DE69206165T2 - Hermetische Verpackung für frequenzselektive Mikroelektronikteile. - Google Patents

Hermetische Verpackung für frequenzselektive Mikroelektronikteile.

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Description

    Hintergrund der Erfindung
  • Diese Erfindung bezieht sich auf Verpackungen bzw. Packages für frequenzselektive Mikroelektronikkomponenten, wie beispielsweise Oberflächenschallwellen-(SAW)-Vorrichtungen, und insbesondere auf Gehäuse, die für eine Massenfertigung verpackter, hermetisch gedichteter Vorrichtungen geeignet sind.
  • Derzeit werden ein starkes Bemühen und erhebliche Kosten für Forschung und Entwicklung aufgewandt, die sich auf mikroelektronische Frequenzauswahlvorrichtungen beziehen. Beispiele von Vorrichtungen, die in diese Kategorie fallen, sind Filmmaterial-Schallwellenresonatoren (Film Bulk Acoustic Wave Resonators - FBAR's) (siehe zum Beispiel "SBAR Filter Monolithically Integrated With HBT Amplifier" von D. Cushmann et al, vorgestellt auf dem 1990 IEEE Ultrason. Symp., Honolulu, HI, Dez. 1990) und Oberflächenschallwellen-Vorrichtungen. Insoweit als viele solcher Vorrichtungen deren elektrische Eigenschaften aus einer mechanischen Bewegung eines bestimmten Bereichs der Vorrichtungen ableiten, können Vorfälle, die diese Bewegung beeinflussen, wiederum die Frequenzauswahlcharakteristika solcher Vorrichtungen beeinflussen. Schaltkreise, die diesen Typ einer Vorrichtung umfassen, tendieren dazu, ziemlich kompakte Frequenzauswahlkomponenten zu liefern, während sie einen minimalen Raum einnehmen. Allerdings kann die Volumenreduktion, die durch verbesserte Verpackungs- bzw. Packagetechniken erreicht wird, bis zu 100:1 verglichen mit anderen Vorrichtungspackungsmethoden betragen. Diese Vorrichtungen sind nicht für praktische Anwendungen nutzbar, ohne daß sie durch geeignete, hermetische Verpackungen oder Gehäuse umschlossen und geschützt werden.
  • Verpackungen für solche Vorrichtungs-Chips nach dem Stand der Technik tendieren dazu, daß sie teuer sind, und sie tendieren dazu, daß sie viel größer als die Vorrichtung sind, die darin eingeschlossen ist. Während einige Verpackungen nach dem Stand der Technik eine Befestigung eines Bauteils bzw. Chips innerhalb der Verpackung in einem kleinen Flächenbereich ermöglichen, erfordern die Verpackungen selbst übermäßige Mengen an Raum. Dies kommt daher, daß manche solcher Verpackungen Leiter verwenden, die sich über die Grenzen der Verpackung hinaus erstrecken. Diese Leiter müssen oftmals nach unten zu Leitern auf einer Substratoberfläche stramm gezogen werden und dann von den Leitern auf dem Substrat zu einer benachbarten Verpackung bzw. Package gebracht werden. Dies erfordert, daß ausreichend Raum zwischen den Verpackungen nach dem Stand der Technik beibehalten wird, um die erforderlichen elektrischen und mechanischen Verbindungen zu erleichtern.
  • Ein Bauteilverbinden nach dem Stand der Technik unter Verwendung von thermisch härtenden Polymeren kann zum Einschluß von Kontaminierungsbestandteilen in dem Polymer oder zu einer wesentlichen Ausgasung von Reaktionsprodukten aus dem Polymer beim Erwärmen führen. Diese Kontaminierungsbestandteile führen zu einer stark beeinträchtigten Vorrichtungsfunktion, wenn sie auf der Oberfläche der Frequenzauswahlkomponenten niedergeschlagen werden, und zwar durch Fördern einer Dämpfung der mechanischen Vibrationen und dadurch durch starkes Herabsetzen der Größe der erwünschten Ausgangssignale.
  • Zum Beispiel gasen Epoxidharze große Anteile deren Masse während einem Härten aus. Drei führende Markenklebemittel, die von Wissenschaftlern der John Hopkins Universität getestet wurden (Proc. IEEE Elec. Comp. Conf., IEEE Catalogue No. 89CH2775-5, Selten 301-308> , gasten 9 bis 36% deren Masse während des Härtens aus. Solches signifikantes Ausgasen kann zu einer Lehrstellenbildung führen, was die Festigkeit der Bauteilverbindung herabsetzt, und kann auch zu einer Wiederniederschlagung schwererer, organischer Chemikalien auf der Oberfläche der Frequenzauswahlkomponenten führen.
  • Ein zusätzliches Problem tritt dann auf, wenn eine automatisierte Maschinenplazierung und ein Zusammenbau solcher Komponenten versucht wird. Dies folgt daher, daß eine Biegung der Leiter während des Einsetzens in die geeignet behandelten Löcher in dem Substrat auftritt, was zu unzuverlässigen Verbindungen des Teils an dem umgebenden Schaltkreis führt.
  • Weiterhin erfordern Frequenzauswahlkomponenten hermetisch abgedichtete Umgebungen, um zuverlässig zu arbeiten. Dies hat zu der Verwendung von metallischen Packages, wie beispielsweise TO-5 und TO-8 Gehäusen, und verschiedener Typen von Dual-in-line-Gehäusen bzw. Steckgehäusen geführt, die einzeln widerstands- oder rollnahtgeschweißt werden. Aufgrund der piezoelektrischen Natur der Materialien, die für viele Typen von Frequenzauswahlvorrichtungen erforderlich sind, wie beispielsweise Oberflächenwellenfilter, Oberflächenskimmingbulkfilter, flache Bulkschallwellenfilter, und dergleichen, müssen diese Vorrichtungen nicht Temperaturen oberhalb der Substrat-Curie-Temperatur ausgesetzt werden. Solche Schweißtechniken produzieren adäquat gedichtete, hermetische Verpackungen bzw. Packages ohne das Aussetzen des Bauteus einer übermäßigen Wärme. Allerdings sind diese Herstelltechniken nicht gut für eine Chargenverarbeitung geeignet, was zu hohen Kosten führt, die für eine Verbraucherproduktherstellung mit hohem Volumen hinderlich sind.
  • Weiterhin erfordert ein SAW-Bauteil Befestigungstechniken und Materialien, die nicht zu Beanspruchungen in dem befestigten Bauteil führen. Solche Beanspruchungen verursachen eine zufällige Phasenverzerrung und Frequenzansprechverzerrung in dem fertiggestellten Teil.
  • Die Japanischen Patent Abstracts Vol. 011, No. 244 (E-530) & JP-A-62 054 931 offenbaren die Verwendung eines thermoplastischen Kunstharzes, zum Beispiel acrylisch oder ein Polyolefin, das mit Metall, wie beispielsweise Silber, gemischt wird, um eine Leitfähigkeit des Kunstharzes zu erzielen, und zwar als ein Bautellverbindungsmaterial für Halbleiterelemente auf einem Substrat eines integrierten Hybrld-Schaltkrelses.
  • Die Japanischen Patent Abstracts Vol. 01, No. 352 (E-458) & JP-A-61 152 112 offenbaren eine hermetische Dichtung der Verbindung eines akustischen Oberflächenwellenelemententeils, das ein hermetisch gedichtetes, kastenförmiges Gehäuse und eine Kunststoffkappe aufweist. Der elastische Wellenchip wird mit einem Klebemittel auf einem Isollerenden Kunststoffsubstrat befestigt, das mit I/O- und Erdungsleitern ausgestattet ist. Eine Kunststoffkappe wird auf das Substrat aufgesetzt und die Verbindung dazwischen wird mit einem Klebemittel gedichtet, um so eine ausreichend feuchtigkeitsdichte Umhüllung zu schaffen, und die Enden der Leiter werden entlang der Seiten der Kappe gefaltet. Das Dichtungsmaterial wird auf die Außenseite der Substrat-Kappen-Verbindung aufgebracht.
  • Das US-Patent 4,622,433 beschreibt ein keramisches Packagesystem, das eine Kombination von glasigen und entglasenden Niedertemperatur-Dichtglasen verwendet, um einen Leiterrahmen an einem keramischen Substrat zu befestigen und um einen Deckel an dem kombinierten Leiterrahmen und Substrat zu befestigen, nachdem ein Halbleiterbautell an einer Verbindungsfläche bzw. einem Pad auf dem Substrat angebondet worden ist.
  • Die Japanischen Patent Abstracts Vol. 015, No. 054 (E-1031) & JP-A-02 283 112 beschreiben ein Oberflächenschallwellenelement, das auf einem dielektrischen Einzelschicht-Substrat befestigt und durch eine Metallkappe umschlossen ist, das an einem anorganischen Leiterfilm nahe dem Umfang des Substrats angelötet ist, um eine hermetische Umhüllung für das Oberflächenschallwellenelement zu schaffen. Die Metallkappe wird mit einem der Erdungsleiter der fertiggestellten Vorrichtung verbunden, um eine elektrische Abschirmung zu bilden.
    • Zusammenfassung der Erfindung
  • Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Befestigung und zum Einkapseln einer frequenzselektiven Bauteilkomponenten geschaffen, das ein thermoplastisches Material zur Befestigung des Bauteils an einer Basis und ein Dichtungsmaterial zum hermetischen Befestigen eines Deckels an der Basis verwendet, wobei das thermoplastische Material zwischen dem Bauteil und der Basis angeordnet wird und die Bauteil-Basis-Kombination erwärmt wird, um eine Verbindung dazwischen zu bewirken, und wobei ein Deckel auf der Basis angeordnet wird, wobei das Dichtungsmaterial zwischen dem Deckel und der Basis angeordnet wird und die Bauteil-Basis-Deckel-Kombiniation erwärmt wird, um hermetisch den Deckel an der Basis zu dichten, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß während des ersten Aufwärmschritts ein thermoplastisches Material verwendet wird, das eine minimale Verbindungstemperatur T&sub1; bei oder oberhalb derjenigen besitzt, die sie erweicht und verbindet, und Erwärmen der Bauteil-Basis-Kombination auf mindestens T&sub1;, und, während des zweiten Aufwärmschritts, Verwendung eines Dichtungsmaterials, das eine Dichttemperatur T&sub2;≥T&sub1; besitzt, und Erwärmen der Bauteiln-Basis-Deckel-Kombination auf mindestens T&sub2;.
  • Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Frequenzauswahlanordnung geschaffen, die ein frequenzselektives Bauteilkomponent, eine Basis zum Tragen des Bauteils, einen Deckel, ein thermoplastisches Material zur Verbindung des Bauteils an der Basis und ein Dichtungsmaterial zum hermetischen Abdichten des Deckels an der Basis aufweist, gekennzeichnet dadurch, daß das thermoplastische Material eine charakteristische Temperatur T&sub1; besitzt, bei der oder oberhalb der es plastisch wird und sich verbindet, und das Dichtungsmaterial eine charakteristische Temperatur T&sub2; besitzt, bei der oder oberhalb der es sich erweicht und dichtet, wobei T&sub2; gleich oder größer als T&sub1; ist, so daß das thermoplastische Material während der Deckeldichtung plastisch ist.
  • Demgemäß ist ein Vorteil der vorliegenden Erfindung derjenige, Verpackungen bzw. Packages für Frequenzauswahlvorrichtungen zu schaffen, die kompakte Endprodukt-Konfigurationen ermöglichen, was erlaubt, daß die Packages Seite an Seite mit im wesentlichen. keinem verschwendeten Raum dazwischen befestigt werden können.
  • Ein anderer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist, Packages für Frequenzauswahlvorrichtungen zu schaffen, die eine hermetisch gedichtete Umgebung schaffen und dennoch so wenig Volumen wie möglich besetzen.
  • Ein noch weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung ist derjenige, preiswerte, einfach hergestellte Packages für SAW's zu schaffen, die einfach durch automatische Schaltkreis-Montagegeräte gehandhabt werden können, um eine effiziente Massenproduktion der Produkte, die solche Vorrichtungen einsetzen, zu ermöglichen.
  • Diese Erfindung offenbart ein Verfahren zum Verpacken bzw. zum Einkapseln von Frequenzauswahlkomponentenbauteilen- oder Halbleiterschaltkreisbauteilen. Die Frequenzauswahlkbauteilomponenten-Bautelle werden auf einer Packagebasis, die Leiter besitzt, die darauf angeordnet sind, mit thermoplastischem Bauteilbefestigungsmaterial verbunden bzw. angebondet. Elektrische Zwischenverbindungen werden von der Frequenzauswahlkomponenten zu den Packagebasisleitern hin gebildet und ein Deckel wird hermetisch an der Verpackungsbasis gedichtet.
  • Das thermoplastische Material umfaßt vorzugsweise Polyetheretherketon, Polysulfon, Polyethersulfon, Polyetherimid, Polybutyleneterephtalat oder Polycarbonat.
    • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Fig. 1 zeigt eine Draufsicht auf die Bodenoberfläche der Verpackungs- bzw. Packagebasis gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf die Oberseitenoberfläche der Verpackungsbasis gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 3 zeigt eine Seitenansicht der Verpackungsbasis mit einer SAW, die auf der Verpackungsbasis befestigt ist, gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 4A zeigt eine Oberseitenansicht der Oberflächenwellenvorrichtung.
  • Fig. 4B zeigt eine Oberseitenansicht einer Oberflächenwellenvorrichtung, die auf einer Verpackungsbasis befestigt ist, gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 5A zeigt eine Bodenansicht des Verpackungsdeckels gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 5B zeigt eine Querschnittsansicht eines Verpackungsdeckels gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 6A zeigt eine Draufsicht einer alternativen Verpackungsausführungs form gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 6B zeigt eine Querschnittsansicht der alternativen Verpackungsausführungsform gemäß der vorliegenden Erfindung.
  • Fig. 7 zeigt ein Diagramm einer gemessenen SAW-Filter-Übertragungs funktion von einer SAW-Vorrichtung, die gemäß der vorliegenden Erfindung befestigt ist.
    • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
  • Fig. 1 stellt eine Bodenansicht der Verpackungs- bzw. Packagebasis 10 dar, die Dickfilm-Zwischenverbindungsfelder 20 und durchplattierte Durchgangswege 25 zeigt.
  • Fig. 2 stellt eine Draufsicht auf die Verpackungsbasis 10 mit Dickfilmleitern 30, 35, 40, 45, 50 und 55 dar. Die Leiter 30, 35, 40, 45, 50 und 55 stellen einen kontakt mit den durchplattierten Durchgangswegen 25 her, um eine elektrische Verbindung mit den Zwischenverbindungsflächen 20 auf der unteren Oberfläche der Verpackungsbasis 10 zu bewirken.
  • Fig. 3 stellt eine Seitenansicht der Verpackungsbasis 10 mit einem thermoplastischen Wüfel- bzw. Chipbefestigungsmaterial 60 und einem Frequenzauswahlkomponentenwüfel bzw. -bauteil, zum Beispiel ein Oberflächenwellen-(SAW)-Bauteil 70, das daran befestigt ist, dar. Das thermoplastische Bauteilbefestigungsklebemittel 60 kann irgendeines von verschiedenen Materialien sein, und zwar in Abhängigkeit von dem Schmelzpunkt, der für eine bestimmte Anwendung erwünscht ist. Tabelle 1 gibt verschiedene, erläuternde Beispiele thermoplastischer Bautellbefestigungsmaterialien 60 zusammen mit den Temperaturen an, die zum Bilden von Verbindungen bei diesen Beispielen benötigt werden. TABELLE 1 VERBINDUNGSTEMPERATUREN FÜR VERSCHIEDENE THERMOPLASTISCHE MATERIALIEN MATERIAL VERBINDUNGSTEMPERATUR (ºC) Polyetheretherketon Polysulfon Polyethersulfon Polyetherimid Polybutylenetherephtalat Polycarbonat
  • Die Fig. 4A stellt eine Draufsicht auf ein SAW-Vorrichtungsbauteil 70 mit Verbindungsflächen-Flächenbereichen 72, 74, 76, 78, 80 und 82, die gezeigt sind, dar. Diese Verbindungsflächen-Flächenbereiche 72, 74, 76, 78, 80 und 82 sind mittels Bonddrähten 27 an Abschnitten von Leiterbereichen 32, 35, 42, 45, 52 und 55 jeweils der Fig. 2 und 4B zwischenverbunden. Die Bonddrähte 27 sind zu solchen Abschnitten der Leiterbereiche hin 32, 42 und 52 hergestellt, wie dies in Fig. 4B dargestellt ist, die nicht durch das thermoplastische Bauteilbefestigungsmaterial 60 unterhalb der SAW-Bauteil 70 abgedeckt sind und die auch nicht dort vorhanden sind, wo das Glas 110 mit niedriger Schmelztemperatur den Deckel 100 an der Verpackungsbasis 10 befestigt, wie dies in Fig. 5A dargestellt ist. Die Abschnitte der Leiterbereiche 32, 42 und 52, die durch thermoplastisches Bauteilbefestigungsmaterial 60 abgedeckt sind, dienen als Bauteilbefestigungsflächen, allerdings dienen die Befestigungsflächen nicht notwendigerweise bei diesem Konzept für die Bauteilbefestigung.
  • Ein Beispiel eines Glases 110 mit niedrig schmelzender Temperatur ist eine Mischung aus Pb0 und V&sub2;0&sub5;. Dies kann mit einem zweiminütigen Backen bei 360ºC verwendet werden, um den Deckel 100 an der Verpackungs basis 10 zu dichten.
  • Fig. 5A zeigt eine Draufsicht auf den Boden des Keramikdeckels 100, wobei der zentrale Bereich 105 ausgehöhlt ist, wie dies in Fig. 5B dargestellt ist.
  • Fig. 5B zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A in Fig. 5A des Keramikdeckels 100 und des Glases 110 mit niedriger Schmelztemperatur.
  • Fig. 6A stellt eine Draufsicht einer alternativen Ausführungsform der Verpackung 200 dar. Bei dieser Ausführungsform ist die Packungsbasis 200 in Fig. 6B so dargestellt, daß sie aus einer Schicht eines Keramikmaterials 210 zusammengesetzt ist, die goldplattierte Kovar-Leiter 230 in einem goldplattierten Kovar-Leiterrahmen 240 besitzt, der an dem Keramikmaterial 210 durch geschmolzenes Glas 220 gedichtet ist. Der glasfreie Flächenbereich 201 des goldplattierten Kovar-Leiters 230 innenseitig der Verpackungsbasis 200 wird zum Verbinden der Zwischenverbindungsdrähte 27 von den Verbindungsflächen 72, 74, 76, 78, 80 und 82 des SAW-Bauteils 70 verwendet, wie dies in Fig. 4B dargestellt ist.
  • Wie in Fig. 6B dargestellt ist, ist das SAW-Bauteil 70 mit der Bauteil-Verbindungsfläche 250 mittels eines thermoplastischen Bauteil-Befestigungsmaterials 60 befestigt und die elektrische Verbindung zu dem SAW-Bauteil 70 ist mittels Bonddrähten 27 hergesetllt, wie dies zuvor anhand der Fig. 4B beschrieben und dargestellt ist. Auf den Drahtverbindungsvorgang folgend wird eine Lötvorform 260 auf der Oberseite des oberen, metallisierten Rings 240 plaziert. Ein Deckel 270 wird auf die Oberseite der Lötvorform 260 plaziert und der Deckel 270 wird mit der oberen Metallisierung 240 verlötet und hermetisch mit dem Deckel 270 an der Verpackungsbasis 200 gedichtet.
  • Ein Beispiel eines gemessenen SAW-Ubertragungsfrequenz-Ansprechverhaltens 300 von einer SAW-Vorrichtung, die gemäß der vorliegenden Erfindung befestigt ist, ist in Fig. 7 angegeben. Die Daten, die in Fig. 7 dargestellt sind, stellen dar, daß das Vorrichtungs-Ansprechverhalten 300 gemäß dem SAW-Vorrichtungsdesign, das dasjenige der Verpackungsschritte gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt, nicht den Betrieb der SAW-Vorrichtung 70 stört.
  • Eine Verpackung 200 für eine mikroelektronische Vorrichtung, wie beispielsweise eine Schaltkreis-Oberflächenschallwellenvorrichtung 70 oder ein Halbleiterschaltkreisbauteil gemäß einer Ausführungsform der Erfindung, ist zum Einhüllen der SAW-Vorrichtung 70 in eine hermetisch abgedichtete Umgebung geeignet derart, daß die sich ergebende Struktur 200 ein minimales Raumvolumen einnimmt. Die Verpackung 200 kann eine Bauteilverbindungsfläche 250 für das Oberflächenschallwellen-Bauteil 70 umfassen und umfaßt ein thermoplastisches Klebemittel 60 zum Befestigen des SAW-Bauteils 70 an der Verpackungsbasis 210 ohne zu bewirken, daß sich die Oberseitenoberfläche des SAW-Bauteils 70 unter einer übermäßigen Kompression oder Spannung befindet, wobei jedes davon eine Fehlfunktlon verursacht. Das thermoplastische Bauteil-Befestigungsklebemittel 60 ermöglicht, daß die SAW-Vorrichtung 70 höheren Temperaturen als nach dem Stand der Technik ausgesetzt werden kann, was ermöglicht wird, ohne daß das SAW-Bauteil 70 eine Kontamination aufgrund von Ausgasen des Bauteil-Befestigungsklebemittels 60 unterliegt. Dies wiederum ermöglicht, daß die Abdeckung 270 an der Verpackungsbasis 200 mittels eines Lötmittels 260 befestigt werden kann, um hermetisch das SAW-Bauteil 70 gegenüber der Umgebung zu dichten. Die Basis 210, das thermoplastische Bauteil-Befestigungsklebemittel 60, die Abdeckung 270 und das Abdeckungsbefestigungslötmittel 260 arbeiten so zusammen, um eine Verpackung zu schaffen, die das SAW-Bauteil 70 umschließt und schützt.

Claims (7)

1. Verfahren zur Befestigung und zum Einkapseln einer frequenzselektiven Bauteilkomponenten (70), das ein thermoplastisches Material (60) zur Befestigung des Bauteil an einer Basis (10) und ein Dichtungsmaterial (110) zum hermetischen Befestigen eines Deckels (100) an der Basis (10) verwendet, wobei das thermoplastische Material (60) zwischen dem Bauteil (70) und der Basis (10) angeordnet wird und die Bauteil-Basis-Kombination erwärmt wird, um eine Verbindung dazwischen zu bewirken, und wobei ein Deckel (100) auf der Basis angeordnet wird, wobei das Dichtungsmaterial (110) zwischen dem Deckel und der Basis angeordnet wird und die Bauteil-Basis-Deckel-Kombiniation erwärmt wird, um hermetisch den Deckel an der Basis zu dichten, wobei das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß während des ersten Aufwärmschritts ein thermoplastisches Material (60) verwendet wird, das eine minimale Verbindungstemperatur T&sub1; bei oder oberhalb derjenigen besitzt, die sie erweicht und verbindet, und Erwärmen der Bauteil-Basis-Kombination auf mindestens T&sub1;, und, während des zweiten Aufwärmschritts, Verwendung eines Dichtungsmaterials (110), das eine Dichttemperatur T&sub2;≥T&sub1; besitzt, und Erwärmen der Bautel 1-Basis-Deckel-Kombination auf mindestens T&sub2;.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Verfahren die Verwendung eines thermoplastischen Materials (60) umfaßt, das Polyetheretherketon, Polysulfon, Polyethersulfon, Polyetherimid, Polybutylenetherephtalat oder Polycarbonat aufweist.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Bauteil eine Oberflächenschallwellenvorrichtung (70) aufweist und den Schritt eines Erwärmens der Bauteil-Basis-Deckel-Kombination ein Erwärmen umfaßt so, daß das thermoplastische Material, das die Oberflächenschallwellenvorrichtung trägt, während der Deckelabdichtung plastisch ist.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Bauteil eine Oberflächenschallwellenvorrichtung aufweist und der Verwendungs- und Erwärmungsschritt die Verwendung eines thermoplastischen Materials (60) aufweist, das T&sub1;< T&sub2; besitzt, so daß, nach einer Deckelabdichtung bei T&sub2; und während eines darauffolgenden Abkühlschritts, das Bauteil-Verbindungsmaterial plastisch mindestens während des Temperaturintervalls von T&sub2; auf T&sub1; verbleibt, so daß die die Vorrichtungscharakteristik alternierende Beanspruchungen vermieden werden.
5. Frequenzauswahlanordnung, die eine frequenzselektive Bauteilkomponente (70), eine Basis (10) zum Tragen des Bauteils (70), einen Deckel (100), ein thermoplastisches Material (60) zur Verbindung des Bauteils an der Basis und ein Dichtungsmaterial (110) zum hermetischen Abdichten des Deckels an der Basis aufweist, gekennzeichnet dadurch, daß das thermoplastische Material (60) eine charakteristische Temperatur T&sub1; besitzt, bei der oder oberhalb der es plastisch wird und sich verbindet, und das Dichtungsmaterial (110) eine charakteristische Temperatur T&sub2; besitzt, bei der oder oberhalb der es sich erweicht und dichtet, wobei T&sub2; gleich oder größer als T&sub1; ist, so daß das thermoplastische Material während der Deckeldichtung plastisch ist.
6. Anordnung nach Anspruch 5, wobei das thermoplastische Material (60) Polyetheretherketon, Polysulfon, Polyethersulfon, Polyetherimid, Polybutylenetherephtalat oder Polycarbonat aufweist.
7. Anordnung nach Anspruch 5 oder 6, wobei T&sub2;> T&sub1; ist, so daß das thermoplastische Material (60) plastisch in dem Temperaturintervall von T&sub2; bis T&sub1; nach der Deckeldichtung verbleibt, um die die Vorrichtungscharakteristik verändernden Beanspruchungen zu vermeiden.
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Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5420472A (en) * 1992-06-11 1995-05-30 Motorola, Inc. Method and apparatus for thermal coefficient of expansion matched substrate attachment
JP3306272B2 (ja) * 1995-10-20 2002-07-24 富士通株式会社 弾性表面波装置
US6140437A (en) * 1995-12-28 2000-10-31 Daikin Industries Ltd. Fluorine-containing elastic copolymers, curable composition containing the same and sealant made therefrom
US6119920A (en) * 1996-12-20 2000-09-19 Rf Monolithics, Inc. Method of forming an electronic package with a solder seal
US5892417A (en) * 1996-12-27 1999-04-06 Motorola Inc. Saw device package and method
US5855995A (en) * 1997-02-21 1999-01-05 Medtronic, Inc. Ceramic substrate for implantable medical devices
US6146743A (en) * 1997-02-21 2000-11-14 Medtronic, Inc. Barrier metallization in ceramic substrate for implantable medical devices
US6303992B1 (en) 1999-07-06 2001-10-16 Visteon Global Technologies, Inc. Interposer for mounting semiconductor dice on substrates
US6339276B1 (en) * 1999-11-01 2002-01-15 Agere Systems Guardian Corp. Incremental tuning process for electrical resonators based on mechanical motion
US6437667B1 (en) 2000-02-04 2002-08-20 Agere Systems Guardian Corp. Method of tuning thin film resonator filters by removing or adding piezoelectric material
US7296329B1 (en) 2000-02-04 2007-11-20 Agere Systems Inc. Method of isolation for acoustic resonator device
US6377136B1 (en) 2000-02-04 2002-04-23 Agere Systems Guardian Corporation Thin film resonator filter having at least one component with different resonant frequency sets or electrode capacitance
US6323744B1 (en) 2000-02-04 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Grounding of TFR ladder filters
US6603241B1 (en) 2000-05-23 2003-08-05 Agere Systems, Inc. Acoustic mirror materials for acoustic devices
US6355498B1 (en) 2000-08-11 2002-03-12 Agere Systems Guartian Corp. Thin film resonators fabricated on membranes created by front side releasing
US6486751B1 (en) 2000-09-26 2002-11-26 Agere Systems Inc. Increased bandwidth thin film resonator having a columnar structure
US6674291B1 (en) * 2000-10-30 2004-01-06 Agere Systems Guardian Corp. Method and apparatus for determining and/or improving high power reliability in thin film resonator devices, and a thin film resonator device resultant therefrom
US6587212B1 (en) 2000-10-31 2003-07-01 Agere Systems Inc. Method and apparatus for studying vibrational modes of an electro-acoustic device
US6743731B1 (en) 2000-11-17 2004-06-01 Agere Systems Inc. Method for making a radio frequency component and component produced thereby
US6550664B2 (en) * 2000-12-09 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. Mounting film bulk acoustic resonators in microwave packages using flip chip bonding technology
US7651879B2 (en) * 2005-12-07 2010-01-26 Honeywell International Inc. Surface acoustic wave pressure sensors
JP5216290B2 (ja) * 2007-09-27 2013-06-19 日本電波工業株式会社 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法
US8395247B1 (en) * 2009-06-29 2013-03-12 Integrated Device Technology, Inc. Method and apparatus for placing quartz SAW devices together with clock/oscillator
DE102015102869B4 (de) 2015-02-27 2017-05-11 Snaptrack, Inc. MEMS-Bauelement mit hoher Integrationsdichte und Verfahren zu seiner Herstellung
JP7113441B2 (ja) 2018-05-28 2022-08-05 国立大学法人東京工業大学 ニトリルオキシド化合物
US20210403622A1 (en) 2018-11-02 2021-12-30 Daikin Industries, Ltd. Fluororubber composition and molded article
WO2020251056A1 (ja) 2019-06-14 2020-12-17 ダイキン工業株式会社 電気化学デバイス用被圧縮部材
JP7032676B2 (ja) 2019-11-05 2022-03-09 ダイキン工業株式会社 積層体および押出成形品
JP7425375B2 (ja) 2020-09-18 2024-01-31 ダイキン工業株式会社 フッ素ゴム架橋用組成物および成形品
JPWO2022210040A1 (de) 2021-04-02 2022-10-06
WO2022210044A1 (ja) 2021-04-02 2022-10-06 ダイキン工業株式会社 フッ素ゴム架橋用組成物および成形品
KR20230163540A (ko) 2021-04-02 2023-11-30 다이킨 고교 가부시키가이샤 불소 고무 가교용 조성물, 성형품 및 시일재
JPWO2022220018A1 (de) 2021-04-15 2022-10-20
KR20240019815A (ko) 2021-06-15 2024-02-14 다이킨 고교 가부시키가이샤 불소 고무 가교용 조성물, 성형품 및 시일재
EP4357414A1 (de) 2021-06-16 2024-04-24 Daikin Industries, Ltd. Zusammensetzung zur fluorkautschukvernetzung, formprodukt und dichtungsmaterial
CN118139924A (zh) 2021-10-15 2024-06-04 大金工业株式会社 氟橡胶交联用组合物和成型品
WO2023100589A1 (ja) 2021-11-30 2023-06-08 ダイキン工業株式会社 フッ素ゴム架橋用組成物および成形品

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55127098A (en) * 1979-03-09 1980-10-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of mounting electronic part
US4356047A (en) * 1980-02-19 1982-10-26 Consolidated Refining Co., Inc. Method of making ceramic lid assembly for hermetic sealing of a semiconductor chip
US4592794A (en) * 1981-09-01 1986-06-03 Motorola, Inc. Glass bonding method
US4459166A (en) * 1982-03-08 1984-07-10 Johnson Matthey Inc. Method of bonding an electronic device to a ceramic substrate
US4550376A (en) * 1983-02-14 1985-10-29 Maciejczak Robert A Inspection system for mechanical structures
US4622433A (en) * 1984-03-30 1986-11-11 Diacon, Inc. Ceramic package system using low temperature sealing glasses
US4906311A (en) * 1985-09-24 1990-03-06 John Fluke Co., Inc. Method of making a hermetically sealed electronic component

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0563482A (ja) 1993-03-12
DE69206165D1 (de) 1996-01-04
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EP0498198A1 (de) 1992-08-12
JP3222525B2 (ja) 2001-10-29
US5303457A (en) 1994-04-19

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