JP3222525B2 - マイクロエレクトロニック周波数選択部品のパッケージ方法 - Google Patents

マイクロエレクトロニック周波数選択部品のパッケージ方法

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JP3222525B2
JP3222525B2 JP03858892A JP3858892A JP3222525B2 JP 3222525 B2 JP3222525 B2 JP 3222525B2 JP 03858892 A JP03858892 A JP 03858892A JP 3858892 A JP3858892 A JP 3858892A JP 3222525 B2 JP3222525 B2 JP 3222525B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表面弾性波または表面音
響波（ＳＡＷ）デバイス等のマイクロエレクトロニック
周波数選択部品用のパッケージ、特に、パッケージ化さ
れた密封的に封止されたデバイスの大量組立てに適した
容器（ハウジング）に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】現在の
ところ、マイクロエレクトロニック周波数選択デバイス
に関する研究開発に多くの努力及び費用が費やされてい
る。このカテゴリに属するデバイスの例は薄膜バルク弾
性波共振器（ＦＢＡＲ）（参照：たとえば“ＳＢＡＲ
ｆｉｌｔｅｒ ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃａｌｌｙ ｉｎｔ
ｅｇｒａｔｅｄ ｗｉｔｈ ＨＢＴ ａｍｐｌｉｆｉｅ
ｒ”，Ｄ．Ｃｕｓｈｍａｎ ｅｔ ａｌ．， １９９０
ＩＥＥＥ Ｕｌｔｒａｓｏｎ．Ｓｙｍｐ．，Ｈｏｎｏｌ
ｕｌｕ．ＨＩ，Ｄｅｃ．１９９０）及び表面弾性波デバ
イスである。このようなデバイスの多くはデバイスのあ
る部分の機械的作用から電気的性質を導びくのと同じく
らい、このような機械的作用に影響する事象はデバイス
の周波数選択特性に影響する。この種のデバイスを含む
回路は最小の空間でかなりコンパクトな周波数選択部品
を提供する傾向がある。しかしながら、パッケージ技術
を改良することによって達成される容積減少は他のデバ
イスパッケージ方法に比較して１００倍程度にできる。
これらのデバイスは適当な密封パッケージもしくは容器
（ｈｏｓｉｎｇ）内に封止して保護できなければ実用に
供し得ない。
【０００３】上述のデバイスチップの従来のパッケージ
は高価になり易く、また、封止されたデバイスより非常
に大型になり易い。従来のあるパッケージはそのパッケ
ージ内の小さい領域にダイを設けることができるが、こ
れらのパッケージ自身が過度の領域を必要とする。これ
はいくつかのそのようなパッケージがそのパッケージの
境界を超えて延在するリードを用いているからである。
これらのリードはしばしば基板表面上の導体に結合され
ていなければならず、従って、これらの導体から隣接す
るパッケージへ導かれていなければならない。このこと
は、従来のパッケージ間に十分な空間を維持して必要な
電気的かつ機械的な接続を確保しなければならないこと
を要求している。
【０００４】熱硬化性重合体の使用による従来のダイボ
ンディングは重合体内に汚染物をトラップしたりもしく
は加熱中の重合体からの反応生成物のかなりのガス放出
（ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）を招いたりすることになる。
これらの汚染物が周波数選択部品表面に濃縮すると、機
械的振動の減衰を促進し、従って、所望の出力信号の大
きさを非常に減衰するので、上述の汚染物はデバイス性
能を大きく悪化させることになる。
【０００５】たとえば、樹脂は硬化中にこれらの質量の
かなりの部分をガス放出する。ジョン・ポプキンス大学
の研究者によってテストされた３つの主なブランドの接
着剤は硬化中にこれらの質量の９〜３６％をガス放出す
る（Ｐｒｏｃ．ＩＥＥＥ Ｅｌｅｃ．Ｃｏｍｐ．Ｃｏｎ
ｆ．ＩＥＥＥ Ｃａｔａｌｏｇｕｅ Ｎｏ．８９ＣＨ２
７７５−５，ｐｐ．３０１−３０８）。このようなかな
りのガス放出は欠如部（ｖｏｉｄ）の形成を招き、ダイ
ボンドの強度を減少させ、また、周波数選択部品表面上
に重い有機化合物の再生成を招くことになる。
【０００６】上述の周波数選択部品の自動化加工配置及
び組立が達成される時に、別な問題が発生する。これは
リードが基板の適切に処理された穴に挿入されていると
きのリードの曲がりによるもので、部品の周辺回路への
信頼性のない接続を招くことになる。
【０００７】さらに、周波数選択部品は信頼度よく動作
するために密封的封止された環境を必要とする。これは
ＴＯ−５，ＴＯ−８容器のような金属パッケージ及び個
々に抵抗もしくはシーム溶接されているデュアルインラ
インパッケージの使用に帰着する。表面波フィルタ、表
面スキミングバルク波フィルタ、シャロウバルク音響波
フィルタ等の多くのタイプの周波数選択デバイスに必要
される材料の圧電性のために、これらのデバイスは基板
のキュリー温度より上の温度にさらしてはいけない。上
述の溶接技術はダイを過度の熱にさらすことなく適切に
封止された密封パッケージを製造する。しかしながら、
これらの製造技術はバッチ処理に適さず、従って、大量
の消費者製品の製造に対して高コストを招くことにな
る。
【０００８】さらに、ＳＡＷダイは装着されたダイに応
力を発生させない装着技術及び材料を必要とする。この
応力は完成部品にランダムな位相歪み及び周波数応答歪
みを生じさせる。
【０００９】従って、本発明の目的は、複数のパッケー
ジを並置可能にしてこれらパッケージ間の無駄な空間を
実質的になくすことによって最終製品形状を小型化する
周波数選択デバイス用パッケージを提供することにあ
る。
【００１０】本発明のもう１つの目的は、密封的に封止
された環境を提供ししかもできる限り小さい容積を占め
る周波数選択デバイス用パッケージを提供することにあ
る。
【００１１】さらに本発明の他の目的は、自動回路組立
装置によって容易に取扱われて上述のデバイスを組込ん
だ製品の大量生産を効率的に行える低コストかつ製造容
易なパッケージを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明は、周波数選択部品ダイつまり半導体回路
ダイのパッケージ方法を開示する。この周波数選択部品
ダイはパッケージベースに接着され、また、このパッケ
ージベースはその上に熱可塑性ダイアタッチメント材料
でもって配置された導体を有する。電気的相互接続は周
波数選択部品からパッケージベースの導体へ形成され、
蓋はパッケージベースを密封的に封止する。 また、上述
および他の課題を解決するために、圧電周波数選択部品
ダイのパッケージ方法であって、導体がその上に配置さ
れたパッケージベースを提供する段 階、圧電基板材料か
らなる表面音響波周波数選択部品ダイを提供する段階、
前記パッケージベースと前記ダイとの間に熱可塑性ダイ
アタッチメント材料を配置してアセンブリを形成する段
階であって、前記熱可塑性ダイアタッチメント材料はポ
リエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテ
ルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリブチレンテレフ
タレートおよびポリカーボネートからなるグループから
選択されるもの、前記アセンブリを前記熱可塑性ダイア
タッチメント材料の接合温度まで加熱する段階、前記熱
可塑性ダイアタッチメント材料により前記パッケージベ
ースと前記ダイとの間に接合を達成するため前記アセン
ブリを冷却する段階、前記周波数部品ダイから前記パッ
ケージベースへと電気的相互接続を形成する段階、そし
て前記パッケージベースに蓋を密封的に封止する段階、
を具備することを特徴とする圧電周波数選択部品ダイの
パッケージ方法が提供される。
【００１３】
【作用】上述の手段によれば、複数のパッケージが並置
可能となり、また密封封止が可能となり、さらに、組立
容易となる。
【００１４】
【実施例】図１はパッケージベース１０の底面図であっ
て、厚膜相互接続パッド２０及びスルーめっきしたビア
（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｐｌａｔｅｄ ｖｉａ）２５を示
す。
【００１５】図２はパッケージベース１０の上面図であ
って、該パッケージ１０は厚膜導体３０，３５，４０，
４５，５０，５５を有する。導体３０，３５，４０，４
５，５０，５５はスルーめっきしたビア２５と接触し、
パッケージベース１０の底面上の相互接続パッド２０と
電気的接続をなす。
【００１６】図３はパッケージベース１０の側面図を示
し、該パッケージベース１０は熱可塑性ダイアタッチメ
ント材料６０及びこの材料６０に装着された周波数選択
部品たとえば表面弾性波（ＳＡＷ）ダイ７０を有する。
熱可塑性ダイアタッチメント接着剤６０は特定の用途に
必要な溶融点に依存して幾つかの材料の内の任意のもの
を用いることができる。表１は熱可塑性ダイアタッチメ
ント材料６０の例及びこれらの例の接着に必要な温度を
示す。 表１ 熱可塑性材料の接着温度 材料 接着温度（℃） ポリエーテルエーテルケトン ３６０ （Ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｅｔｈｅｒｋｅｔｏｎｅ） ポリスルホン ３００−３８０ ポリエーテルスルホン ３２０−３８０ ポリエーテルイミド ３４０−３８０ ポリブチレンテレフタレート ２４０ （Ｐｏｌｙｂｕｔｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ） ポリカーボネート ２３０−２９０
【００１７】図４の（Ａ）はＳＡＷデバイスダイ７０の
上面図であって、ボンドパッド領域７２，７４，７６，
７８，８０，８２を有する。これらのボンドパッド領域
７２，７４，７６，７８，８０，８２はワイヤボンド２
７（図４の（Ｂ））によって導体領域３２，３５，４
２，４５，５２，５５（図２）の部分に相互接続されて
いる。ワイヤボンド２７は、図４の（Ｂ）に示すごと
く、導体領域３２，４２，５２の部分になされるが、Ｓ
ＡＷダイ７０の直下の熱可塑性ダイアタッチメント材料
６０によって覆われておらず、また、図５の（Ａ）に示
すように低溶融温度ガラス１１０が覆１００をパッケー
ジベース１０に装着する部分に位置しない部分になされ
る。熱可塑性ダイアタッチメント材料６０によって覆わ
れている導体領域３２，４２，５２の部分はダイアタッ
チメントパッドとして作用するが、ダイアタッチメント
のためには必ずしもダイアタッチメントパッドは必要で
はない。
【００１８】低溶融温度ガラス１１０の一例はＰｂＯと
Ｖ２Ｏ５の混合物である。この混合物は３６０℃で２分
間加熱して蓋１００でもってパッケージベース１０に封
止する。
【００１９】図５の（Ａ）はセラミック蓋１００の上面
図であって、図５の（Ｂ）に示すように中空にされた中
央領域１０５を有する。
【００２０】図５の（Ｂ）は図５の（Ａ）のセラミック
蓋１００及び低溶融温度ガラス１１０のＡ−Ａ線に沿っ
て切断した部分的断面図である。
【００２１】図６の（Ａ）はパッケージ２００の他の実
施例の平面図を示しかつ図６の（Ｂ）はその部分的断面
図である。この実施例においては、パッケージベース２
００は図６の（Ｂ）に示され、セラミック材料層２１０
よりなり、このセラミック材料層は溶融ガラス２２０で
セラミック材料層２１０を封止する金めっきされたコバ
ール（Ｋｏｖａｒ）リードフレーム２４０内の金めっき
されたコバールリード２３０を有する。パッケージベー
ス２００内の金めっきされたコバールリード２３０のガ
ラスのない領域２０１は図４の（Ｂ）に示したＳＡＷダ
イ７０のボンディングパッド７２，７４，７６，７８，
８０，８２からの相互接続線２７のボンディングのため
に用いられる。
【００２２】ＳＡＷダイ７０は熱可塑性ダイアタッチメ
ント材料６０によってダイボンディングパッド２５０に
装着され、ＳＡＷダイ７０への電気接続は図４の（Ｂ）
にて図示説明したワイヤボンド２７によってなされる。
ワイヤボンディング処理後に、はんだプレフォーム（ｐ
ｒｅｆｏｒｍ）２６０を上部金属化リング２４０に上部
に置く。蓋２７０をはんだプレフォーム２６０の上に置
き、蓋を金属化リング２４０にはんだ付けし、これによ
り、パッケージベース２００は蓋２７０で密封封止され
る。
【００２３】本発明に従って装着されたＳＡＷデバイス
からの測定されたＳＡＷ伝達周波数応答３００の例は図
７に示される。図７におけるデータはデバイス応答３０
０はＳＡＷデバイスの設計に対応しており、本発明に係
わるパッケージ方法はＳＡＷデバイス７０の動作を阻止
しないことを示している。
【００２４】本発明の一実施例に係わる回路表面弾性波
デバイス７０もしくは半導体回路ダイのようなマイクエ
レクトロニックデバイス用パッケージ２００はＳＡＷデ
バイスを密封的に封止された環境に封止して得られる構
造２００が最小の空間容積を占めるようにするのに適し
ている。パッケージ２００は表面弾性波ダイ７０用のダ
イパッド２５０を含むことができ、また、パッケージ２
００はＳＡＷダイ７０の上面をいずれもデバイスを故障
させる過度の圧縮状態もしくは引張状態にすることなく
ＳＡＷダイ７０をパッケージベース２１０に固定させる
ための熱可塑性接着剤６０を含む。熱可塑性ダイアタッ
チメント接着剤６０はＳＡＷデバイス７０を従来可能な
温度より高い温度にさらすことができ、ＳＡＷダイ７０
をダイアタッチメント接着剤６０のガス放出からの汚染
より守る。つまり、これは蓋２７０をはんだ２６０によ
ってパッケージベース２００に固定させ、ＳＡＷダイ７
０を外部環境から密封的に封止できるようにする。ベー
ス２１０、熱可塑性ダイアタッチメント接着剤６０、蓋
２７０、蓋アタッチメントはんだ２６０は協働してＳＡ
Ｗダイ７０を封止保護するパッケージを提供する。
【００２５】望ましいが必ずしもそうでなくてもよい本
発明に係わるパッケージング方法は次のステップを含
む。
【００２６】周波数選択部品ダイ７０からパッケージベ
ース導体３０，３５，４０，４５，５０，５５までの電
気的相互接続を形成するステップであって、周波数選択
部品ダイ７０からパッケージベース導体３０，３５，４
０，４５，５０，５５までワイヤボンディングするステ
ップを含むもの、もしくは蓋２７０でパッケージベース
１０を密封的に封止するステップであって、蓋２７０を
パッケージベース１０にはんだ付けして密封封止（ｈｅ
ｒｍｅｔｉｃ ｓｅａｌ）を形成するステップを含むも
の、もしくは蓋２７０をパッケージベース１０にはんだ
付けするステップであって、金属蓋２７０をパッケージ
ベース１０にはんだ付けするステップを含むもの、周波
数選択部品ダイ７０を熱可塑性ダイアタッチメント材料
６０上に置くステップであって、表面弾性波デバイス７
０を熱可塑性ダイアタッチメント材料６０に置くステッ
プを含むもの、もしくは周波数選択部品ダイ７０とパッ
ケージベース１０との間に接着部を形成するステップで
あって、熱源をパッケージベース１０、熱可塑性ダイア
タッチメント材料６０、周波数選択部品ダイ７０のアセ
ンブリから取除きこのアセンブリを冷却できるようにす
るステップを含むもの、もしくは低焼成温度ガラス（ｌ
ｏｗ−ｆｉｒｉｎｇ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｇｌａ
ｓｓ）１１０をパッケージベース１０に付加するステッ
プ、蓋２７０を低焼成温度ガラス１１０上に置くステッ
プ、低焼成温度ガラス１１０、パッケージベース１０、
蓋１００を加熱して低焼成温度ガラス１１０を溶融させ
るステップ、および低焼成温度ガラス１１０、パッケー
ジベース１０、蓋１００を冷却して密封封止されたパッ
ケージの周波数選択部品ダイアセンブリを形成するステ
ップ、もしくは蓋１００を低焼成温度ガラス１１０上に
置くステップであって、セラミック蓋１００を低焼成温
度ガラス１１０上に置くステップを含むもの、もしくは
蓋１００を低焼成温度ガラス１１０上に置くステップで
あって、ガラス蓋１００を低焼成温度ガラス１１０上に
置くステップを含むもの、もしくはボンディングするス
テップであって、熱可塑性ダイアタッチメント材料６０
をパッケージベース１０上に置くステップ、パッケージ
ベース１０及び熱可塑性ダイアタッチメント材料６０を
ある温度まで加熱するステップ、周波数選択部品ダイ７
０を熱可塑性ダイアタッチメント材料６０上に置くステ
ップ、およびパッケージベース１０、熱可塑性ダイアタ
ッチメント材料６０、および周波数選択部品ダイ７０を
冷却するステップ、を含むもの、もしくは加熱ステップ
であって、熱可塑性ダイアタッチメント材料６０の溶融
点を超える温度まで加熱するステップを含むもの、もし
くはマイクロエレクトロニック回路ダイ７０を提供する
ステップであって、半導体回路ダイ７０を提供するステ
ップを含むもの、もしくはマイクロエレクトロニック回
路ダイ７０を提供するステップであって、周波数選択部
品ダイ７０を提供するステップを含むもの。
【００２７】望ましいが必ずしもそうでなくてもよい本
発明に係わる装置は次の手段を含む。周波数選択デバイ
ス手段７０から導体手段まで電気的相互接続２７を提供
するワイヤボンディング手段２７、もしくはパッケージ
ベース手段１０上に設けられたはんだ手段２６０、およ
びパッケージベース手段１０上に設けられパッケージベ
ース手段１０にはんだ付けされ、パッケージベース手段
１０の密封封止を形成するキャップ手段２７０、もしく
は金属キャップ２７０を含むキャップ手段２７０、もし
くは表面弾性波デバイス７０を含む周波数選択デバイス
手段７０、もしくはパッケージベース手段１０上に設け
られた低焼成温度ガラス手段１１０、およびパッケージ
ベース手段１０上に設けられパッケージベース手段１０
に対して溶融され、パッケージベース手段１０への密封
封止を形成するキャップ手段１００、もしくはセラミッ
クキャップ１００を含むキャップ手段１００、もしくは
ガラスキャップ１００を含むキャップ手段１００。
【００２８】本発明を特定の実施例に関連して説明して
いるが、多くの変更、修正、変化が上述の説明に鑑みて
当業者にとって明らかである。従って、本発明は特許請
求の範囲において上述の変更、修正、変化を含むことを
意図している。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、複
数のパッケージを並置可能にしてこれらパッケージ間の
無駄な空間を実質的になくすことによって最終製品形状
を小型化でき、また、密封的に封止された環境を提供し
しかも容積ができる限り小さいパッケージを提供でき、
さらに、自動回路組立装置によって容易に取扱われて上
述のデバイスを組込んだ製品の大量生産を効率的に行え
る低コストかつ製造容易なパッケージを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るパッケージベースの底面図であ
る。
【図２】本発明に係るパッケージベースの上面図であ
る。
【図３】ＳＡＷが装着された本発明に係るパッケージベ
ースの側面図である。
【図４】表面弾性波デバイスを示し、（Ａ）はその上面
図、（Ｂ）は本発明に係わるパッケージベースに装着さ
れたときの上面図である。
【図５】本発明に係るパッケージ蓋を示し、（Ａ）はそ
の底面図、（Ｂ）はその部分的切断断面図である。
【図６】本発明に係るパッケージの他の実施例を示し、
（Ａ）はその平面図、（Ｂ）はその一部分の断面図であ
る。
【図７】本発明に従って装着されたＳＡＷデバイスから
の測定されたＳＡＷフィルタ伝達関数を示す図である。
【符号の説明】
１０ パッケージベース ２０ 厚膜相互接続パッド ２５ ビアまたはバイア ２７ ワイヤボンド ３０，３５，４０，４５，５０，５５ 厚膜導体 ３２，４２，５２ 導体領域 ６０ 熱可塑性アタッチメント接着剤 ７０ 表面弾性波（ＳＡＷ）ダイ ７２，７４，７６，７８，８０，８２ ボンディングパ
ッド領域 １００ 蓋 １１０ 低溶融温度ガラス ２００ パッケージ ２０１ ガラスのない領域 ２１０ セラミック材料層 ２２０ 溶融ガラス ２３０ リード ２４０ リードフレーム ２６０ はんだプレフォーム ２７０ 蓋 ３００ ＳＡＷ 伝達周波数応答
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラッセル・ティ・フィオレンゾ アメリカ合衆国アリゾナ州 85257、ス コッツデイル、イースト・ルーズベルト 7337 (56)参考文献 特開 平２−256251（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−222477（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−189490（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−201432（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−128933（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−104234（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−65519（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−47830（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H03H 3/00 - 3/10 H01L 23/02 - 23/10

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 圧電周波数選択部品ダイのパッケージ方
    法であって、 導体がその上に配置されたパッケージベースを提供する
    段階、 圧電基板材料からなる表面音響波周波数選択部品ダイを
    提供する段階、 前記パッケージベースと前記ダイとの間に熱可塑性ダイ
    アタッチメント材料を配置してアセンブリを形成する段
    階であって、前記熱可塑性ダイアタッチメント材料はポ
    リエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、ポリエーテ
    ルスルホン、ポリエーテルイミド、ポリブチレンテレフ
    タレートおよびポリカーボネートからなるグループから
    選択されるものであり、 前記アセンブリを前記熱可塑性ダイアタッチメント材料
    の接合温度まで加熱する段階、 前記熱可塑性ダイアタッチメント材料により前記パッケ
    ージベースと前記ダイとの間に接合を達成するため前記
    アセンブリを冷却する段階、 前記周波数部品ダイから前記パッケージベースヘと電気
    的相互接続を形成する段階、そして前記パッケージベー
    スに蓋を密封的に封止する段階を備え、前記封止する段階は、前記パッケージベースまたは蓋に
    低溶融温度ガラスを付与する段階、 前記パッケージベース上に前記蓋をそれらの間に前記ガ
    ラスを有して配置する段階、 前記低溶融温度ガラス、パッケージベース、熱可塑性ダ
    イアタッチメント材料および蓋を加熱して前記低溶融温
    度ガラスおよび熱可塑性ダイアタッチメント材料を溶融
    させる段階、そして前記低溶融温度ガラス、パッケージ
    ベース、熱可塑性ダイアタッチメント材料および蓋を冷
    却して前記熱可塑性ダイアタッチメント材料を再凝固し
    かつ密封的に封止されたパッケージ化周波数選択部品ダ
    イアセンブリを形成する段階、 を具備することを特徴とする周波数選択部品ダイのパッ
    ケージ方法。
  2. 【請求項２】 前記ガラスは前記熱可塑性ダイアタッチ
    メント材料と同じかより高い温度で溶融することを特徴
    とする請求項１に記載の周波数選択部品ダイのパッケー
    ジ方法。
  3. 【請求項３】 前記蓋がガラスまたはセラミックからな
    ることを特徴とする請求項１に記載の周波数選択部品ダ
    イのパッケージ方法。
JP03858892A 1991-02-04 1992-01-29 マイクロエレクトロニック周波数選択部品のパッケージ方法 Expired - Fee Related JP3222525B2 (ja)

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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5420472A (en) * 1992-06-11 1995-05-30 Motorola, Inc. Method and apparatus for thermal coefficient of expansion matched substrate attachment
JP3306272B2 (ja) * 1995-10-20 2002-07-24 富士通株式会社 弾性表面波装置
US6140437A (en) * 1995-12-28 2000-10-31 Daikin Industries Ltd. Fluorine-containing elastic copolymers, curable composition containing the same and sealant made therefrom
US6119920A (en) * 1996-12-20 2000-09-19 Rf Monolithics, Inc. Method of forming an electronic package with a solder seal
US5892417A (en) * 1996-12-27 1999-04-06 Motorola Inc. Saw device package and method
US5855995A (en) * 1997-02-21 1999-01-05 Medtronic, Inc. Ceramic substrate for implantable medical devices
US6146743A (en) * 1997-02-21 2000-11-14 Medtronic, Inc. Barrier metallization in ceramic substrate for implantable medical devices
US6303992B1 (en) 1999-07-06 2001-10-16 Visteon Global Technologies, Inc. Interposer for mounting semiconductor dice on substrates
US6339276B1 (en) * 1999-11-01 2002-01-15 Agere Systems Guardian Corp. Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion
US6437667B1 (en) 2000-02-04 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. Method of tuning thin film resonator filters by removing or adding piezoelectric material
US7296329B1 (en) 2000-02-04 2007-11-20 Agere Systems Inc. Method of isolation for acoustic resonator device
US6377136B1 (en) 2000-02-04 2002-04-23 Agere Systems Guardian Corporation Thin film resonator filter having at least one component with different resonant frequency sets or electrode capacitance
US6323744B1 (en) 2000-02-04 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Grounding of TFR ladder filters
US6603241B1 (en) 2000-05-23 2003-08-05 Agere Systems, Inc. Acoustic mirror materials for acoustic devices
US6355498B1 (en) 2000-08-11 2002-03-12 Agere Systems Guartian Corp. Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing
US6486751B1 (en) 2000-09-26 2002-11-26 Agere Systems Inc. Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure
US6674291B1 (en) * 2000-10-30 2004-01-06 Agere Systems Guardian Corp. Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom
US6587212B1 (en) 2000-10-31 2003-07-01 Agere Systems Inc. Method and apparatus for studying vibrational modes of an electro-acoustic device
US6743731B1 (en) 2000-11-17 2004-06-01 Agere Systems Inc. Method for making a radio frequency component and component produced thereby
US6550664B2 (en) * 2000-12-09 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. Mounting film bulk acoustic resonators in microwave packages using flip chip bonding technology
US7651879B2 (en) * 2005-12-07 2010-01-26 Honeywell International Inc. Surface acoustic wave pressure sensors
JP5216290B2 (ja) * 2007-09-27 2013-06-19 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
US8395247B1 (en) * 2009-06-29 2013-03-12 Integrated Device Technology, Inc. Method and apparatus for placing quartz SAW devices together with clock/oscillator
DE102015102869B4 (de) 2015-02-27 2017-05-11 Snaptrack, Inc. MEMS-Bauelement mit hoher Integrationsdichte und Verfahren zu seiner Herstellung
JP7113441B2 (ja) 2018-05-28 2022-08-05 国立大学法人東京工業大学 ニトリルオキシド化合物
US20210403622A1 (en) 2018-11-02 2021-12-30 Daikin Industries, Ltd. Fluororubber composition and molded article
WO2020251056A1 (ja) 2019-06-14 2020-12-17 ダイキン工業株式会社 電気化学デバイス用被圧縮部材
JP7032676B2 (ja) 2019-11-05 2022-03-09 ダイキン工業株式会社 積層体および押出成形品
JP7425375B2 (ja) 2020-09-18 2024-01-31 ダイキン工業株式会社 フッ素ゴム架橋用組成物および成形品
JPWO2022210040A1 (ja) 2021-04-02 2022-10-06
WO2022210044A1 (ja) 2021-04-02 2022-10-06 ダイキン工業株式会社 フッ素ゴム架橋用組成物および成形品
KR20230163540A (ko) 2021-04-02 2023-11-30 다이킨 고교 가부시키가이샤 불소 고무 가교용 조성물, 성형품 및 시일재
JPWO2022220018A1 (ja) 2021-04-15 2022-10-20
KR20240019815A (ko) 2021-06-15 2024-02-14 다이킨 고교 가부시키가이샤 불소 고무 가교용 조성물, 성형품 및 시일재
EP4357414A1 (en) 2021-06-16 2024-04-24 Daikin Industries, Ltd. Composition for fluorine rubber crosslinking, molded product, and sealing material
CN118139924A (zh) 2021-10-15 2024-06-04 大金工业株式会社 氟橡胶交联用组合物和成型品
WO2023100589A1 (ja) 2021-11-30 2023-06-08 ダイキン工業株式会社 フッ素ゴム架橋用組成物および成形品

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55127098A (en) * 1979-03-09 1980-10-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of mounting electronic part
US4356047A (en) * 1980-02-19 1982-10-26 Consolidated Refining Co., Inc. Method of making ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip
US4592794A (en) * 1981-09-01 1986-06-03 Motorola, Inc. Glass bonding method
US4459166A (en) * 1982-03-08 1984-07-10 Johnson Matthey Inc. Method of bonding an electronic device to a ceramic substrate
US4550376A (en) * 1983-02-14 1985-10-29 Maciejczak Robert A Inspection system for mechanical structures
US4622433A (en) * 1984-03-30 1986-11-11 Diacon, Inc. Ceramic package system using low temperature sealing glasses
US4906311A (en) * 1985-09-24 1990-03-06 John Fluke Co., Inc. Method of making a hermetically sealed electronic component

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Publication number Publication date
JPH0563482A (ja) 1993-03-12
DE69206165D1 (de) 1996-01-04
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EP0498198B1 (en) 1995-11-22
EP0498198A1 (en) 1992-08-12
US5303457A (en) 1994-04-19

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