JPH0563482A - マイクロエレクトロニツク周波数選択部品用密封デバイスパツケージ - Google Patents
マイクロエレクトロニツク周波数選択部品用密封デバイスパツケージInfo
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- JPH0563482A JPH0563482A JP4038588A JP3858892A JPH0563482A JP H0563482 A JPH0563482 A JP H0563482A JP 4038588 A JP4038588 A JP 4038588A JP 3858892 A JP3858892 A JP 3858892A JP H0563482 A JPH0563482 A JP H0563482A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/0585—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of an adhesive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/42—Piezoelectric device making
Abstract
(57)【要約】
【目的】 表面弾性波(SAW)デバイス等のマイクロ
エレクトロニック周波数選択部品用のパッケージに関
し、最終製品形状を小型化し、密封的に封止された環境
を提供し、容積をできる限り小さくし、さらに、自動組
立容易にして大量生産を効率的にする。 【構成】 周波数選択部品70用のパッケージ200の
ための方法及び装置であって、ベース10、熱可塑性ダ
イアタッチメント60、はんだ蓋アタッチメント260
もしくは低溶融温度ガラス蓋アタッチメント110を含
む。これらの技術はリードレスチップキャリア構造もし
くはシングル層セラミックベース構造に用いることがで
きる。本発明の一実施例に係わる表面弾性波デバイス7
0用のパッケージ200はデバイスを密封的に封止され
た環境で包囲し、得られた構造が最小容積の空間を占め
るようにするのに適する。パッケージ200は自動化回
路アセンブリを容易にし、周波数選択部品70を組込ん
だ製品を小型かつ低コストにできる。
エレクトロニック周波数選択部品用のパッケージに関
し、最終製品形状を小型化し、密封的に封止された環境
を提供し、容積をできる限り小さくし、さらに、自動組
立容易にして大量生産を効率的にする。 【構成】 周波数選択部品70用のパッケージ200の
ための方法及び装置であって、ベース10、熱可塑性ダ
イアタッチメント60、はんだ蓋アタッチメント260
もしくは低溶融温度ガラス蓋アタッチメント110を含
む。これらの技術はリードレスチップキャリア構造もし
くはシングル層セラミックベース構造に用いることがで
きる。本発明の一実施例に係わる表面弾性波デバイス7
0用のパッケージ200はデバイスを密封的に封止され
た環境で包囲し、得られた構造が最小容積の空間を占め
るようにするのに適する。パッケージ200は自動化回
路アセンブリを容易にし、周波数選択部品70を組込ん
だ製品を小型かつ低コストにできる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は表面弾性波または表面音
響波(SAW)デバイス等のマイクロエレクトロニック
周波数選択部品用のパッケージ、特に、パッケージ化さ
れた密封的に封止されたデバイスの大量組立てに適した
容器(ハウジング)に関する。
響波(SAW)デバイス等のマイクロエレクトロニック
周波数選択部品用のパッケージ、特に、パッケージ化さ
れた密封的に封止されたデバイスの大量組立てに適した
容器(ハウジング)に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在の
ところ、マイクロエレクトロニック周波数選択デバイス
に関する研究開発に多くの努力及び費用が費やされてい
る。このカテゴリに属するデバイスの例は薄膜バルク弾
性波共振器(FBAR)(参照:たとえば“SBAR
filter monolithically int
egrated with HBT amplifie
r”,D.Cushman et al., 1990
IEEE Ultrason.Symp.,Honol
ulu.HI,Dec.1990)及び表面弾性波デバ
イスである。このようなデバイスの多くはデバイスのあ
る部分の機械的作用から電気的性質を導びくのと同じく
らい、このような機械的作用に影響する事象はデバイス
の周波数選択特性に影響する。この種のデバイスを含む
回路は最小の空間でかなりコンパクトな周波数選択部品
を提供する傾向がある。しかしながら、パッケージ技術
を改良することによって達成される容積減少は他のデバ
イスパッケージ方法に比較して100倍程度にできる。
これらのデバイスは適当な密封パッケージもしくは容器
(hosing)内に封止して保護できなければ実用に
供し得ない。
ところ、マイクロエレクトロニック周波数選択デバイス
に関する研究開発に多くの努力及び費用が費やされてい
る。このカテゴリに属するデバイスの例は薄膜バルク弾
性波共振器(FBAR)(参照:たとえば“SBAR
filter monolithically int
egrated with HBT amplifie
r”,D.Cushman et al., 1990
IEEE Ultrason.Symp.,Honol
ulu.HI,Dec.1990)及び表面弾性波デバ
イスである。このようなデバイスの多くはデバイスのあ
る部分の機械的作用から電気的性質を導びくのと同じく
らい、このような機械的作用に影響する事象はデバイス
の周波数選択特性に影響する。この種のデバイスを含む
回路は最小の空間でかなりコンパクトな周波数選択部品
を提供する傾向がある。しかしながら、パッケージ技術
を改良することによって達成される容積減少は他のデバ
イスパッケージ方法に比較して100倍程度にできる。
これらのデバイスは適当な密封パッケージもしくは容器
(hosing)内に封止して保護できなければ実用に
供し得ない。
【0003】上述のデバイスチップの従来のパッケージ
は高価になり易く、また、封止されたデバイスより非常
に大型になり易い。従来のあるパッケージはそのパッケ
ージ内の小さい領域にダイを設けることができるが、こ
れらのパッケージ自身が過度の領域を必要とする。これ
はいくつかのそのようなパッケージがそのパッケージの
境界を超えて延在するリードを用いているからである。
これらのリードはしばしば基板表面上の導体に結合され
ていなければならず、従って、これらの導体から隣接す
るパッケージへ導かれていなければならない。このこと
は、従来のパッケージ間に十分な空間を維持して必要な
電気的かつ機械的な接続を確保しなければならないこと
を要求している。
は高価になり易く、また、封止されたデバイスより非常
に大型になり易い。従来のあるパッケージはそのパッケ
ージ内の小さい領域にダイを設けることができるが、こ
れらのパッケージ自身が過度の領域を必要とする。これ
はいくつかのそのようなパッケージがそのパッケージの
境界を超えて延在するリードを用いているからである。
これらのリードはしばしば基板表面上の導体に結合され
ていなければならず、従って、これらの導体から隣接す
るパッケージへ導かれていなければならない。このこと
は、従来のパッケージ間に十分な空間を維持して必要な
電気的かつ機械的な接続を確保しなければならないこと
を要求している。
【0004】熱硬化性重合体の使用による従来のダイボ
ンディングは重合体内に汚染物をトラップしたりもしく
は加熱中の重合体からの反応生成物のかなりのガス放出
(outgassing)を招いたりすることになる。
これらの汚染物が周波数選択部品表面に濃縮すると、機
械的振動の減衰を促進し、従って、所望の出力信号の大
きさを非常に減衰するので、上述の汚染物はデバイス性
能を大きく悪化させることになる。
ンディングは重合体内に汚染物をトラップしたりもしく
は加熱中の重合体からの反応生成物のかなりのガス放出
(outgassing)を招いたりすることになる。
これらの汚染物が周波数選択部品表面に濃縮すると、機
械的振動の減衰を促進し、従って、所望の出力信号の大
きさを非常に減衰するので、上述の汚染物はデバイス性
能を大きく悪化させることになる。
【0005】たとえば、樹脂は硬化中にこれらの質量の
かなりの部分をガス放出する。ジョン・ポプキンス大学
の研究者によってテストされた3つの主なブランドの接
着剤は硬化中にこれらの質量の9〜36%をガス放出す
る(Proc.IEEE Elec.Comp.Con
f.IEEE Catalogue No.89CH2
775−5,pp.301−308)。このようなかな
りのガス放出は欠如部(void)の形成を招き、ダイ
ボンドの強度を減少させ、また、周波数選択部品表面上
に重い有機化合物の再生成を招くことになる。
かなりの部分をガス放出する。ジョン・ポプキンス大学
の研究者によってテストされた3つの主なブランドの接
着剤は硬化中にこれらの質量の9〜36%をガス放出す
る(Proc.IEEE Elec.Comp.Con
f.IEEE Catalogue No.89CH2
775−5,pp.301−308)。このようなかな
りのガス放出は欠如部(void)の形成を招き、ダイ
ボンドの強度を減少させ、また、周波数選択部品表面上
に重い有機化合物の再生成を招くことになる。
【0006】上述の周波数選択部品の自動化加工配置及
び組立が達成される時に、別な問題が発生する。これは
リードが基板の適切に処理された穴に挿入されていると
きのリードの曲がりによるもので、部品の周辺回路への
信頼性のない接続を招くことになる。
び組立が達成される時に、別な問題が発生する。これは
リードが基板の適切に処理された穴に挿入されていると
きのリードの曲がりによるもので、部品の周辺回路への
信頼性のない接続を招くことになる。
【0007】さらに、周波数選択部品は信頼度よく動作
するために密封的封止された環境を必要とする。これは
TO−5,TO−8容器のような金属パッケージ及び個
々に抵抗もしくはシーム溶接されているデュアルインラ
インパッケージの使用に帰着する。表面波フィルタ、表
面スキミングバルク波フィルタ、シャロウバルク音響波
フィルタ等の多くのタイプの周波数選択デバイスに必要
される材料の圧電性のために、これらのデバイスは基板
のキュリー温度より上の温度にさらしてはいけない。上
述の溶接技術はダイを過度の熱にさらすことなく適切に
封止された密封パッケージを製造する。しかしながら、
これらの製造技術はバッチ処理に適さず、従って、大量
の消費者製品の製造に対して高コストを招くことにな
る。
するために密封的封止された環境を必要とする。これは
TO−5,TO−8容器のような金属パッケージ及び個
々に抵抗もしくはシーム溶接されているデュアルインラ
インパッケージの使用に帰着する。表面波フィルタ、表
面スキミングバルク波フィルタ、シャロウバルク音響波
フィルタ等の多くのタイプの周波数選択デバイスに必要
される材料の圧電性のために、これらのデバイスは基板
のキュリー温度より上の温度にさらしてはいけない。上
述の溶接技術はダイを過度の熱にさらすことなく適切に
封止された密封パッケージを製造する。しかしながら、
これらの製造技術はバッチ処理に適さず、従って、大量
の消費者製品の製造に対して高コストを招くことにな
る。
【0008】さらに、SAWダイは装着されたダイに応
力を発生させない装着技術及び材料を必要とする。この
応力は完成部品にランダムな位相歪み及び周波数応答歪
みを生じさせる。
力を発生させない装着技術及び材料を必要とする。この
応力は完成部品にランダムな位相歪み及び周波数応答歪
みを生じさせる。
【0009】従って、本発明の目的は、複数のパッケー
ジを並置可能にしてこれらパッケージ間の無駄な空間を
実質的になくすことによって最終製品形状を小型化する
周波数選択デバイス用パッケージを提供することにあ
る。
ジを並置可能にしてこれらパッケージ間の無駄な空間を
実質的になくすことによって最終製品形状を小型化する
周波数選択デバイス用パッケージを提供することにあ
る。
【0010】本発明のもう1つの目的は、密封的に封止
された環境を提供ししかもできる限り小さい容積を占め
る周波数選択デバイス用パッケージを提供することにあ
る。
された環境を提供ししかもできる限り小さい容積を占め
る周波数選択デバイス用パッケージを提供することにあ
る。
【0011】さらに本発明の他の目的は、自動回路組立
装置によって容易に取扱われて上述のデバイスを組込ん
だ製品の大量生産を効率的に行える低コストかつ製造容
易なパッケージを提供することにある。
装置によって容易に取扱われて上述のデバイスを組込ん
だ製品の大量生産を効率的に行える低コストかつ製造容
易なパッケージを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明は、周波数選択部品ダイつまり半導体回路
ダイのパッケージ方法を開示する。この周波数選択部品
ダイはパッケージベースに接着され、また、このパッケ
ージベースはその上に熱可塑性ダイアタッチメント材料
でもって配置された導体を有する。電気的相互接続は周
波数選択部品からパッケージベースの導体へ形成され、
蓋はパッケージベースを密封的に封止する。
めに、本発明は、周波数選択部品ダイつまり半導体回路
ダイのパッケージ方法を開示する。この周波数選択部品
ダイはパッケージベースに接着され、また、このパッケ
ージベースはその上に熱可塑性ダイアタッチメント材料
でもって配置された導体を有する。電気的相互接続は周
波数選択部品からパッケージベースの導体へ形成され、
蓋はパッケージベースを密封的に封止する。
【0013】
【作用】上述の手段によれば、複数のパッケージが並置
可能となり、また密封封止が可能となり、さらに、組立
容易となる。
可能となり、また密封封止が可能となり、さらに、組立
容易となる。
【0014】
【実施例】図1はパッケージベース10の底面図であっ
て、厚膜相互接続パッド20及びスルーめっきしたビア
(through−plated via)25を示
す。
て、厚膜相互接続パッド20及びスルーめっきしたビア
(through−plated via)25を示
す。
【0015】図2はパッケージベース10の上面図であ
って、該パッケージ10は厚膜導体30,35,40,
45,50,55を有する。導体30,35,40,4
5,50,55はスルーめっきしたビア25と接触し、
パッケージベース10の底面上の相互接続パッド20と
電気的接続をなす。
って、該パッケージ10は厚膜導体30,35,40,
45,50,55を有する。導体30,35,40,4
5,50,55はスルーめっきしたビア25と接触し、
パッケージベース10の底面上の相互接続パッド20と
電気的接続をなす。
【0016】図3はパッケージベース10の側面図を示
し、該パッケージベース10は熱可塑性ダイアタッチメ
ント材料60及びこの材料60に装着された周波数選択
部品たとえば表面弾性波(SAW)ダイ70を有する。
熱可塑性ダイアタッチメント接着剤60は特定の用途に
必要な溶融点に依存して幾つかの材料の内の任意のもの
を用いることができる。表1は熱可塑性ダイアタッチメ
ント材料60の例及びこれらの例の接着に必要な温度を
示す。 表1 熱可塑性材料の接着温度 材料 接着温度(℃) ポリエーテルエーテルケトン 360 (Polyetheretherketone) ポリスルホン 300−380 ポリエーテルスルホン 320−380 ポリエーテルイミド 340−380 ポリブチレンエテレフタレート 240 (Polybutlyeneterepthalate) ポリカーボネート 230−290
し、該パッケージベース10は熱可塑性ダイアタッチメ
ント材料60及びこの材料60に装着された周波数選択
部品たとえば表面弾性波(SAW)ダイ70を有する。
熱可塑性ダイアタッチメント接着剤60は特定の用途に
必要な溶融点に依存して幾つかの材料の内の任意のもの
を用いることができる。表1は熱可塑性ダイアタッチメ
ント材料60の例及びこれらの例の接着に必要な温度を
示す。 表1 熱可塑性材料の接着温度 材料 接着温度(℃) ポリエーテルエーテルケトン 360 (Polyetheretherketone) ポリスルホン 300−380 ポリエーテルスルホン 320−380 ポリエーテルイミド 340−380 ポリブチレンエテレフタレート 240 (Polybutlyeneterepthalate) ポリカーボネート 230−290
【0017】図4の(A)はSAWデバイスダイ70の
上面図であって、ボンドパッド領域72,74,76,
78,80,82を有する。これらのボンドパッド領域
72,74,76,78,80,82はワイヤボンド2
7(図4の(B))によって導体領域32,35,4
2,45,52,55(図2)の部分に相互接続されて
いる。ワイヤボンド27は、図4の(B)に示すごと
く、導体領域32,42,52の部分になされるが、S
AWダイ70の直下の熱可塑性ダイアタッチメント材料
60によって覆われておらず、また、図5の(A)に示
すように低溶融温度ガラス110が覆100をパッケー
ジベース101に装着する部分に位置しない部分になさ
れる。熱可塑性ダイアタッチメント材料60によって覆
われている導体領域32,42,52の部分はダイアタ
ッチメントパッドとして作用するが、ダイアタッチメン
トのためには必ずしもダイアタッチメントパッドは必要
ではない。
上面図であって、ボンドパッド領域72,74,76,
78,80,82を有する。これらのボンドパッド領域
72,74,76,78,80,82はワイヤボンド2
7(図4の(B))によって導体領域32,35,4
2,45,52,55(図2)の部分に相互接続されて
いる。ワイヤボンド27は、図4の(B)に示すごと
く、導体領域32,42,52の部分になされるが、S
AWダイ70の直下の熱可塑性ダイアタッチメント材料
60によって覆われておらず、また、図5の(A)に示
すように低溶融温度ガラス110が覆100をパッケー
ジベース101に装着する部分に位置しない部分になさ
れる。熱可塑性ダイアタッチメント材料60によって覆
われている導体領域32,42,52の部分はダイアタ
ッチメントパッドとして作用するが、ダイアタッチメン
トのためには必ずしもダイアタッチメントパッドは必要
ではない。
【0018】低溶融温度ガラス110の一例はPbOと
V2O5の混合物である。この混合物は360℃で2分
間加熱して蓋100でもってパッケージベース10に封
止する。
V2O5の混合物である。この混合物は360℃で2分
間加熱して蓋100でもってパッケージベース10に封
止する。
【0019】図5の(A)はセラミック蓋100の上面
図であって、図5の(B)に示すように中空にされた中
央領域105を有する。
図であって、図5の(B)に示すように中空にされた中
央領域105を有する。
【0020】図5の(B)は図5の(A)のセラミック
蓋100及び低溶融温度ガラス110のA−A線断面図
である。
蓋100及び低溶融温度ガラス110のA−A線断面図
である。
【0021】図6の(A)はパッケージ200の他の実
施例の平面図を示す。この実施例においては、パッケー
ジベース200は図6の(B)に示され、セラミック材
料層210よりなり、このセラミック材料層は溶融ガラ
ス220でセラミック材料層210を封止する金めっき
されたコバール(Kovar)リードフレーム240内
の金めっきされたコバールリード230を有する。パッ
ケージベース200内の金めっきされたコバールリード
230のガラスのない領域201は図4の(B)に示し
たSAWダイ70のボンディングパッド72,74,7
6,78,80,82からの相互接続線27のボンディ
ングのために用いられる。
施例の平面図を示す。この実施例においては、パッケー
ジベース200は図6の(B)に示され、セラミック材
料層210よりなり、このセラミック材料層は溶融ガラ
ス220でセラミック材料層210を封止する金めっき
されたコバール(Kovar)リードフレーム240内
の金めっきされたコバールリード230を有する。パッ
ケージベース200内の金めっきされたコバールリード
230のガラスのない領域201は図4の(B)に示し
たSAWダイ70のボンディングパッド72,74,7
6,78,80,82からの相互接続線27のボンディ
ングのために用いられる。
【0022】図6の(A)に示すように、SAWダイ7
0は熱可塑性ダイアタッチメント材料60によってダイ
ボンディングパッド250に装着され、SAWダイ70
への電気接続は図4の(B)にて図示説明したワイヤボ
ンド27によってなされる。ワイヤボンディング処理後
に、はんだプレフォーム(preform)260を上
部金属化リング240に上部に置く。蓋270をはんだ
プレフォーム260の上に置き、蓋を金属化リング24
0にはんだ付けし、これにより、パッケージベース20
0は蓋270で密封封止される。
0は熱可塑性ダイアタッチメント材料60によってダイ
ボンディングパッド250に装着され、SAWダイ70
への電気接続は図4の(B)にて図示説明したワイヤボ
ンド27によってなされる。ワイヤボンディング処理後
に、はんだプレフォーム(preform)260を上
部金属化リング240に上部に置く。蓋270をはんだ
プレフォーム260の上に置き、蓋を金属化リング24
0にはんだ付けし、これにより、パッケージベース20
0は蓋270で密封封止される。
【0023】本発明に従って装着されたSAWデバイス
からの測定されたSAW伝達周波数応答300の例は図
7に示される。図7におけるデータはデバイス応答30
0はSAWデバイスの設計に対応しており、本発明に係
わるパッケージ方法はSAWデバイス70の動作を阻止
しないことを示している。
からの測定されたSAW伝達周波数応答300の例は図
7に示される。図7におけるデータはデバイス応答30
0はSAWデバイスの設計に対応しており、本発明に係
わるパッケージ方法はSAWデバイス70の動作を阻止
しないことを示している。
【0024】本発明の一実施例に係わる回路表面弾性波
デバイス70もしくは半導体回路ダイのようなマイクエ
レクトロニックデバイス用パッケージ200はSAWデ
バイスを密封的に封止された環境に封止して得られる構
造200が最小の空間容積を占めるようにするのに適し
ている。パッケージ200は表面弾性波ダイ70用のダ
イパッド250を含むことができ、また、パッケージ2
00はSAWダイ70の上面をいずれもデバイスを故障
させる過度の圧縮状態もしくは引張状態にすることなく
SAWダイ70をパッケージベース210に固定させる
ための熱可塑性接着剤60を含む。熱可塑性ダイアタッ
チメント接着剤60はSAWデバイス70を従来可能な
温度より高い温度にさらすことができ、SAWダイ70
をダイアタッチメント接着剤60のガス放出からの汚染
より守る。つまり、これは蓋270をはんだ260によ
ってパッケージベース200に固定させ、SAWダイ7
0を外部環境から密封的に封止できるようにする。ベー
ス210、熱可塑性ダイアタッチメント接着剤60、蓋
270、蓋アタッチメントはんだ260は協働してSA
Wダイ70を封止保護するパッケージを提供する。
デバイス70もしくは半導体回路ダイのようなマイクエ
レクトロニックデバイス用パッケージ200はSAWデ
バイスを密封的に封止された環境に封止して得られる構
造200が最小の空間容積を占めるようにするのに適し
ている。パッケージ200は表面弾性波ダイ70用のダ
イパッド250を含むことができ、また、パッケージ2
00はSAWダイ70の上面をいずれもデバイスを故障
させる過度の圧縮状態もしくは引張状態にすることなく
SAWダイ70をパッケージベース210に固定させる
ための熱可塑性接着剤60を含む。熱可塑性ダイアタッ
チメント接着剤60はSAWデバイス70を従来可能な
温度より高い温度にさらすことができ、SAWダイ70
をダイアタッチメント接着剤60のガス放出からの汚染
より守る。つまり、これは蓋270をはんだ260によ
ってパッケージベース200に固定させ、SAWダイ7
0を外部環境から密封的に封止できるようにする。ベー
ス210、熱可塑性ダイアタッチメント接着剤60、蓋
270、蓋アタッチメントはんだ260は協働してSA
Wダイ70を封止保護するパッケージを提供する。
【0025】望ましいが必ずしもそうでなくてもよい本
発明に係わるパッケージング方法は次のステップを含
む。
発明に係わるパッケージング方法は次のステップを含
む。
【0026】周波数選択部品ダイ70からパッケージベ
ース導体30,35,40,45,50,55までの電
気的相互接続を形成するステップであって、周波数選択
部品ダイ70からパッケージベース導体30,35,4
0,45,50,55までワイヤボンディングするステ
ップを含むもの、もしくは蓋270でパッケージベース
10を密封的に封止するステップであって、蓋270を
パッケージベース10にはんだ付けして密封封止(he
rmetic seal)を形成するステップを含むも
の、もしくは蓋270をパッケージベース10にはんだ
付けするステップであって、金属蓋270をパッケージ
ベース10にはんだ付けするステップを含むもの、周波
数選択部品ダイ70を熱可塑性ダイアタッチメント材料
60上に置くステップであって、表面弾性波デバイス7
0を熱可塑性ダイアタッチメント材料60に置くステッ
プを含むもの、もしくは周波数選択部品ダイ70とパッ
ケージベース10との間に接着部を形成するステップで
あって、熱源をパッケージベース10、熱可塑性ダイア
タッチメント材料60、周波数選択部品ダイ70のアセ
ンブリから取除きこのアセンブリを冷却できるようにす
るステップを含むもの、もしくは低焼成温度ガラス(l
ow−firing−temperature gla
ss)110をパッケージベース10に付加するステッ
プ、蓋270を低焼成温度ガラス110上に置くステッ
プ、低焼成温度ガラス110、パッケージベース10、
蓋100を加熱して低焼成温度ガラス110を溶融させ
るステップ、および低焼成温度ガラス110、パッケー
ジベース10、蓋100を冷却して密封封止されたパッ
ケージの周波数選択部品ダイアセンブリを形成するステ
ップ、もしくは蓋100を低焼成温度ガラス110上に
置くステップであって、セラミック蓋100を低焼成温
度ガラス110上に置くステップを含むもの、もしくは
蓋100を低焼成温度ガラス110上に置くステップで
あって、ガラス蓋100を低焼成温度ガラス110上に
置くステップを含むもの、もしくはボンディングするス
テップであって、熱可塑性ダイアタッチメント材料60
をパッケージベース10上に置くステップ、パッケージ
ベース10及び熱可塑性ダイアタッチメント材料60を
ある温度まで加熱するステップ、周波数選択部品ダイ7
0を熱可塑性ダイアタッチメント材料60上に置くステ
ップ、およびパッケージベース10、熱可塑性ダイアタ
ッチメント材料60、および周波数選択部品ダイ70を
冷却するステップ、を含むもの、もしくは加熱ステップ
であって、熱可塑性ダイアタッチメント材料60の溶融
点を超える温度まで加熱するステップを含むもの、もし
くはマイクロエレクトロニック回路ダイ70を提供する
ステップであって、半導体回路ダイ70を提供するステ
ップを含むもの、もしくはマイクロエレクトロニック回
路ダイ70を提供するステップであって、周波数選択部
品ダイ70を提供するステップを含むもの。
ース導体30,35,40,45,50,55までの電
気的相互接続を形成するステップであって、周波数選択
部品ダイ70からパッケージベース導体30,35,4
0,45,50,55までワイヤボンディングするステ
ップを含むもの、もしくは蓋270でパッケージベース
10を密封的に封止するステップであって、蓋270を
パッケージベース10にはんだ付けして密封封止(he
rmetic seal)を形成するステップを含むも
の、もしくは蓋270をパッケージベース10にはんだ
付けするステップであって、金属蓋270をパッケージ
ベース10にはんだ付けするステップを含むもの、周波
数選択部品ダイ70を熱可塑性ダイアタッチメント材料
60上に置くステップであって、表面弾性波デバイス7
0を熱可塑性ダイアタッチメント材料60に置くステッ
プを含むもの、もしくは周波数選択部品ダイ70とパッ
ケージベース10との間に接着部を形成するステップで
あって、熱源をパッケージベース10、熱可塑性ダイア
タッチメント材料60、周波数選択部品ダイ70のアセ
ンブリから取除きこのアセンブリを冷却できるようにす
るステップを含むもの、もしくは低焼成温度ガラス(l
ow−firing−temperature gla
ss)110をパッケージベース10に付加するステッ
プ、蓋270を低焼成温度ガラス110上に置くステッ
プ、低焼成温度ガラス110、パッケージベース10、
蓋100を加熱して低焼成温度ガラス110を溶融させ
るステップ、および低焼成温度ガラス110、パッケー
ジベース10、蓋100を冷却して密封封止されたパッ
ケージの周波数選択部品ダイアセンブリを形成するステ
ップ、もしくは蓋100を低焼成温度ガラス110上に
置くステップであって、セラミック蓋100を低焼成温
度ガラス110上に置くステップを含むもの、もしくは
蓋100を低焼成温度ガラス110上に置くステップで
あって、ガラス蓋100を低焼成温度ガラス110上に
置くステップを含むもの、もしくはボンディングするス
テップであって、熱可塑性ダイアタッチメント材料60
をパッケージベース10上に置くステップ、パッケージ
ベース10及び熱可塑性ダイアタッチメント材料60を
ある温度まで加熱するステップ、周波数選択部品ダイ7
0を熱可塑性ダイアタッチメント材料60上に置くステ
ップ、およびパッケージベース10、熱可塑性ダイアタ
ッチメント材料60、および周波数選択部品ダイ70を
冷却するステップ、を含むもの、もしくは加熱ステップ
であって、熱可塑性ダイアタッチメント材料60の溶融
点を超える温度まで加熱するステップを含むもの、もし
くはマイクロエレクトロニック回路ダイ70を提供する
ステップであって、半導体回路ダイ70を提供するステ
ップを含むもの、もしくはマイクロエレクトロニック回
路ダイ70を提供するステップであって、周波数選択部
品ダイ70を提供するステップを含むもの。
【0027】望ましいが必ずしもそうでなくてもよい本
発明に係わる装置は次の手段を含む。周波数選択デバイ
ス手段70から導体手段まで電気的相互接続27を提供
するワイヤボンディング手段27、もしくはパッケージ
ベース手段10上に設けられたはんだ手段260、およ
びパッケージベース手段10上に設けられパッケージベ
ース手段10にはんだ付けされ、パッケージベース手段
10の密封封止を形成するキャップ手段270、もしく
は金属キャップ270を含むキャップ手段270、もし
くは表面弾性波デバイス70を含む周波数選択デバイス
手段70、もしくはパッケージベース手段10上に設け
られた低焼成温度ガラス手段110、およびパッケージ
ベース手段10上に設けられパッケージベース手段10
に対して溶融され、パッケージベース手段10への密封
封止を形成するキャップ手段100、もしくはセラミッ
クキャップ100を含むキャップ手段100、もしくは
ガラスキャップ100を含むキャップ手段100。
発明に係わる装置は次の手段を含む。周波数選択デバイ
ス手段70から導体手段まで電気的相互接続27を提供
するワイヤボンディング手段27、もしくはパッケージ
ベース手段10上に設けられたはんだ手段260、およ
びパッケージベース手段10上に設けられパッケージベ
ース手段10にはんだ付けされ、パッケージベース手段
10の密封封止を形成するキャップ手段270、もしく
は金属キャップ270を含むキャップ手段270、もし
くは表面弾性波デバイス70を含む周波数選択デバイス
手段70、もしくはパッケージベース手段10上に設け
られた低焼成温度ガラス手段110、およびパッケージ
ベース手段10上に設けられパッケージベース手段10
に対して溶融され、パッケージベース手段10への密封
封止を形成するキャップ手段100、もしくはセラミッ
クキャップ100を含むキャップ手段100、もしくは
ガラスキャップ100を含むキャップ手段100。
【0028】本発明を特定の実施例に関連して説明して
いるが、多くの変更、修正、変化が上述の説明に鑑みて
当業者にとって明らかである。従って、本発明は特許請
求の範囲において上述の変更、修正、変化を含むことを
意図している。
いるが、多くの変更、修正、変化が上述の説明に鑑みて
当業者にとって明らかである。従って、本発明は特許請
求の範囲において上述の変更、修正、変化を含むことを
意図している。
【0029】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数のパッケージを並置可能にしてこれらパッケージ間の
無駄な空間を実質的になくすことによって最終製品形状
を小型化でき、また、密封的に封止された環境を提供し
しかも容積ができる限り小さいパッケージを提供でき、
さらに、自動回路組立装置によって容易に取扱われて上
述のデバイスを組込んだ製品の大量生産を効率的に行え
る低コストかつ製造容易なパッケージを提供できる。
数のパッケージを並置可能にしてこれらパッケージ間の
無駄な空間を実質的になくすことによって最終製品形状
を小型化でき、また、密封的に封止された環境を提供し
しかも容積ができる限り小さいパッケージを提供でき、
さらに、自動回路組立装置によって容易に取扱われて上
述のデバイスを組込んだ製品の大量生産を効率的に行え
る低コストかつ製造容易なパッケージを提供できる。
【図1】本発明に係るパッケージベースの底面図であ
る。
る。
【図2】本発明に係るパッケージベースの上面図であ
る。
る。
【図3】SAWが装着された本発明に係るパッケージベ
ースの側面図である。
ースの側面図である。
【図4】表面弾性波デバイスを示し、(A)はその上面
図、(B)は本発明に係わるパッケージベースに装着さ
れたときの上面図である。
図、(B)は本発明に係わるパッケージベースに装着さ
れたときの上面図である。
【図5】本発明に係るパッケージ蓋を示し、(A)はそ
の底面図、(B)はその断面図である。
の底面図、(B)はその断面図である。
【図6】本発明に係るパッケージの他の実施例を示し、
(A)はその平面図、(B)はその断面図である。
(A)はその平面図、(B)はその断面図である。
【図7】本発明に従って装着されたSAWデバイスから
の測定されたSAWフィルタ伝達関数を示す図である。
の測定されたSAWフィルタ伝達関数を示す図である。
10 パッケージベース 20 厚膜相互接続パッド 25 ビアまたはバイア 27 ワイヤボンド 30,35,40,45,50,55 厚膜導体 32,42,52 導体領域 60 熱可塑性アタッチメント接着剤 70 表面弾性波(SAW)ダイ 72,74,76,78,80,82 ボンディングパ
ッド領域 100 蓋 110 低溶融温度ガラス 200 パッケージ 201 ガラスのない領域 210 セラミック材料層 220 溶融ガラス 230 リード 240 リードフレーム 260 はんだプレフォーム 270 蓋 300 SAW 伝達周波数応答
ッド領域 100 蓋 110 低溶融温度ガラス 200 パッケージ 201 ガラスのない領域 210 セラミック材料層 220 溶融ガラス 230 リード 240 リードフレーム 260 はんだプレフォーム 270 蓋 300 SAW 伝達周波数応答
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラツセル・テイ・フイオレンゾ アメリカ合衆国アリゾナ州 85257、スコ ツツデイル、イースト・ルーズベルト 7337
Claims (4)
- 【請求項1】 周波数選択部品ダイ(70)のパッケー
ジ方法であって、 パッケージベース(10)を形成し、 該パッケージベース(10)上に導体(30,35,4
0,45,50,55)を設け、 前記パッケージベース(10)上に熱可塑性ダイアタッ
チメント材料(60)を設け、 該熱可塑性ダイアタッチメント材料(60)上に前記周
波数選択部品ダイ(70)を載置し、 前記パッケージベース(10)、前記熱可塑性ダイアタ
ッチメント材料(60)及び前記周波数選択部品ダイ
(70)を、前記熱可塑性ダイアタッチメント材料(6
0)の溶融点を超える温度まで加熱し、 前記周波数選択部品ダイ(70)と前記パッケージベー
ス(10)との間に接着を形成し、 前記周波数選択部品ダイ(70)から前記導体(30,
35,40,45,50,55)へ電気的相互配線(2
7)を形成し、 前記パッケージベース(10)を蓋(100)で密封的
に封止する、 ステップを具備するパッケージ方法。 - 【請求項2】 上面を有するパッケージベース手段(1
0)と、 該上面上に設けられた導体手段(30,35,40,4
5,50,55)と、 前記パッケージベース手段(10)上に設けられ、該パ
ッケージベース手段に接着する熱可塑性ダイアタッチメ
ント手段(60)と、 該熱可塑性ダイアタッチメント手段(60)に接着さ
れ、周波数選択デバイス手段(70)であって、該周波
数選択デバイス手段上に配置された相互接続パッド手段
を含むものと、 該相互接続パッド手段に装着され、前記周波数選択デバ
イス手段(70)を前記導体手段(30,35,40,
45,50,55)に電気的に接続する電気的相互接続
手段(27)と、 前記パッケージベース手段(10)上に設けられ、前記
周波数選択部品(70)の密封的封止を提供する手段
と、 を組合せ含む周波数選択部品デバイスアセンブリ。 - 【請求項3】 周波数選択部品ダイ(70)のパッケー
ジ方法であって、 導体(30,35,40,45,50,55)を上に有
するパッケージベース(10)を形成し、 該熱可塑性ダイアタッチメント材料(60)によって前
記周波数選択部品ダイ(70)を前記パッケージベース
(10)に接着し、 前記周波数選択部品ダイ(70)から前記導体(30,
35,40,45,50,55)へ電気的相互配線を形
成し、 前記パッケージベース(10)を蓋(100)で密封的
に封止する、 ステップを具備するパッケージ方法。 - 【請求項4】 マイクロエレクトロニック回路ダイのパ
ッケージ方法であって、 マイクロエレクトロニック回路ダイ(70)を準備し、 導体(30,35,40,45,50,55)を上に有
するパッケージベース(10)を形成し、 前記マイクロエレクトロニック回路ダイを熱可塑性ダイ
アタッチメント材料(60)で前記パッケージベース
(10)に接着し、 前記マイクロエレクトロニック回路ダイから前記導体
(30,35,40,45,50,55)へ電気的相互
配線(27)を形成し、 前記パッケージベース(10)を蓋(100,270)
で密封的に封止する、 ステップを具備するパッケージ方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US65011791A | 1991-02-04 | 1991-02-04 | |
US650,117 | 1991-02-04 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0563482A true JPH0563482A (ja) | 1993-03-12 |
JP3222525B2 JP3222525B2 (ja) | 2001-10-29 |
Family
ID=24607534
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03858892A Expired - Fee Related JP3222525B2 (ja) | 1991-02-04 | 1992-01-29 | マイクロエレクトロニック周波数選択部品のパッケージ方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5303457A (ja) |
EP (1) | EP0498198B1 (ja) |
JP (1) | JP3222525B2 (ja) |
DE (1) | DE69206165T2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6140437A (en) * | 1995-12-28 | 2000-10-31 | Daikin Industries Ltd. | Fluorine-containing elastic copolymers, curable composition containing the same and sealant made therefrom |
JP2018509305A (ja) * | 2015-02-27 | 2018-04-05 | スナップトラック・インコーポレーテッド | 高集積密度を有するmems部品 |
WO2019230653A1 (ja) | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 国立大学法人東京工業大学 | ニトリルオキシド化合物 |
WO2020091034A1 (ja) | 2018-11-02 | 2020-05-07 | ダイキン工業株式会社 | フッ素ゴム組成物および成形品 |
WO2020251056A1 (ja) | 2019-06-14 | 2020-12-17 | ダイキン工業株式会社 | 電気化学デバイス用被圧縮部材 |
WO2021090713A1 (ja) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | ダイキン工業株式会社 | 積層体および押出成形品 |
WO2022059575A1 (ja) | 2020-09-18 | 2022-03-24 | ダイキン工業株式会社 | フッ素ゴム架橋用組成物および成形品 |
WO2022210042A1 (ja) | 2021-04-02 | 2022-10-06 | ダイキン工業株式会社 | フッ素ゴム架橋用組成物、成形品およびシール材 |
WO2022210040A1 (ja) | 2021-04-02 | 2022-10-06 | ダイキン工業株式会社 | フッ素ゴム架橋用組成物、成形品およびシール材 |
WO2022210041A1 (ja) | 2021-04-02 | 2022-10-06 | ダイキン工業株式会社 | フッ素ゴム架橋用組成物、成形品およびシール材 |
WO2022220018A1 (ja) | 2021-04-15 | 2022-10-20 | ダイキン工業株式会社 | フッ素ゴム架橋用組成物、成形品およびシール材 |
WO2022264837A1 (ja) | 2021-06-16 | 2022-12-22 | ダイキン工業株式会社 | フッ素ゴム架橋用組成物、成形品およびシール材 |
WO2022264838A1 (ja) | 2021-06-15 | 2022-12-22 | ダイキン工業株式会社 | フッ素ゴム架橋用組成物、成形品およびシール材 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5420472A (en) * | 1992-06-11 | 1995-05-30 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for thermal coefficient of expansion matched substrate attachment |
JP3306272B2 (ja) * | 1995-10-20 | 2002-07-24 | 富士通株式会社 | 弾性表面波装置 |
US6119920A (en) * | 1996-12-20 | 2000-09-19 | Rf Monolithics, Inc. | Method of forming an electronic package with a solder seal |
US5892417A (en) * | 1996-12-27 | 1999-04-06 | Motorola Inc. | Saw device package and method |
US6146743A (en) | 1997-02-21 | 2000-11-14 | Medtronic, Inc. | Barrier metallization in ceramic substrate for implantable medical devices |
US5855995A (en) * | 1997-02-21 | 1999-01-05 | Medtronic, Inc. | Ceramic substrate for implantable medical devices |
US6303992B1 (en) | 1999-07-06 | 2001-10-16 | Visteon Global Technologies, Inc. | Interposer for mounting semiconductor dice on substrates |
US6339276B1 (en) * | 1999-11-01 | 2002-01-15 | Agere Systems Guardian Corp. | Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion |
US6323744B1 (en) | 2000-02-04 | 2001-11-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Grounding of TFR ladder filters |
US7296329B1 (en) | 2000-02-04 | 2007-11-20 | Agere Systems Inc. | Method of isolation for acoustic resonator device |
US6377136B1 (en) | 2000-02-04 | 2002-04-23 | Agere Systems Guardian Corporation | Thin film resonator filter having at least one component with different resonant frequency sets or electrode capacitance |
US6437667B1 (en) | 2000-02-04 | 2002-08-20 | Agere Systems Guardian Corp. | Method of tuning thin film resonator filters by removing or adding piezoelectric material |
US6603241B1 (en) | 2000-05-23 | 2003-08-05 | Agere Systems, Inc. | Acoustic mirror materials for acoustic devices |
US6355498B1 (en) | 2000-08-11 | 2002-03-12 | Agere Systems Guartian Corp. | Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing |
US6486751B1 (en) | 2000-09-26 | 2002-11-26 | Agere Systems Inc. | Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure |
US6674291B1 (en) * | 2000-10-30 | 2004-01-06 | Agere Systems Guardian Corp. | Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom |
US6587212B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-07-01 | Agere Systems Inc. | Method and apparatus for studying vibrational modes of an electro-acoustic device |
US6743731B1 (en) * | 2000-11-17 | 2004-06-01 | Agere Systems Inc. | Method for making a radio frequency component and component produced thereby |
US6550664B2 (en) * | 2000-12-09 | 2003-04-22 | Agilent Technologies, Inc. | Mounting film bulk acoustic resonators in microwave packages using flip chip bonding technology |
US7651879B2 (en) * | 2005-12-07 | 2010-01-26 | Honeywell International Inc. | Surface acoustic wave pressure sensors |
JP5216290B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2013-06-19 | 日本電波工業株式会社 | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 |
US8395247B1 (en) * | 2009-06-29 | 2013-03-12 | Integrated Device Technology, Inc. | Method and apparatus for placing quartz SAW devices together with clock/oscillator |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55127098A (en) * | 1979-03-09 | 1980-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of mounting electronic part |
US4356047A (en) * | 1980-02-19 | 1982-10-26 | Consolidated Refining Co., Inc. | Method of making ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip |
US4592794A (en) * | 1981-09-01 | 1986-06-03 | Motorola, Inc. | Glass bonding method |
US4459166A (en) * | 1982-03-08 | 1984-07-10 | Johnson Matthey Inc. | Method of bonding an electronic device to a ceramic substrate |
US4550376A (en) * | 1983-02-14 | 1985-10-29 | Maciejczak Robert A | Inspection system for mechanical structures |
US4622433A (en) * | 1984-03-30 | 1986-11-11 | Diacon, Inc. | Ceramic package system using low temperature sealing glasses |
US4906311A (en) * | 1985-09-24 | 1990-03-06 | John Fluke Co., Inc. | Method of making a hermetically sealed electronic component |
-
1992
- 1992-01-20 EP EP92100829A patent/EP0498198B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-01-20 DE DE69206165T patent/DE69206165T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-01-29 JP JP03858892A patent/JP3222525B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-27 US US07/918,771 patent/US5303457A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6140437A (en) * | 1995-12-28 | 2000-10-31 | Daikin Industries Ltd. | Fluorine-containing elastic copolymers, curable composition containing the same and sealant made therefrom |
JP2018509305A (ja) * | 2015-02-27 | 2018-04-05 | スナップトラック・インコーポレーテッド | 高集積密度を有するmems部品 |
US10680159B2 (en) | 2015-02-27 | 2020-06-09 | Snaptrack, Inc. | MEMS component having a high integration density |
WO2019230653A1 (ja) | 2018-05-28 | 2019-12-05 | 国立大学法人東京工業大学 | ニトリルオキシド化合物 |
WO2020091034A1 (ja) | 2018-11-02 | 2020-05-07 | ダイキン工業株式会社 | フッ素ゴム組成物および成形品 |
WO2020251056A1 (ja) | 2019-06-14 | 2020-12-17 | ダイキン工業株式会社 | 電気化学デバイス用被圧縮部材 |
WO2021090713A1 (ja) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | ダイキン工業株式会社 | 積層体および押出成形品 |
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