口部を経て半
導体内に拡散させることにより形成することもできる。
この例では、トランジスタの電極に対する接点孔をこの
場合別のドープされた層と絶縁層を通して開け、電極を
形成するための導電材料の堆積およびパターン付けの
後、別のドープされた層の露出部分とトランジスタの電
極をマスクとして用いて簡単に除去することができ、し
たがって別個のマスクを必要としない。
（実施例） 以下に本発明を添付の図面を参照して実施例で説明す
る。
る。
図面は図解のためのものであって寸法比通りのものでは
なく、種々の寸法特に層および領域の厚さの寸法は、わ
かり易いように誇張されていることは勿論了解されるで
あろう。
なく、種々の寸法特に層および領域の厚さの寸法は、わ
かり易いように誇張されていることは勿論了解されるで
あろう。
図面はバイポーラトランジスタＴとIGFETとを有する半
導体デバイスの製造方法を示したもので、この方法は、
１つの主表面1aに隣接して第１デバイス領域10に一方の
導電形のコレクタ領域20をまた第２デバイス領域12に一
方の導電形の第１井戸領域３を設け、第２デバイス領域
12上に絶縁ゲート９を形成し、第１井戸領域３に反対導
電形のソース領域90とドレーン領域91を形成するために
不純物を導入し、外部ベース領域40（第５図乃至第７
図）を形成するために第１デバイス領域10上に反対導電
形の不純物でドープされた層31を設け、このドープされ
た層31を被覆するために絶縁層50,51、51を設け、第１
デバイス領域10の表面領域を露出するために絶縁層50と
ドープされた層31とを通して開口部60,61を形成し、反
対導電形の真性ベース領域41とこの真性ベース領域41内
にエミッタ領域80を形成するために開口部を通して不純
物を導入することにより成る。
導体デバイスの製造方法を示したもので、この方法は、
１つの主表面1aに隣接して第１デバイス領域10に一方の
導電形のコレクタ領域20をまた第２デバイス領域12に一
方の導電形の第１井戸領域３を設け、第２デバイス領域
12上に絶縁ゲート９を形成し、第１井戸領域３に反対導
電形のソース領域90とドレーン領域91を形成するために
不純物を導入し、外部ベース領域40（第５図乃至第７
図）を形成するために第１デバイス領域10上に反対導電
形の不純物でドープされた層31を設け、このドープされ
た層31を被覆するために絶縁層50,51、51を設け、第１
デバイス領域10の表面領域を露出するために絶縁層50と
ドープされた層31とを通して開口部60,61を形成し、反
対導電形の真性ベース領域41とこの真性ベース領域41内
にエミッタ領域80を形成するために開口部を通して不純
物を導入することにより成る。
本発明によれば、この方法は更に、第１デバイス領域10
上にドープ可能層30を設け、次いで絶縁層50,51を設け
る前にソース領域90とドレーン領域91を形成するために
不純物を導入し、それによりドープ可能層を反対導電形
の不純物でドープし、また絶縁層50,51を第１および第
２デバイス領域を被覆するように設けてこれ等絶縁層5
0,51が真性ベース領域41とエミッタ領域80を形成する不
純物から第２デバイス領域をマスクするようにすること
によりドープされた層31を形成することを含む。
上にドープ可能層30を設け、次いで絶縁層50,51を設け
る前にソース領域90とドレーン領域91を形成するために
不純物を導入し、それによりドープ可能層を反対導電形
の不純物でドープし、また絶縁層50,51を第１および第
２デバイス領域を被覆するように設けてこれ等絶縁層5
0,51が真性ベース領域41とエミッタ領域80を形成する不
純物から第２デバイス領域をマスクするようにすること
によりドープされた層31を形成することを含む。
このように、真性ベース領域41およびエミッタ領域80を
形成する不純物を導入する開口部はIGFETPの変形後迄開
かれず、良品質のゲート酸化物の形成を可能にし、酸化
増速拡散の問題を回避或いは少なくとも軽減し、浅いベ
ースプロファイルを得させることができる。その上、真
性ベース領域41とエミッタ領域80はIGFETと無関係に最
適化されることができる。更に、絶縁層50,51は、真性
ベース領域41とエミッタ領域80を形成する不純物から第
２デバイス領域12（したがってLGFETP）をマスキングす
るマスクとして役立つので、余計なマスキング工程を全
く必要とせず、バイポーラトランジスタＴを完成させる
のに開口部60,61を必要とするだけである。
形成する不純物を導入する開口部はIGFETPの変形後迄開
かれず、良品質のゲート酸化物の形成を可能にし、酸化
増速拡散の問題を回避或いは少なくとも軽減し、浅いベ
ースプロファイルを得させることができる。その上、真
性ベース領域41とエミッタ領域80はIGFETと無関係に最
適化されることができる。更に、絶縁層50,51は、真性
ベース領域41とエミッタ領域80を形成する不純物から第
２デバイス領域12（したがってLGFETP）をマスキングす
るマスクとして役立つので、余計なマスキング工程を全
く必要とせず、バイポーラトランジスタＴを完成させる
のに開口部60,61を必要とするだけである。
このような方法は、相補的なすなわちｎ−チャネルとｐ
−チャネルIGFET NおよびＰが同じ半導体本体内に形成
される所謂BiCMOS集積回路の製造に特に用いられる。と
いうのは、バイポーラトランジスタの製造方法は相補形
IGFETの形成に使用される工程に最小限の数の変更しか
含まないからである。このような情況下において、方法
は更に、１つの主表面1aに隣接した第３デバス領域14に
反対導電形の第２井戸領域15を設け、第２および第３デ
バイス領域12および14上に絶縁ゲート８および９を形成
し、絶縁層50,51を設ける前に一方の導電形のソースお
よびドレーン領域93,94を形成するために第１および第
２デバイス領域10および12をマスクとして不純物を導入
し、絶縁層50,51を設けて第３デバイス領域14を被覆し
て第３デバイス領域14を真性ベース41およびエミッタ領
域80を形成する不純物よりマスクすることを含む。
−チャネルIGFET NおよびＰが同じ半導体本体内に形成
される所謂BiCMOS集積回路の製造に特に用いられる。と
いうのは、バイポーラトランジスタの製造方法は相補形
IGFETの形成に使用される工程に最小限の数の変更しか
含まないからである。このような情況下において、方法
は更に、１つの主表面1aに隣接した第３デバス領域14に
反対導電形の第２井戸領域15を設け、第２および第３デ
バイス領域12および14上に絶縁ゲート８および９を形成
し、絶縁層50,51を設ける前に一方の導電形のソースお
よびドレーン領域93,94を形成するために第１および第
２デバイス領域10および12をマスクとして不純物を導入
し、絶縁層50,51を設けて第３デバイス領域14を被覆し
て第３デバイス領域14を真性ベース41およびエミッタ領
域80を形成する不純物よりマスクすることを含む。
図面は唯１つのバイポーラトランジスタＴと唯一対の相
補形IGFET NおよびＰの製造のみを示しているが、実際
には半導体デバイスは、所望の回路を形成するために金
属化により通常のように互に連結された多数のこのよう
なバイポーラトランジスタＴと相補形IGFET NおよびＰ
を有することは勿論了解されるであろう。
補形IGFET NおよびＰの製造のみを示しているが、実際
には半導体デバイスは、所望の回路を形成するために金
属化により通常のように互に連結された多数のこのよう
なバイポーラトランジスタＴと相補形IGFET NおよびＰ
を有することは勿論了解されるであろう。
図に示した特定の実施例に戻ると、半導体本体１は、第
１デバイス領域10では後でバイポーラトランジスタＴの
コレクタ領域20の部分を形成する高濃度ドープ埋込層21
を形成しまた第２デバイス領域12では後でｐ−チャネル
IGFET Pの第１すなわちｎ井戸領域３と境を接する第２
高濃度ドープ領域４を形成するために適当なマスクを使
用して一方の導電形（この例ではｎ導電形）の不純物が
導入された典型的には10ohm−cmの抵抗率を有する反対
導電形、この例ではｐ導電形の多結晶質珪素基板２を有
する。典型的には８−12ohm−cmの抵抗率を有するｐ導
電形珪素の層５（図に破線で示す）が、埋込層21および
４を包含する基板２上にエピタキシャルに成長される。
１デバイス領域10では後でバイポーラトランジスタＴの
コレクタ領域20の部分を形成する高濃度ドープ埋込層21
を形成しまた第２デバイス領域12では後でｐ−チャネル
IGFET Pの第１すなわちｎ井戸領域３と境を接する第２
高濃度ドープ領域４を形成するために適当なマスクを使
用して一方の導電形（この例ではｎ導電形）の不純物が
導入された典型的には10ohm−cmの抵抗率を有する反対
導電形、この例ではｐ導電形の多結晶質珪素基板２を有
する。典型的には８−12ohm−cmの抵抗率を有するｐ導
電形珪素の層５（図に破線で示す）が、埋込層21および
４を包含する基板２上にエピタキシャルに成長される。
次いで、通常のフォトリソグラフおよびエッチング技術
を用いてマスク層（図示せず）が形成され、不純物、普
通は燐イオンが打込まれ、次いでエピタキシャル層５内
に拡散させられて埋込層21および４の上方近くで接触す
るｎ導電形領域を形成し、一方、一方のｎ導電形領域は
バイポーラトランジスタＴのコレクタ領域20の主補助領
域22を形成し、他方のｎ導電形領域は第２デバイス領域
12に第１井戸領域３を形成して後でｐ−チャネルIGFET
Pのｎ井戸領域を形成する。
を用いてマスク層（図示せず）が形成され、不純物、普
通は燐イオンが打込まれ、次いでエピタキシャル層５内
に拡散させられて埋込層21および４の上方近くで接触す
るｎ導電形領域を形成し、一方、一方のｎ導電形領域は
バイポーラトランジスタＴのコレクタ領域20の主補助領
域22を形成し、他方のｎ導電形領域は第２デバイス領域
12に第１井戸領域３を形成して後でｐ−チャネルIGFET
Pのｎ井戸領域を形成する。
半導体デバイスの活性デバイス領域10,12,14は、酸化珪
素−窒化珪素酸化マスク（図示せず）による通常の珪素
局部酸化技術を用いてフィールド酸化物領域６を形成す
ることにより形成或いは分離される。第３デバイス領域
14のｐ形エピタキシャル層の領域15はかくしてフィール
ド酸化物領域６と境を接し、ｎ−チャネルIGFET Nのｐ
導電形井戸領域を形成する。
素−窒化珪素酸化マスク（図示せず）による通常の珪素
局部酸化技術を用いてフィールド酸化物領域６を形成す
ることにより形成或いは分離される。第３デバイス領域
14のｐ形エピタキシャル層の領域15はかくしてフィール
ド酸化物領域６と境を接し、ｎ−チャネルIGFET Nのｐ
導電形井戸領域を形成する。
この段階において種々のしきい値調整打込み（threshol
d adjustment implantation）を当該技術で普通のよう
に行なうことができる。更に、図には示していないが、
公知のように、フィールド酸化物領域６下方のイオン打
込みによって高導電性チャネルストッパ領域を形成する
ことができる。第１図に示したように、２つのフィール
ド酸化物領域6a,6bは、デバイス領域10,12,14を分ける
ほかにコレクタ接点領域23の形成に役立ち、このコレク
タ接点領域は、一方の導電形の不純物で２度ドープされ
る、すなわち１度はコレクタ領域20の主補助領域22の形
成の間に、次いで再び適当なマスクを通してコレクタ領
域20へのオーム接触を可能にするこめに高濃度ドープ接
点領域を形成するためにドープされる。
d adjustment implantation）を当該技術で普通のよう
に行なうことができる。更に、図には示していないが、
公知のように、フィールド酸化物領域６下方のイオン打
込みによって高導電性チャネルストッパ領域を形成する
ことができる。第１図に示したように、２つのフィール
ド酸化物領域6a,6bは、デバイス領域10,12,14を分ける
ほかにコレクタ接点領域23の形成に役立ち、このコレク
タ接点領域は、一方の導電形の不純物で２度ドープされ
る、すなわち１度はコレクタ領域20の主補助領域22の形
成の間に、次いで再び適当なマスクを通してコレクタ領
域20へのオーム接触を可能にするこめに高濃度ドープ接
点領域を形成するためにドープされる。
次いで薄い酸化物層が、第２および第３デバイス領域12
および14上にゲート酸化物層を設けるために通常の技術
を用いて熱的に成長され、形成される。次いでドープ可
能層30が、通常の低圧化学気相堆積（LPCVD）法を用い
て、１つの主表面1a上に、各目上ドープされないすなわ
ちことさらドープされない多結晶質珪素の層として堆積
される。次いで第１デバイス領域10において多結晶質珪
素層30の領域30′上に非臨界的なマスク７が設けられ、
次いで、燐イオンが、通常のように、露出された珪素層
内に導入、この例では打込まれ、多結晶質珪素を導電性
にする。次いで導電性多結晶質珪素層と下の絶縁ゲート
酸化物は、導電性ゲート層33および34を有するｎ−チャ
ネルおよびｐ−チャネルIGFET NおよびＰの絶縁ゲート
８および９を形成するために、通常のフォトリソグラフ
およびエッチング技術を用いてパターン付けされる。
および14上にゲート酸化物層を設けるために通常の技術
を用いて熱的に成長され、形成される。次いでドープ可
能層30が、通常の低圧化学気相堆積（LPCVD）法を用い
て、１つの主表面1a上に、各目上ドープされないすなわ
ちことさらドープされない多結晶質珪素の層として堆積
される。次いで第１デバイス領域10において多結晶質珪
素層30の領域30′上に非臨界的なマスク７が設けられ、
次いで、燐イオンが、通常のように、露出された珪素層
内に導入、この例では打込まれ、多結晶質珪素を導電性
にする。次いで導電性多結晶質珪素層と下の絶縁ゲート
酸化物は、導電性ゲート層33および34を有するｎ−チャ
ネルおよびｐ−チャネルIGFET NおよびＰの絶縁ゲート
８および９を形成するために、通常のフォトリソグラフ
およびエッチング技術を用いてパターン付けされる。
第１図に示した構造が形成されると、第３デバイス領域
14は露出されたままにして第１および第２デバイス領域
10と12を覆うために通常のマスキング層（図示せず）が
設けられる。絶縁ゲート８とフィールド酸化物６をマス
クとして用い、当該技術では普通のように低濃度ドープ
ドレーン延長領域95を（および同様なソース延長領域96
も）形成するために、燐イオンが第３デバイス領域14に
導入される。前記の薄いマスキング層を取り除いた後に
薄い熱酸化物を成長させることができ、次いで、酸化珪
素の層をLPCVD法により堆積し、例えばアルゴン内のCHF
3,CF3の混合物を用いたプラズマ中で非等方性にエッチ
して下にあるすべての珪素領域を露出し、これによりｎ
およびＰ−チャネルIGFET NおよびＰの絶縁ゲート８お
よび９の側壁上に絶縁スペーサ17,18を残す。別の通常
のマスキング層101（第２図）が次いで第１および第２
デバイス領域10および12上に設けられ、一方の導電形の
別の不純物（この例では砒素イオン）が、絶縁ゲート
８、スペーサ領域17およびフィールド酸化物６をマスク
として用いて、非常に薄いすなわち拡散酸化物層（図示
せず）を通して通常は打込みによって導入され、ｎ−チ
ャネルIGFETのｎ−導電形ソースおよびドレーン領域93
および94を形成する。
14は露出されたままにして第１および第２デバイス領域
10と12を覆うために通常のマスキング層（図示せず）が
設けられる。絶縁ゲート８とフィールド酸化物６をマス
クとして用い、当該技術では普通のように低濃度ドープ
ドレーン延長領域95を（および同様なソース延長領域96
も）形成するために、燐イオンが第３デバイス領域14に
導入される。前記の薄いマスキング層を取り除いた後に
薄い熱酸化物を成長させることができ、次いで、酸化珪
素の層をLPCVD法により堆積し、例えばアルゴン内のCHF
3,CF3の混合物を用いたプラズマ中で非等方性にエッチ
して下にあるすべての珪素領域を露出し、これによりｎ
およびＰ−チャネルIGFET NおよびＰの絶縁ゲート８お
よび９の側壁上に絶縁スペーサ17,18を残す。別の通常
のマスキング層101（第２図）が次いで第１および第２
デバイス領域10および12上に設けられ、一方の導電形の
別の不純物（この例では砒素イオン）が、絶縁ゲート
８、スペーサ領域17およびフィールド酸化物６をマスク
として用いて、非常に薄いすなわち拡散酸化物層（図示
せず）を通して通常は打込みによって導入され、ｎ−チ
ャネルIGFETのｎ−導電形ソースおよびドレーン領域93
および94を形成する。
第２図に示したマスキング層101は次いで取り除かれ、
ｎ−チャネルIGFETが形成された第３デバイス領域14を
マスクするために新しいマスキング層102（第３図参
照）が設けられる。
ｎ−チャネルIGFETが形成された第３デバイス領域14を
マスクするために新しいマスキング層102（第３図参
照）が設けられる。
次いで、Ｐ導電形、この例では硼素イオンが、第３図に
示したＰ−チャネルIGFET Pのソースおよびドレーン領
域90および91を形成するように、絶縁ゲート９、スペー
サ領域18およびフィールド酸化物６をマスクとして用い
て、第１デバイス領域10上の多結晶質珪素層の露出領域
30′および第１井戸領域３内に打込まれる。
示したＰ−チャネルIGFET Pのソースおよびドレーン領
域90および91を形成するように、絶縁ゲート９、スペー
サ領域18およびフィールド酸化物６をマスクとして用い
て、第１デバイス領域10上の多結晶質珪素層の露出領域
30′および第１井戸領域３内に打込まれる。
マスキング層102が取り除かれた後、第１デバイス領域1
0上の多結晶質珪素層30のドープされた領域30′は、ド
ープされた層31を特に多結晶質珪素をコレクタ接点領域
23の表面より除くことによって形成するために、通常の
非臨界マスクおよび通常のエッチング技術を用いてパタ
ーン付けされる。
0上の多結晶質珪素層30のドープされた領域30′は、ド
ープされた層31を特に多結晶質珪素をコレクタ接点領域
23の表面より除くことによって形成するために、通常の
非臨界マスクおよび通常のエッチング技術を用いてパタ
ーン付けされる。
図に示したやり方ではドープされた層31の範囲はＰ−導
電形不純物の導入後に形成されるが、第１デバイス領域
10上の多結晶質珪素の領域30′がコレクタ接点領域23上
に延在せずに未だドープされない間第４図に示す物理的
な形と寸法を有するように非ドープ層を形成することも
可能である。非ドープ多結晶質珪素領域30′のこの形成
は、絶縁スペーサ領域17,18の形成の前かまたは適当な
マスクを使用してその直接に行うこともできる。このよ
うな場合には、マスキング層102は、コレクタ接点領域2
3を覆い、これにより該領域23をＰ−導電形不純物の注
入よりマスクしてドープされた層31を形成するように変
更せねばならない。これ等の別のやり方では、マスク10
2の除去後、構造はドープされた層31（第４図参照）の
形成後は前に述べたと同様であろうが、非ドープ領域3
0′が絶縁スペーサ領域17,18の形成前に形成された場合
は同様の絶縁スペーサ領域がドープされた層31の縁31b
に存することができる。
電形不純物の導入後に形成されるが、第１デバイス領域
10上の多結晶質珪素の領域30′がコレクタ接点領域23上
に延在せずに未だドープされない間第４図に示す物理的
な形と寸法を有するように非ドープ層を形成することも
可能である。非ドープ多結晶質珪素領域30′のこの形成
は、絶縁スペーサ領域17,18の形成の前かまたは適当な
マスクを使用してその直接に行うこともできる。このよ
うな場合には、マスキング層102は、コレクタ接点領域2
3を覆い、これにより該領域23をＰ−導電形不純物の注
入よりマスクしてドープされた層31を形成するように変
更せねばならない。これ等の別のやり方では、マスク10
2の除去後、構造はドープされた層31（第４図参照）の
形成後は前に述べたと同様であろうが、非ドープ領域3
0′が絶縁スペーサ領域17,18の形成前に形成された場合
は同様の絶縁スペーサ領域がドープされた層31の縁31b
に存することができる。
絶縁層50が、ドープされた層31と、ｎおよびＰ−チャネ
ルIGFET NおよびＰを有する第２および第３デバイス領
域12および14を含む１つの主表面の残りも覆うように設
けられる。この例では絶縁層50は、非ドープ テトラー
エチル−オルト−シリケートで形成され、トランジスタ
T,P,Nの寸法がサブミクロンまたは同様の場合には約0.2
マイクロメートルの厚さを有することができる。第１絶
縁層50は流動可能ガラス状材料、この例では全表面も覆
うボロフォスフォシリケートガラス（BPSG）の層で覆わ
れる。
ルIGFET NおよびＰを有する第２および第３デバイス領
域12および14を含む１つの主表面の残りも覆うように設
けられる。この例では絶縁層50は、非ドープ テトラー
エチル−オルト−シリケートで形成され、トランジスタ
T,P,Nの寸法がサブミクロンまたは同様の場合には約0.2
マイクロメートルの厚さを有することができる。第１絶
縁層50は流動可能ガラス状材料、この例では全表面も覆
うボロフォスフォシリケートガラス（BPSG）の層で覆わ
れる。
絶縁層50と被覆ガラス層51は、相補形IGFET NおよびＰ
を後の処理工程に対して保護し、更に、以下の説明より
明らかになるように、バイポーラトランジスタＴの形成
を助ける。
を後の処理工程に対して保護し、更に、以下の説明より
明らかになるように、バイポーラトランジスタＴの形成
を助ける。
この例ではガラス層のような流動可能層の使用は、エミ
ッタ窓の横縦比の低減を助けるべき表面の平滑化または
平面化を可能にする。けれども、他の絶縁材料を用いて
もよく或はまた若しく絶縁層50が第２および第３デバイ
ス領域12および14（したがって相補形IGFET Nおよび
Ｐ）を以下に述べる処理工程よりマスクするのに十分な
厚さならばガラス層51を単に省略することができる。
ッタ窓の横縦比の低減を助けるべき表面の平滑化または
平面化を可能にする。けれども、他の絶縁材料を用いて
もよく或はまた若しく絶縁層50が第２および第３デバイ
ス領域12および14（したがって相補形IGFET Nおよび
Ｐ）を以下に述べる処理工程よりマスクするのに十分な
厚さならばガラス層51を単に省略することができる。
第４図に示したように通常の方法の方法でガラス層51を
形成した後、第５図および６図で以下に説明するように
開口部60,61が形成される。
形成した後、第５図および６図で以下に説明するように
開口部60,61が形成される。
そこを通してガラス層51、絶縁層50およびドープされた
層31をエッチして第１の窓60を開けるマスク開口部を形
成するために、通常のシャドーマスク（図示せず）がガ
ラス層51の上に設けられる。この例では、比較的滑らか
に形成された輪郭を与えて後の工程を容易にするように
等方性技術を用いてエッチすることができるが、非等方
性エッチング処理を用いることもできる。次いで絶縁層
50とドープされた層31は、第１デバイス領域10の表面領
域11が露出され且つ第１の窓60を形成するドープされた
層31の縁31aにはっきりした鋭い隅を設けて以下に説明
するように該縁31aにおける絶縁領域の形成を容易にす
るように、夫々通常の非等方性エッチング技術を用いて
順次にエッチされる。
層31をエッチして第１の窓60を開けるマスク開口部を形
成するために、通常のシャドーマスク（図示せず）がガ
ラス層51の上に設けられる。この例では、比較的滑らか
に形成された輪郭を与えて後の工程を容易にするように
等方性技術を用いてエッチすることができるが、非等方
性エッチング処理を用いることもできる。次いで絶縁層
50とドープされた層31は、第１デバイス領域10の表面領
域11が露出され且つ第１の窓60を形成するドープされた
層31の縁31aにはっきりした鋭い隅を設けて以下に説明
するように該縁31aにおける絶縁領域の形成を容易にす
るように、夫々通常の非等方性エッチング技術を用いて
順次にエッチされる。
次に、ガラス層51は、表面領域11とドープされた層31の
露出縁31aとを被覆する比較的薄い絶縁層55を形成する
ように、僅かに酸化性のふん囲気中で約925℃に加熱す
ることによって流動させられる。この加熱処理はまた、
硼素イオンを、ドープされた層31からこの例では約0.15
マイクロメートルの深さコレクタ領域22内に拡散させ、
その次の工程の後真性ベース領域41と接触し且つこれを
取囲む外部ベース領域40を形成する先駆物質（precurso
r）領域40′を形成する。
露出縁31aとを被覆する比較的薄い絶縁層55を形成する
ように、僅かに酸化性のふん囲気中で約925℃に加熱す
ることによって流動させられる。この加熱処理はまた、
硼素イオンを、ドープされた層31からこの例では約0.15
マイクロメートルの深さコレクタ領域22内に拡散させ、
その次の工程の後真性ベース領域41と接触し且つこれを
取囲む外部ベース領域40を形成する先駆物質（precurso
r）領域40′を形成する。
ガラス層51の流動は第６図に見られるように窓60,61の
表面により滑らかな段を与えるのに役立ち、次の工程を
容易にする。このことは、前述したようにガラス層51を
エッチするのに非等方性エッチング処理を用いた場合に
特に有利であろう。薄い絶縁層55は、最終的なトランジ
スタＴ内のエミッターベース接合を不活性化しまた更に
ドーパントがボロフォスフォシリケートガラス層51より
エミッタ領域に達するのを防ぐのに役立つ。
表面により滑らかな段を与えるのに役立ち、次の工程を
容易にする。このことは、前述したようにガラス層51を
エッチするのに非等方性エッチング処理を用いた場合に
特に有利であろう。薄い絶縁層55は、最終的なトランジ
スタＴ内のエミッターベース接合を不活性化しまた更に
ドーパントがボロフォスフォシリケートガラス層51より
エミッタ領域に達するのを防ぐのに役立つ。
このように形成された第１の窓60をマスク窓として用
い、硼素イオンが表面領域11内に打込まれる。
い、硼素イオンが表面領域11内に打込まれる。
通常のイオン打込欠陥アニーリング処理（ion implanla
tion damage anealing treatmant）を次いで約875℃で
行うことができる。この段階で、第５図に示したよう
に、打込まれた硼素イオンは、最後には真性ベース領域
41を与える先駆物質領域41′を形成する。別の絶縁層例
えばTEOSの層またはその他の適当な堆積絶縁層が堆積さ
れ、ドープされた層31の縁31aの非等方性エッチング後
に残った、絶縁スペーサ領域71で境界されたデバイス領
域10の小さな表面領域11aを露出するために、非等方性
にエッチされる。前記の絶縁スペーサ領域71は小さな第
２の窓61を形成する。
tion damage anealing treatmant）を次いで約875℃で
行うことができる。この段階で、第５図に示したよう
に、打込まれた硼素イオンは、最後には真性ベース領域
41を与える先駆物質領域41′を形成する。別の絶縁層例
えばTEOSの層またはその他の適当な堆積絶縁層が堆積さ
れ、ドープされた層31の縁31aの非等方性エッチング後
に残った、絶縁スペーサ領域71で境界されたデバイス領
域10の小さな表面領域11aを露出するために、非等方性
にエッチされる。前記の絶縁スペーサ領域71は小さな第
２の窓61を形成する。
次いで不純物例えば砒素イオンが前記第２の窓61を経て
打込まれ、半導体本体１は不純物を拡散させるために熱
処理を受け、第６図に示したように不純物および真性ベ
ース領域40および41と該真性ベース内のエミッタ領域80
を形成する。
打込まれ、半導体本体１は不純物を拡散させるために熱
処理を受け、第６図に示したように不純物および真性ベ
ース領域40および41と該真性ベース内のエミッタ領域80
を形成する。
代りに、第７図に示したように、別のドープ可能層、こ
の例では多結晶質珪素層300を、表面領域11aと接するよ
うにガラス層51上に堆積し、一方の導電形の不純物で、
この例では砒素イオンで通常は堆積後にドープすること
もできる。この場合、外部を半導体本体内に拡散させて
不純物および真性ベース領域40および41を形成しまた別
のドープ層300から拡散させて真性ベース領域41内にエ
ミッタ領域80を形成するために、例えば1050℃で10秒の
通常の急速アニーリング（RTA）処理（加熱処理期間が
非常に短かいためドーパントまたは不純物がガラス層51
から別のドープ多結晶質珪素層300を経てエミッタ領域8
0内に拡散することができないように）が用いられる。
の例では多結晶質珪素層300を、表面領域11aと接するよ
うにガラス層51上に堆積し、一方の導電形の不純物で、
この例では砒素イオンで通常は堆積後にドープすること
もできる。この場合、外部を半導体本体内に拡散させて
不純物および真性ベース領域40および41を形成しまた別
のドープ層300から拡散させて真性ベース領域41内にエ
ミッタ領域80を形成するために、例えば1050℃で10秒の
通常の急速アニーリング（RTA）処理（加熱処理期間が
非常に短かいためドーパントまたは不純物がガラス層51
から別のドープ多結晶質珪素層300を経てエミッタ領域8
0内に拡散することができないように）が用いられる。
第７図には示していないが、加熱処理の間のドーパント
不純物の損失を防ぐために、薄いキャップ層例えば酸化
珪素層を別のドープ層300上に設けてもよい。このよう
なキャップ層は熱処理の後に取り除かれる。
不純物の損失を防ぐために、薄いキャップ層例えば酸化
珪素層を別のドープ層300上に設けてもよい。このよう
なキャップ層は熱処理の後に取り除かれる。
第６図および７図に示したエミッタ領域80の形成後に、
第１金属化レベルを与える接点孔の開口部がトランジス
タT,N,Pの接点電極を所望のように形成することがでる
ようにするために、別のマスキング層（図示せず）が全
表面に亘って設けられる。第７図および第８図より明ら
かなように、別のドープ層300が設けられた場合には、
接点孔は、先づこの別のドープ層この場合には多結晶質
珪素層を通し次いでガラス層51と絶縁層50を通して形成
される。金属電極へのオーム接触を改良するために、珪
化物例えば珪化コバルトまたは珪化チタン層を、接点孔
を開けた後に通常の自己位置合せ（self−aligned）方
法で露出珪素表面領域上に形成することができる。
第１金属化レベルを与える接点孔の開口部がトランジス
タT,N,Pの接点電極を所望のように形成することがでる
ようにするために、別のマスキング層（図示せず）が全
表面に亘って設けられる。第７図および第８図より明ら
かなように、別のドープ層300が設けられた場合には、
接点孔は、先づこの別のドープ層この場合には多結晶質
珪素層を通し次いでガラス層51と絶縁層50を通して形成
される。金属電極へのオーム接触を改良するために、珪
化物例えば珪化コバルトまたは珪化チタン層を、接点孔
を開けた後に通常の自己位置合せ（self−aligned）方
法で露出珪素表面領域上に形成することができる。
接点電極を形成するための金属化部は、チタン−タング
ステン合金の第１層と珪素含有アルミニウムの第２層を
堆積することによって形成することができる。この金属
化物は、次いで、通常のフォトリソグラフおよびエッチ
ング技術を用いて、ｎおよびＰ−チャネルIGFET Nおよ
びＰに対するソースＳ、ドレーンＤおよびゲートＧ電
極、バイポーラトランジスタＴに対するエミッタＥ、ベ
ースＢおよびコレクタＣ電極を形成するためにパターン
付けされる。別のドープされた多結晶質珪素層300（若
し使用された場合）の露出部分はこの場合電極E,B,C,S,
D,G等をマスクとして用いて通常の技術によって除去さ
れ、したがって余分なマスキング工程の必要が避けられ
る。次いで別の絶縁材料（図示せず）が堆積され、公知
の技術を用いて平面化され、所望の回路の形成を可能に
するために接点電極を次の第２の（および事によっては
更に別の）金属レベルによって相互接続させるための通
路が開けられる。
ステン合金の第１層と珪素含有アルミニウムの第２層を
堆積することによって形成することができる。この金属
化物は、次いで、通常のフォトリソグラフおよびエッチ
ング技術を用いて、ｎおよびＰ−チャネルIGFET Nおよ
びＰに対するソースＳ、ドレーンＤおよびゲートＧ電
極、バイポーラトランジスタＴに対するエミッタＥ、ベ
ースＢおよびコレクタＣ電極を形成するためにパターン
付けされる。別のドープされた多結晶質珪素層300（若
し使用された場合）の露出部分はこの場合電極E,B,C,S,
D,G等をマスクとして用いて通常の技術によって除去さ
れ、したがって余分なマスキング工程の必要が避けられ
る。次いで別の絶縁材料（図示せず）が堆積され、公知
の技術を用いて平面化され、所望の回路の形成を可能に
するために接点電極を次の第２の（および事によっては
更に別の）金属レベルによって相互接続させるための通
路が開けられる。
図面からわかるように、真性ベース及びエミッタ領域41
及び80はIGFET N及びＰを被覆する絶縁層50とガラス層5
1の開口部を通して形成されまた別のドープ層300（若し
設けられた場合）は全表面1aを覆うので、接点孔はすべ
て同じ深さでしたがって金属化による良好なカバレージ
を可能にすることにより電極の形成を容易にする。
及び80はIGFET N及びＰを被覆する絶縁層50とガラス層5
1の開口部を通して形成されまた別のドープ層300（若し
設けられた場合）は全表面1aを覆うので、接点孔はすべ
て同じ深さでしたがって金属化による良好なカバレージ
を可能にすることにより電極の形成を容易にする。
本発明の方法の使用は、真性ベース及びエミッタ領域を
形成する不純物を導入する窓が相補形IGFETの完成後迄
開けられないという事実のおかげで、２重多結晶質珪素
相バイポーラトランジスタを、CMOS集積回路の成形に使
用される通常の製造工程に追加した最小限の数の製造工
程で集積することを可能にする。更に、本発明はバイポ
ーラトランジスタの特性をCMOSデバイスと一層無関係に
最適化することを可能にする。
形成する不純物を導入する窓が相補形IGFETの完成後迄
開けられないという事実のおかげで、２重多結晶質珪素
相バイポーラトランジスタを、CMOS集積回路の成形に使
用される通常の製造工程に追加した最小限の数の製造工
程で集積することを可能にする。更に、本発明はバイポ
ーラトランジスタの特性をCMOSデバイスと一層無関係に
最適化することを可能にする。
前述した方法では、真性ベース領域41は絶縁領域71の形
成の前に打込まれて真性及び外部ベース領域41および40
間の良好な接触を容易にする。けれども、例えば「アイ
・イー・イー・イー・トランザクションズ・オン・エレ
クトロン・デバイセス（IEEE transactions on Electro
n Devices）」1988年８月Vol.35,No.8の1247−1255頁に
記載されているように、真性ベース領域41を形成するた
めに不純物を絶縁領域71の形成後に別のドープされた層
30に例えば先ずｐ導電形不純物を打込み後でｎ導電形不
純物を打込み、以て真性ベース領域41とエミッタ領域80
の両方を前記の別のドープされた層30より拡散すること
によって形成することも可能である。このような場合に
は、前記の刊行物に記載されているように、真性および
外部ベース領域41および40間の良好な接続を保証するた
めに絶縁領域71の形成に先立って所謂ベース結合打込み
を含むことが必要であろう。
成の前に打込まれて真性及び外部ベース領域41および40
間の良好な接触を容易にする。けれども、例えば「アイ
・イー・イー・イー・トランザクションズ・オン・エレ
クトロン・デバイセス（IEEE transactions on Electro
n Devices）」1988年８月Vol.35,No.8の1247−1255頁に
記載されているように、真性ベース領域41を形成するた
めに不純物を絶縁領域71の形成後に別のドープされた層
30に例えば先ずｐ導電形不純物を打込み後でｎ導電形不
純物を打込み、以て真性ベース領域41とエミッタ領域80
の両方を前記の別のドープされた層30より拡散すること
によって形成することも可能である。このような場合に
は、前記の刊行物に記載されているように、真性および
外部ベース領域41および40間の良好な接続を保証するた
めに絶縁領域71の形成に先立って所謂ベース結合打込み
を含むことが必要であろう。
更に、第１図乃至第４図に関して説明した前述の方法
は、前述したように第１の窓60が開けられてから真性ベ
ースおよびエミッタ領域を形成する他の方法と共に使用
することができ、バイポーラトランジスタと相補形IGFE
Tの両方を形成するこの製造工程は、真性ベース領域41
とエミッタ領域40に対する打込量、エネルギおよびドラ
イブイン時間を、これ等領域がIGFETの完成後にのみ形
成されるために、IGFETと無関係に制御することができ
るという利点を有する。
は、前述したように第１の窓60が開けられてから真性ベ
ースおよびエミッタ領域を形成する他の方法と共に使用
することができ、バイポーラトランジスタと相補形IGFE
Tの両方を形成するこの製造工程は、真性ベース領域41
とエミッタ領域40に対する打込量、エネルギおよびドラ
イブイン時間を、これ等領域がIGFETの完成後にのみ形
成されるために、IGFETと無関係に制御することができ
るという利点を有する。
前述した例では２重層30と300は多結晶質珪素を有する
が、他の材料を用いることもでき、例えば多結晶質珪素
の代りまたはこれと組合せて耐火性金属珪化物を用いる
ことも可能であろうことは勿論わかるであろう。更に、
非晶質珪素を多結晶質珪素の代りに用いることもでき
る。
が、他の材料を用いることもでき、例えば多結晶質珪素
の代りまたはこれと組合せて耐火性金属珪化物を用いる
ことも可能であろうことは勿論わかるであろう。更に、
非晶質珪素を多結晶質珪素の代りに用いることもでき
る。
本発明の方法は、前述の導電形が反対にされた場合およ
びpnpバイボーラトランジスタがnpnバイポーラトランジ
スタの代りにつくられる場合にも適用することができ
る。前述した方法はBiCMOSデバイスの製造のためのもの
であるが、本発明の方法は、一方の導電形IGFETのみ、
例えばバイポーラトランジスタがnpnトランジスタであ
るｐ導電形IGFETのみが形成される場合にも用いること
ができる。
びpnpバイボーラトランジスタがnpnバイポーラトランジ
スタの代りにつくられる場合にも適用することができ
る。前述した方法はBiCMOSデバイスの製造のためのもの
であるが、本発明の方法は、一方の導電形IGFETのみ、
例えばバイポーラトランジスタがnpnトランジスタであ
るｐ導電形IGFETのみが形成される場合にも用いること
ができる。
以上の開示から、既にここに述べた特徴の代りにまたは
これに代えて用いることのできる修正或いは変形は当業
者には明らかであろう。
これに代えて用いることのできる修正或いは変形は当業
者には明らかであろう。
第１図から第４図はバイポーラトランジスタと相補形IG
FETを有する半導体デバイスを製造する本発明の製造方
法の各工程における状態を示す半導体本体の断面図、 第５図から第７図はそれ以上の各製造工程における状態
を示す第１図乃至第４図の半導体本体の一部の拡大断面
図、 第８図は本発明の製造方法によりつくられた半導体デバ
イスの第１図乃至第４図と同様の断面図を示す。 １……半導体本体 ２……基板 ３……第１井戸領域 ６……フィールド酸化物 8,9……絶縁ゲート 10……第１デバイス領域 12……第２デバイス領域 14……第３デバイス領域 15……第２井戸領域 17,18……絶縁スペーサー 20……コレクタ領域 31……ドープされた層 33,34……導電性ゲート 40……外部ベース領域 41……真性ベース領域 50,51,55……絶縁層 60……第１の窓 61……第２の窓 80……エミッタ領域 90,93……ソース領域 91,94……ドレーン領域 101,102……マスキング層 Ｔ……バイポーラトランジスタ Ｐ……ｐ−チャネルIGFET Ｎ……Ｎ−チャネルIGFET
FETを有する半導体デバイスを製造する本発明の製造方
法の各工程における状態を示す半導体本体の断面図、 第５図から第７図はそれ以上の各製造工程における状態
を示す第１図乃至第４図の半導体本体の一部の拡大断面
図、 第８図は本発明の製造方法によりつくられた半導体デバ
イスの第１図乃至第４図と同様の断面図を示す。 １……半導体本体 ２……基板 ３……第１井戸領域 ６……フィールド酸化物 8,9……絶縁ゲート 10……第１デバイス領域 12……第２デバイス領域 14……第３デバイス領域 15……第２井戸領域 17,18……絶縁スペーサー 20……コレクタ領域 31……ドープされた層 33,34……導電性ゲート 40……外部ベース領域 41……真性ベース領域 50,51,55……絶縁層 60……第１の窓 61……第２の窓 80……エミッタ領域 90,93……ソース領域 91,94……ドレーン領域 101,102……マスキング層 Ｔ……バイポーラトランジスタ Ｐ……ｐ−チャネルIGFET Ｎ……Ｎ−チャネルIGFET
Claims (13)
- 【請求項１】１つの主表面に隣接して第１デバイス領域
に一方の導電形のコレクタ領域と第２デバイス領域に一
方の導電形の第１井戸領域を有する半導体本体を設け、
第２デバイス領域上に絶縁ゲートを形成し、第１井戸領
域内に反対導電形のソースおよびドレーン領域を形成す
るための不純物を導入し、外部ベース領域の形成のため
に第１デバイス領域上に反対導電形の不純物でドープさ
れた層を設け、ドープされた層を被覆するために絶縁層
を設け、第１デバイス領域の表面領域を露出するために
絶縁層とドープされた層とを通して開口部を形成し、反
対導電形の真性ベース領域と一方の導電形のエミッタ領
域を該真性ベース領域内に形成するために前記の開口部
を通して不純物を導入することにより成る、バイポーラ
トランジスタと絶縁ゲート電界効果トランジスタとを有
する半導体デバイスの製造方法において、ドープ可能層
を第１デバイス領域上に設け、次いで、絶縁層を設ける
前にソースおよびドレーン領域を形成するために反対導
電形の不純物を導入し、これにより反対導電形の不純物
でドープ可能層をドープすることによってドープされた
層を形成し、絶縁層が真性ベースおよびエミッタ領域を
形成するための不純物より第２デバイスをマスクするよ
うに第１および第２デバイス領域を被覆するために絶縁
層を設けることを特徴とする半導体デバイスの製造方
法。 - 【請求項２】１つの表面領域に隣接する第３デバイス領
域に反対導電形の第２井戸領域を設け、第２および第３
デバイス領域上に絶縁ゲートを形成し、絶縁層を設ける
前に第２井戸領域に一方の導電形のソースおよびドレー
ン領域を形成するために第１および第２領域をマスクし
て不純物を導入し、第３デバイス領域を真性ベースおよ
びエミッタ領域を形成するための不純物からマスクする
ように第３デバイス領域を被覆するために絶縁層を設け
ることによって相補形導電形の絶縁ゲート電界効果トラ
ンジスタを形成する請求項１記載の半導体デバイスの製
造方法。 - 【請求項３】絶縁層およびドープされた層を通って第１
の窓を形成することにより開口部を形成し、ドープ層の
縁に絶縁領域を設けて第２の小さな窓を形成し、この第
２の窓を経て、エミッタ領域を形成するための不純物を
導入する請求項１または２記載の半導体デバイスの製造
方法。 - 【請求項４】真性ベース領域を形成するために第１の窓
を経て不純物を導入する請求項３記載の半導体デバイス
の製造方法。 - 【請求項５】真性ベース領域を形成するための反対導電
形の不純物を導入する前に、第１の窓によって露出され
た表面領域とドープされた層の縁を被覆する比較的薄い
絶縁層を形成し、エミッタ領域を形成するための不純物
を導入する前に外部ベース領域を形成するために、ドー
プされた層内の不純物を半導体本体内に拡散させる請求
項４記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項６】絶縁層を、流動可能絶縁層の被覆を有する
酸化物層として設ける請求項１乃至５の何れか１項記載
の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項７】流動可能絶縁層をボロフォスフォシリケー
トガラスの層として設ける請求項６記載の半導体デバイ
スの製造方法。 - 【請求項８】流動可能絶縁層を酸化ふん囲気中で流動さ
せることにより比較的薄い酸化物層を形成する請求項６
または７記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項９】ドープ可能層をゲート絶縁層上にも設け、
絶縁ゲート電界効果トランジスタの導電性ゲート層を形
成するために、第１デバイス領域上のドープ可能層の部
分をマスクして、一方の導電形の不純物をこの層に導入
する請求項１乃至８の何れか１項記載の半導体デバイス
の製造方法。 - 【請求項１０】ドープ可能層を珪素層として設ける請求
項１乃至９の何れか１項記載の半導体デバイスの製造方
法。 - 【請求項１１】エミッタ領域を形成するための不純物を
該不純物の打込みによって導入し、次いでこの導入され
た不純物を半導体本体内に拡散させる請求項１乃至10の
何れか１項記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１２】エミッタ領域を形成するための不純物
を、一方の導電形の不純物でドープされた別のドープさ
れた層を設けることによって開口部内に導入し、次いで
この不純物を前記の開口部を経て別のドープされた層か
ら半導体本体内に拡散させる請求項１乃至11の何れか１
項記載の半導体デバイスの製造方法。 - 【請求項１３】別のドープされた層と絶縁層を通してト
ランジスタの電極のための接点孔を設け、電極を形成す
るために導電材料を堆積してパターン付けし、次いで電
極間に露出された別のドープされた層の部分を除去する
請求項12項記載の半導体デバイスの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8913904A GB2233492A (en) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | A method of manufacturing a semiconductor bimos device |
| GB8913904.2 | 1989-06-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0325969A JPH0325969A (ja) | 1991-02-04 |
| JPH0785494B2 true JPH0785494B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=10658575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2152874A Expired - Lifetime JPH0785494B2 (ja) | 1989-06-16 | 1990-06-13 | 半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4988633A (ja) |
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